模电基础知识讲解(共41页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上第一讲 电荷一、正电荷和负电荷初中的时候我们学习过的物理和化学里有有关自然界中的物质的定义是：物质由分子组成，分子由原子组成，原子由原子核和核外电子组成。原子核带正电，核外电子带负电。元素的序号就是一个原子中原子核内正电荷的数目，核外电子的数目与核内正电荷的数目相等，正电荷和负电荷相互抵消而呈电中性。所以，正常情况下物质是电中性的，即不带电的。当原子获得一定的能量后，其核外电子容易摆脱原子核的束缚而挣脱出来，叫做自由电子。任何元素都有其自身的化合价，化合价有表达能够摆脱原子核束缚的自由电子数目多少的特征。如，硅原子的序号是14，表示有14个核外电子，14个核内正电荷。但是化合价是4，即可能最多有4个核外电子摆脱原子核的束缚而成为自由电子，其余10个永远被原子核束缚，不得挣脱。核外电子在原子核周围是按层次有规律的飞旋运转的。正电荷和负电荷有相互吸引的作用，同种电荷有互相排斥的作用。二、物质带电当我们设法把正电荷和负电荷分开，物质就带电了。例如，物质的一头带正电荷，另一头带负电荷。或者我们把某物质的某种电荷移走一部分，这个物质就剩下与移走的电荷的反电荷，数量相同，这个物质也就带电了。通常的方法是摩擦起电或感应起电或接触起电。摩擦起电：用丝绸摩擦玻璃棒，玻璃棒上就产生了正电荷。感应起电：用一个带某种电荷的物体，靠近另一个电中性的物体，这个电中性的物体的异种电荷被带电物体吸引，靠近带电物体，同种电荷被排斥到另一头。接触起点：一个带电物体接触一电中性的物体，带电物体所带的电荷移动一部分到电中性的物体，电中性的物体也带电了。如果我们把物质的某种电荷移走，但是该物质能源源不断的补充这种电荷，这叫电源。 专心-专注-专业第二讲 电流、电压、电阻和欧姆定律一、电流电荷的定向移动，形成电流。为什么要加上“定向”呢？因为物质里面的电荷是无时无刻的在运动着，但不定向自由运动，就不能形成电流。二、电压电压是形成电流的要素，一根导体两端如果有电压，这根导体上就产生了电流。上一讲谈到的电源，有电压的电源，也有电流的电源，他们是可以相互转换的。三、电阻阻碍电流通过的物体是电阻，任何有形物质都具有电阻的特征。只是阻碍电流能力的强弱而已。如铜棒，木棒，水，空气。任何物质都有其特定的电阻率，电阻率是描述一个物质单位截面积、单位长度所表现出来的电阻的大小的一个参量。如铜的电阻率比铁的电阻率小，则铜比铁更容易导电，阻碍电流的能力也小。四、欧姆定律电流、电压和电阻三者之间的关系，称欧姆定律。电流与电压成正比，与电阻成反比。如果用I表示电流，U表示电压，R表示电阻，则 其中电流I的单位是安培，简称安，用A表示；还有毫安培，用mA表示，简称毫安；以及微安培，用uA表示，简称微安。1A=1000mA；1mA=1000uA；另外，电压U的单位是伏特，简称伏，用V表示；还有毫伏特，用mV表示，简称毫伏；以及微伏特，用uV表示，简称微伏。1V=1000mV；1mV=1000uV；还有电阻R，单位是欧姆，简称欧，用表示；还有千欧姆，用K表示，简称千欧；以及兆欧姆，用M表示，简称兆欧。1M=1000 K；1 K =1000；欧姆定律可以描述为1V的电压与1的电阻的比值就是1A的电流。在电子技术领域，用到千安培、千伏特和毫欧姆等单位的比较少见。 第三讲 电阻器的认识导线的电阻很小，如1m长度1mm2的铜线器电阻不到0.1。而电子技术中有时需要用到较大的电阻，那需要很长的导线，不但价格贵，安装也不方便。所以人们设法用廉价物质通过刻槽的方法制造出电阻器，所需的阻值可以任意刻出来，批量造价不到1分钱，这就给使用电阻带来了方便。制造出来的电阻器简称电阻。 1电阻的符号和表示方法： R1表示电阻的序号，即这是图中的第1个电阻；1.2K表示这个电阻的阻值，也可简写为1.2K或1K2。