存储器的未来发展状况(共3页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上存储器未来发展状况如果有一种半导体领域被视为商品,那就是存储器。 当然,它是容纳最多列吋的区域。 DRAM 芯片的 当前需求量最高,其平均售价的涨落通常作为整个半导体行业的主导。市场和制造商在商业方面,半导体市场目前每年收入大约可达 3000 亿美元, 存储器芯片 对此做出了重大贡献,但是 它每年的占有率极不稳定。 制造商立足市场的成本很高,利润越来越微薄,只能在旺季才能赚取利润, 或许,除非您恰好是市场领导者。 在过去十年间,该行业的主要供应商数量(占据了 5% 以上的市 场 占有率明显减少,或者说我们已看到存储器供应商已在大势整合。 这种情况首先出现在 DRAM 行 业,在过去几年间,非易失存储器 (NVM 的领先制造商群体(多半为闪存供应商中已改组。过程、体系结构和互连在技术方面,存储器芯片开发的主要挑战在于与微处理器提高的性能保持同步并提供快速且和较低功耗的 存储器。 存储器制造商的压力越来越大,以改进体系架构并移至更小的工艺节点,虽然存储器一直在硅 工艺开发的驱动者。 领先 DRAM 制造商现在以 30nm 的规格节点开始生产,一些供应商更供应 25nm 的规格工程样本。 在 NAND 闪存中,闪存存储器最常见的类型用于 固态驱动器 、 USB 闪存驱动 器和多媒体存储卡中的数据存储,领先的制造商现在开始生产 64 位存储器,采用 20 到 30nm 的过 程技术。随着 3D 存储器技术日益重要,还需要创新型存储器架构和结构:在技术过程阶段, DRAM 存储器单元 采用 3D 结构设计,在硅压模阶段,使用 TSV (硅片直通孔互连进行 DRAM 压模堆叠,以满足高密 度需求。 3D NAND 闪存存储器(带垂直门结构具有长寿命和高可靠性,前景很好,明年左右即可 实现。另一个问题是下一代高吞吐互连标准的可能性。 2011年初, JEDEC 宣布了通用闪存 (UFS 标准,设 计成为最高级的规格,用于嵌入式和可拆卸基于闪存的存储器存储。该标准特别为要求高性能和低功耗的 移动应用和计算系统而定制。闪存 - 发展和替代?当前,闪存市场正在经受强劲的增长,由智能手机消费型设备(例如平板电脑和智能手机中对快速、 低功耗存储器要求的日益增加而驱动。 来自 IHS iSuppli 分析师 2010 年的数据显示未来几年用于移 动应用的领先存储器技术将是 NAND 闪存。 预计到 2011 年,存储器总收入将占到移动产品的一半,接下来是 DRAM ,占到了市场份额的三分之一, NOR 闪存存储器位居第三。 补充说明一下,这不会降 低传统硬盘驱动器的地位,提供日益增长的高密度存储功能,但预计不会很快出现在便携式计算、服务器 或移动消费型市场上。虽然它不可能发生在不久的将来,但由于它不断发展规模,闪存寿命仍长久,也许发生在现在存储器技术 中的一些最有趣的开发是可长期替代闪存,用于独立和嵌入式应用。 与闪存相比,领先的竞争者具有多 个优势,例如 100 倍更快的读取 /写入时间和明显更长的周期寿命:不同级别的电流应用到 PCM 中的玻璃类材料时,将生成相变存储器 (PCM 数据,从而更改晶体和非 晶质状态之间的材料物理结构。 因为电流可以可变级别提供, PCM 允许每单元大于 1 位的数据存储。铁电体随机存取存储器(FeRAM 或 FRAM 与 DRAM 类似,允许在读写操作中随机存取每个独立的 位。 它具有一个使用铁电材料的电池 电容器 ,可以应用电场来极化材料。磁阻式随机访问内存 (MRAM 和第二代 MRAM , 称为 SST-MRAM (旋转传输扭矩 MRAM 使用磁 性存储元件。 该技术不仅可允许替代闪 存,还可替代 DRAM 和 SRAM 存储器。电阻性 RAM (RRAM 技术基于两种稳定电阻性状态(低 /高之间的电阻元件材料的电子切换 (电流 或感应电压。 研究机构 IMEC 预计带 叠栅式结构的 RRAM 设备可以 11nm 的规格进 入市场。 它 坚信闪存规模可发展为 20nm ,带 SONOS (硅 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 硅闪 存,用作中间 步长,采用 17nm 和 14nm 节点。专心-专注-专业