模拟电子技术复习题(共30页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“”，否则填入“×”。）第二章（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。（ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（× ）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（× ）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（ ）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（ × ）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。（ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（ ）12. 射极输出器的输入电流是，输出电流是，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（ × ）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。（ ）2. MOSFET的输入电阻比BJT高。第六章（ ）1. 运放的共模抑制比。（× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。（× ）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比KCMR=100dB。（ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。第七章（ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。（ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。第八章（ ）1. 功率放大电路的转换效率。（ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。（ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。第九章（ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。（ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足的条件。（ ）3. RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容C的值来调节。（× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。（ ）5. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf，放大电路的相移为ja，那么只有a+f=2n，才满足相位平衡条件。（ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。第十章（ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。二、填空题第二章1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 负 反馈。2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。第三章1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这只三极管是 PNP型锗管 。（写出三极管的类型NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。）3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。第四章4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO将变  大  （大；小）。5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当Rb太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的_顶部_波形会被削掉。8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内和的相位相 反 （同；反）。9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数将变 大 （大；小）。11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向_上_（上；下）移动。13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。14. 下图为某放大电路的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 ，下限截止频率为 。15. 用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。题15图 题16图第五章1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N沟道耗尽型MOSFET 管。2 NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是。第六章 电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。第七章1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。3. 在反馈电路中，若1+AF>1，则为_负_反馈；若1+AF<1时,则为_正_反馈。4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈 。5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。第八章1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT的最大允许管耗必须大于 0.2 。2. 下图功放电路中VCC12V，RL=6，则最大输出功率POM 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。第九章1. 希望获取频率为100HZ500HZ的有用信号，应选用 带通 滤波电路。2. 正弦波振荡电路主要有RC和LC型振荡电路两大类, RC型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC型振荡电路一般用来产生 高 频信号。3. 在RC桥式正弦波振荡电路中，若串并联选频网络中的电阻均为，电容均为，则其振荡频率 。4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。第十章 在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。 三、单项选择题（每题2分,共20分）第一章1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。A. B. C. D. 第三章1N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 A. 电子 B. 空穴 C. 三价元素 D. 五价元素2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 不能确定3. 晶体二极管具有（A ）特性。A. 单向导电 B. 集电极电压饱和 C. 双向导电 D. 集电极电流截止4PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定5二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（C ）。 A. ISeU B. C. D. 6. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。锗管为（ A ）V伏。A. 0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.77. 稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加电压。（ C ）A.单向导电，反向 B.反向击穿，正向 C.反向击穿，反向 D.单向导电，正向8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。A.大 B.小 C.相等 D.无法确定第四章1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内和的相位（ B ）。A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏3. 一个三极管放大电路， =60A， = 2mA,值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。A.放大 B. 击穿 C.截止 D. 饱和4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B ）。A. 二极管D截止 B. 二极管D导通 C. 二极管D导通 D. 二极管D截止 图1 图25. 已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。 A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管6. 当信号频率等于放大电路的或时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 D. 1倍7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是=10，=20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（ C ）。A. = 30B. = 10 C. = 200 D. = -2008. BJT三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（ B ）。A. 只有一种载流子参与导电 B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的 C. 电子、空穴两种载流子都参与导电 D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的9. 要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（ D ）。 A. 共射极 B. 共源极 C. 共集电极 D. 共基极10. 对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（ B ）。 A. 电压放大倍数小于1且近似等于1 B. 电流放大倍数小于1且近似等于1 C. 输出电阻小，且与信号源内阻有关 D. 输入电阻大，且与负载有关11. BJT三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（ B ）。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 共源极12放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在 B. 半导体管极间电容和分布电容的存在C. 半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适14考虑了带负载增益分别为，的三级放大电路，则总的电压增益为（ B ）dB。A. 1800 dB B. 80 dB C. 600 dB D. 60 dB15多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ A ）。A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级16某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V,则这只三极管是（ B ）。A. NPN型的硅管 B. NPN型的锗管 C. PNP型的硅管 D. PNP型的锗管17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（ C ）。 A. B. C. D. 18.工作在放大区的三极管，当从20A增大至40A时，从1mA变为2mA，其值约为（ B ）。A. 100 B. 50 C.500 D.100019.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V，则其电压放大倍数为（ D ）。A. 1000 B.100 C.200 D. 2020. 一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（ B ）器件使用。A.晶体三极管 B.晶体二极管 C.固定电阻 D.大容量电容21. 共集电极放大电路的放大倍数，而电流放大倍数。（ C ）A.1,很小 B.1,很大 C. 1, 很大 D. 1,很小22. 工作在放大区的三极管，已知值=100,，约为（ B ）mA。A.1 B.2 C.3 D.423. 一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vc约为0.6V，Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的三极管可能处于（ B ）状态。