2电阻的标称值国际标准标称电阻采用E24系列，即把1-10之间的电阻分为不等份24份，如：1，1.1，1.2，1.3，1.5，1.6，1.8，2，2.2，2.4，2.7，3，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.1；以及上述这些标称值乘以10的n次方，包括10的-1次方（0.10.91），10的0次方（上述数字本身），一直到10的6次方（1M9.1M）。 3电阻的色环表示现代电子产品体积较小，电阻上不能印刷文字来表示阻值，用一圈圈不同的颜色来表示，参见相关书籍。 4电阻的串联 R总 = R1 + R2 = 12K + 1K2 =13K212K可以简写为12K，1.2K可以简写为1K2。串联电阻总的阻值为若干个电阻的和问答题：1）两个相同的电阻串联，总的阻值是？2）1个很大阻值的电阻和一个很小阻值的电阻串联，总阻值由哪一个占主导？5电阻的并联 并联电阻总阻值的倒数为各电阻倒数的和1/R总 =1/ R1 +1/ R2 = 1/12K + 1/1K2或并联电阻总的阻值为若干个电阻的乘积除以若干个电阻的和。 问答题：1）两个相同的电阻并联，总的阻值是？2）1个很大阻值的电阻和一个很小阻值的电阻并联，总阻值由哪一个占主导？课后可多设置一些电阻串联、并联和混合联（本文从略）计算以加深印象。第四讲 电容器顾名思义，电容器就是盛电的容器，简称电容，他是由两块平行板相隔一定的距离，引出两根引线而形成的，根据平行板的面积和间距决定这个电容器能盛多少的电，电就是电荷，电容器的大小在一定程度上（如保持一定的电压时）就是指能盛电荷量的多少。电容器的大小与平行板的面积成正比，与平行板的距离成反比。电容器的符号与他的定义很形象，如下图，用Cx来表示序号，下方0.1u F指的是其容量值的大小。 电容器量纲的基本单位是法拉，简称法，用F表示，由于这个量纲表达的电容很大，所以电子技术中不用法拉做单位，而是用微法拉作单位，或者用皮法拉做单位，一个微法拉是10的-6次方法拉。一个皮法拉是10的-6次方微法拉。微法拉用uF表示，皮法拉用PF表示。近年来，又相应推出了纳法拉（nF）和毫法拉（mF）做单位。即：1F=1000mF1F=uF1uF=1000nF1uF=PF电容器上的电荷是被慢慢的充电充进去的，一个特定容量的电容器，所充进去的电荷数目越多，其两端的电压就越高，但是不能高于该电容器额定的电压值，每一个电容器除了标注有电容量外，还标注有限制电压，称耐压，普通小容量（1uF）的耐压往往在50V以上，且不分电压极性，可以两端对调使用；而大容量的（称电解电容）的耐压往往达到25V以上的，有电压极性的标注，使用时，我们不能接反。1uF以上的大容量电容器往往是铝电解电容器，还有钽（tan）电解和铌（ni）电解电容器，后两种损耗低漏电小价格高。一般我们见到的电解电容器都是铝电解电容器。电容器上所加的电压如果超过限定值，就有爆炸的可能，电容量越大，爆炸的威力也大，使用时要小心。电解电容器接反时，容量严重减小，耐压大大降低，损耗严重。电解电容器的的符号比普通电容器多了个“正”号，有“正”号的那边是正极，另一边是负极。如下图。 图中63V是限定电压，即耐压，指外电路只能加入比63V小一些的电压。电容器的主要特性是能通过交流电，而阻挡住直流电。电容器的容量越大，就越能通过频率高的交流电。所谓交流电，是指大小能随时间交变变化的电源，也叫交流信号，每秒钟交变的次数称为交流电的频率，单位为赫兹（Hz），如1000Hz是指这个交流电信号每秒交变1000次。 第五讲 信号一、直流电源1直流电压源典型的直流电源是干电池，还有各种蓄电池，可以用 来表示，属于直流电源的一种，上面长横线是正极，下面短横线是负极，用E表示，右侧可注明电池的压，两个以上相同的电池串联称电池组。 还有可以从高压交流220V转换来的电源，广义的直流电压源符号为 直流电压源用于向外提供电压能量，以便使各种电子电路正确的工作。直流电压源在一定的条件下其两端的电压是相对稳定的。任何电压源都有其自身内阻的特性，一般较小，所以往往在分析计算时被忽略。2直流电流源直流电流源向外提供稳定的直流电流，其广义的符号为 所示。我们认为，电流源的内阻一般较大，计算时其内阻往往被也忽略。