山西碳化硅衬底项目建议书【参考模板】.docx

泓域咨询/山西碳化硅衬底项目建议书山西碳化硅衬底项目建议书xx有限责任公司目录第一章 绪论9一、 项目概述9二、 项目提出的理由11三、 项目总投资及资金构成11四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划12七、 环境影响12八、 报告编制依据和原则13九、 研究范围15十、 研究结论15十一、 主要经济指标一览表16主要经济指标一览表16第二章 背景及必要性18一、 面临的挑战18二、 宽禁带半导体材料简介19三、 坚定不移扩大内需，全面融入新发展格局21四、 精准聚焦“六新”突破，抢占未来发展制高点24第三章 行业发展分析28一、 碳化硅材料产业链28二、 行业发展态势及面临的机遇33第四章 产品方案与建设规划36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第五章 建筑技术方案说明38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案38三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表39第六章 运营管理模式41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42四、 财务会计制度45第七章 SWOT分析说明49一、 优势分析（S）49二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）51四、 威胁分析（T）51第八章 环境保护方案55一、 环境保护综述55二、 建设期大气环境影响分析56三、 建设期水环境影响分析58四、 建设期固体废弃物环境影响分析58五、 建设期声环境影响分析59六、 环境影响综合评价60第九章 工艺技术说明61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析64三、 质量管理65四、 设备选型方案66主要设备购置一览表67第十章 建设进度分析68一、 项目进度安排68项目实施进度计划一览表68二、 项目实施保障措施69第十一章 组织架构分析70一、 人力资源配置70劳动定员一览表70二、 员工技能培训70第十二章 投资估算73一、 投资估算的依据和说明73二、 建设投资估算74建设投资估算表78三、 建设期利息78建设期利息估算表78固定资产投资估算表80四、 流动资金80流动资金估算表81五、 项目总投资82总投资及构成一览表82六、 资金筹措与投资计划83项目投资计划与资金筹措一览表83第十三章 经济效益分析85一、 经济评价财务测算85营业收入、税金及附加和增值税估算表85综合总成本费用估算表86固定资产折旧费估算表87无形资产和其他资产摊销估算表88利润及利润分配表90二、 项目盈利能力分析90项目投资现金流量表92三、 偿债能力分析93借款还本付息计划表94第十四章 风险分析96一、 项目风险分析96二、 项目风险对策98第十五章 项目总结101第十六章 附表102主要经济指标一览表102建设投资估算表103建设期利息估算表104固定资产投资估算表105流动资金估算表106总投资及构成一览表107项目投资计划与资金筹措一览表108营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表114建筑工程投资一览表115项目实施进度计划一览表116主要设备购置一览表117能耗分析一览表117报告说明根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。根据谨慎财务估算，项目总投资32553.21万元，其中：建设投资25879.14万元，占项目总投资的79.50%；建设期利息517.03万元，占项目总投资的1.59%；流动资金6157.04万元，占项目总投资的18.91%。项目正常运营每年营业收入52200.00万元，综合总成本费用44487.56万元，净利润5617.08万元，财务内部收益率9.47%，财务净现值-1863.44万元，全部投资回收期7.61年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：山西碳化硅衬底项目2、承办单位名称：xx有限责任公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xxx（以选址意见书为准）5、项目联系人：肖xx（二）主办单位基本情况展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约74.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx吨碳化硅衬底/年。