扬州功率器件项目商业计划书（模板范文）.docx

泓域咨询/扬州功率器件项目商业计划书扬州功率器件项目商业计划书xx有限公司目录第一章 总论8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由9四、 报告编制说明12五、 项目建设选址14六、 项目生产规模14七、 建筑物建设规模15八、 环境影响15九、 项目总投资及资金构成15十、 资金筹措方案16十一、 项目预期经济效益规划目标16十二、 项目建设进度规划16主要经济指标一览表17第二章 背景及必要性19一、 功率MOSFET的行业发展趋势19二、 功率半导体市场规模与竞争格局20三、 纵深推进新型城镇化建设21四、 积极拓展内外市场加快融入新发展格局24第三章 行业、市场分析26一、 功率器件应用发展机遇26二、 MOSFET器件概述30第四章 项目选址36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 项目选址综合评价40第五章 建筑物技术方案41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表43第六章 法人治理结构45一、 股东权利及义务45二、 董事48三、 高级管理人员52四、 监事55第七章 运营模式57一、 公司经营宗旨57二、 公司的目标、主要职责57三、 各部门职责及权限58四、 财务会计制度61第八章 SWOT分析说明65一、 优势分析（S）65二、 劣势分析（W）67三、 机会分析（O）67四、 威胁分析（T）68第九章 节能方案72一、 项目节能概述72二、 能源消费种类和数量分析73能耗分析一览表74三、 项目节能措施74四、 节能综合评价77第十章 劳动安全生产分析78一、 编制依据78二、 防范措施81三、 预期效果评价86第十一章 技术方案87一、 企业技术研发分析87二、 项目技术工艺分析89三、 质量管理90四、 设备选型方案91主要设备购置一览表92第十二章 投资方案分析94一、 投资估算的依据和说明94二、 建设投资估算95建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97四、 流动资金99流动资金估算表99五、 总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表102第十三章 经济效益分析103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析111五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论113第十四章 风险风险及应对措施114一、 项目风险分析114二、 项目风险对策116第十五章 项目招标方案119一、 项目招标依据119二、 项目招标范围119三、 招标要求120四、 招标组织方式122五、 招标信息发布124第十六章 总结125第十七章 附表附录127主要经济指标一览表127建设投资估算表128建设期利息估算表129固定资产投资估算表130流动资金估算表131总投资及构成一览表132项目投资计划与资金筹措一览表133营业收入、税金及附加和增值税估算表134综合总成本费用估算表134利润及利润分配表135项目投资现金流量表136借款还本付息计划表138本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称扬州功率器件项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xx有限公司（二）项目联系人徐xx（三）项目建设单位概况公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。三、 项目定位及建设理由超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。按照二三五年远景目标的阶段性部署安排，“十四五”时期，扬州经济社会发展总体目标是：高水平全面建成小康社会成果得到全方位巩固，高质量发展走在全省前列，高品质生活大幅跃升，高效能治理成效彰显，“强富美高”新扬州建设迈上新的台阶，社会主义现代化建设新征程取得良好开局。经济发展更高质量。经济运行更加稳健，经济结构更加优化，创新能力显著提升。地区生产总值年均增速在6%左右，人均地区生产总值达到17万元。现代产业体系加快构建，“323+1”先进制造业集群竞争力大幅提升，构建具有扬州特色、在全国有影响力的产业集群。服务业增加值占GDP比重达到50%以上。高新技术产业占规模以上工业产值比重达到50%，数字经济成为新的发展增长点。农业现代化走在全省前列。科技进步贡献率达68%，全社会R&D支出占GDP比重提高到2.7%左右。城乡和区域发展更加协调，县域经济支撑作用明显增强。