电压源和电流源之间可以相互转换，可参考相关书籍，关于戴维南定理和诺顿定理章节。二、交流电源交流电源是指正负端随时间交替变化的电源，一般我们按正弦规律变化的来分析。本节未完待续注：上“图”太复杂，留着以后改版升级后再加，或抽空加。给网站提难题了，勿怪第五讲（二）继续0.5V直流电和0.5V有效值交流电如果接入相同的电阻，其电阻上产生的热量是相同的。文中，电压源内阻较小时，缺一个“阻”字第六讲 半导体的基础知识物质导电能力的大小是用导体和绝缘体来表征的，导体的导电能力强，绝缘体的导电能力弱；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，就称为半导体；常见的半导体有硅（Si）和锗（Ge），这是单质半导体；还有化合物半导体砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）； 当半导体受热、光、杂质的影响后，其导电能力急剧上升，这是和导体、绝缘体有所不同的；完全纯净的且晶格完整的（晶格，物质结构专有名词，这里不展开讲述）半导体称本征半导体；本征半导体在绝对0°K（自然环境不存在）和无光照的情况下，和绝缘体是相近的，是不导电的；当掺入杂质后，导电能力才急剧上升。但是达不到导体的程度；常规情况下，半导体都是4价的。即原子的最外层有4个电子。受热或受光照后，其中的1-4个就会获得能量脱离原子核的束缚，自由运动，能够导电，称为自由电子，同时出现了1-4个空位，称为空穴，空穴也是能导电的。这叫做热激发；当掺入杂质后，就破坏了原子结构，掺入5价元素，每个原子就多了一个电子，掺入3价元素，每个原子就少了一个电子即多出了一个空穴；我们正是利用掺杂才将半导体制作成为对我们有用的物质-杂质半导体；当掺入3价硼（B）原子，每个原子周围就比半导体原子少了一个电子，对半导体整体来说，就出现了一个空位，称为空穴，这个空穴是带正电荷的。含有空穴的半导体称P型半导体，空穴（带正电荷）也是能导电的，就像电影院里的一个空座位，人挨个往空座位方向移动时，空座位就从这一头移动到了另一头，所以说，空穴（带正电荷）也能导电；当掺入5价磷（P）原子，每个原子周围就比半导体原子多了一个电子，对半导体整体来说，就多出了一个电子。这个电子不受原子核束缚，可以自由移动导电，称自由电子，自由电子是能导电的。含有自由电子的半导体（这个自由电子与受光和热激发出来的自由电子不同，这个是多出来的，没有空穴与之对应）称为N型半导体；自由电子和空穴相遇时，自由电子就可能呆在了空穴的位置，称为复合。第七讲 PN结的形成关于上一讲，谈到的自由电子和空穴，我们可以都冠以“载流子”（承载能形成电流的粒子）这个名词。N型半导体中，除了含有因掺入5价元素（如P）杂质而产生的自由电子外，也有空穴，空穴是因为热激发而产生的“自由电子空穴对”中的空穴。我们把N型半导体中的自由电子称为多数载流子，把N型半导体中的空穴称为少数载流子。同样的P型半导体中，除了含有因掺入3价元素（如B）杂质而产生的空穴外，也有自由电子，自由电子是因为热激发而产生的“自由电子空穴对”中的自由电子。我们把P型半导体中的自由电子称为少数载流子，把P型半导体中的空穴称为多数载流子。=这一节讲下PN结的形成半导体中，PN结是形成二极管和三极管的最主要的成分，没有PN结，就没有半导体在当前现代社会中的广泛应用，包括CPU。当把N型半导体和P型半导体有机的结合到一起，就形成了PN结。注意，是有机的结合，而不是简单的拼凑。所谓有机的结合，是在制造过程中的整体形成，不是简单的挤压。例如，一块N型半导体，本来是平均掺杂有P原子的，自由电子较空穴相比具多数，但是总数少，我们叫做“轻”掺杂，当我们在这块N型半导体的上表面的某一定的厚度范围内，如2um，继续掺杂B原子，则掺杂到一定程度时这2um范围内的P和B原子的数目相等，这时自由电子和空穴数量相等并且互相复合，反而类似于本征半导体了（只剩下了因热激发而产生的少量电子空穴对），在此基础上，继续掺杂B原子，则空穴就多于自由电子了，被改作了P型半导体了（重掺杂）。