二、 项目提出的理由光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资32553.21万元，其中：建设投资25879.14万元，占项目总投资的79.50%；建设期利息517.03万元，占项目总投资的1.59%；流动资金6157.04万元，占项目总投资的18.91%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资32553.21万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）22001.76万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额10551.45万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：52200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：44487.56万元。3、项目达产年净利润（NP）：5617.08万元。4、财务内部收益率（FIRR）：9.47%。5、全部投资回收期（Pt）：7.61年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：24740.25万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺，应用清洁原材料，生产清洁产品，同时采取完善和有效的清洁生产措施，能够切实起到消除和减少污染的作用；因此，本期工程项目建成投产后，各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。九、 研究范围根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。十、 研究结论项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积49333.00约74.00亩1.1总建筑面积87368.401.2基底面积31079.791.3投资强度万元/亩335.422总投资万元32553.212.1建设投资万元25879.142.1.1工程费用万元22526.432.1.2其他费用万元2709.532.1.3预备费万元643.182.2建设期利息万元517.032.3流动资金万元6157.043资金筹措万元32553.213.1自筹资金万元22001.763.2银行贷款万元10551.454营业收入万元52200.00正常运营年份5总成本费用万元44487.56""6利润总额万元7489.44""7净利润万元5617.08""8所得税万元1872.36""9增值税万元1858.31""10税金及附加万元223.00""11纳税总额万元3953.67""12工业增加值万元14339.04""13盈亏平衡点万元24740.25产值14回收期年7.6115内部收益率9.47%所得税后16财务净现值万元-1863.44所得税后第二章 背景及必要性一、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 坚定不移扩大内需，全面融入新发展格局以育新机开新局的战略思维，把扩大内需同深化供给侧结构性改革有机结合起来，注重需求侧管理，更好发挥消费基础性作用和投资关键性作用，以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求，推动消费升级和产业升级互促共进，为转型发展拓展战略空间。（一）深度参与全国全球经济分工。紧紧抓住全球产业链、供应链调整的战略窗口期，培育我省消费引领的内需体系、垂直贯通的产业链体系、高效协同的供应链体系、互利共赢的价值链体系、内外融合的市场体系，建设支撑国内大循环、服务双循环的重要战略节点。发挥承东启西、连南拓北，处于新亚欧大陆桥经济走廊重要节点的优势，加快建设国家级区域物流中心。主动承接东部产业转移，建设国家级承接产业转移示范区。积极参与“一带一路”建设，支持在有条件的开发区设立国际合作产业园区，实施贸易投资融合工程，推动优势企业“抱团出海”。（二）优化稳定产业链供应链。聚焦重点产业和关键领域，分行业做好战略设计和精准施策，构筑以产业联盟和“链主”企业为主导，全要素集成、上下游融通的产业生态。充分挖掘省内需求，瞄准供应链和产业链的中高端，支持企业对标国际先进水平，重点优化食品、医药、轻工、建材等产品供给质量，完善政府采购和公共消费体系，构建门类齐全、竞争力强、地域特色明显的本土供应链。实施进口产品替代工程，鼓励重点行业和领域加大技术创新和关键先进技术产业化，储备和研发一批能够替代进口的关键领域高新产品。推进太原市国家供应链创新与应用试点，培育省级供应链创新与应用重点企业。（三）增强消费主引擎作用。增强消费的基础性作用，提升传统消费，培育新型消费，适当增加公共消费，加快发展消费新业态、新模式。建设多层次消费平台，推动步行街提升品质。促进汽车等消费品由购买管理向使用管理转变，推动住房消费健康发展。开拓城乡消费市场，实施电商进农村综合示范，畅通工业品下乡、农产品进城双向流通渠道。加强消费物流基础设施建设，积极培育直播零售、无人配送等新业态新模式，做大做强本土电商品牌，促进线上线下消费融合发展。实施放心消费行动，构建以信用为基础的新型监管机制，营造安全诚信消费环境。落实和完善带薪休假制度，扩大节假日消费。（四）发挥投资关键作用。树牢“项目为王”鲜明导向，以高质量项目推动高质量转型发展。建立谋划储备项目、年度建设项目、转型标杆项目、重点工程一体化推进体系，建好用好全省项目管理库，强化项目全口径调度、全流程服务、全要素保障。深化六项常态化工作机制，开展转型标杆项目攻坚行动，扩大制造业设备更新和技术改造投资，提升产业投资占比，优化投资结构。