南京MOSFET功率器件项目商业计划书（参考范文）.docx

泓域咨询/南京MOSFET功率器件项目商业计划书南京MOSFET功率器件项目商业计划书xx（集团）有限公司报告说明随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。根据谨慎财务估算，项目总投资38519.01万元，其中：建设投资31156.63万元，占项目总投资的80.89%；建设期利息366.17万元，占项目总投资的0.95%；流动资金6996.21万元，占项目总投资的18.16%。项目正常运营每年营业收入68200.00万元，综合总成本费用56889.44万元，净利润8250.40万元，财务内部收益率15.18%，财务净现值5204.66万元，全部投资回收期6.32年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目概述8一、 项目概述8二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成11四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划13七、 环境影响13八、 报告编制依据和原则13九、 研究范围14十、 研究结论15十一、 主要经济指标一览表15主要经济指标一览表15第二章 背景、必要性分析18一、 功率MOSFET的行业发展趋势18二、 功率半导体行业概述19三、 发挥“双区”联动优势推动国家级新区再跨越21四、 坚持创新驱动发展提升创新名城建设的全球影响力25第三章 行业发展分析30一、 MOSFET器件概述30二、 全球半导体行业发展概况34第四章 建筑技术分析35一、 项目工程设计总体要求35二、 建设方案35三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表37第五章 建设方案与产品规划39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表39第六章 SWOT分析说明41一、 优势分析（S）41二、 劣势分析（W）43三、 机会分析（O）43四、 威胁分析（T）45第七章 发展规划分析53一、 公司发展规划53二、 保障措施59第八章 法人治理结构61一、 股东权利及义务61二、 董事64三、 高级管理人员68四、 监事71第九章 节能分析72一、 项目节能概述72二、 能源消费种类和数量分析73能耗分析一览表73三、 项目节能措施74四、 节能综合评价75第十章 劳动安全分析77一、 编制依据77二、 防范措施80三、 预期效果评价82第十一章 组织机构及人力资源83一、 人力资源配置83劳动定员一览表83二、 员工技能培训83第十二章 投资计划方案85一、 编制说明85二、 建设投资85建筑工程投资一览表86主要设备购置一览表87建设投资估算表88三、 建设期利息89建设期利息估算表89固定资产投资估算表90四、 流动资金91流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十三章 经济效益及财务分析96一、 基本假设及基础参数选取96二、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表98利润及利润分配表100三、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表102四、 财务生存能力分析103五、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105六、 经济评价结论105第十四章 招投标方案107一、 项目招标依据107二、 项目招标范围107三、 招标要求107四、 招标组织方式108五、 招标信息发布109第十五章 总结评价说明110第十六章 补充表格112主要经济指标一览表112建设投资估算表113建设期利息估算表114固定资产投资估算表115流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹措一览表118营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表123第一章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：南京MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xx（集团）有限公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xx5、项目联系人：黄xx（二）主办单位基本情况公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司不断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx，占地面积约76.