武汉MOSFET功率器件项目招商引资方案【模板】.docx

泓域咨询/武汉MOSFET功率器件项目招商引资方案武汉MOSFET功率器件项目招商引资方案xxx有限公司目录第一章 行业、市场分析7一、 全球半导体行业发展概况7二、 中国半导体行业发展概况7第二章 背景及必要性9一、 功率半导体市场规模与竞争格局9二、 MOSFET器件概述9三、 强化“一主引领”龙头作用，推动区域协调发展14第三章 项目绪论18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则18五、 建设背景、规模20六、 项目建设进度21七、 环境影响21八、 建设投资估算21九、 项目主要技术经济指标22主要经济指标一览表22十、 主要结论及建议24第四章 建设内容与产品方案25一、 建设规模及主要建设内容25二、 产品规划方案及生产纲领25产品规划方案一览表26第五章 建筑工程方案27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标29建筑工程投资一览表29第六章 法人治理31一、 股东权利及义务31二、 董事36三、 高级管理人员40四、 监事42第七章 运营管理模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及权限46四、 财务会计制度49第八章 发展规划分析53一、 公司发展规划53二、 保障措施59第九章 工艺技术及设备选型61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析64三、 质量管理65四、 设备选型方案66主要设备购置一览表66第十章 原辅材料供应、成品管理68一、 项目建设期原辅材料供应情况68二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理68第十一章 建设进度分析70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十二章 投资方案72一、 编制说明72二、 建设投资72建筑工程投资一览表73主要设备购置一览表74建设投资估算表75三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表77四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十三章 项目经济效益83一、 基本假设及基础参数选取83二、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表85利润及利润分配表87三、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89四、 财务生存能力分析90五、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92六、 经济评价结论92第十四章 项目风险分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十五章 总结98第十六章 补充表格100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表100固定资产折旧费估算表101无形资产和其他资产摊销估算表102利润及利润分配表103项目投资现金流量表104借款还本付息计划表105建设投资估算表106建设投资估算表106建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111第一章 行业、市场分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。第二章 背景及必要性一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 强化“一主引领”龙头作用，推动区域协调发展全面落实省委“一主引领”发展要求，加快提升城市能级和核心竞争力，探索建立更加有效的区域协调发展机制，坚持双向互动、融通发展，着力推进市域协调发展、引领武汉城市圈同城化发展、带动长江中游城市群一体化发展、推动长江经济带高质量发展，更好担当服务国家战略、带动区域发展、参与全球合作的职责使命。（一）推进市域协调发展优化重大基础设施、重大生产力和公共资源布局，推动城市多中心、网络化、组团式发展，加快构建“主城做优、四副做强、城乡一体、融合发展”空间发展格局。“主城做优”：以两江四岸为核心，推动三镇聚合、均衡发展，提升高端要素、优质产业、先进功能、规模人口的集聚承载能力，完善城市核心功能，塑造高品质城市形象，打造国家中心城市“主中心”。“四副做强”：加快建设光谷副城、车谷副城、临空经济区副城、长江新区副城，提升科技创新、先进制造、网络安全、临空经济、航天航运、未来产业等核心功能，打造高质量发展重要引擎。光谷副城辐射带动江夏和鄂州、黄石、咸宁等地区；车谷副城辐射带动蔡甸和仙桃、天门、潜江及洪湖等地区；临空经济区副城辐射带动孝感、随州等地区；长江新区副城辐射带动黄陂、新洲和黄冈等地区。