宜昌碳化硅衬底项目招商引资方案模板参考.docx

泓域咨询/宜昌碳化硅衬底项目招商引资方案宜昌碳化硅衬底项目招商引资方案xxx（集团）有限公司目录第一章 市场分析8一、 半导体材料行业概述8二、 碳化硅半导体行业的战略意义8三、 碳化硅衬底类型9第二章 绪论11一、 项目名称及项目单位11二、 项目建设地点11三、 可行性研究范围11四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模13六、 项目建设进度13七、 环境影响14八、 建设投资估算14九、 项目主要技术经济指标14主要经济指标一览表15十、 主要结论及建议16第三章 项目背景、必要性18一、 宽禁带半导体材料简介18二、 碳化硅材料产业链20三、 面临的挑战25四、 加快构建现代产业体系，增强经济核心竞争力27五、 优化区域发展布局，推进区域协调发展30第四章 建筑技术方案说明33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第五章 选址方案分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 坚持创新第一动力，增强发展新动能40四、 项目选址综合评价43第六章 SWOT分析45一、 优势分析（S）45二、 劣势分析（W）47三、 机会分析（O）47四、 威胁分析（T）48第七章 法人治理54一、 股东权利及义务54二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事63第八章 运营模式分析66一、 公司经营宗旨66二、 公司的目标、主要职责66三、 各部门职责及权限67四、 财务会计制度70第九章 发展规划分析74一、 公司发展规划74二、 保障措施80第十章 工艺技术设计及设备选型方案82一、 企业技术研发分析82二、 项目技术工艺分析84三、 质量管理85四、 设备选型方案86主要设备购置一览表87第十一章 人力资源配置88一、 人力资源配置88劳动定员一览表88二、 员工技能培训88第十二章 项目环保分析90一、 编制依据90二、 环境影响合理性分析91三、 建设期大气环境影响分析91四、 建设期水环境影响分析95五、 建设期固体废弃物环境影响分析95六、 建设期声环境影响分析96七、 建设期生态环境影响分析96八、 清洁生产97九、 环境管理分析99十、 环境影响结论100十一、 环境影响建议101第十三章 项目节能说明102一、 项目节能概述102二、 能源消费种类和数量分析103能耗分析一览表104三、 项目节能措施104四、 节能综合评价105第十四章 原辅材料供应、成品管理107一、 项目建设期原辅材料供应情况107二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理107第十五章 项目投资分析109一、 投资估算的依据和说明109二、 建设投资估算110建设投资估算表114三、 建设期利息114建设期利息估算表114固定资产投资估算表116四、 流动资金116流动资金估算表117五、 项目总投资118总投资及构成一览表118六、 资金筹措与投资计划119项目投资计划与资金筹措一览表119第十六章 项目经济效益分析121一、 经济评价财务测算121营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表126二、 项目盈利能力分析126项目投资现金流量表128三、 偿债能力分析129借款还本付息计划表130第十七章 招投标方案132一、 项目招标依据132二、 项目招标范围132三、 招标要求133四、 招标组织方式133五、 招标信息发布133第十八章 总结评价说明134第十九章 附表附录136建设投资估算表136建设期利息估算表136固定资产投资估算表137流动资金估算表138总投资及构成一览表139项目投资计划与资金筹措一览表140营业收入、税金及附加和增值税估算表141综合总成本费用估算表142固定资产折旧费估算表143无形资产和其他资产摊销估算表144利润及利润分配表144项目投资现金流量表145第一章 市场分析一、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品，分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。二、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。三、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。第二章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：宜昌碳化硅衬底项目项目单位：xxx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区，占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积60667.00（折合约91.00亩），预计场区规划总建筑面积88169.98。其中：生产工程57140.80，仓储工程10297.80，行政办公及生活服务设施10809.42，公共工程9921.96。