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。“十四五”时期是我国全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后，乘势而上开启全面建设社会主义现代化国家新征程、向第二个百年奋斗目标进军的第一个五年。我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。当今世界正经历百年未有之大变局，国际力量对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心，同时国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加。我国已进入新发展阶段，正处在践行新发展理念、构建新发展格局、加快转入高质量发展轨道的关键时期，经济长期向好，人力资源丰富，市场空间广阔，治理效能提升，社会大局稳定，为南京发展提供了良好的环境条件。中心城市和城市群成为承载发展要素的主要空间形式。南京作为我国东部地区重要中心城市、长三角特大城市，正处在全面转入高质量发展轨道、全面开启现代化建设的关键阶段。特别是，以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局加快构建，有利于南京发挥区位枢纽优势、提升在国家战略中的地位；全国区域经济布局加快优化调整，有利于南京发挥比较优势、打造更高能级的区域增长极；新一轮科技产业革命加速演进、科技强国加快建设，有利于南京发挥创新先发优势，在新一轮城市发展中争先进位。同时也要看到，南京发展不平衡不充分问题仍然比较突出，主要表现在：科技创新和产业发展有高原无高峰，创新能力还不适应高质量发展要求；“主城强、郊区弱”“中心强、南北弱”的发展格局没有明显改变；制造业结构偏重问题仍然存在，开放型经济发展水平亟待提升；生态环境质量尚未迎来根本性好转，优质公共服务资源供需矛盾仍较突出，公共服务水平与民生期待还有差距；市域治理体系还不完善，城市本质安全水平还需提升。当前和今后一个时期，要深刻认识我国社会主要矛盾变化带来的新特征新要求，深刻认识错综复杂的国际环境带来的新矛盾新挑战，准确把握市情实际和阶段特征。强化首位担当，自觉对标对表，提升目标追求，突出创新实干，以“创新名城、美丽古都”的创造性实践，不断开拓“强富美高”建设新境界。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资38519.01万元，其中：建设投资31156.63万元，占项目总投资的80.89%；建设期利息366.17万元，占项目总投资的0.95%；流动资金6996.21万元，占项目总投资的18.16%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资38519.01万元，根据资金筹措方案，xx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）23573.28万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额14945.73万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：68200.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：56889.44万元。3、项目达产年净利润（NP）：8250.40万元。4、财务内部收益率（FIRR）：15.18%。5、全部投资回收期（Pt）：6.32年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：31502.70万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物，对周围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求，所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。九、 研究范围根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。