“城乡一体、融合发展”：统筹生产、生活、生态，推动一二三产业融合发展，加强主城与副城、副城与副城、副城与县城、县城与乡村之间交通、产业等联系协作，形成梯次带动、互相促进；健全城乡公共服务、居民收入、生态文明建设均衡发展的体制机制，不断缩小城乡差距，打造新型城镇化和乡村振兴“武汉样板”。（二）引领武汉城市圈同城化发展提升武汉辐射带动能力，推进基础设施互联互通、公共服务共建共享、产业协作发展、区域市场一体化、生态环保联动，共同打造武汉城市圈升级版。强化规划引领，加强“1+8”城市之间的规划衔接，形成协同协作、共生共荣的圈层生态。强化产业同城化，以光谷科创大走廊、车谷产业创新大走廊、航空港经济综合实验区、武汉新港建设为抓手，完善联合招商、飞地经济、园区共建、平台共享、人才共用、利益共享等机制，打造“光芯屏端网”、汽车制造和服务、临空经济、大健康和生物技术等城市圈产业带。强化交通同城化，建设武汉城市圈大通道和城际铁路网，推动机场、港口资源整合和充分利用，协同建设新一代信息基础设施。强化公共服务同城化，推进城市圈教育、医疗、社保、文化、旅游等公共服务资源一体化共享。强化生态环境保护同城化，深入推进跨区域协同治理、联动整治，持续提升城市圈生态环境质量。发挥武汉总部经济、研发设计、销售市场等对全省产业发展的服务带动功能，加强与“宜荆荆恩”“襄十随神”城市群的规划衔接，实现同频共振，共同支撑湖北成为促进中部地区崛起重要战略支点。（三）带动长江中游城市群一体化发展发挥长江中游省会城市会商机制作用，在战略规划、产业发展、要素配置、生态环保、改革开放等方面，加强与长沙、合肥、南昌等城市协同合作，进一步拓展长江中游城市群合作广度与深度，争取长江中游城市群一体化发展上升为国家重大区域发展战略，打造支撑全国高质量发展新增长极。（四）推动长江经济带高质量发展积极参与长江经济带全流域联动发展，加强与上海、重庆等城市对接，探索建立市际协商合作和长江流域要素市场合作机制。深化综合交通运输体系建设、商贸流通、产业发展、港口岸线开发、生态环境保护、长江文化传承等领域交流协作，共同推动长江经济带成为我国生态优先绿色发展主战场、畅通国内国际双循环主动脉、引领经济高质量发展主力军。第三章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：武汉MOSFET功率器件项目项目单位：xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约23.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积15333.00（折合约23.00亩），预计场区规划总建筑面积29380.70。其中：生产工程19800.99，仓储工程3760.76，行政办公及生活服务设施3320.66，公共工程2498.29。项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资12281.27万元，其中：建设投资9588.60万元，占项目总投资的78.07%；建设期利息134.70万元，占项目总投资的1.10%；流动资金2557.97万元，占项目总投资的20.83%。（二）建设投资构成本期项目建设投资9588.60万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用8405.42万元，工程建设其他费用958.08万元，预备费225.10万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入24800.00万元，综合总成本费用20402.95万元，纳税总额2150.68万元，净利润3210.97万元，财务内部收益率19.29%，财务净现值2104.33万元，全部投资回收期5.82年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积15333.00约23.00亩1.1总建筑面积29380.701.2基底面积9506.461.3投资强度万元/亩404.882总投资万元12281.272.1建设投资万元9588.602.1.1工程费用万元8405.422.1.2其他费用万元958.082.1.3预备费万元225.102.2建设期利息万元134.702.3流动资金万元2557.973资金筹措万元12281.273.1自筹资金万元6783.343.2银行贷款万元5497.934营业收入万元24800.00正常运营年份5总成本费用万元20402.95""6利润总额万元4281.30""7净利润万元3210.97""8所得税万元1070.33""9增值税万元964.60""10税金及附加万元115.75""11纳税总额万元2150.68""12工业增加值万元7296.21""13盈亏平衡点万元10732.14产值14回收期年5.8215内部收益率19.29%所得税后16财务净现值万元2104.33所得税后十、 主要结论及建议经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。