A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿24. BJT放大电路中既能放大电压，也能放大电流的是（ A ）组态放大电路。A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定第五章1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）。A. MOS场效应管 B. BJT三极管 C. 结型场效应管 D. 二级管2. 已知某MOS场效应管的转移特性如图3所示，试判断该场效应管的类型为（ A ）。A. N沟道增强型MOS场效应管B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管3. 场效应管是一种（ D ）的器件。 A. 电流控制的电流源 B. 电流控制的电压源 C. 电压控制的电压源 D. 电压控制的电流源4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来改变导电沟道的电阻。A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流5. 题13图示电路中，则漏极电流（ A ）。A. 0.2mA B. 0.4mA C. 0.6mA D. 0.1mA6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻，则图示电路中电压增益=（ A ）。A. B. C. D. 7. 题15图示转移特性曲线，则它是（ A ）管。A. N沟道耗尽型MOSFET B. P沟道耗尽型MOSFET C. N沟道耗尽型JFET D. N沟道增强型JFET 题13 图 题14 图 题15 图 第六章1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小放大倍数2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ D ）。 A. 可抑制温度漂移 B. 可使输入电阻减小 C. 可获得很大的放大倍数 D. 集成工艺难于制造大容量电容3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以（ B ）。A. 减小温漂 B. 提高放大倍数 C. 展宽通频带 D. 提高带载能力 4. 复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（ C ）。 A. 和 B. 差 C. 积 D. 商5. 某一差动放大电路的输入，则该差放的共模信号和差模信号分别为（ B ）。A. 2.5mV，7.5mV B. 2.5mV，15mV C. -7.5mV，-2.5mV D. -15mV，5mV6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.输入电阻越大 D抑制共模信号的能力越强7. 通用型集成运放的输入级多采用（ D ）。 A. 共基接法 B. 共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法8. 差分放大电路中，当=300mV，=280mV，=100，=1时，输出电压为（ D ）。A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V第七章1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）。A. 输入信号中的干扰和噪声 B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声C. 反馈环外引入的干扰和噪声 D. 产生于反馈环内的干扰和噪声2. 在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（ C ），则说明引入的反馈是正反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量减小 C. 净输入电量增大 D. 净输入电量减小3. 提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（ D ）。A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）。A. 稳定输出电流 B. 稳定输出电压C. 稳定电压放大倍数 D. 稳定直流工作点5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是（ B ）。 A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 6. 在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强，则其（ D ）。 A. 放大倍数越大 B. 输入电阻越大 C. 输出电阻越小 D. 放大倍数的稳定性越强。7. 欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（ D ）。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈8既提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（ B ）。A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈9放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q上移, 应使（ C ）。A. 增大 B. 增大 C. 减小 D. 增大 图1 图210判断图2电路中交流反馈的组态（ B ）。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈11.希望接上负载后，基本不变，应引入（ A ）负反馈。A.电压 B.电流 C.串联 D.并联12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）。A. 稳定输出电流 B. 降低输入电阻 C. 降低输出电阻 D. 稳定电压放大倍数13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）。A. B. C. D. 14. 某负反馈放大电路的开环增益 =,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 为（ A ）。A. 2500 B. 2000 C. 1000 D. 150015. 在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（ C ）反馈。A. 电流 B.  串联 C. 电压 D. 并联第八章1. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）。 A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D. 0.4 W 2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为，则最大输出功率为（ C ）。 A. B. C. D. 图1 图2 3. 电路图2中D1和D2管的作用是消除（ B ）。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C. 截止失真 D. 线性失真 4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（ A ）。A. B. C. D. 5. 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（ B ）状态。A. 甲类 B. 甲乙类 C. 乙类 D.丙类第九章1一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）。A. 放大电路和反馈网络 B. 放大电路和选频网络C. 放大电路、反馈网络和稳频网络 D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 2. 有用信号频率高于500Hz，可选用（ B ）滤波电路。A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻。3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ C ）。A. 一定会产生高频自激振荡 B. 有可能产生高频自激振荡 C. 一定不会产生高频自激振荡 D. 无法判定第十章10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）。 A. 将直流变为交流 B. 将高频变为低频 C. 将低频变为高频 D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ B ）。 A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差 C. 采样电压 D. 基准电压与采样电压之和12. 单相桥式整流电路中，设V2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（ B ）。 A. B. C. D. 四、作图题1电路如下图所示，稳压管为硅管，设其正向导通后其上压降V，且稳定电压V。设V，试画出输出电压的波形，并标出幅值。 2电路如下图所示，已知（V），二极管为理想二极管，试画出的波形并标出其幅值。 3电路如下图所示，已知（V），二极管导通电压V，试画出的波形，并标出幅值。 4电路如下图所示，稳压管的稳定电压V，R的取值合适，的波形如右图所示。试画出的波形。5某放大电路的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为 HZ ，下限截止频率为 HZ 。通带增益为 80 dB。6已知某N沟道耗尽型MOS场效应管的转移特性和输出特性如下图所示，由图可知夹断电压= -5 V；饱和漏极电流= 2 mA。7某放大电路的直流负载线如图所示，已知 ，（1）在图中标出Q点位置；（2）由Q点读出= 1 mA； 3 V。五、计算题第二章1. 电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 由运放的“虚断”特性有： 在运放的同向输入端由虚短”特性有： 再由“虚短”特性有： 2. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A1、A2、A3是否为线性应用？A1、A2、A3分别组成何种运算电路？（2）分别列出、的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系。、 (1) 是线性运用；A1、A2为电压跟随器，A3构成求差电路 (2) ， (3) 3. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10分）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚短特性有： （2）在M点，有 ，即 （3） 联立（1）（2）（3）式有4. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 5. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始电压。（1）集成运放、是否为线性应用？、分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放、是线性应用，运放组成差分式运算电路，组成积分电路；（2） 集成运放组成积分电路： 6. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放A是线性应用。 （2）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 再利用理想运放的虚短特性有： （2） 将（2）式代入（1）式得 7. 电路如下图所示，其中，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 在集成运放1的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 即 （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 集成运放2组成积分电路： 8. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性有： （1） 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 （2） 再利用理想运放的虚短特性有： （3） 联立（1）（2）（3）式得 9. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。由运放的虚短特性有： 在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 10. 电路如下图所示，（1）试求的表达式; （2）试求与、的运算关系。在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性，有 A1、A2、A3的输出电压分别为vI1、vI2、vI3。 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性有： （1） 由运放的虚短特性有： （2） 联立（1）（2）式得： 第三章1. 已知下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流IZmin5mA，最大稳定电流IZmax25mA。（1）分别计算UI为10V、15V两种情况下输出电压的值；（2）若UI35V时负载开路，则会出现什么现象?