无锡关于成立碳化硅衬底公司可行性报告【模板参考】.docx

泓域咨询/无锡关于成立碳化硅衬底公司可行性报告无锡关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xxx（集团）有限公司报告说明xxx（集团）有限公司主要由xx公司和xxx投资管理公司共同出资成立。其中：xx公司出资348.00万元，占xxx（集团）有限公司60%股份；xxx投资管理公司出资232万元，占xxx（集团）有限公司40%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资13311.22万元，其中：建设投资10506.23万元，占项目总投资的78.93%；建设期利息220.11万元，占项目总投资的1.65%；流动资金2584.88万元，占项目总投资的19.42%。项目正常运营每年营业收入26800.00万元，综合总成本费用23271.79万元，净利润2566.23万元，财务内部收益率11.32%，财务净现值-1630.45万元，全部投资回收期7.29年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 拟成立公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 项目建设背景及必要性分析16一、 行业发展态势及面临的机遇16二、 碳化硅半导体行业的战略意义18三、 面临的挑战19四、 加快构建现代化产业体系，推动经济高质量发展20五、 积极扩大内需，主动融入新发展格局23六、 项目实施的必要性25第三章 行业发展分析26一、 碳化硅衬底类型26二、 宽禁带半导体材料简介26三、 碳化硅材料产业链28第四章 公司组建方案35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 公司组建方式36四、 公司管理体制36五、 部门职责及权限37六、 核心人员介绍41七、 财务会计制度43第五章 发展规划48一、 公司发展规划48二、 保障措施52第六章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事63三、 高级管理人员68四、 监事71第七章 选址方案73一、 项目选址原则73二、 建设区基本情况73三、 项目选址综合评价77第八章 项目风险评估79一、 项目风险分析79二、 项目风险对策81第九章 环境影响分析83一、 编制依据83二、 建设期大气环境影响分析83三、 建设期水环境影响分析84四、 建设期固体废弃物环境影响分析84五、 建设期声环境影响分析85六、 环境管理分析85七、 结论87八、 建议87第十章 项目投资计划88一、 投资估算的编制说明88二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表91四、 流动资金92流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表95第十一章 项目经济效益97一、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表102二、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104三、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106第十二章 项目实施进度计划108一、 项目进度安排108项目实施进度计划一览表108二、 项目实施保障措施109第十三章 项目综合评价110第十四章 附表附件111主要经济指标一览表111建设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建筑工程投资一览表124项目实施进度计划一览表125主要设备购置一览表126能耗分析一览表126第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xxx（集团）有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本580万元三、 注册地址无锡xxx四、 主要经营范围经营范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx（集团）有限公司主要由xx公司和xxx投资管理公司发起成立。