十、 研究结论本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积50667.00约76.00亩1.1总建筑面积91514.251.2基底面积31920.211.3投资强度万元/亩395.932总投资万元38519.012.1建设投资万元31156.632.1.1工程费用万元26934.072.1.2其他费用万元3338.952.1.3预备费万元883.612.2建设期利息万元366.172.3流动资金万元6996.213资金筹措万元38519.013.1自筹资金万元23573.283.2银行贷款万元14945.734营业收入万元68200.00正常运营年份5总成本费用万元56889.44""6利润总额万元11000.53""7净利润万元8250.40""8所得税万元2750.13""9增值税万元2583.63""10税金及附加万元310.03""11纳税总额万元5643.79""12工业增加值万元19704.69""13盈亏平衡点万元31502.70产值14回收期年6.3215内部收益率15.18%所得税后16财务净现值万元5204.66所得税后第二章 背景、必要性分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。三、 发挥“双区”联动优势推动国家级新区再跨越发挥国家级新区、自由贸易试验区“双区”联动优势，加快“三区一平台”建设，积极培育新动能、激发新活力、塑造新优势，高质量建设产城融合的现代化新主城。（一）打造自主创新策源地建设创新名城重要承载区。加强科技创新前瞻谋划和资源共享，争取建设一批国家和省重大科技创新平台。建设新区主导产业协同服务创新平台和工程数据中心，大力发展研创型产业，提升剑桥大学南京科技创新中心等新型研发机构能级，发展集成电路设计服务产业创新中心、国家健康医疗大数据（东部）中心、中欧创新中心等创新中心。鼓励高校、科研院所优先在新区设立分支机构、科研中心或研发机构等，加快实施南大江北国际科教创新区、“中国气象谷”和南工大科技园等校地合作项目。深度链接国际创新网络。积极对接全球创新资源，鼓励企业和科研机构参与国际创新，深化与顶尖科研机构和重大创新功能型平台合作。探索有利于人才、资本、信息、技术等创新要素跨境流动和区域融通的政策举措，探索放宽海外留学人员引进直接落户审批机制，推进中国北欧创新合作示范园等国别化创新园区建设，加快建设长三角离岸数据中心。支持新区企业到海外设立研发机构和创新孵化基地，设立一批海外“飞地”创新中心。（二）推进“两城一中心”建设建设芯片之城。抢抓“数字时代”新机遇，以产业技术研创园、南京智能制造产业园、浦口经开区为主要载体，发展具有国际影响力的千亿级集成电路产业集群。构建具有根植性的集成电路产业生态网络，促进人工智能、5G、IPv6、智能网联汽车、智能制造系统等新兴产业发展，推进信息技术应用创新产业新高地建设。建设基因之城。以南京生物医药谷、国际健康城、新材料科技园为主要载体，发展新药研发及生产、高端医疗器械、健康服务、第三方检测等产业，前瞻布局基因技术、细胞治疗、脑科学等前沿领域，建设前沿医疗服务中心、综合健康服务中心和精准医疗创新和服务高地。支持国际健康城建设医疗特区，在进口医疗器械、诊断试剂和药品定点试用、简化审批方面先行先试。建设新金融中心。以扬子江国际基金街区为核心，聚焦科技金融、自贸金融、数字金融、绿色金融、民生金融，加快发展区块链金融、数字货币等金融科技应用，创新知识产权证券化等金融新模式新机制，提升金融服务实体经济能力，支持创建国家绿色金融改革创新试验区。1（三）建设美丽古都新主城提升现代城市品质。强化与浦口、六合联动发展，完善一体化发展体制机制和政策体系，实现深度融合发展。优化江北核心区、大厂片区和三桥片区“带状组团”空间结构，构建高效紧凑、功能复合、山水相融的城市功能布局。完善核心区市政路网配套，优化交通组织，建设“小街区、密路网”先行区。加快中央商务区地下空间综合开发利用和综合管廊示范区建设。推进“城市智能体”建设，加快5G、物联网、人工智能等新型基础设施建设，全面提升城市精细化管理水平。彰显美丽城市特质。推进滨江风光带建设，高品质打造定山、绿水湾城市客厅，加快扬子江数字金融港等建设，塑造美丽滨江天际线。发挥老山生态功能，依托“青龙绿带”贯通城市绿廊，构筑山水相依、山城相融的生态格局。深化历史文化空间整体性保护和当代创新利用，加强六合文庙、定山寺等遗址的保护和修复，加快浦口老火车站历史风貌街区保护利用，推动大厂老工业基地改造升级。强化幸福城市本质。健全便捷畅达的综合交通体系，加快过江通道、城市轨道交通、城市路网建设。完善文化休闲娱乐等配套设施建设。高水平推进长三角区域医疗中心建设，完成鼓楼医院江北国际医院二期、中大医院新院区建设及省肿瘤医院迁建，提升医疗服务国际化水平，构建全生命周期健康服务体系。推进学前教育、基础教育等均衡化供给，深化国际化特色办学，逐步建成服务创新型产业发展的人才供给体系。（四）构建对外开放强支点全面加强开放平台和开放能力建设，充分发挥自贸区南京片区牵引集成作用，加快建立与国际通行规则相衔接的开放制度体系，推进商品和要素开放向规则和制度开放转变。推动西坝港向多功能、综合型现代物流贸易服务聚集区转型升级，完善口岸开放体系，大力发展临港产业。