幸福生活更高品质。就业更加充分更有质量。居民收入增长和经济增长基本同步。中等收入群体持续扩大，低收入群体增收长效机制基本建立，城乡居民收入比进一步降低。就业总量更加稳定，城镇调查失业率控制在5%左右。构建优质均衡的公共服务体系。高质量的教育体系、高水平的卫生健康体系基本建成，多层次社会保障体系、多元化养老服务体系更加完善，人民群众“衣食住行康育娱”水平显著提升。美丽扬州更高颜值。美丽扬州建设的空间布局、发展路径、动力机制基本形成。生态产品供给稳步提升，生态环境质量明显改善，资源利用更加节约高效。主要污染物排放削减量达到省下达的控制目标。古城保护、老城更新与新城建设各具特色，城乡宜居品质显著提升。“世界运河之都”“世界美食之都”“东亚文化之都”品牌效应进一步放大，公共文化服务更加健全，文化产业加速发展，文旅品牌和文化标识更加彰显。对外开放更高水平。以“一带一路”沿线和东亚国家为重点的对外合作不断深化，深度融入长三角区域一体化和宁镇扬一体化，全方位参与长江经济带建设，开发园区“二次创业”持续推进、“二次振兴”基本实现，开放型经济质量和水平持续提升，服务全国构建新发展格局取得新成效。深入推进重点领域和关键环节改革，高标准市场体系基本建成，要素市场化配置更加优化，市场主体更加充满活力，市场化法治化国际化营商环境基本形成。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）报告编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范，努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。（二） 报告主要内容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx，占地面积约90.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积111781.39，其中：生产工程69247.80，仓储工程21732.24，行政办公及生活服务设施10236.55，公共工程10564.80。八、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资41882.10万元，其中：建设投资32185.76万元，占项目总投资的76.85%；建设期利息433.62万元，占项目总投资的1.04%；流动资金9262.72万元，占项目总投资的22.12%。（二）建设投资构成本期项目建设投资32185.76万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用27309.41万元，工程建设其他费用3883.02万元，预备费993.33万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资41882.10万元，其中申请银行长期贷款17698.94万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：85400.00万元。2、综合总成本费用（TC）：70159.79万元。3、净利润（NP）：11142.56万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.64年。2、财务内部收益率：20.76%。3、财务净现值：9372.42万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60000.00约90.00亩1.1总建筑面积111781.391.2基底面积37200.001.3投资强度万元/亩341.522总投资万元41882.102.1建设投资万元32185.762.1.1工程费用万元27309.412.1.2其他费用万元3883.022.1.3预备费万元993.332.2建设期利息万元433.622.3流动资金万元9262.723资金筹措万元41882.103.1自筹资金万元24183.163.2银行贷款万元17698.944营业收入万元85400.00正常运营年份5总成本费用万元70159.79""6利润总额万元14856.74""7净利润万元11142.56""8所得税万元3714.18""9增值税万元3195.58""10税金及附加万元383.47""11纳税总额万元7293.23""12工业增加值万元25555.43""13盈亏平衡点万元31628.81产值14回收期年5.6415内部收益率20.76%所得税后16财务净现值万元9372.42所得税后第二章 背景及必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 纵深推进新型城镇化建设坚持“四化同步”，探索构建推动新型城镇化和城乡发展一体化健康持续发展的有效路径，力争形成可复制、可推广的扬州经验，努力打造全省新型城镇化建设示范区。