电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.doc

【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流电路基础知识Vss VDD VEE Vcc 的区别.精品文档.1.电路基础知识1.1 Vss, VDD, VEE, Vcc 的区别说法一：VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料而定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极，VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。 同样，VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成，那么它的VDD就应接电源的负，而VSS应接正电源。它们是这样得名的：VCC表示连接到三极管集电极（C）的电源。VEE表示连接到三极管发射极（E）的电源。VDD表示连接到场效应管的漏极（D）的电源。VSS表示连接到场效应管的源极（S）的电源。通常VCC和VDD为电源正，而VEE和VSS为电源负或者地。说法二：VDD,VCC,VSS,VEE,VPP区别VDD:电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电 路）；漏极电压（场效应管） VCC：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier) VSS:地或电源负极 VEE：负电压供电；场效应管的源极（S） VPP：编程/擦除电压。 详解： 在电子电路中，VCC是电路的供电电压, VDD是芯片的工作电压： VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压， D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd ! VSS：S=series 表示公共连接的意思，也就是负极。 有些IC 同时有VCC和VDD， 这种器件带有电压转换功能。 在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚， 这是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含3个符号，VCC / VDD /VSS， 这显然是电路符号。1.2 TTL电平与CMOS电平的区别1，TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈 4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL和COMS电路比较： 1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。 2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS电路的锁定效应： COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。 防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。 3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。 4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。 6，COMS电路的使用注意事项 1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。 3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。 7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）： 1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。 OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。 9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？ TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA1.3 LSB的定义当选择模数转换器(ADC)时，最低有效位(LSB)这一参数的含义是什么？有位工程师告诉我某某生产商的某款12位转换器只有7个可用位。也就是说，所谓12位的转换器实际上只有7位。他的结论是根据器件的失调误差和增益误差参数得出的，这两个参数的最大值如下： 失调误差 =±3LSB， 增益误差 =±5LSB， 乍一看，觉得他似乎是对的。从上面列出的参数可知最差的技术参数是增益误差(±5 LSB)。进行简单的数学运算，12位减去5位分辨率等于7位，对吗？果真如此的话，ADC生产商为何还要推出这样的器件呢？增益误差参数似乎表明只要购买成本更低的8位转换器就可以了，但看起来这又有点不对劲了。正如您所判断的，上面的说法是错误的。 让我们重新来看一下LSB的定义。考虑一个12位串行转换器，它会输出由1或0组成的12位数串。通常，转换器首先送出的是最高有效位(MSB)(即LSB + 11)。有些转换器也会先送出LSB。在下面的讨论中，我们假设先送出的是MSB(如图1所示)，然后依次送出MSB-1 (即 LSB + 10)和MSB -2(即LSB + 9)并依次类推。转换器最终送出MSB -11(即LSB)作为位串的末位。 LSB这一术语有着特定的含义，它表示的是数字流中的最后一位，也表示组成满量程输入范围的最小单位。对于12位转换器来说，LSB的值相当于模拟信号满量程输入范围除以212 或 4,096的商。如果用真实的数字来表示的话，对于满量程输入范围为4.096V的情况，一个12位转换器对应的LSB大小为1mV。