欢迎来到淘文阁 - 分享文档赚钱的网站! | 帮助中心 好文档才是您的得力助手!
淘文阁 - 分享文档赚钱的网站
全部分类
  • 研究报告>
  • 管理文献>
  • 标准材料>
  • 技术资料>
  • 教育专区>
  • 应用文书>
  • 生活休闲>
  • 考试试题>
  • pptx模板>
  • 工商注册>
  • 期刊短文>
  • 图片设计>
  • ImageVerifierCode 换一换

    最新场效应晶体管JFET与MESFET器件基础精品课件.ppt

    • 资源ID:25084062       资源大小:2.19MB        全文页数:58页
    • 资源格式: PPT        下载积分:20金币
    快捷下载 游客一键下载
    会员登录下载
    微信登录下载
    三方登录下载: 微信开放平台登录   QQ登录  
    二维码
    微信扫一扫登录
    下载资源需要20金币
    邮箱/手机:
    温馨提示:
    快捷下载时,用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号,方便查询和重复下载(系统自动生成)。
    如填写123,账号就是123,密码也是123。
    支付方式: 支付宝    微信支付   
    验证码:   换一换

     
    账号:
    密码:
    验证码:   换一换
      忘记密码?
        
    友情提示
    2、PDF文件下载后,可能会被浏览器默认打开,此种情况可以点击浏览器菜单,保存网页到桌面,就可以正常下载了。
    3、本站不支持迅雷下载,请使用电脑自带的IE浏览器,或者360浏览器、谷歌浏览器下载即可。
    4、本站资源下载后的文档和图纸-无水印,预览文档经过压缩,下载后原文更清晰。
    5、试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓。

    最新场效应晶体管JFET与MESFET器件基础精品课件.ppt

    DsatDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI,21)(20)1 ()(212DSTGSoxnDsatVVVLWCI源 栅 漏 源 漏N沟道衬底JFETN沟道衬底MESFETJFET与MESFET结构P+Metal场效应晶体管(FET)结型场效应晶体管 (JFET)金属半导体场效应晶体管 (MESFET) MOS 场效应 晶体管(MOSFET)MOS器件的表征:沟道长度沟道长度沟道宽度沟道宽度wLNMOS工作原理VDS VGS - VT阈值电压:强反型层形成沟道时的栅源电压VT; (表面反型产生的载流子数目等于衬底多子的数目)线性区(Linear region) :VDS = VGS - VT过渡区 :截止区(Cut off): VGS VT击穿区:PN结击穿; 图1 P型半导体图2 表面电荷减少图 3 形成耗尽层耗尽层(高阻区)图 4 形成反型层反型层(1)线性区:VGS-VTVDS令:K= Cox n 工艺因子 Cox :单位面积电容; n:电子迁移率 N=K(W/L) 导电因子则:IDS=N(VGS-VTN)-VDS/2.VDS 线性区的电压-电流方程当工艺一定时,K一定,N与(W/L)有关。22TGSVVnDSI L S D VDSVDS-(VGS-VT)VGS-VT沟道夹断沟道长度调制效应MOS的电流电压特性(3)截止区: 0 IDS=0 IDS 输出特性曲线VDS 0线性区饱和区|VG5|VG4|VG3|VG2|VG1|VGS-VT0VDS =VGS-VT 截止区TGSDSVVIIexp0- V g sGN - S i衬底SDI s d = - I d sV d d P P - V d s)(0BSttVVV D GSN+N+P-SiSGDVDSVGS=VTIDSVGSVTIDS D GSN+N+P-SiSGDVDSVGS=VTIDSVGSVTIDSVGS=0 D GSP+P+N-SiSGDVds(-)Vg=VtIds(-)Vgs(-)VtIds(-) D GSP+P+N-SiSGDVds(-)Vg=VtIds(-)Vgs(-)VtIds(-)Vg=0TGSDVVI , 0DsatDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI,21)(20DsatDSTGSTGSXnDsatDVVVVVVLWCII,)(2120210)(2TGSDSsubreffVVVqNLL)1 ()(212DSTGSoxnDsatVVVLWCItconsVGSDmGSVIgtanDSxnmVLWCg0)1)(0DSTGSxnmVVVLWCgtconsVDSDmGSVIgtan为渡越时间:2/1Tf21)2(2FFFBTVVOXSSSFBCQVVOXioxTC0为衬底掺杂浓度为费米电势 subN )(FisubFnNInqkToxsubrCqN210)2(为体效应系数阈值电压将发生变化加上后若衬底偏压,V)2(BS21BSTTVVV

    注意事项

    本文(最新场效应晶体管JFET与MESFET器件基础精品课件.ppt)为本站会员(豆****)主动上传,淘文阁 - 分享文档赚钱的网站仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知淘文阁 - 分享文档赚钱的网站(点击联系客服),我们立即给予删除!

    温馨提示:如果因为网速或其他原因下载失败请重新下载,重复下载不扣分。




    关于淘文阁 - 版权申诉 - 用户使用规则 - 积分规则 - 联系我们

    本站为文档C TO C交易模式,本站只提供存储空间、用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。本站仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知淘文阁网,我们立即给予删除!客服QQ:136780468 微信:18945177775 电话:18904686070

    工信部备案号:黑ICP备15003705号 © 2020-2023 www.taowenge.com 淘文阁 

    收起
    展开