在这个2um的交界处，一边是N型半导体，自由电子多空穴少；另一边是P型半导体，空穴多自由电子少，那这个2um的交界面就叫做PN结。注意了，PN结仅仅是一个P型半导体和N型半导体的交界面而已！这是所谓的用平面工艺所产生的PN结。还有其他方法也能产生PN结，如合金法，此处不做描述。正是这个PN结，给我们后来的电子技术的发展，带来的前所未有的、空前的机遇。 第八讲 PN结机理上一讲说，N型半导体和P型半导体有机结合后，其交界面处就叫做PN结。其交界面的情况会是什么样子的呢？图示说明。 图中，左边是P型半导体，右边是N型半导体，P型半导体布满了空穴，N型半导体布满了自由电子。 物质具有从浓度高的向浓度低的方向扩展的能力，一滴红墨水，滴入一杯清水中，红墨水就会向清水中渗透，这其实是扩散，最终，这滴红墨水均匀融入到清水中，形成均匀的淡红色的水。 空穴和自由电子也具有扩散的能力，左边空穴浓度高，右边空穴浓度低（右边的空穴图中没画，是由于热激发产生的，少量的，左边的自由电子也是一样，后面不在描述）。则左边的空穴要越过PN结向右边扩散，右边的自由电子浓度高，左边自由电子浓度低，则右边的自由电子要越过PN结向左边扩散，两者在互相扩散过程中因相遇而复合（消失了），则PN结附近的两边自由电子和空穴都没有了。 这时，我们说，PN结具有一定的宽度。 这个空白区域有许多名称，都是可以的。1）空间电荷区；2）势垒区；3）耗尽层等。实际上，空间电荷区并不是空的，确实是有电荷的，不过那不是空穴和自由电子，而是正离子和负离子，哪儿来的？ N型一边掺入的P原子的是5价，核内有5个原子核带正电，和周围四个电子（不是自由电子，自由电子已经因复合而耗尽）抵消，剩下一个正离子。 P型一边掺入的B原子的是3价，核内有3个原子核带正电，和周围四个电子（同上，不是自由电子，自由电子已经因复合而耗尽）抵消，还少一个正离子，即多了一个负离子。 因此，可以画做为： 则PN结由一条线变成了有一定宽度了。 注意这时耗尽区里面的正负离子间就产生了一定的电压（书上说叫电场，那就电场吧），称内建电场。其右边正左边负。电场方向是ßßßß。 由于扩散、复合、耗尽（没了）需要时间（短的很），就此时而言，扩散、复合、耗尽的还很少，所以，空间电荷区很窄，正负离子数还很少，所以，内建电场的电压值还很小，该电场具有阻碍扩散的能力，但，暂时阻碍的力量还很小。 因此，左右的空穴和自由电子还要继续扩散，有互相扩散就会复合和耗尽，使空间电荷区越来越大，空间电荷数目越来越多，内建电场的电压越来越大，阻碍扩散的能力就越来越强。 但是，由于两边有少数载流子，这内建电场具有吸引对方少数载流子的能力，我们称为漂移，又使得耗尽层变窄，正负离子数目变少，内建电场电压减小。反过来，又加快了扩散运动的进行，又。 扩散导致正负离子变多，内建电场加大，耗尽层变宽，阻碍扩散进行，加速漂移运动； 漂移导致正负离子变少，内建电场减弱，耗尽层变窄，阻碍漂移进行，加速扩散运动； 这样，扩散和漂移运动互相制约又互相交叉从而一刻不停，使得耗尽层宽度、内建电场电压正负离子数量动态的维持在一定的量值上。这被称为动态平衡。 有一点，内建电场在常温下动态维持在约0.65V左右。其宽度与掺杂轻重有关，其正负离子数量与这块PN结半导体的长宽高有关。 注意体会：这里的动态平衡二字的含义。 第九讲 PN结单向导电性上回书说到，PN结内建电场的方向是从N端指向P端，动态平衡时大约0.65V左右，由于这个电场的存在会阻止载流子的扩散运动而加强漂移运动，并且最终达到动态平衡状态。设想一下：当我们设法削弱该电场时，则载流子的扩散运动将能维持下去，并形成扩散电流。反之：当我们设法增强该电场时，则载流子的漂移运动将能维持下去，并形成漂移电流。削弱该电场的方法是在PN结外部加上一个与内建电场相反的电压回路；增加该电场的方法是在PN结外部加上一个与内建电场相同的电压回路；图示说明：1：正向导电先研究下外接一个与内建电场相反的电压，削弱了内建电场，加强了扩散运动，当外接电压较低，抵消量小，PN结宽度减小不多，虽然扩散运动大于漂移运动，但是扩散电流还很小。