第四章 建设内容与产品方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积15333.00（折合约23.00亩），预计场区规划总建筑面积29380.70。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx件MOSFET功率器件，预计年营业收入24800.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xxx24800.00第五章 建筑工程方案一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部装修设计防火规范，耐火等级为二级；屋面防水等级为三级，按照屋面工程技术规范要求施工。.4、根据地质条件及生产要求，对本装置土建结构设计初步定为：生产车间采用钢筋混凝土独立基础。.5、根据项目的自身情况及当地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产生间拟采用全钢结构。.6、本项目的抗震设防烈度为6度，设计基本地震加速度值为 0.05g，建筑抗震设防类别为丙类，抗震等级为三级。.7、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积29380.70，其中：生产工程19800.99，仓储工程3760.76，行政办公及生活服务设施3320.66，公共工程2498.29。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程5038.4219800.992387.371.11#生产车间1511.535940.30716.211.22#生产车间1259.614950.25596.841.33#生产车间1209.224752.24572.971.44#生产车间1058.074158.21501.352仓储工程2186.493760.76395.502.11#仓库655.951128.23118.652.22#仓库546.62940.1998.882.33#仓库524.76902.5894.922.44#仓库459.16789.7683.053办公生活配套595.103320.66496.203.1行政办公楼386.822158.43322.533.2宿舍及食堂208.281162.23173.674公共工程1711.162498.29218.34辅助用房等5绿化工程2750.7444.40绿化率17.94%6其他工程3075.8011.467合计15333.0029380.703553.27第六章 法人治理一、 股东权利及义务股东按其所持有股份的种类享有权利，承担义务；持有同一种类股份的股东，享有同等权利，承担同种义务。股东为单位的，股东单位内部对公司收购、出售资产、对外担保、对外投资等事项的决策有相关规定的，公司不得以股东单位决策程序取代公司的决策程序，公司应依据公司章程及公司制定的相关制度确定决策程序。股东单位可自行履行内部审批流程后由其代表依据公司法、公司章程及公司相关制度参与公司相关事项的审议、表决与决策。1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会并行使相应的表决权；（3）对公司的经营行为进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及公司章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅公司章程、股东名册、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议和财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。2、股东提出查阅前条所述有关信息或索取资料的，应当向公司提供证明其持有公司股份的种类以及持股数量的书面文件，公司经核实股东身份后按照股东的要求予以提供。但相关信息及资料涉及公司未公开的重大信息的情况除外。3、公司股东大会、董事会的决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。股东大会、董事会的会议召集程序、表决方式违反法律、行政法规或者本章程，或者决议内容违反本章程的，股东有权自决议作出之日起60日内，请求人民法院撤销。公司根据股东大会、董事会决议已办理变更登记的，人民法院宣告该决议无效或者撤销该决议后，公司应当向公司登记机关申请撤销变更登记。4、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）依其所认购的股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；5、持有公司5%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。