武汉理工大学-2013-2014学年-第2学期-模拟电子技术基础C期末试卷(共6页).doc
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武汉理工大学-2013-2014学年-第2学期-模拟电子技术基础C期末试卷(共6页).doc
精选优质文档-倾情为你奉上 试卷装订线 装订线内不要答题,不要填写考生信息试卷装订线 姓 名学 号专业班级学院武汉理工大学考试试卷(A卷)20132014学年 2 学期 模拟电子技术基础C课程 闭卷 时间120分钟, 48 学时, 3 学分,总分100分,占总评成绩 70 % 2014 年 6 月 3 日题号一二三四五六七八九十合计满分10101020201515100得分得分 一、填空题(各1分,共10分) 1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的( )浓度 ,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。 2、如果某放大电路中的三极管集电结反偏,发射结也反偏,则该管工作于( )区,输出信号产生( )失真。 3、有两个电压放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的输入电阻( )(大、小)。 4、由于BJT晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电,所以将它称为双极型的,而场效应管只有多数载流子参与导电,所以将其称为( )的。 5、三种单级BJT管基本组态放大电路中,最适合做多级放大电路的输出级的是( ),主要原因是该电路的( )电阻小。 6、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将增大电路的( )参数值。 7、为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入( )负反馈。 8、耗尽型绝缘栅场效应管MOSFET,可以在( )(正、负、或正负)栅源电压vGS下工作。专心-专注-专业得分 二、(10分)电路如题图2所示,已知vi8sint(v),R大小合适,图2 利用恒压降模型(VD0.7V),在vi作用下求解: 1、D的导通条件及此时的输出电压vo ;(3分) 2、D的截止条件及此时的vo ;(3分) 3、画出电路的vo波形。(4分) 得分 三、(10分) 题图3所示为简化集成运算放大器内部原理图,运放电路由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成,试分析:1、输入级由何种电路构成,其作用是什么?(3分)2、中间级由何种电路构成,其作用是什么?(2分)3、输出级由何种电路构成,其作用是什么?(3分)4、T3与T4组成什么电路?其作用是什么?(2分)图3得分 四、(20分)题图4所示电路中所有元器件的参数都已知,试分析计算:1、画出直流通路,求静态Q点;(6分)2、画出小信号等效电路,求电压增益Av ;(6分) 3、求解Ri和Ro;(4分)4、在不改变元器件参数的前提下,要提高电压增益,电路可以怎样改进?(2分) 5、为了使电路具有稳定静态工作点的作用,电路应该怎样改变?改变后的电路RL图4Re 是什么电路(2分)得分 五、(20分)电路如题图5。1、利用瞬时极性法分别判断图(a)、(b)引入的级间反馈是正反馈还是负反馈;(6分)2、若引入的是负反馈,则判断是哪种组态的负反馈;(4分)3、说明图中负反馈放大电路的功能;(2分)4、说明图中负反馈组态对放大电路性能的改善;(4分)5、如果图中存在正反馈,请改为能稳定输出电压增大输入电阻的负反馈电路。(3分)图5(a) 试卷装订线 装订线内不要答题,不要填写考生信息试卷装订线 得分六、(15分)题图6中的运算放大器为理想运放,R1-R4为已知电阻。 1、试分析Vo与V1、V2的运算关系;(10分)2、在什么条件下电路可以实现Vo = 3V2 - 4V1 的运算 ?(2分)3、电阻R、R5有什么作用,取值应该为多少?(用已知电阻表示)(3分)图65图7得分 七、(15分)电路如题图7所示,T1和T2的参数完全对称,1250,rbb´1 = rbb´2 = 200,VBE1 =VBE2 = 0.7V。1、试求静态时IB1和VCE1和IC1 ;(6分)T1T2RcIRLRbRcRbVCCVEE图题6.2.3(12V)(12V)(2mA)5K5K20020010K2、试求差模电压放大倍数AVd 、差模输入电阻Rid 和输出电阻Ro。(6分)3、试求共模电压放大倍数AVd 和共模抑制比KCMR 。(3分)