习题解答实用.pptx
1第一章N 型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。P 型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半导体。DDdiur 微变电阻rdPN 结的电流方程)1( TUuSeIi常温下（T=300K） UT26mVPN 结正向偏置 P 正N 负,导通PN 结反向偏置 P负N 正，截止DTIU maxZZZMIUP 稳压管：稳定电压 UZ，稳定电流IZ、额定功耗第1页/共27页2第一章三极管：由两个PN 结背靠背组成 结构特点 符号IBIEICIEICIBIBIE=IC+IBBCII BEII 1BCII iCmAAVVUCEUBERbiBVCCVBBRCbBBBEBRiVu CCCCECRiVu 第2页/共27页3第一章输入特性曲线UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8导通压降：硅管UBE 0.60.8V,锗管UBE 0.10.3VUCE=0VUCE =0.5V开启电压：硅管0.5V，锗管0.1V。常数CEUBEBufi第3页/共27页4第一章输出特性曲线iC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A放大区IC=IB截止区,IB0,IC0 常常数数 BICECufi饱和区ICIBCCCCECRiVu 临界饱和UCE=UBEUBC=0第4页/共27页5第一章输出特性三个区域的特点:(1) 截止区：发射结反偏UBEUON , UCEUBE IE=IC+IB， IC=IB , 且 IC = IB(3) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。UBEUON , UCEUBE IC3.7V时， D1导通，D2截止，U0=3V+0.7V=3.7V二极管正向导通反向截止Ui-3.7V时， D1截止，D2导通，U0=(-0.7V)+(-3V)=-3.7V-3.7V UiVbVeSi管:Vbe=0.7VGe管:Vbe=0.2VPNP 型VeVbVcSi管:Vbe=-0.7VGe管Vbe=-0.2V管号管号T1T2T3T4T5T6上上ecebcb中中bbbeee下下ceccbc管型管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料材料SiSiSiGeGeGeebcebcebcebcebcebc第22页/共27页23第一章1.10 电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V,=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值 解：（1）当VBB0时，T截止, IB=0, IC=0, uOVCC-ICRC=VCC=12V（2）当VBB1V时，因为 （3）当VBB3V时，因为ICQICM 所以T处于放大状态bBEQBBBQRUVI mAKVV06. 057 . 01 BQCQ II CCQCCORIVu VCCmA7 .1113 . 012CM KRUVICCESCCmAKI46. 057 . 03BQmA2346. 050CQIV1112312OuT处于饱和状态mA306. 050 V91312 第23页/共27页24第一章例： 电路如图所示，试问大于多少时晶体管饱和？ 解：临界饱和时UCESUBE=0.7V bBECCCBECCRUVRUV Cb RR BC II 1001K100K Cb RR 所以，100 时，管子饱和。第24页/共27页25第一章1.11 电路如图所示，晶体管的50，|UBE|0.2V，饱和管压降|UCES|0.1V；稳压管的稳定电压UZ5V，正向导通电压UD0.5V。试问：当uI0V时,uO？当uI5V时,uO？ 解：当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。当uI5V时，晶体管饱和，uOUCES=- 0.1V。A48. 0102 . 05bBEIBmRUuI mA2448. 050BC II VRIVU1212412CCCCCE 或者：A1211 . 012CCESCCCSmRUVI 晶体管饱和第25页/共27页26第一章1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。 （e）可能第26页/共27页27第一章谢谢您的观看！第27页/共27页