6、公司的股东或实际控制人不得占用或转移公司资金、资产及其他资源。如果存在股东占用或转移公司资金、资产及其他资源情况的，公司应当扣减该股东所应分配的红利，以偿还被其占用或者转移的资金、资产及其他资源。控股股东发生上述情况时，公司应立即申请司法系统冻结控股股东持有公司的股份。控股股东若不能以现金清偿占用或转移的公司资金、资产及其他资源的，公司应通过变现司法冻结的股份清偿。公司董事、监事、高级管理人员负有维护公司资金、资产及其他资源安全的法定义务，不得侵占公司资金、资产及其他资源或协助、纵容控股股东及其附属企业侵占公司资金、资产及其他资源。公司董事、监事、高级管理人员违反上述规定，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。造成严重后果的，公司董事会对于负有直接责任的高级管理人员予以解除聘职，对于负有直接责任的董事、监事，应当提请股东大会予以罢免。公司还有权视其情节轻重对直接责任人追究法律责任。7、公司的控股股东、实际控制人及其他关联方不得利用其关联关系损害公司利益，不得占用或转移公司资金、资产及其他资源。违反规定，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司的控股股东、实际控制人及其控制的企业不得以下列任何方式占用公司资金、损害公司及其他股东的合法权益，不得利用其控制地位损害公司及其他股东的利益：（1）公司为控股股东、实际控制人及其控制的企业垫付工资、福利、保险、广告等费用和其他支出；（2）公司代控股股东、实际控制人及其控制的企业偿还债务；（3）有偿或者无偿、直接或者间接地从公司拆借资金给控股股东、实际控制人及其控制的企业；（4）不及时偿还公司承担控股股东、实际控制人及其控制的企业的担保责任而形成的债务；（5）公司在没有商品或者劳务对价情况下提供给控股股东、实际控制人及其控制的企业使用资金；8、控股股东、实际控制人及其控制的企业不得在公司挂牌后新增同业竞争。9、公司股东、实际控制人、收购人应当严格按照相关规定履行信息披露义务，及时披露公司控制权变更、权益变动和其他重大事项，并保证披露的信息真实、准确、完整，不得有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。公司股东、实际控制人、收购人应当积极配合公司履行信息披露义务，不得要求或者协助公司隐瞒重要信息。10、公司股东、实际控制人及其他知情人员在相关信息披露前负有保密义务，不得利用公司未公开的重大信息谋取利益，不得进行内幕交易、操纵市场或者其他欺诈活动。11、通过接受委托或者信托等方式持有或实际控制的股份达到5%以上的股东或者实际控制人，应当及时将委托人情况告知公司，配合公司履行信息披露义务。12、公司控股股东、实际控制人及其一致行动人转让控制权的，应当公平合理，不得损害公司和其他股东的合法权益。控股股东、实际控制人及其一致行动人转让控制权时存在下列情形的，应当在转让前予以解决：（1）违规占用公司资金；（2）未清偿对公司债务或者未解除公司为其提供的担保；（3）对公司或者其他股东的承诺未履行完毕；（4）对公司或者中小股东利益存在重大不利影响的其他事项。二、 董事1、公司董事为自然人，有下列情形之一的，不能担任公司的董事：（1）无民事行为能力或者限制民事行为能力；（2）因贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序，被判处刑罚，执行期满未逾5年，或者因犯罪被剥夺政治权利，执行期满未逾5年；（3）担任破产清算的公司、企业的董事或者厂长、经理，对该公司、企业的破产负有个人责任的，自该公司、企业破产清算完结之日起未逾3年；（4）担任因违法被吊销营业执照、责令关闭的公司、企业的法定代表人，并负有个人责任的，自该公司、企业被吊销营业执照之日起未逾3年；（5）个人所负数额较大的债务到期未清偿；（6）法律、行政法规或部门规章规定的其他内容。违反本条规定选举、委派董事的，该选举、委派或者聘任无效。董事在任职期间出现本条情形的，公司解除其职务。2、董事由股东大会选举或更换，任期3年。董事任期届满，可连选连任。董事在任期届满以前，股东大会不能无故解除其职务。董事任期从就任之日起计算，至本届董事会任期届满时为止。董事任期届满未及时改选，在改选出的董事就任前，原董事仍应当依照法律、行政法规、部门规章和本章程的规定，履行董事职务。董事可以由总裁或者其他高级管理人员兼任，但兼任总裁或者其他高级管理人员职务的董事，总计不得超过公司董事总数的1/2。3、董事应当遵守法律、行政法规和本章程，对公司负有下列忠实义务：（1）不得利用职权收受贿赂或者其他非法收入，不得侵占公司的财产；（2）不得挪用公司资金；（3）不得将公司资产或者资金以其个人名义或者其他个人名义开立账户存储；（4）不得违反本章程的规定，未经股东大会或董事会同意，将公司资金借贷给他人或者以公司财产为他人提供担保；（5）不得违反本章程的规定或未经股东大会同意，与本公司订立合同或者进行交易；（6）未经股东大会同意，不得利用职务便利，为自己或他人谋取本应属于公司的商业机会，自营或者为他人经营与本公司同类的业务；（7）不得接受与公司交