但是，毕竟产生了电流。和原来未加外接电压相比，虽然有内建电场，但达到动态平衡时是不产生电流的。随着外加电压的逐渐增加，大大加强了扩散运动，PN结宽度越来越窄，扩散电流逐渐加大。我们把连接的这个外加电压正端接P型半导体，负端接N型半导体的情况称为PN结的正向电压（虽然与内建电场反向）。其外加正向电压与PN结的扩散电流（里面有一部分是相反的漂移电流）作为一个坐标的横轴和纵轴，采用描点法得到的曲线称为PN结的正向特性曲线，也叫PN结的伏安特性曲线。见下图。在没加外部电压时（如图，即0V），电流也为0；在外接电压很小时（如图，设为0.1V），产生的微小的电流，如10PA（皮安培，10PA=0.01mA）；在外接电压较小时（如图，设为0.3V），产生的较小的电流，如100PA（100PA=0.1mA）；在外接电压较大时（如图，设为0.5V），产生的较大的电流，如2.5mA；在外接电压达到内建电压时（如图，设为0.65V），产生的更大的电流，如10mA-正向导电；一旦外接电压超过内建电压，产生的电流将迅速加大，容易导致PN结因过电流从而过功耗而损坏。=2：反向截止外接一个与内建电场相同的电压，即P端接负N端接正，这叫反向连接，这时增加了内建电场，PN结宽度增大，阻止了扩散运动，加强了漂移运动。当外接电压较低，增加量小，PN结宽度增大不多，但漂移运动大于扩散运动，漂移电流占主导地位，同样的，和没加外电压相比，毕竟产生了电流，虽然很小。随着外加电压的逐渐增加，大大加强了漂移运动，PN结宽度越来越宽，漂移电流逐渐加大。当外接电压加大到一定程度时，漂移电流不再增加，维持在一个稳定的电流值上。这是为什么呢？因为漂移电流是由少数载流子的定向移动形成的，少数载流子又是哪里来的呢？前文说到，少数载流子是由因热和光的激发而产生的电子空穴对中的其中之一，忽略光的影响，少数载流子的数量完全由当前温度的高低决定，外加反向电压达到一定程度，所有少数载流子都参与了形成这个漂移电流，少数载流子的数量只要不增加，其电流就是定值不变。我们把连接的这个外加电压正端接N型半导体，负端接P型半导体的情况称为PN结的反向向电压（虽然与内建电场同向）。其外加反向电压与PN结的漂移电流作为一个坐标的横轴和纵轴，采用描点法得到的曲线称为PN结的反向特性曲线，也叫PN结的反向伏安特性曲线。见下图。在没加外部电压时（如图，即0V），电流也为0；在外接电压很小时（如图，设0.1V），产生的微小的电流，如1PA；在外接电压较小时（如图，设为1V），产生的较小的电流，如100PA；在外接电压较大时（如图，设2V），产生的电流却没有变大多少，如101PA-反向截止；在外接电压达到内建电压时（如图，设为10V），产生的电流还是没有变大多少，如102PA；一旦外接电压超过某一数值（与具体的单个产品有关，如100V），产生的电流将迅速加大，这叫做PN结的击穿。如果不采取措施，容易导致PN结击穿后因过电流从而过功耗而损坏。正向导电反向截止叫做单向导电性，即PN结只有一个方向是导电的！ 第十讲PN结的参数及使用要点在PN结生产线上测试时，用探针法，配合晶体管特性图示仪，可以直观的看到正向特性曲线和反向特性曲线。经测试性能满足要求的才连接引线和封装。当把PN结两个节点引出两根引线，并用塑料或玻璃封装起来，可作为成品出售，这就是传说中的晶体二极管，简称二极管。实质上，他内部主要就是一个PN结。标识及符号图 左边三角形是PN结的阳极，也叫正极；右边竖线是PN结的阴极，也叫负极。二极管主要参数：1.正向整流电流IF这个电流就是前面描述的扩散电流，这个参数指二极管能够长期正常稳定工作时允许流过的最大电流。有时二极管上流过的电流可能还超过IF电流，但是也不损坏，这是因为二极管在流过这么大电流后，产生的热量还没有促使其温度（PN结的结温）超过极限温度，接着外电路上的电压就撤销，PN结上电流就休止了（处于降温状态），即瞬间流过的电流允许超过IF，但接着必需让二极管处于截止状态。2.反向击穿电压U（BR）D指二极管负极接正正极接负时能够承受的最大电压，二极管仍处于截止状态的极限电压，超过这个电压，二极管就不再截止了，变为反向导通了。