但是，将LSB定义为4096个可能编码中的一个编码对于我们的理解是有好处的。 让我们回到开头的技术指标，并将其转换到满量程输入范围为4.096V的12位转换器中： 失调误差 = ±3LSB =±3mV， 增益误差 =±5LSB = ±5mV， 这些技术参数表明转换器转换过程引入的误差最大仅为8mV(或 8个编码)。这绝不是说误差发生在转换器输出位流的LSB、LSB-1、LSB-2、LSB-3、LSB-4、LSB-5、LSB-6和 LSB-7 八个位上，而是表示误差最大是一个LSB的八倍(或8mV)。准确地说，转换器的传递函数可能造成在4,096个编码中丢失最多8个编码。丢失的只可能是最低端或最高端的编码。例如，误差为+8LSB (+3LSB失调误差) + (+5LSB增益误差) 的一个12位转换器可能输出的编码范围为0 至 4,088。丢失的编码为4088至4095。相对于满量程这一误差很小仅为其0.2%。与此相对，一个误差为-3LSB(-3LSB失调误差)(-5LSB增益误差)的12位转换器输出的编码范围为3至4,095。此时增益误差会造成精度下降，但不会使编码丢失。丢失的编码为0、1和2。这两个例子给出的都是最坏情况。在实际的转换器中，失调误差和增益误差很少会如此接近最大值。1.4 场效应管及三级管型号大全晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W*NMOS场效应 IRFPG421000V4A150W*NMOS场效应 IRFPF40900V4.7A150W*NMOS场效应 IRFP9240200V12A150W*PMOS场效应 IRFP9140100V19A150W*PMOS场效应 IRFP460500V20A250W*NMOS场效应 IRFP450500V14A180W*NMOS场效应 IRFP440500V8A150W*NMOS场效应 IRFP353350V14A180W*NMOS场效应 IRFP350400V16A180W*NMOS场效应 IRFP340400V10A150W*NMOS场效应 IRFP250200V33A180W*NMOS场效应 IRFP240200V19A150W*NMOS场效应 IRFP150100V40A180W*NMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFP140100V30A150W*NMOS场效应 IRFP05460V65A180W*NMOS场效应 IRFI744400V4A32W*NMOS场效应 IRFI730400V4A32W*NMOS场效应 IRFD9120100V1A1W*NMOS场效应 IRFD12380V1.1A1W*NMOS场效应 IRFD120100V1.3A1W*NMOS场效应 IRFD11360V0.8A1W*NMOS场效应 IRFBE30800V2.8A75W*NMOS场效应 IRFBC40600V6.2A125W*NMOS场效应 IRFBC30600V3.6A74W*NMOS场效应 IRFBC20600V2.5A50W*NMOS场效应 IRFS9630200V6.5A75W*PMOS场效应 IRF9630200V6.5A75W*PMOS场效应 IRF9610200V1A20W*PMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF954160V19A125W*PMOS场效应 IRF953160V12A75W*PMOS场效应 IRF9530100V12A75W*PMOS场效应 IRF840500V8A125W*NMOS场效应 IRF830500V4.5A75W*NMOS场效应 IRF740400V10A125W*NMOS场效应 IRF730400V5.5A75W*NMOS场效应 IRF720400V3.3A50W*NMOS场效应 IRF640200V18A125W*NMOS场效应 IRF630200V9A75W*NMOS场效应 IRF610200V3.3A43W*NMOS场效应 IRF54180V28A150W*NMOS场效应 IRF540100V28A150W*NMOS场效应 IRF530100V14A79W*NMOS场效应 IRF440500V8A125W*NMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF230200V9A79W*NMOS场效应 IRF130100V14A79W*NMOS场效应 BUZ20100V12A75W*NMOS场效应 BUZ11A50V25A75W*NMOS场效应 BS17060V0.3A0.63W*NMOS场效应 2SC4582600V15A75W*NPN 2SC4517550V3A30W*NPN 2SC44291100V8A60W*NPN 2SC4297500V12A75W*NPN 2SC42881400V12A200W*NPN 2SC4242450V7A40W*NPN 2SC4231800V2A30W*NPN 2SC41191500V15A250W*NPN 2SC41111500V10A250W*NPN 2SC4106500V7A50W*20MHZNPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC4059600V15A130W*NPN 2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN 2SC4024100V10A35W*NPN 2SC39981500V25A250W*NPN 2SC39971500V15A250W*NPN 2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿) 2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPN 2SC3907180V12A130W*30MHZNPN 2SC38931400V8A50W*8MHZNPN 2SC38861400V8A50W*8MHZNPN 2SC3873500V12A75W*30MHZNPN 2SC3866900V3A40W*NPN 2SC3858200V17A200W*20MHZNPN 