最新同步整流技术培训幻灯片.ppt

同步整流技术培训同步整流技术培训2传统二极管整流电路面临的问题传统二极管整流电路面临的问题同步整流技术及其特点同步整流技术及其特点同步整流的基本原理同步整流的基本原理同步整流的类别和说明同步整流的类别和说明典型电路实例分析典型电路实例分析同步整流的功率同步整流的功率MOSFETMOSFET最新进展最新进展GW-EPS1000DA(90+)GW-EPS1000DA(90+)同步整流设计分析同步整流设计分析同步整流典型案例分享同步整流典型案例分享Agenda Agenda 目录目录3456789背景背景: Cross SR 的工作原理是利用主变压器次级电压 Usec驱动 SR 管工作的,因而 Cross SR的性能受 Usec制约 ,可归纳为: Usec峰值应满足SR管的安全范围 , Uth Usec 600ns时，SP6019 会立刻的将PIN 6 输出工作缩减至1us，以保护SR Mosfet 不会交越动作。图六：3.工作说明15七、七、GW-EPS1000DA(90+)GW-EPS1000DA(90+)同步整流设计分析同步整流设计分析续流管Q13 Vgs和Id 波形整流管Q12 Vgs和Id 波形死区时间1.46us 死区时间5.38us 改变C601容值560/50V151/50V4.死区时间及死区时间及双管导通分析双管导通分析16七、七、GW-EPS1000DA(90+)GW-EPS1000DA(90+)同步整流设计分析同步整流设计分析Q13 Vds和IdQ12 Vgs和IdQ13 Vgs和IdQ12 Vgs和Id17七、七、GW-EPS1000DA(90+)GW-EPS1000DA(90+)同步整流设计分析同步整流设计分析预置同步信号抓取18八、八、同步整流同步整流典型案例分享典型案例分享案例背景案例背景主板通电后Q1 A06601炸机频繁发生(右图),立案分析如下:分析过程分析过程1.首先量測AO6601 pin1(low side gate)以及pin3(high side gate) waveform-右图Ch1 黃色的部份是high side, Ch2 藍色的部份是low side, ch3 是Vin的部份(紫色)分析: 可以看到不管是high side 或是low side 皆有induce 電壓堆疊的作用當high side 及low side 關掉的時候。 High side 彈起約1.8V但在low side 彈起的同時(low side 約0.7V) high side最低約為0.6V, 因此有可能會造成 high low side 同時導通的現象。 由于實驗的AO6601 low side Vgs(th)值較高的關係, 而沒有被燒掉, 另一方面也可以從Vin 電壓也可以看出並沒有短路的現象(因為若是短路, 電壓會往下drop), 但目前沒有此現象。19八、八、同步整流同步整流典型案例分享典型案例分享( (续续) )2.考虑到驱动限流电阻的影响,对比量测1R和10R是否引起同时导通现象下图R91和R93電阻为1量測waveform 只將high side R9 1換上10的gate.目的是想要將high side 的開啟時間延後, 避開同时导通問題,但结果沒有差別3. 考虑到high low side gate 的走線較長, 懷疑線感較大, 因 Vl=L*dt/di , 走線越長所產生的L就越大L越大電壓就越容易堆疊. 量測AO6601 pin3 的波形, 同時比較R91另一端BCM4716所送出的gate驱动電壓, 發現竟然差了0.32V(1.86V - 1.54V ).此電壓差別相當多，卻也相當margin. 若是有較低Vgs(th) 值(规格为0.6V)得Low sige 或是較早導通(高Vgs(th)的mosfet 就容易造成短路並擊穿量測AO6601 第三pin (high side gate) 的waveform(黃色的部分)BCM4716所送出的gate驱动電壓(蓝色的部分)20七、典型案例分享七、典型案例分享( (续续) )改善对策改善对策21Thank You22 结束语结束语