（一）推动非户籍人口在城镇落户进一步深化户籍制度改革。全面放开市区、县城和建制镇落户条件，引导有进城意愿的农业转移人口转为城镇居民。健全完善外来人口居住证管理制度，建立居住证与户籍准入衔接通道，探索户籍制度和居住证制度并轨路径。完善基本公共服务项目清单，建立与居住年限等条件相挂钩的基本公共服务供给机制，推进基本公共服务逐步覆盖非户籍人口及其家属、子女。（二）优化城乡国土空间布局科学规划国土空间布局。按照“多规合一”要求，强化国土空间规划和用途管控、落实空间管控边界，高水平编制市县国土空间总体规划，合理确定城镇化发展区、农产品主产区、重点生态功能区，科学从严划定生态保护红线、永久基本农田边界和城镇开发边界，以“三区三线”为载体，构建统一规范的空间规划体系，推动形成梯次分明、协调联动、一体发展的城镇体系。构建“一核两心、一带两轴、两地三区”的市域国土空间总体格局，统筹全域国土空间保护、开发、利用、修复，形成网络化、多中心、开放式、集约型的国土空间总体格局。（三）做强做优中心城区坚持“精明增长”“紧凑城市”发展理念，结合“三轴、四核、五廊”的多中心、网络化的城市总体布局结构，推动古城改造、老城更新、新城提升，努力打造成为空间结构协调、城市品质高端、服务功能完备的现代化都市区。增强古城核心区文化、旅游、商贸等服务功能，通过工业“退城进园”、产业空间置换、老旧小区改造等方式，推动古城保护由点、线保护向面、片保护转变，打造繁荣、复兴的“扬州古城”，实现古城新生。打造高品质城市客厅和高颜值街巷，布局一批特色惠民公共空间。加强城市三维空间、整体风貌、文脉延续等规划和管控，整治提升老城主干道景观，持续推进传统民居修缮，打造扬州古今融合、交相辉映的城市特色景观。加快江广融合区开发建设，统筹产城融合和留绿留白，全面建成广陵新城，健全完善生态科技新城和江都“三河六岸”区域基础设施和功能设施，建设扬州新的现代服务业集聚区和城市中央商务区，加快形成主城区东侧连片新城市功能板块。完善经济技术开发区城市功能和配套公共服务，推动经济技术开发区产城融合发展。（四）加快发展县域经济推进县城扩容提质。加大县城与周边集镇及开发园区的资源整合，优化空间布局，推进县城补短板强弱项扬优势，加快市政公用设施建设，完善公共服务功能，提高县城人口集聚能力。支持仪征市发挥连接南京和扬州的区位优势，加快与扬州中心城区整合联动发展，建设宁镇扬一体化先行区。支持高邮市利用运河文化遗产、自然景观和人文资源，建设具有水乡特色的滨湖旅游城市和东方邮都。支持宝应县利用里下河水网地区的自然生态环境特征，营造城市良好生态格局，打造苏中水乡特色鲜明的生态创新城市。四、 积极拓展内外市场加快融入新发展格局牢牢把握扩大内需战略基点，以优化供给质量助推消费活力提升，不断拓展投资新空间，健全完善消费环境和政策体系，加快建设长三角区域消费中心城市。（一）加快建设区域消费中心城市建设“世界美食之都”。放大“世界美食之都”品牌效应，积极打造世界美食集聚区，建设一批美食示范店和美食文化展示窗口，推进扬州三把刀特色步行街、东关街国庆路老字号集聚区等特色商业街区建设，支持扬州大学中餐繁荣基地建设，推动商文旅融合发展。提档升级中国淮扬菜博物馆，推出一批美食网红店、“打卡地”，推动淮扬美食标准化、产业化、连锁化发展。（二）全面提升消费供给质量全面提升消费供给品质，加快实施进口产品替代，提升市级优质产品品牌，培育一批展现扬州商品、服务品质形象的本土品牌和企业。深化全国质量强市示范城市建设，开展质量提升行动。（三）优化完善消费环境改善消费环境。进一步完善商贸流通布局，健全现代流通体系，提升商贸流通现代化水平，增强消费供给能力。（四）拓展投资新空间发挥投资对优化供给结构的关键作用，着力优化投资结构，保持投资合理增长。完善重大项目建设、储备和推进机制，聚焦制造业、服务业、基础设施、文旅、民生、区域性开发、商住一体化、农业休闲等八大领域，继续梳排和精准实施一批打基础、利长远、补短板的重大工程项目，切实增强投资对高质量发展的支撑和拉动作用。积极推动财政政策、货币政策同消费、投资、就业、产业等政策形成合力，着力提高投资质量和效益，促进产业和消费“双升级”。坚持要素跟着项目走、项目跟着规划走，构建项目与财政性建设资金、银行贷款、社会资本等要素匹配机制。创造公平、宽松的环境，不断降低投资成本，切实提升投资回报率，激励投资增长。第三章 行业、市场分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第四章 项目选址一、 项目选址原则项目选址应符合城市发展总体规划和对市政公共服务设施的布局要求；依托选址的地理条件，交通状况，进行建址分析；避免不良地质地段(如溶洞、断层、软土、湿陷土等)；公用工程如城市电力、供排水管网等市政设施配套完善；场址要求交通方便，环境安静，地形比较平整，能够充分利.用城市基础设施，远离污染源和易燃易爆的生产、储存场所，便于生活和服务设施合理布局；场址上空无高压输电线