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    模拟电路半导体器件.doc

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    模拟电路半导体器件.doc

    【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流模拟电路半导体器件.精品文档.第1章自测题、习题解答自测题1一、选择题A.增大 B. 减小 C.不变解:1、C 2、A 3、C 4、A 5、B二、判断题解:1、× 2、× 3、× 4、× 5、 6、×三、二极管电路如图T13所示,写出各电路的输出电压值。设uD =0.7V。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)图T13解:(a) 二极管截止,故uo1 =0V(b)二极管导通,故uo2 =50.7=4.3V(c) 二极管导通,故uo3 =30.7=3.7V(d) 二极管截止,故uo4=5V(e) 二极管导通,故uo5 =0.73=2.3V(f) 二极管截止,故uo6 =3V四、稳压二极管电路如图T14所示,已知DZ1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V, UZ2 =8V,试求输出电压UO1,UO2。(a) (b)图T14解:(a)uo1 =15UZ1UZ22V (b)DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V,故DZ2截止,uo2 =0V五、电路如图T15所示,设UCC =10V,b=100,UBE =0.7V,UCES=0V试问:1. RB =100K,UBB =3V时,IC =?解: 2. UBB =2V时,UO =5V时,RB =? 解: 习题1(a) (b)图P111。1 电路如图P11所示,设电路中的二极管为理想二极管,试求各电路中的输出电压UAB。解:(a) D1截止,D2导通,故uAB =6V(b) D1导通,D2截止,故uAB = -10V12电路如图P12所示,设二极管正向导通电压为0V,反向电阻为无穷大,输入电压为ui =10sint V,E=5V,试分别画出输出电压uO的波形。 (a) (b)图P12解:(a)当时,二极管导通,;当时,二极管截止,(b)当时,二极管截止,;当时,二极管导通,13 选择填空 解:(1)C A (2)B (3)A (4)C (5)A (6) B (7)B (8) C14 两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏,稳定电压分别为UZ1 =6V,UZ2 =8V,若与一电阻串联后接入直流电源中,当考虑稳压管正负极性的不同组合时,可获得哪几种较稳定的电压值。解:两个稳压管组合可以有14V, 6.5V, 8.5V, 1V四种输出电压15图P15所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线,试画出由恒压源U,电阻rd和理想二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型,并写出U及rd的表达式。图P15解:等效电路图如下:uD =Uon +iDrDrD =(uD -Uon)/iD16解:电路如图P16所示,其中R=2K,硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V,正向压降为0.6V,不计稳压管的动态电阻和耗散功率,试求各电路输出电压。 (a) (b) (c) (d)图P16解:(a)DZ1反向击穿,DZ2截止,故uo1 =5V(b)DZ1正偏,DZ2截止,故uo2 =0.6V(c)DZ1反向击穿,DZ2截止,故uo3 =0V(d)DZ1反向击穿,DZ2反向击穿,故uo4 =5V17电路如图P17所示 ,已知稳压管DZ的稳定电压UZ =6V,稳定电流的最小值Izmin =5mA,最大值Izmax =20mA,(1)当Ui =8V时,求R的范围;(2)当R=1K时,求Ui的范围。解:(1) (2) 18在如图P18所示电路中,R=400W,已知稳压管DZ的稳定电压UZ =10V,最小电流Izmin =5mA,最大管耗为PZM =150mW。(1)当Ui =20V时,求RL的最小值;(2)当Ui =26V时,求RL的最大值;若RL =时,则将会产生什么现象?解:(1)当RL最小时,通过稳压管的电流为IZmin5mA (2)稳压管可以通过的最大电流为: 此时, 若,将会烧毁稳压管19电路如图P19所示,设二极管为理想二极管。根据以下条件,求二极管中的电流和Y的电位。(1) 当VA =VB =5V时解: D1、D2的电流为(2) 当VA =10V,VB =0V时解:此时D1导通,D2截止。 (3) 当VA =6V,VB =5.8V时解:假如D2截止,则,故D2应该导通 解得:图P17 图P18 图P19110已知三极管的输出特性曲线如图P110所示,试求图中的IC =6mA,UCE =6V时,电流的放大系数。图P110解:从图中得知:当IC6mA时,IB0.06mA 111 已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为U1、U2、U3,如图P111所示,试分别判断它们是NPN型或PNP型?是硅管还是锗管?并标出三个电极的符号。图P111解:(1)NPN型 硅管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压(2)NPN型 锗管 U1、U2、U3分别是B、E、C上的电压(3)PNP型 硅管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压(4)PNP型 锗管 U1、U2、U3分别是C、B、E上的电压112已测得三极管的各极电位如图P112所示,试判别它们各处于放大、饱和与截止中的哪种工作状态? 图P112解:(a) 发射极正偏、集电极反偏,故为放大状态(b) 发射极反偏,故为截止状态(c) 发射极正偏、集电极正偏,故为饱和状态(d) 发射极正偏、集电极反偏,故为放大状态(e) 发射极正偏、集电极正偏,故为饱和状态(f) 发射极电压为0、集电极反偏,故为截止状态115已知某一晶体三极管(BJT)的共基极电流放大倍数a=0.99。(1) 在放大状态下,当其发射极的电流 IE =5mA时,求IB的值;(2) 如果耗散功率PCM =100mW,此时UCE最大为多少是安全的?(3) 当ICM =20mA时,若要正常放大,IB最大为多少?解:(1)在放大状态下,当其发射极的电流 IE =5mA时,求IB的值; (2) UCE最大为20.2V(3)

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