聚焦“两新一重”，精准加大补短板惠民生力度。统筹政府投资管理，编制政府投资年度计划，发挥好政府投资在外溢性强、社会效益高领域的引导和撬动作用。激发民间投资活力，探索基础设施REITs试点，规范有序开展政府和社会资本合作（PPP），形成市场主导的投资内生增长机制。四、 精准聚焦“六新”突破，抢占未来发展制高点把“六新”突破作为“蹚新路”的方向目标、路径要求和战略举措，紧跟国际科技发展前沿和产业变革趋势，以抢滩占先、换道领跑的姿态，先行布局发展未来产业，举全省之力坚决打赢打好“六新”攻坚战、决胜战。（一）超前规划布局新基建。充分发挥新基建对新经济、新动能的先行引导作用，加快建设信息基础设施，稳步发展融合基础设施，适度超前布局创新基础设施。加强5G基站、大数据中心、基于区块链的数据平台等信息基础设施建设，夯实数字底座，打造环首都数据存储中心、国家重要数据资源灾备中心、中西部算力中心和新一代信息基础设施建设标杆省份。深度应用互联网、大数据、人工智能等技术，全面推动市政设施、民生服务、生态环保、应急管理、能源领域等传统基础设施智能化转型升级，推进工业互联网行业级平台建设。围绕新兴产业未来产业发展战略需求，强化布局能源互联网、综合极端条件科学实验装置、超高速低真空磁悬浮电磁推进科学实验设施等重大科技基础设施。建立健全全省新型基础设施项目库，实施一批重点项目重大工程。到“十四五”末，新型基础设施技术短板逐步补齐，发展结构均衡合理，新基建对高质量发展的赋能作用明显增强。（二）瞄准前沿突破新技术。把握全球技术前沿态势，体系化布局技术路线图+项目清单，促进新技术转向跟踪和并跑领跑并存的新阶段。主动对接国家科技创新2030重大项目，聚焦量子信息、集成电路、人工智能、空天科技等前沿领域，努力实现从“0”到“1”的突破。注重从应用端发力，聚焦制约传统产业转型升级和战略性新兴产业发展的“卡脖子”技术，立项实施一批研发攻关项目。打造和拓展新技术应用场景，支持新技术产业化规模化应用，率先在重点产业集群形成新技术优势领域。到“十四五”末，一批重点领域的前沿引领技术取得重大突破，新技术对经济转型的引领作用明显增强。（三）抢占先机发展新材料。围绕“新特专高精尖”目标，实施产业能力提升、延链补链招商、产品应用保障三大工程，把新材料产业打造成为转型发展支柱产业。以山西转型综合改革示范区为主平台建设研发创新核心策源地，培育一批高端材料产业发展集聚区。聚焦半导体材料关键核心技术，发展砷化镓、碳化硅等第二/三代半导体材料，前瞻谋划第四代半导体材料研发布局，积极建设国家半导体材料研发生产基地。聚焦高端碳材料，加快碳纤维、石墨烯产业化培育和市场化应用，发展高端碳基合成材料，打造晋东南、晋中、晋北碳基新材料集聚区。开展合成生物学基础研究和生物基高分子新型材料、仿生材料等应用技术开发，打造国内重要的生物基新材料产业基地。加快发展多元化特殊钢等特种金属新材料生产及精深加工，为国家重大工程重大装备提供关键基础材料支撑。到“十四五”末，建成国家重要的新材料产业基地。（四）聚焦高端打造新装备。把装备制造业高质量发展作为转型发展的重中之重，实施产业生态培育、产业基础再造、智能绿色升级、先进集群打造、制造服务增值、央地先进产业融合六大工程，推动产业向价值链高端和产业链核心迈进。谋划布局未来新装备，加快机器人与人工智能技术深度融合，推动工业机器人应用向新兴领域、高精尖产业拓展，推进服务机器人在生产生活等方面应用试点示范。培育发展高端新装备，重点开发智能煤机装备、轨道交通装备及新能源汽车代表性装备，打造新能源装备、通用航空、增材制造、高端数控机床等产业集群。通过新一代信息技术，赋能煤化工、重型机械、纺织机械、农机装备等传统特色新装备。到“十四五”末，打造先进轨道交通装备、智能煤机装备、新能源汽车、电子信息千亿产业基地。（五）发挥优势做强新产品。聚焦“国家所需、山西所能”，加快科技含量高、品牌附加值高、产业关联度高、市场占有率高的新产品研发生产，力争开发一批具有核心竞争力的拳头产品。探索开发量子通信卫星、数字货币、6G天线等未来新产品。提升改造先进新产品，开发基于深紫外技术的系列产品。加快布局北斗卫星导航、煤层气高效合成金刚石等优势领域系列产品。发展多品种少批量生产和定制化生产，做特做优轻工、绿色建材等特色新产品。做优做强区域公用品牌，支持培育企业产品品牌。到“十四五”末，新产品开发项目实现快速增长，山西品牌竞争力、影响力大幅提升。（六）跨界融通培育新业态。突出数字化引领、撬动、赋能作用，着力推进数字经济与实体经济、民生服务深度融合，全面建设“数字山西”。培育智能制造新业态，加快制造向智造升级。加快形成人工智能和工业互联网产业“生态圈”。培育智慧物流新业态，开展智慧物流园区建设试点，提升物流业网络化数字化智能化水平。培育智慧城市新业态，加快数据开放共享、应用场景拓展，依托阳泉市、晋城市等全国“智慧城市”试点，打造一批先行区、示范区。大力发展“互联网+”新模式，培育扶持平台经济，积极探索“旅游+”“文化+”“农业+”等新业态。健全数字规则，依法规范发展平台企业。到“十四五”末，数字经济发展体系全面立体构建，新业态发展加速推进。第三章 行业发展分析一、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。二、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得