HY016射频设计4-静态NV生成说明(共6页).docx
精选优质文档-倾情为你奉上HY016射频设计4_静态NV生成说明在PCB投板的两周间隙中，射频工程师可以先把静态NV和校准文件准备起来。这样等板子贴片回来后就可以下载静态NV，验证原理图设计了。本文对静态NV进行介绍，并详细说明如何生成HY016的静态NV。目前高通平台，绝大部分射频相关参数是通过NV来进行配置的。一份静态NV包括如下部分： 1、 硬件设计对应的RF Card（NV1878）2、 射频电路支持的所有频段，包括2G/3G/4G，发射/主接收/分集接收3、 每个支持频段的射频相关参数，包括发射和接收的增益等级、切换点、最大最小发射功率、温度补偿、时序控制等一份正确的静态NV是要让射频电路跑起来的必要条件。RF CardRF Card是硬件和驱动正确关联的关键。每份不同的硬件设计采用不同的RF Card，比如有些是WTR2965+QFE4373的，有些是WTR4905+QFE4320的，有些支持南美频段，有些支持国内CA。这些不同的硬件设计，都对应不同的RF Card。驱动则根据不同的RF Card对硬件做相应的配置。所以RF Card弄错，往往都会导致开机死机。RF Card保持在NV1878中。以HY016南美全频段为例，射频和驱动约定这个设计的RF Card是111，即NV1878=111。在这个RF Card中，射频采用WTR4905+RDA PhaseII来实现南美全频段。驱动也需要在这个RF Card下修改代码，使之和硬件相匹配，重点是通过MIPI和GPIO对芯片的模式和频段进行控制。若我们使用的是高通的参考设计，那高通会有默认原理图和驱动代码，我们只要沿用这份原理图的RF Card即可。以8909 QCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046为例，在软件代码如下路径中可以看到高通支持的RFCardQCN_XTT_MBN_NV_sysRFCalDll_8909_JO.3.0_r00046modem_procrftarget_jolokiamsm8909qcn（驱动每个基线都会把这部分文档上传到服务器）但这些RF Card都是采用高通的PA进行设计的电路，在成本上会贵不少。所以我们采用新的射频方案后，往往第一个平台都要自己准备相关NV，PA厂家若能提供那就更好了。RFC文件夹说明以WTR4905_chile_srlte_V2为例来说明一个具体的RFC文件夹。打开这个文件夹能看到：里面包括一个MasterFile的主文件和所有这个Card支持频段的参数。MasterFile中包括了所有这个Card支持的频段的索引，每个索引都代表外面文件夹中的一个文件。下图就是MSM8909_WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_MASTERFILE.xml的前一部分：如<xi:include href="WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_RX0.xml#xpointer(/NvSource/*)"/>就代表要导入WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_CDMA_BC0_TX0.xml文件，即CDMA制式下850M频段的主发射通路相关射频参数。MasterFile文件中除了每个频段的具体参数外，在最后还包括如下整个RFCard频段相关参数：这两部分变构成了整个MasterFile文件下图以LTE B1的发射、主接收、分集接收的文件为例，对主要NV进行说明WTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_TX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX0.xmlWTR4905_CHILE_SRLTE_V2_LTE_B1_RX1.xmlHY016南美全频段静态文件的生成HY016南美全频段需要支持：GSM QB+WCDMA B1/2/4/5/8+LTE B2/4/5/7/12/28A/28B高通目前没有RDA PhaseII的RFCard，所以我们最快捷的方法是从F8T（国内电信全网通）的静态NV进行扩展。首先修改频段等相关参数，包括RFCard。NV定义和修改说明如下图：然后再添加新增频段的参数（需增加WCDMA B2/4/5， LTE B2/4/7/12/28A/28B），这里以增加LTE B12为例进行说明。1， 在高通现有RFC中找一个支持B12的作为基本模板。qcnwtr4905_tmoetc包含B12，所以可以把这个文件夹下的三个文件作为模板进行删减优化WTR4905_TMO_LTE_B12_TX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX0.xmlWTR4905_TMO_LTE_B12_RX1.xml2， 先看两个简单的接收文件RX0和RX1由于同为WTR4905为射频收发器，所以增益等级可以共用，即LNA共包括六个不同增益等级，各增益等级的上升下降沿如下：-74dbm,-78dBm,-60dbm,-64dbm,-40dBm,-44dBm,-28dBm,-32dBm,-20dBm,-24dBm<NvItem id="22135" name="RFNV_LTE_B12_LNA_RANGE_RISE_FALL_I" mapping="direct" encoding="dec">-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItem id="22177" name="RFNV_LTE_B12_C1_LNA_RANGE_RISE_FALL_I" mapping="direct" encoding="dec">-740,-780,-600,-640,-400,-440,-280,-320,-200,-240,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem>3， 然后看发射文件TX由于我们的射频电路未采用APT或EPT模式，所以这些XPT相关NV可以直接删除<NvItem id="25543" name="RFNV_LTE_B12_TX_XPT_DELAY_I"><NvItem id="25686" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_IN_I"><NvItem id="25642" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_VS_FREQ_P_OUT_I"><NvItem id="22154" name="RFNV_LTE_B12_TX_CAL_CHAN_I">表示发射校准信道，可以沿用默认值，我们在QSPR校准时设置的信道须在这16个校准信道中<NvItem id="27202" name="RFNV_LTE_C0_B12_FBRX_GAIN_SWITCH_POINT_I">，忽略，保持默认值<NvItem id="22144" name="RFNV_LTE_B12_MAX_TX_POWER_I">，最大发射功率，保持23dBm默认值<NvItem id="22148" name="RFNV_LTE_B12_TX_ROT_ANGLE_PA_STATE_I">，PA不同增益等级的相位补偿，和PA特性有关，保持默认值<NvItem id="22149" name="RFNV_LTE_B12_PA_COMPENSATE_UP_DOWN_I">，PA不同增益等级切换时AGC的补偿，和PA特性有关，保持默认值<NvItem id="22150" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIN_VS_TEMP_I">，不同增益等级下的温度补偿值，对电路调试无影响，保持默认值。后续温度特性较差的话，可以做些补偿，通常用默认值不会有问题<NvItem id="22155" name="RFNV_LTE_B12_TX_LIMIT_VS_TEMP_I">，最大发射功率的温度补偿值，对电路调试无影响，保持默认值。后续温度特性较差的话，可以做些补偿，通常用默认值不会有问题<NvItem id="22151" name="RFNV_LTE_B12_PA_RANGE_MAP_I">，非常关键的参数，由PA特性决定，对应PA State0,State1,State2,State3的控制逻辑。对于RDA PhaseII PA，只有两个增益等级，PA State0是3，对应低增益等级；State1-3都是0，对应高增益等级。默认值是基于QPA的，包含四个增益等级，是3,2,1,0。我们需要将其修改为3,0,0,0<NvItem id="22152" name="RFNV_LTE_B12_TIMER_HYSTERISIS_I">，高增益切换到低增益等级AGC的保持时间，用默认值即可<NvItem id="22153" name="RFNV_LTE_B12_PA_RISE_FALL_THRESHOLD_I">，PA增益等级切换点，和PA特性相关。换算规则是10*(70+dBm)，须和PA_Range_Map对应。根据RPM6743的Datasheet，我们将切换点设置在6.5dBm,3.5dBm，即NV22153=<765,735,2047,2047,2047,2047,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0</NvItem><NvItem id="22156" name="RFNV_LTE_B12_MPR_BASED_PA_SWITCHPOINTS_SHIFT_I">，忽略，保持默认值<NvItem id="22157" name="RFNV_LTE_B12_TX_MPR_BACKOFF_I">，发射功率回退，保持默认值<NvItem id="22158" name="RFNV_LTE_B12_TX_DIGITAL_GAIN_COMP_I"><NvItem id="22159" name="RFNV_LTE_B12_TX_AGC_OFFSET_I">防止DAC饱和的功率回退值，保持默认值<NvItem id="24167" name="RFNV_LTE_B12_TX_EPT_DPD_CONFIG_PARAMS_I">，由于我们未采用APT或EPT模式，所以第一位设置为0即可<NvItem id="24943" name="RFNV_LTE_B12_MIN_TX_POWER_DB10_I">，精度为0.1dB的最小发射功率设置，获得更高精度<NvItem id="22191" name="RFNV_LTE_B12_MAX_TX_POWER_DB10_I">，精度为0.1dB的最大发射功率设置，获得更高精度4， 至此整个B12频段的静态NV全部添加完毕。重复同样的工作，直到把所有支持的频段全部添加好，便生成整个HY016南美频段的静态NV。比如可命名为：HY016_static_SA_Whole_.xml5， 按如下步骤通过高通工具QRCT将xml文件转换成QCN文件这样就生成了HY016_static_SA_Whole_.QCN文件等主板回来后，通过QPST下载这个静态QCN后就能跑射频校准，验证射频电路的设计情况了。专心-专注-专业
