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(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结模拟电子技术温习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由VCC=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.沟通通路与动态分析*概念-沟通电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的经过。*沟通负载线-连接Q点和VCC点VCC=UCEQ+ICQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。2饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC。4.放大器的动态范围1Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。2范围*当UCEQUCESVCCUCEQ时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结当前位置：文档视界(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结(完好版)模拟电子技术基础-知识点总结理想时为78.5%三.甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法?甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。?甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL-电容C2上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一尽管子的类型。3.=1·2第六章集成运算放大电路一.集成运放电路的基本组成1.输入级-采用差放电路，以减小零漂。2.中间级-多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级-多采用互补对称电路以提高带负载能力。4.偏置电路-多采用电流源电路，为各级提供适宜的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点1.抑制零点漂移的经过-当TiC1、iC2iE1、iE2uEuBE1、uBE2iB1、iB2iC1、i。C2Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反应电阻。2静态分析1)计算差放电路IC设UB0，则UE=0.7V，得2)计算差放电路UCE?双端输出时?单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：对于VT2：3.动态分析