这种反向导通状态叫做PN结的击穿。PN结的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，这里不仔细研究，可参阅相关书籍。一般大于6V的为雪崩击穿，小于4V的为齐纳击穿，在4V-6V范围内的很难确定。二极管反向电压超限并不一定损坏，只要限制其反向电流不要过分的大，则二极管击穿后并不损坏，当反向电压减小到U（BR）D以内二极管还是可以恢复到截止状态的。极端情况下，击穿后不限制电流导致耗散功率过大从而烧坏的情况是有的。3.最大耗散功率PD指二极管能长期正常工作时流过二极管上的电流和二极管两端的电压的乘积的最大值。前面我们说二极管流过上的电流允许超过IF，但要注意，这是瞬时的，不能长期过限工作。4.正向电压降UD指二极管允许的正向最大电压，也是二极管上正向导通时的电压。超过这个电压会导致二极管上流过的电流超过IF从而导致二极管损坏，之所以损坏，还是因过热引起的。这个电压参数是温度的函数，温度每升高1°，其UD大约上升1.8 mV 2.5mV。现在都大量使用硅材料制作的二极管，其正向电压降为约0.65V左右。过去若干年所见到的锗二极管为0.2V左右。5.反向饱和电流IRD这就是前述的漂移电流，指外接反向电压（未击穿时）二极管上流过的电流。这个参数也是温度的函数，温度每上升10°，IRD大约扩大1倍。二极管在直流电源中担任着不可或缺的主要角色。重点提示：关于二极管的损坏 二极管过流或过压，并不一定损坏，但二极管过流或过压容易损坏，因为过流或过压就容易过功耗。但是过压限制电流或过流限制时间都能保证二极管不损坏。二极管只要损坏，都是因为过流或过压后PN结超过功耗导致结温过高而烧坏的。与电源连接时，如果电源的内阻很小并直接连接，为了保证长期稳定的工作，要串联一个电阻，以限制流过二极管的电流。 按图实验一下：下图中圆圈内有叉号的是灯泡。 观察的结果有何不同？ 第十一讲 三极管的结构顾名思义，三极管三个电极，与二极管相比，多一个电极，那个电极是怎么引出来的呢？另外，三极管起到什么作用呢？在制造二极管时，制作出一个PN结，在这个基础上，再制造一个半导体区，形成三个半导体区，并且P区N区相互间隔，引出电极，如下图。分别称为NPN三极管和PNP型三极管。左边是NPN三极管，右边是PNP三极管三层半导体组成的是两个PN结，即一个三极管内部包含两个PN结。等效结构图如下图所示。 上面两三极管示意图中都包含两个二极管，那每个图中左边的二极管与右边的二极管有何区别呢？左边和右边的两个二极管能否对调使用呢？这还要从内部结构说起，参见下面的结构示意图。PN结的制造其实就是设法按规定掺入杂质，以NPN为例，先是N型衬底，在其上扩散B原子，产生一层P型半导体，再在这个P型半导体上扩散P原子，产生N型半导体，注意一点，最后这层N型半导体掺杂的P原子很重，导致前一层P型半导体被挤压得很薄，这样，就产生了两个PN结。如图所示，图中的两条弧线就是两个PN结。 其中，衬底的N型半导体参杂浓度最低，做集电极用，中间P型半导体掺杂浓度次之，且很薄，做基极用，最上边N型半导体参杂浓度最高，做发射极用。集电极、基极、发射极分别用C、B、E字符来表示。因此，由于掺杂浓度的不同，N型衬底半导体和掺P原子产生N型半导体不能对调使用，即发射极和集电极不能对调使用。由此可见，三极管有三个半导体区，命名为1：发射区 掺杂浓度高2：基区 掺杂浓度次之，且薄3：集电区 掺杂浓度最低，但体积最大（有些书上说面积）在三极管的三个区域上引出电极，分别命名为1：发射极E用于发射载流子2：基极B控制发射的载流子3：集电极C收集发射的载流子下一节三极管机理讨论之三极管内包含两个PN结，称为1：发射结EB2：集电结BC第十二讲 三极管工作机理三极管工作时，需要外加特定的电压，按要求，其发射结外加正向电压即发射结的P端加+，N端加-；集电结的P端加-，N端加+，以NPN型三极管为例，其外加电压的情况如下图注意图中，情况分析如下左边是发射区，是N型半导体，掺杂最重，因此有很多的自由电子，便于发射载流子；中间基区，是P型半导体，掺杂较轻，有部分空穴，且宽度较窄，使发射区发射过来的载流子很容易越过基区到达集电区；右边是集电区，是N型半导体，掺杂最轻，但容积很大，便于收集载流子。