项目建成后，形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资31635.30万元，其中：建设投资24671.08万元，占项目总投资的77.99%；建设期利息537.93万元，占项目总投资的1.70%；流动资金6426.29万元，占项目总投资的20.31%。（二）建设投资构成本期项目建设投资24671.08万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用20947.10万元，工程建设其他费用3170.08万元，预备费553.90万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入59800.00万元，综合总成本费用52176.88万元，纳税总额4154.88万元，净利润5531.63万元，财务内部收益率8.72%，财务净现值-3774.19万元，全部投资回收期7.79年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60667.00约91.00亩1.1总建筑面积88169.981.2基底面积35793.531.3投资强度万元/亩260.542总投资万元31635.302.1建设投资万元24671.082.1.1工程费用万元20947.102.1.2其他费用万元3170.082.1.3预备费万元553.902.2建设期利息万元537.932.3流动资金万元6426.293资金筹措万元31635.303.1自筹资金万元20656.953.2银行贷款万元10978.354营业收入万元59800.00正常运营年份5总成本费用万元52176.88""6利润总额万元7375.51""7净利润万元5531.63""8所得税万元1843.88""9增值税万元2063.39""10税金及附加万元247.61""11纳税总额万元4154.88""12工业增加值万元15260.63""13盈亏平衡点万元31591.12产值14回收期年7.7915内部收益率8.72%所得税后16财务净现值万元-3774.19所得税后十、 主要结论及建议此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。第三章 项目背景、必要性一、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。三、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。四、 加快构建现代产业体系，增强经济核心竞争力坚持创新驱动、数字赋能，打好产业基础高级化、产业链现代化攻坚战。打造区域性先进制造业中心、现代服务中心，建设全国制造业高质量发展示范城、长江经济带产业转型升级示范区、中部地区先进制造业集聚地、鄂西南产业崛起动力源、现代服务业发展示范区，构建以生物医药、新材料、航空航天、清洁能源、新一代信息技术、节能环保和新能源汽车等战略性新兴产业为引领，以精细化工、装备制造、建筑、食品饮料、绿色建材和轻工纺织等先进制造业为主导，文旅、现代物流、健康、金融和大数据等现代服务业繁荣发展的现代产业体系。（一）提升产业基础高级化和产业链现代化水平以重点行业转型升级、重点领域创新发展需求为导向，围绕关键基础材料、核心基础零部件、重要技术装备和基础制造工艺、基础工业软件等方面，不断提升产业基础能力。支持一类新药研发及产业化、仿制药首仿快仿、特色原料药绿色工艺提升和中药配方颗粒化。提升湿法磷酸净化、磷石膏综合利用等关键技术水平。推动高性能硅烷偶联剂、高纯度硅油、高档次白炭黑、无水氟化氢等技术产业化。积极参与国家集成电路产业链关键分工。推动磷、氟、硅、碳基新材料产业突破性发展。（二）推动传统产业向中高端转型升级重点培育磷化工、煤化工、盐化工、硅化工等产业链，打造全省万亿现代化工产业的核心区和增长极。支持姚家港化工园（含田家河片区）、宜都化工园建设全国一流化工园。持续推动化工产业向“高端化、精细化、循环化、绿色化、国际化”发展，打造国家磷复肥保供基地、全国磷精细化工示范基地、国家工业资源磷石膏综合利用基地、华中地区新型煤化工基地、有机硅产业示范基地，建设长江经济带化工绿色转型升级示范区。力争到2025年，全市精细化工产业产值达到1800亿元，把宜昌建设成全国精细磷化工中心。（三）发展壮大战略性新兴产业实施战略性新兴产业倍增计划。优先发展势头好、活力足、潜力大的生物医药、新材料、航空航天等产业，培育发展清洁能源、新一代信息技术、新能源汽车、节能环保等产业，高质量建设全国一流仿制药生产基地、电子化学品示范基地、商业航天动力基地、大数据产业重要承载地，促进平台经济、共享经济健康发展。（四）加快发展现代服务业推动现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合，推动生产性服务业向专业化、高端化延伸，推动生活性服务业向品质化、规模化转型，推动城市公共服务向区域化、现代化拓展，打造区域性现代服务中心，建成世界旅游名城、国际物流枢纽城市、世界级康养产业基地、长江经济带一体化大数据中心、区域性金融中心。（五）做大做强建筑业以数字化、智能化建造技术为支撑，以新型建筑工业化为路径，加快传统建筑业与先进制造业、信息技术、节能环保等技术融合，打造具有区域竞争力的“宜昌建造”品牌。培育壮大装配式建筑产业，开展被动式超低能耗建筑试点示范，提高绿色建材使用比例。加快推进住宅全装修。