2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN 2SC3783900V5A100W*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC37201200V10A200W*NPN 2SC3680900V7A120W*NPN 2SC3679900V5A100W*NPN 2SC359530V0.5A1.2W90*NPN 2SC3527500V15A100W13*NPN 2SC3505900V6A80W12*NPN 2SC34601100V6A100W12*NPN 2SC34571100V3A50W12*NPN 2SC335820V0.15A*7000MHZNPN 2SC335520V0.15A*6500MHZNPN 2SC3320500V15A80W*NPN 2SC3310500V5A40W20*NPN 2SC3300100V15A100W*NPN 2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPN 2SC1507300V0.2A15W*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC149436V6A40W*175MHZNPN 2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN 2SC116235V1.5A10W*NPN 2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN 2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPN 2SC82845V0.05A0.25W*NPN 2SC81560V0.2A0.25W*NPN 2SC38035V0.03A0.25W*NPN 2SC10660V1.5A15W*NPN 2SB1494120V25A120W*PNP(达林顿） 2SB1429180V15A150W*PNP 2SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿） 2SB137560V3A2W*PNP 2SB133580V4A30W*PNP 2SB1317180V15A150W*PNP 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿） 2SB124340V3A1W*70MHZPNP 2SB124040V2A1W*100MHZPNP 2SB123880V0.7A1W*100MHZPNP 2SB118560V3A25W*75MHZPNP 2SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿） 2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿） 2SB83460V3A30W*PNP 2SB817160V12A100W*PNP 2SB77240V3A10W*PNP 2SB74470V3A10W*PNP 2SB73460V1A1W*PNP 2SB688120V8A80W*PNP 2SB67560V7A40W*PNP(达林顿） 2SB66970V4A40W*PNP(达林顿） 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB649180V1.5A1W*PNP 2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP 2SB44950V3.5A22W*PNP 2SA1943230V15A150W*PNP 2SA1785400V1A1W*140MHZPNP 2SA1668200V2A25W*20MHZPNP 2SA1516180V12A130W*25MHZPNP 2SA1494200V17A200W*20MHZPNP 2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP 2SA1358120V1A10W*120MHZPNP 2SA1302200V15A150W*PNP 2SA1301200V10A100W*PNP 2SA1295230V17A200W*PNP 2SA1265140V10A30W*PNP 2SA1216180V17A200W*PNP 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SA116250V0.15A0.15W*PNP 2SA1123150V0.05A0.75W*PNP 2SA102050V2A0.9W*PNP 2SA1009350V2A15W*PNP 2N6678650V15A175W*NPN 2N568560V50A300W*NPN 2N6277180V50A300W*NPN 2N5551160V0.6A0.6W*100MHZNPN 2N5401160V0.6A0.6W*100MHZPNP 2N3773160V16A150W*NPN 2N3440450V1A1W*NPN 2N3055100V15A115W*NPN 2N290760V0.6A0.4W200*NPN 2N236940V0.5A0.3W*800MHZNPN 2N222260V0.8A0.5W45*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型901830V0.05A0.4W*1GNPN 901550V0.1A0.4W*150MHZPNP 901450V0.1A0.4W*150MHZNPN 901350V0.5A0.6W*NPN 901250V0.5A0.6W*PNP 901150V0.03A0.4W*150MHZNPN TIP147100V10A125W*PNP TIP142100V10A125W*NPN TIP127100V8A65W*PNP TIP122100V8A65W*NPN TIP102100V8A2W*NPN TIP42C100V6A65W*PNP TIP41C100V6A65W*NPN