推进中国（南京）跨境电子商务综合试验区建设，培育跨境电商产业园。加快推进法治园区建设，积极构建自贸区国际化商事法治体系，引进律所、仲裁、公证等境内外高质量法律服务机构，设立国际商事法律服务中心。创建高水平国际社区，加快接轨国际人才评价机制，推动重点领域国际标准和国际职业资格互认，提高国际人才综合服务水平。四、 坚持创新驱动发展提升创新名城建设的全球影响力（一）建设综合性国家科学中心和科技产业创新中心坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，持续推进创新驱动发展“121”战略，实施基础研究领航支撑、重大创新平台突破和关键核心技术攻坚“三大计划”，深入推进苏南国家自主创新示范区建设，成为国家科技自立自强不可或缺的重要力量，在全球创新网络中发挥重要节点作用。1、实施基础研究领航支撑计划面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，加快原始性引领性科技攻关，促进基础研究与应用研究融通发展，提升创新名城建设的源头创新供给能力。组织实施市级重大科技专项，支持开展重大科技基础和应用基础研究、前沿技术和战略性先导技术研究，加快实现重大原创成果突破。持续建设一批新型研究大学和高水平学科，鼓励在宁高校、科研院所和各类企业联合开展基础研究和应用基础研究，支持麒麟科技城联合中科院建设基础研究创新基地。建立企业、金融机构、社会资本等多渠道投入机制，逐年提高政府对基础研究和应用基础研究的投入比重。2、实施重大创新平台突破计划建设标志性重大科技创新基地。推动网络通信与安全紫金山实验室建成国家实验室，围绕未来网络、普适通信、内生安全等领域，开展具有重大引领作用的跨学科、大协同科学研究。推动扬子江生态文明创新中心建成国家技术创新中心，聚焦科学问题、工程技术和生态产业化等领域，形成长江污染防治和生态保护修复技术的重要输出地。3、实施关键核心技术攻坚计划聚焦重点产业集群、产业链安全和民生保障，加快构建市场经济条件下关键核心技术攻关的新型机制。实施自主创新登峰行动，每年制定八大产业链关键技术攻关清单，增强前瞻技术储备，加快形成一批重大原始创新成果。确立企业在关键核心技术攻关中的主体地位，支持有条件的龙头企业联合高校、科研院所、新型研发机构和行业上下游力量，组建体系化、任务型的创新联盟。建立健全部省市联合、军地协同等创新机制，综合运用“揭榜挂帅”、定向委托、招标等科技项目组织管理方式，提高技术创新的精准化程度和组织化水平。到2025年，产业链关键核心技术产品自主化率达到90%以上。（二）培育充满活力的科创森林实施科创森林成长计划，加强创新主体多元化培育，促进各类创新要素向企业集聚，建立全周期全要素支持体系，推动创新链和产业链有效对接。1、提升新型研发机构发展质效实施新型研发机构提质增效行动，强化新型研发机构“专业+研发+孵化”功能叠加，加速向技术源头和产业应用“双向拓展”。支持新型研发机构建设公共技术服务平台、工程化研究（试验）平台和概念验证中心，加大新型研发机构孵化企业投资力度，增强孵化培育企业能力。引导领域相近的新型研发机构兼并重组，构建高效运作机制，推动建立现代企业制度，完善以研发投入、技术服务、高企孵化等为主要依据的新型研发机构绩效考核机制。支持高校、科研院所、社会资本参与新型研发机构建设，鼓励人才（团队）持有多数股份设立新型研发机构，鼓励对外股权融资，探索特殊股权结构。到2025年，培育40家有国际影响力的新型研发机构，累计引进孵化科技企业达到2万家。2、梯次培育科创企业矩阵促进各类创新要素向企业集聚，形成以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系。支持高新技术企业、创新型领军企业和科技型中小企业与各类创新主体融通创新。3、激发“高、海、苏、军”双创主体活力全面提升在宁高校、科研院所创新创业能力。发挥大院大所优势和高端人才牵引作用，推动科教资源优势转化为服务地方经济社会发展的优势。建立在宁高校、科研院所科技成果转化基金和高校企业协同创新中心，鼓励校校、校所、校企间加强合作，支持高校、科研院所围绕优势细分领域建立特色化众创空间。深入实施“百校对接”计划，探索“校友经济”实施路径方式，推动相关产业化项目和人才回宁发展。（三）提升创新载体发展能级以强化创新活力和成效为目标，构筑多层次立体化创新空间，推动创新载体向市场化、专业化、精细化方向发展，形成创新的规模效应和集聚效应。（四）厚植人才发展优势充分发挥人才第一资源作用，建设支撑创新名城高质量发展的优秀人才队伍，构筑与高质量发展相适应的人才治理体系，推动人才总量实现翻番。（五）完善创新生态系统建设深化科技体制综合改革试点，不断优化创新的制度性供给，全面提升创新创业服务能力，形成具有区域辐射带动力的创新创业环境。第三章 行业发展分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。第四章