鼓励建筑企业积极参与“一带一路”建设，充分发挥在宜建筑业央企优势，发展对外承包工程投建营一体化模式。到2025年，全市建筑业产值达2000亿元，施工总承包特级企业达到8家，施工总承包一级企业达到50家，1-2家龙头企业主板上市。五、 优化区域发展布局，推进区域协调发展全面落实“一主引领、两翼驱动、全域协同”区域发展战略，紧扣一体化和高质量发展要求，坚持城乡融合、区域联动、协同发展，积极推进以人为核心的新型城镇化，着力打造“两翼驱动”重要引擎。（一）发挥区域性中心城市引领带动作用增强省域副中心城市辐射功能。发挥长江黄金水道、沿江高铁东西通道和焦柳铁路南北通道作用，继续东承沪汉、西接成渝，服务“宜荆荆恩”城市群建设，打造连接长江中游城市群和成渝地区双城经济圈的重要纽带。加快宜昌省域副中心城市建设，增强综合实力，提升城市功能。优化“宜荆荆恩”城市群区域合作机制，加强城市发展规划衔接和产业对接，推进基础设施互联互通、产业发展协同合作、生态环境共保联治、公共服务共建共享、开放合作携手共赢。纵深推进三峡生态经济合作区建设，在基础设施一体化、产业协同发展、新型城镇化发展、生态文明建设、乡村振兴发展、内陆开放合作等领域广泛协作，打造长江经济带重要生态屏障。积极参与和推动包括宜昌、荆州、荆门、恩施和神农架，湖南张家界、岳阳和常德，重庆万州、巫山、巫溪、奉节、云阳和开县等在内的三峡城市群开放合作，打好“长江牌”“三峡牌”“生态牌”。（二）深化实施“双核驱动、多点支撑、协同发展”战略按照差异化定位、有序化协作、同城化发展思路，推动城镇功能互补、要素优化配置、产业分工协作、交通便捷通畅、公共服务均衡，提高“双核”发展水平和整体实力。提升城区“一核”龙头地位，进一步理顺市区两级财权事权，拓展空间骨架，提高经济密度和经济质量，做强城市规模。主城区充分发挥宜昌高新区、宜昌自贸片区和宜昌综保区先行先试体制机制优势，进一步提升开放业态，优化园区功能配套。积极打造鸦鹊岭工业园城区工业承载地、白洋片区新兴工业重要拓展地，大力发展战略性新兴产业和先进制造业，打造开放创新先导区、转型升级引领区、创新创业生态区。东部三市“一核”联动打造百强县域集群，积极承接发达地区产业转移，重点发展生物医药、精细化工、清洁能源、新材料、装备制造、食品饮料和绿色建材等产业，瞄准国际一流、国内领先，高标准建设宜都、枝江2个绿色精细高端化工园，高起点规划建设双莲工业园，推进经济总量升级、动力升级、结构升级，确保宜都和枝江在全国百强县市中再进位、当阳进入全国百强县市。（三）提升中心城区引领功能统筹城市布局的经济需要、生活需要、生态需要、安全需要，全面提升城市品质和形象，增强城区辐射引领作用。第四章 建筑技术方案说明一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积88169.98，其中：生产工程57140.80，仓储工程10297.80，行政办公及生活服务设施10809.42，公共工程9921.96。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程18612.6457140.807900.001.11#生产车间5583.7917142.242370.001.22#生产车间4653.1614285.201975.001.33#生产车间4467.0313713.791896.001.44#生产车间3908.6511999.571659.002仓储工程7516.6410297.80977.792.11#仓库2254.993089.34293.342.22#仓库1879.162574.45244.452.33#仓库1803.992471.47234.672.44#仓库1578.492162.54205.343办公生活配套2086.7610809.421629.753.1行政办公楼1356.397026.121059.343.2宿舍及食堂730.373783.30570.414公共工程7516.649921.961089.13辅助用房等5绿化工程8293.18161.74绿化率13.67%6其他工程16580.2954.087合计60667.0088169.9811812.49第五章 选址方案分析一、 项目选址原则1、符合城乡规划和相关标准规范的原则。2、符合产业政策、环境保护、耕地保护和可持续发展的原则。3、有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用的原则。4、保障公共利益、改善人居环境的原则。5、保证城乡公共安全和项目建设安全的原则。6、经济效益、社会效益、环境效益相互协调的原则。二、 建设区基本情况宜昌市位于湖北省西南部，地处长江上游与中游的结合部、鄂西武陵山脉和秦巴山脉向江汉平原的过渡地带，“上控巴蜀，下引荆襄”。地跨北纬29°56'31°34'、东经110°15'112°04'之间，东西最大横距174.08千米，南北最大纵距180.6千米。东邻荆州市和荆门市，南抵湖南省石门县，西接恩施土家族苗族自治州，北连神农架林区和襄阳市。宜昌，素有“三峡门户”“川鄂咽喉”之称。宜昌古称“夷陵”，因“水至此而夷、山至此而陵”得名。清朝时改称“宜昌”，取“宜于昌盛”之意。宜昌历史悠久，巴楚文化源远流长，是世界历史文化名人屈原、古代民族团结使者王昭君的故里。宜昌是三峡工程、葛洲坝水利枢纽工程所在地，被誉为“世界水电之都”。宜昌现辖5区3市5县和1个国家级高新区，国土面积2.1万平方公里，常住人口413.