TIP36C100V25A125W*PNP TIP35C100V25A125W*NPN 反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型TIP32C100V3A40W*PNP TIP31C100V3A40W*NPN MJE130071500V2.5A60W*NPN MJE13005400V4A60W*NPN MJE13003400V1.5A14W*NPN MJE2955T60V10A75W*NPN MJE350300V0.5A20W*NPN MJE340300V0.5A20W*NPN MJ15025400V16A250W*PNP MJ15024400V16A250W*NPN MJ13333400V20A175W*NPN MJ11033120V50A300W*NPN MJ11032120V50A300W*NPN MJ10025850V20A250W*NPN MJ10016500V50A200W*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BUS13A1000V15A175W*NPN BUH5151500V10A80W*NPN BU25321500V15A150W*NPN BU25271500V15A150W*NPN BU25251500V12A150W*NPN BU25221500V11A150W*NPN BU2520800V10A150W*NPN BU2508700V8A125W*NPN BU25061500V7A50W*NPN BU932R500V15A150W*NPN BU806400V8A60W*NPN BU406400V7A60W*NPN BU323450V10A125W*NPN(达林顿) BF458250V0.1A10W*NPN BD682100V4A40W*PNP 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10015400V50A200W*NPN MJ10012400V10A175W*NPN(达林顿) MJ450290V30A200W*PNP MJ305560V15A115W*NPN MJ295560V15A115W*PNP MN6501500V6A80W*NPN BUX98A400V30A210W*NPN BUX84800V2A40W*NPN BUW13A1000V15A150W*NPN BUV48A450V15A150W*NPN BUV28A225V10A65W*NPN BUV2690V14A65W*NPN BUT12A450V10A125W*NPN BUT11A1000V5A100W*NPN BUS14A1000V30A250W*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BD681100V4A40W*NPN BD24445V6A65W*PNP BD24345V6A65W*NPN BD238100V2A25W*PNP BD237100V2A25W*NPN BD13860V1.5A12.5W*PNP BD13760V1.5A12.5W*NPN BD13645V1.5A12.5W*PNP BD13545V1.5A12.5W*NPN BC54750V0.2A0.5W*300MHZNPN BC54680V0.2A0.5W*NPN BC33850V0.8A0.6W*NPN BC33750V0.8A0.6W*NPN BC32750V0.80.6W*PNP BC30750V0.2AA0.3W*PNP 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SDK55400V4A60W*NPN 2SD24451500V12.5A120W*NPN 2SD238890V3A1.2W*NPN(达林顿) 2SD23351500V7A100W*NPN 2SD23341500V5A80W*NPN 2SD2156120V25A125W2000-20000*NPN(达林顿) 2SD2155180V15A150W*NPN 2SD203660V1A1.2W*NPN 2SD201260V3A2W*NPN 2SD200880V1A1.5W*NPN 2SD199740V3A1.5W*100MHZNPN 2SD199460V1A1W*NPN 2SD199350V0.1A0.4W*NPN 2SD1980100V2A10W1000-10000*NPN(达林顿) 2SD1978120V1.5A1W30000*NPN(达林顿) 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1975180V15A150W*NPN 2SD1930100V2A1.2W1000*NPN(达林顿) 2SD184750V1A1W*NPN(低噪) 2SD176260V3A25W*90MHZNPN 2SD1718180V15A3.2W*20MHZNPN 2SD1640120V2A1.2W4000-40000*NPN(达林顿) 2SD1590150V8A25W15000*NPN(达林顿) 2SD1559100V20A20W5000*NPN(达林顿) 2SD141580V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD141680V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD130225V0.5A0.5W*200MHZNPN 2SD127380V3A40W*50MHZNPN 2SD1163A350V7A40W*60MHZNPN 2SD1047160V12A100W*NPN 2SD1037150V30A180W*NPN 晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1025200V8A50W*NPN(达林顿) 2SD789100V1A0.9W*NPN 2SD774100V1A1W*NPN 2SD669180V1.5A1W*140MHZNPN 2SD667120V1A0.9W*140MHZNPN( 达林顿 ) 2SD56