在发射区和基区交界处是发射结（PN结）；在基区和集电区交界处是集电结（也是PN结）。图的下部是两组电源为VBE和VCB，暂不考虑电压的大小，只关心电压的方向。其工作情况描述先撇开右半部分不看，见下图 这就是前面描述的二极管外加正向电压的情况，可以参考二极管一节的外加正向电压分析，这里大部分与之相同的如扩散、复合、形成电流等内容从略。不过，也有不同之处，就是掺杂轻重的区别和容积大小的区别，这就是说，复合掉的数量很少，形成的基极电流IB（目前看也是发射极电流），目前请认识一个重要的概念，就是发射区在正向电压驱使下扩散过来的多数载流子-自由电子如果不能被复合掉的话，在基区里将成为基区的少数载流子。还有一点，不管哪个区，都有因热激发而产生的少数载流子的存在。此时对左边部分暂告一段落，再看下右边部分，见下图 这是外加反向电压的PN结，由二极管一节可知，PN结外加反向电压有利于少数载流子的漂移运动，形成极小的饱和电流。现在我们再把第一幅的这个图复制下来看一下，综合发射结外加正向集电结外加反向电压的情况。从图上看，注意箭头，发社区的最右边7个自由电子（多数载流子）在VBE正向电压驱使下，向右边作扩散运动，同时，基区的最左边3个空穴（多数载流子）也在在VBE正向电压驱使下，向左边作扩散运动，因与左边来的7个自由电子中的3个相遇而复合（掉），左边刚刚运动的还剩下4个自由电子将继续向右边扩散从而到达基区，这4个自由电子在基区就属于少数载流子，受外加反向电压VCB的驱使，作漂移运动，将继续向右边移动，直到越过集电结到达集电区形成集电极电流。这是第一批载流子运动的概貌我们分析下形成电流的因素：发射区有7个自由电子向右运动，形成发射极电流IE，其方向与自由电子（带负电荷）运动方向相反；而基区有3个空穴在向左移动，形成基极电流，其方向与空穴（带正电荷）方向相同；剩余4个自由电子继续向右运动，形成集电极电流，其方向与自由电子（带负电荷）运动方向相反。因此，IE = IC + IB且IC > IB （实际情况是远大于）以上分析都说明什么问题呢？发射区发射出大量的多数载流子形成发射极电流IE，被基区多数载流子复合掉一小部分形成基极电流IB，剩余的一大部分到达基区形成基区大量的少数载流子，又被集电区所收集形成集电极电流IC。由此，我们再进一步总结一下：发射极电流IE最大，集电极电流IC次之，仅比发射极电流小一个基极电流IB，基极电流IB最小，相对于IC来说约为1%左右，合格的一般为5%0.2%。需要说明的是，一旦管子制造成功，这个百分比将被固定，基本不受电流大小所改变。从另一个方面来说，也可以理解为用微小的基极电流可以控制集电极较大的电流，这就是所谓的电流放大。控制能力就是电流放大倍数，用表示。即= IC / IB一般三极管的在20500的范围内。配合IE = IC + IB，我们称为三极管的电流分配关系，即三极管的电流分配关系是IE = IC + IB= IC / IB。三极管有两种类型1：NPN型2：PNP型三极管NPN型和PNP型的对应符号图是：第十三讲 三极管的特性曲线三极管的特性曲线是描述三极管各项参数的依据，过去，三极管在出厂时都有一个特性曲线与之对应，从其特性曲线上可以大致看出其各项参数指标。现代，这项工作都被省略了。下图一个随机的三极管特性曲线，我们按照该随机特性曲线描述其晶体管特性。三极管的特性曲线可以从晶体管特性图示仪（好贵重的仪器）上显示出来。图中横轴UCE是上一讲的结构示意图中UCB和UBE的二者叠加，即UCE=UCB+UBE。图中纵轴IC是流过三极管的集电极电流。图中的每一条曲线代表一个基极电流IB值，实际上应该是密密麻麻的，只是选择了这14个做典型显示出来。以下关于组合字符除首字符外其后跟的若干字符均为下标，文中不再加以下标显示。直流电流放大倍数的描述直流电流放大倍数是指特性曲线区任一点对应的IC电流和IB电流之比。