2010-微电子工艺复习提纲(共4页).doc
精选优质文档-倾情为你奉上2008级微电子工艺复习提纲一、衬底制备1. 硅单晶的制备方法。2. 晶圆的处理工艺，晶圆晶向的表征方法。3. 理解最大固浓度的概念，硅的杂质源和掺杂特点。二、外延生长1. 外延的定义和外延的几种方法。2. 四氯化硅氢气还原法外延制备硅的技术，理解温度、反应剂浓度、衬底晶向对生长速率的影响。3. 理解硅的外延生长模型解释硅外延生长为平面生长技术。4. 硅外延多晶与单晶生长条件。三、薄膜制备1-氧化1. 干法氧化，湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点。2. 理解氧化厚度的表达式和曲线图。3. 温度、气体分压、晶向、掺杂情况对氧化速率的影响。4. 理解采用干法热氧化和掺氯措施提高栅氧层质量这个工艺。四、薄膜制备2-化学气相淀积CVD1. 工艺中影响台阶覆盖、间隙填充的图形保真度的因素。2. 三种常用的化学气相淀积方式，在台阶覆盖能力，呈膜质量等各方面的优缺点。3. CVD的Grove模型提出的影响薄膜淀积速率的两个因素。4. 本征SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG的特性和在集成电路中的应用。5. 热生长SiO2和CVD淀积SiO2膜的区别。五、薄膜制备3-物理气相淀积PVD1. 两种真空蒸发方法和区别。2. 溅射的不同的种类。溅射与真空蒸发的比较。3. 等离子体的概念，高能粒子与芯片表面作用会发生的情况。六、扩散和离子注入1. 费克扩散方程。2. 恒定表面源扩散和恒定杂质总量两种扩散方式下结深及杂质总量的计算。 以下给出五道例题，请大家注意，能自己做出来。(1) 已知N-Si衬底NB=1015cm-3,在1150作硼再分布扩散后测得Xj=2.5m, NS=2×1019cm-3, D=6×10-13 cm2/s, 求扩散时间t=_min.(只保留整数部分)扩散时间为44min.(2) 已知N-Si衬底NB=1015cm-3，硼预扩散温度为1000，D=2×10-14cm2/s ,时间为20min,Ns=4×1020cm-3, 求通过单位表面积扩散到硅片内部得杂质总量Q=_×1015cm-2.(答案保留三位有效数字)杂质总量为2.21_×1015cm-2。(3) 某数字集成电路的埋层采用锑源箱法扩散，扩散温度为1200，扩散时间为2小时，试求n+埋层的厚度为_m。已知Ns=6.4×1019cm-3, NB=2×1015cm-3，D=3×10-13cm2/s, erfc-1(3.125×10-5)=2.9.n+埋层的厚度为_2.69_m(4) 某硅晶体管基区硼预淀积的温度为950，衬底NB=2×1015cm-3，要求预淀积后的方块电阻为80/，试确定预淀积所需要的时间为_min.（保留整数）已知电阻率=660·cm-1, Ns=4×1020cm-3, erfc-1(2.5×10-5)=2.95 ,D=5×10-15cm2/s. 计算得到预淀积时间为34min。(5) 某集成电路采用的n型外延层衬底浓度为NB=2×1016cm-3，晶体管基区硼预淀积的温度为950，时间为10min, NS1=4×1020cm-3,D1=5×10-15cm2/s, erfc-1(5×10-5)=2.89, 再分布的温度为1180，D2=1×10-12cm2/s, 时间30分钟. 试求再分布后的结深为_m。（答案保留三位有效数字）。预淀积后的杂质总量为再扩散后的杂质分布为当NS2=NB时，结深为2.12um。3. 理解硅扩散中扩硼（B），扩磷（P），扩砷（As）的图像。4. 理解扩散工艺中，时间t和温度T对掺杂浓度和结深的影响。5. 理解离子注入的优势在于：注入离子剂量和注入能量分别控制掺杂浓度和形成的结深。6. 离子注入过程中可能出现的沟道效应及解决办法。7. 集成电路工艺中阱注入，源漏注入，阈值电压调整和LDD工艺中分别会采用的离子注入工艺条件。8. 对离子注入工艺引入的损伤进行处理，杂质激活所采用的退火工艺。掌握普通热退火和快速热退火的区别。9. 理解硼（B）和磷（P）的退火特性。七、光刻与刻蚀1. 现代光刻工艺的基本步骤。2. 正胶和负胶的区别。3. 三种曝光方法的优缺点，投影步进光刻机的优势。4. 理解光刻的分辨率和特征尺寸的概念。5. 理解光刻工艺对曝光强度，曝光深度和曝光剂量的要求。6. 湿法腐蚀与干法刻蚀各自的特点。7. 硅的湿法腐蚀液和V型槽的腐蚀，SiO2的湿法腐蚀方法。8. 干法刻蚀通常将离子刻蚀和溅射刻蚀结合，保证刻蚀的各向异性和选择性。常用的干法刻蚀系统：RIE，ICP，ECR等。八、金属化1. 在接触层和互联层常用的金属薄膜，理解经常出现的铝楔和电迁移的现象。2. 金属化的一般工艺流程、理解Polycide、Salicide的概念。3. 局部平坦化技术：BPSG/PSG回流，光刻胶回刻、SOG回刻等4. 化学机械抛光CMP技术九、典型工艺流程1. 埋层双极晶体管的制作流程，理解埋层的作用及工艺制备中需要注意的问题。2. BJT多晶硅发射极和基区自对准工艺。3. MOS自对准多晶硅栅源漏工艺。4. MOS工艺里的侧墙工艺，LDD工艺，金属硅化物Saliside工艺。5. CMOS的简要工艺流程：阱，隔离，栅（阈值电压调整，LDD），自对准源栅漏，金属化（接触层，互连层），钝化。6. 识别给出的具体器件（标准埋层BJT，自对准多晶硅基区和发射区BJT，CMOS器件等）工艺流程图。7. 读懂90年代CMOS结构图，认识图中相应的部分。8. 读懂BiCMOS工艺结构图。9. 掌握CMOS工艺里常用的英文缩写：IMD，PMD，STI，LOCOS，PSG，BPSG等。专心-专注-专业
