半导体三极管的电流分配与放大教学课件.ppt

放大是对模拟信号最基本的处理。在实际生产中，从传放大是对模拟信号最基本的处理。在实际生产中，从传感器获得的电信号都很微弱，只有经过放大之后才能作进一感器获得的电信号都很微弱，只有经过放大之后才能作进一步的处理，或者使之具有步的处理，或者使之具有来推动执行机构。来推动执行机构。mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG100RP 可以把可以把三极管三极管接成接成两个电路：基极电路和两个电路：基极电路和集电极电路，此时发射集电极电路，此时发射极是公共端，这种接法极是公共端，这种接法称为称为。 为使为使三极管三极管有放大作用，还必须具备适当的外部条件，有放大作用，还必须具备适当的外部条件，即即。EEBRBRC对于对于NPN管要求管要求 发射结正偏发射结正偏 VBVE集电结反偏集电结反偏 VCVB 对于对于PNP管要求管要求 发射结正偏发射结正偏 VBVE集电结反偏集电结反偏 VCVB mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG100RP 设设EC=6V，改变，改变可变电阻可变电阻RP, , 则基极则基极电流电流IB、集电极电流、集电极电流IC 和发射极电流和发射极电流IE都发生都发生变化，测量结果如表：变化，测量结果如表：(1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律符合基尔霍夫定律(2) IC IB ， IC IE (3) IC IB基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化，即为基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化，即为三极管三极管的的作用。作用。 ICIBBECNNPEBRBECIEICE1、发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子 对对NPN型管，发射区自由电型管，发射区自由电子浓度大，而基区自由电子浓度子浓度大，而基区自由电子浓度小，所以自由电子将从发射区向小，所以自由电子将从发射区向基区扩散。由于基区扩散。由于，发射区自由电子的扩散运，发射区自由电子的扩散运动加强，不断扩散到基区，并从动加强，不断扩散到基区，并从电源补充电子，形成发射极电流电源补充电子，形成发射极电流IE。基区空穴向发射区扩散形成。基区空穴向发射区扩散形成的空穴电流很小，忽略不计。的空穴电流很小，忽略不计。ICBOICIBBECNNPEBRBECIEICE2、电子在基区扩散和复合电子在基区扩散和复合 从发射区扩散到基区的自由从发射区扩散到基区的自由电子将向集电结方向继续扩散，电子将向集电结方向继续扩散，这个过程中，自由电子不断与基这个过程中，自由电子不断与基区中的空穴复合。电源区中的空穴复合。电源EB不断补不断补充被复合掉的空穴，形成电流充被复合掉的空穴，形成电流IBE，基本上等于基极电流，基本上等于基极电流IB。基。基区很薄，掺杂浓度低，减少电子区很薄，掺杂浓度低，减少电子与空穴复合的机会，使绝大部分与空穴复合的机会，使绝大部分自由电子能扩散到集电结边缘。自由电子能扩散到集电结边缘。ICBOICIBBECNNPEBRBECIEICE3、集电区收集电子集电区收集电子 由于由于，可将，可将从发射区扩散到基区并达到集电从发射区扩散到基区并达到集电区边缘的自由电子拉入集电区，区边缘的自由电子拉入集电区，从而形成电流从而形成电流ICE，基本上等于，基本上等于集电极电流集电极电流IC。同时集电区的空。同时集电区的空穴和基区的电子将向对方运动，穴和基区的电子将向对方运动，形成电流形成电流，数值很小，但是，数值很小，但是，并与外加电压，并与外加电压大小关系不大。大小关系不大。ICBOICIBBECNNPEBRBECIEICE3、集电区收集电子集电区收集电子 从发射区扩散到基区的电子从发射区扩散到基区的电子中只有很小一部分在基区复合，中只有很小一部分在基区复合，绝大部分达到集电区。绝大部分达到集电区。CBIIICBO