（一）xx公司基本情况1、公司简介公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4930.633944.503697.97负债总额2592.352073.881944.26股东权益合计2338.281870.621753.71公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入17137.9913710.3912853.49营业利润3283.322626.662462.49利润总额2633.652106.921975.24净利润1975.241540.691422.17归属于母公司所有者的净利润1975.241540.691422.17（二）xxx投资管理公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额4930.633944.503697.97负债总额2592.352073.881944.26股东权益合计2338.281870.621753.71公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入17137.9913710.3912853.49营业利润3283.322626.662462.49利润总额2633.652106.921975.24净利润1975.241540.691422.17归属于母公司所有者的净利润1975.241540.691422.17六、 项目概况（一）投资路径xxx（集团）有限公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。“十三五”时期无锡高水平全面建成小康社会取得决定性成就。经济实力显著增强。现代产业体系加快构建，科技创新能力明显提升，高水平对外开放格局初步形成。预计2020年地区生产总值达1.2万亿元，提前一年实现比2010年翻一番目标，人均GDP达18.2万元、在全国GDP超万亿元城市中位居第二；科技进步贡献率达到66%、保持全省第一。民生福祉显著增加。居民人均可支配收入增速高于经济增速、实现比2010年翻一番目标；社会保障覆盖面和保障水平稳步提升，居民低保家庭人均年收入超过1.2万元、实现大市和城乡统一，提前两年完成市级经济薄弱村脱困转化任务。教育、医疗、体育、养老、食品药品安全保障等民生事业取得新成效，公共服务体系更加健全，城市治理和安全发展水平得到提升。城乡环境显著改善。生态环境持续优化，创成首批国家生态文明建设示范市，连续13年实现太湖安全度夏，中国美丽休闲乡村、省级休闲观光农业示范村数量居全省前列，农村人居环境整治提升“一推三治五化”专项行动、美丽乡村和特色田园乡村建设不断推进，城乡面貌整体改善，“太湖明珠江南盛地”城市形象更加彰显。文明程度显著提高。思想文化建设取得重大进展，社会主义核心价值观深入人心，文化事业和文化产业加快发展，市民文明素质不断提高，获评全国社会信用体系建设示范城市，成为首批全国市域社会治理现代化试点城市，获得全国社会综治领域最高奖“长安杯”，建成全国首个双拥模范城市群。“十三五”时期的成就是全方位的、变化是突破性的，我们取得了一批具有长远意义的战略成果，突破了一批具有历史意义的发展难题，实施了一批具有标志意义的重大探索，布局了一批具有全局意义的重大项目，为全面建设社会主义现代化奠定了坚实基础。（三）项目选址项目选址位于xx，占地面积约30.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积38330.36，其中：生产工程23936.40，仓储工程9040.20，行政办公及生活服务设施4143.52，公共工程1210.24。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资13311.22万元，其中：建设投资10506.23万元，占项目总投资的78.93%；建设期利息220.11万元，占项目总投资的1.65%；流动资金2584.88万元，占项目总投资的19.42%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：26800.00万元。2、综合总成本费用（TC）：23271.79万元。3、净利润（NP）：2566.23万元。4、全部投资回收期（Pt）：7.29年。5、财务内部收益率：11.32%。6、财务净现值：-1630.45万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）项目综合评价该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。三、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。四、 加快构建现代化产业体系，推动经济高质量发展坚定实施产业强市主导战略，坚持把发展着力点放在实体经济上，坚持以智能化、绿色化、服务化、高端化为引领，打好产业基础高级化和产业链现代化攻坚战，加快构建以新兴产业为先导、先进制造业为主体、现代服务业为支撑的现代产业发展体系，努力打造国内一流、具有国际影响力的现代产业新高地。（一）提升产业链现代化水平坚持自主可控、安全高效，深化“造链、补链、强链、延链”工程，加快打造物联网、集成电路、生物医药、高端装备等10条地标性产业链，集成电路、生物医药等产业规模实现翻番，形成若干世界级先进制造业集群，打造全球先进制造业基地。支持龙头企业做强做大，鼓励企业发展高附加值终端产品，着力打造一批“链主企业”，培育一批行业头部企业、领军企业，带动形成一批“专精特新”、隐形冠军和行业“小巨人”企业，提升核心企业产业链整合能力和控制能力。