如A点，IC=2.9mA，IB=30A，则其直流电流放大倍数=IC/IB=2.9 mA /30A =97；而B点，IC=4.5mA，IB=45A，则其直流电流放大倍数=IC/IB=4.5 mA /45A =100；可见。选择不同的点，其直流电流放大倍数也不尽相同。我们来感觉下C点和D点 _C点，IC=1.5mA，IB=30A，则其直流电流放大倍数=IC/IB=1.5 mA /30A =50；D点，IC=0.05mA，IB=0A，则其直流电流放大倍数=IC/IB=0.05 mA /0Aà；可见,选择的点的位置不同，其得到的三极管的参数也不同，如为50，97，100，等。其中，D点的计算结果是错误的，接下来会有所深入讨论。这各个点如A、B、C、D，就称为静态工作点，用Q来表示，Q就是静态工作点的含义。在ABCD四个Q点中，显然，AB两个Q点选择的比较合适，具有较大的直流电流放大倍数，而CD点选择的不合适。要想选择相应的Q点，需要两个条件，一是所加的电压UCE，二是确定基极电流IB，留待后续讨论。晶体管的四个工作区域三极管直流电流放大倍数反映的是给定一个较小的基极电流IB，能获得较大的集电极电流IC。我们说上面的A、B点选得合适，是因为其还具有较大的直流电流放大倍数，如果Q点选择的不当，则直流电流放大倍数较小，如C点，甚至输入一个特定的基极电流，反映出来的集电极电流无规律可寻，如D点。这就涉及到三极管的工作区域问题，我们把下图左边的区域称饱和区，把下面的一段区域称截止区，把右上区域称击穿区。把图中三条红线围起来的区域称放大区。饱和区的特点：反映出的直流电流放大系数较小；UCE电压较低，往往小于0.4V，随着外加UCE的变化，分别有深度饱和区、浅饱和区和临界饱和区。临界饱和是那条通上右上的那条红色直线上的各点，深度饱和是UCE很小，浅饱和区介于深度饱和和临界饱和之间的点，饱和时的UCE电压称饱和电压，用UCES表示，一般<0.4V。截止区的特点： _是IBà0，ICà0，这时IC随着IB 的变化不呈线性变化，ICIB，且即使IB=0，IC0，这是因为三极管内部BC结少数载流子作漂移运动产生的电流ICBO，这是二极管的漏电流，反映到三极管CE之间，称基极开路集电极和发射极之间的饱和漏电流，简称漏电流，也叫穿透电流，用ICEO表示。击穿区的特点：当UCE很大时，其集电极电流IC不再保持恒定，而是很快的的变大。这时的IC也不再随着IB的变化而线性变化，而是随UCE电压的变高而迅速变大，此时如果不加以限制其电流的增大，容易损坏三极管，造成永久性击穿（损坏）。放大区是研究模拟电子技术应用的主要区域，介于三根红色线条所围起来的那个中间区域，这个区域的特点是，IC随着IB的变化而线性变化，或者说集电极电流IC受基极电流IB所控制，而与集电极到发射极之间的电压UCE无关，三极管要想正常处于放大状态必须工作在这个区域，这是我们要研究的重点。第十四讲 三极管基本放大电路的演变关于三极管的一些主要参数可参见相关书籍。这里给出一些三极管的参数名词1：直流电流放大系数（或叫静态电流放大系数，放大系数也叫放大倍数），注意符号的上方有上划线。描述的是集电极电流和基极电流的比值，在放大区内近似为常数，大约在20400范围内为合格，有些超管子达到1000倍，越大，其放大能力越强，但是会带来其他负面影响，如击穿电压会偏低，漏电流会偏大，这都是不利的。三极管基区越窄，其发射区的多数载流子越容易越过基区到达集电区，其就越大，显然击穿电压就会降低；而发射区加大多数载流子的扩散量，其到达集电区的载流子数量就越多，越大，此时在相同温度下，本征激发的自由电子空穴对的数量也增多，当然其漏电流也增大。=IC/IB（C和B为下标）2：交流电流放大系数（或叫动态电流放大系数），符号的上方没有上划线。这是描述集电极电流变化量与基极电流变化量之比，在远离截止区的放大区内，其与近似相等相等。=IC/IB（C和B为下标）或=iC/iB（C和B为下标）3：最大允许的集电极电流ICM（CM为下标）4：饱和压降VCES（CES