积极推动产业链优势企业和专业配套企业集群协同发展，着力提高区域协作配套能力，提高产品技术自给率和安全性。巩固提升我市企业在中国企业500强地位，争取世界500强企业实现突破。（二）实施产业基础再造工程聚焦核心基础零部件（元器件）、关键基础材料、先进基础工艺、产业技术基础、基础软件“五基”领域，制定产业基础能力提升方案，实施一批重大工业强基项目。推进工业化与信息化深度融合，大力发展智能制造，推动企业实施技改、“上云”行动，加快传统制造业数字化、网络化、智能化建设步伐。推广共性适用的新技术、新工艺、新材料、新标准，推动生产方式向柔性、智能、精细转变，构建新型制造体系。推进质量强市建设，强化标准引领，支持企业主导或参与制（修）订各类标准，提高标准话语权。（三）大力发展战略性新兴产业和现代服务业突出先导性和支柱性，加快培育壮大新一代信息技术、生物技术、新能源、新材料、新能源汽车、绿色环保等战略性新兴产业，打造国家级战略性新兴产业技术创新核心区、产业发展集聚区、应用示范先导区。聚焦产业技术前沿领域和新业态，积极布局人工智能、氢能、量子科技、区块链、北斗技术应用等未来产业。加快发展现代服务业，优化提升现代服务业集聚区，促进服务业与先进制造业、现代农业深度融合，推动金融、科技、物流、信息、人力资源和咨询、会展等生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，推动康养、文旅、体育、家政等生活性服务业向高品质和多样化升级，提升服务业数字化、标准化、品牌化水平。办好世界物联网博览会。依法合规探索新型产业用地模式，满足科技研发、成果产业化需求。（四）加快发展新经济加快发展数字经济，推动数字经济和实体经济相融合，推进数字产业化和产业数字化，大力发展具有比较优势的数字经济产业，积极发展数字金融、数字消费等新业态新模式，培育数字经济平台型企业，建设一批数字经济科技园区，构建产业链上下游和跨行业融合数字化体系，打造全国数字经济创新发展新高地。加快发展总部经济，积极招引国内外总部企业，建立总部企业培育库和“工厂总部化”外商企业名录，鼓励大规模制造企业向总部化转型，推动现有总部企业向全球性总部、综合性总部提升，分类规划建设总部经济集聚区。加快发展枢纽经济，打造空港、海港、高铁、陆港枢纽经济区，发展现代物流、航空产业、保税仓储、跨境电商、冷链运输等枢纽经济产业，促进交通枢纽、产业、城市融合发展，成为华东地区重要物流与供应链枢纽、长三角枢纽经济创新高地。五、 积极扩大内需，主动融入新发展格局坚持扩大内需这个战略基点，深化供给侧结构性改革，同时注重需求侧管理，把需求牵引和供给创造有机结合起来，健全供给与需求相互促进、投资与消费良性互动长效机制，增强经济发展韧性。（一）畅通经济循环依托强大国内市场，贯通生产、分配、流通、消费各环节，形成经济良性循环。畅通产业循环，破除妨碍生产要素市场化配置和商品服务流通的体制机制障碍，进一步打通各类生产要素的流通路径，推动上下游、产供销、大中小企业整体配套、有机衔接。畅通流通循环，形成商品和资源有效集散、高效配置、价值增值、统一开放的现代流通体系。畅通消费循环，积极培育平台型市场企业，推动从有形市场为主向线上线下市场融合为主转变。畅通区域循环，加快市域、城乡不同空间之间的经济循环，推动区域小循环与国内循环、国际循环有效衔接，实现区域更高水平、更高质量的供需动态平衡。（二）提升消费能级顺应消费升级趋势，完善落实促进消费政策，提升传统消费，培育新型消费，促进高端消费，更好发挥消费对经济发展的基础性作用。加强消费供给，提高终端产品和服务供给能力。推动实物消费品质发展，放宽服务消费领域准入限制，加快发展服务消费。加快技术、管理、商业模式等各类创新，促进消费向绿色、健康、安全发展，培育壮大网络消费、夜间消费、信息消费、文化消费、健康消费等新模式新业态。构建多层次、高品质消费平台，培育特色商区街区，努力建设国际消费中心城市。全面优化消费环境，打造消费者最放心城市。（三）扩大有效投资优化投资结构，保持投资合理增长，构建与高质量发展相适应的投资效益增长模式。聚焦重大科技创新、现代产业、基础设施、生态环境、区域一体、公共服务等重点领域，实施一批强基础、增功能、利长远、补短板重大工程项目。深化投融资体制改革，激发民间投资活力，扩大民间投资空间，形成市场主导的投资内生增长机制。健全完善重大项目建设体制机制，建立地区间统筹协调、利益平衡机制，强化重大项目服务保障，促进各项要素配置向重大优质项目倾斜。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 行业发展分析一、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。三、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。第四章 公司组建方案一、 公司经营宗旨以市场经济为导向，立足主业，引进新项目、开发新技术、开辟新市场，以求高信誉、高效率、高效益，为用户提供一流的产品和服务，为股东和投资者获得更多的利益，实现社会效益和经济效益的最大化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规