泸州功率半导体项目建议书模板范本.docx

泓域咨询/泸州功率半导体项目建议书泸州功率半导体项目建议书xxx（集团）有限公司目录第一章 行业、市场分析7一、 TVS产品的行业基本情况7二、 发电源管理IC产品的行业基本情况9第二章 项目绪论12一、 项目概述12二、 项目提出的理由14三、 项目总投资及资金构成14四、 资金筹措方案14五、 项目预期经济效益规划目标15六、 项目建设进度规划15七、 环境影响15八、 报告编制依据和原则16九、 研究范围17十、 研究结论17十一、 主要经济指标一览表17主要经济指标一览表17第三章 项目背景、必要性20一、 二极管、晶体管行业的基本情况20二、 MOSFET产品的行业基本情况22三、 行业基本情况23四、 打造协同创新中心24第四章 项目选址可行性分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 全面融入成渝地区双城经济圈建设31四、 激发释放投资活力33五、 项目选址综合评价35第五章 产品方案分析36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第六章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施42第七章 SWOT分析说明45一、 优势分析（S）45二、 劣势分析（W）47三、 机会分析（O）47四、 威胁分析（T）48第八章 工艺技术分析52一、 企业技术研发分析52二、 项目技术工艺分析54三、 质量管理55四、 设备选型方案56主要设备购置一览表57第九章 劳动安全58一、 编制依据58二、 防范措施61三、 预期效果评价65第十章 项目节能说明66一、 项目节能概述66二、 能源消费种类和数量分析67能耗分析一览表67三、 项目节能措施68四、 节能综合评价68第十一章 原材料及成品管理70一、 项目建设期原辅材料供应情况70二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理70第十二章 投资估算及资金筹措71一、 投资估算的依据和说明71二、 建设投资估算72建设投资估算表74三、 建设期利息74建设期利息估算表74四、 流动资金76流动资金估算表76五、 总投资77总投资及构成一览表77六、 资金筹措与投资计划78项目投资计划与资金筹措一览表79第十三章 项目经济效益80一、 基本假设及基础参数选取80二、 经济评价财务测算80营业收入、税金及附加和增值税估算表80综合总成本费用估算表82利润及利润分配表84三、 项目盈利能力分析85项目投资现金流量表86四、 财务生存能力分析88五、 偿债能力分析88借款还本付息计划表89六、 经济评价结论90第十四章 风险防范91一、 项目风险分析91二、 项目风险对策93第十五章 项目总结分析95第十六章 附表97主要经济指标一览表97建设投资估算表98建设期利息估算表99固定资产投资估算表100流动资金估算表101总投资及构成一览表102项目投资计划与资金筹措一览表103营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表108本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业、市场分析一、 TVS产品的行业基本情况1、TVS/ESD保护器件简介普通的TVS二极管在20世纪80年代开始出现，与大多数二极管正向导通的特性不同，其基于反向击穿特性，通过对浪涌的快速泄放，可以起到对电子产品的保护作用，对初级浪涌防护效果较好。普通TVS二极管也是采用单个PN节结构，主要采用台面结构技术。21世纪初期以来，随着半导体芯片制程的发展，集成电路芯片呈现出小型化趋势，线宽变窄，同时追求更高的集成度和更低的工作电压，致使集成电路芯片变得更加敏感，极易受到静电和浪涌冲击，造成损坏。普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中新提出的防静电和浪涌冲击的保护要求，于是新型的具备漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且兼具防浪涌能力等特点的用于ESD（Electro-Staticdischarge，静电放电）保护的TVS（以下简称为“ESD保护器件”）在近十几年被开发出来并不断创新、升级。普通的TVS二极管由单个PN节结构形成，结构单一，工艺简单。ESD保护器件对结构设计和工艺要求更高，结构更加复杂，一般设计成多路PN结集成结构，采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着当前TVS的技术水平和发展方向。目前，功率半导体行业内部分国际企业已将ESD保护器件在内的TVS单独分类。比如，安世半导体已将ESD保护、TVS单独分类，将其与二极管、MOSFET、逻辑和模拟IC等产品类别共同列为主要产品类别；安森美将ESD保护单独分类，与二极管、MOSFET、晶体管等产品类别并列为安森美的主要产品类别；英飞凌、意法半导体、商升特等亦将ESD保护等单独分类。2、TVS/ESD保护器件的市场规模及竞争格局根据OMDIA发布的研究报告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市场规模约为16.21亿美元，预计2021年全球TVS市场规模约为18.19亿美元。2020年全球ESD保护器件市场规模约为10.55亿美元，预计2023年全球ESD保护器件市场规模约为13.20亿美元。根据韦尔股份2019年年度报告，在TVS领域，韦尔股份在消费类市场中的出货量稳居国内第一，其主要竞争对手是外资器件厂家，包括英飞凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半导体（NXP），商升特半导体（Semtech）等。根据韦尔股份2020年年度报告，其2020年TVS销售额为5.03亿元。ESD保护器件的市场目前主要由欧美厂商主导，根据OMDIA发布的研究报告，全球前五大厂商分别为安世半导体（Nexperia）、意法半导体（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大厂商2020年销售额为7.08亿美元，占全球市场份额约为67.12%。3、TVS/ESD保护器件的未来发展趋势TVS/ESD保护器件的应用领域广泛，随着在5G基础设施和5G手机、电动汽车充电桩、个人电脑、工业电子等市场的推动下，预计TVS/ESD保护器件将以较大幅度增长。在消费类电子领域，由于产品集成度高，技术要求不断提升，产品更新换代较快，相应地对ESD保护器件的技术创新要求也较高，未来的发展趋势为小型化、集成化。ESD保护器件通常具有响应时间短、具备静电防护和浪涌吸收能力强等优点，可用于保护设备电路免受各类静电及浪涌的损伤，顺应了集成电路芯片发展的趋势和需要，市场前景广阔。二、 发电源管理IC产品的行业基本情况1、电源管理IC简介电源管理IC在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测等功能，是电子设备中不可或缺的芯片。电源管理IC可应用于手机、可穿戴设备等消费类电子领域以及网络通讯、工业、安防等领域的各类终端产品，是模拟芯片的重要组成部分。2、电源管理IC的市场规模及竞争格局根据Frost&Sullivan统计，全球电源管理IC拥有广阔的市场空间。2020年全球电源管理芯片市场规模约328.8亿美元，2016年至2020年年复合增长率为13.52%。国际市场调研机构TMR预测，到2026年全球电源管理芯片市场规模将达到565亿美元，年复合增长率高达10.69%。其中以大陆为主的亚太地区是未来全球电源管理芯片最大的成长动力。全球电源管理芯片被美、欧等国际厂商垄断，前五大供应商占据71%市场份额。目前，虽然欧美发达国家及地区电源管理芯片厂商在产品线的完整性及整体技术水平上保持领先优势，但随着国内集成电路市场的不断扩大，部分本土企业在激烈的市场竞争中逐渐崛起，整体技术水平和国外设计公司的差距不断缩小。3、电源管理IC的未来发展趋势随着电子产品的种类、功能和应用场景的持续增加，消费端对电子产品的稳定性、能效、体积等要求也越来越高。为顺应终端电子产品的需求，电源管理IC将朝着高效能，微型化及集成化等方向发展，技术上追求更高的直流耐压，更小的导通阻抗，以及更小的封装尺寸。随着5G通信、物联网、智能家居、汽车电子、工业控制等新兴应用领域的发展，电源管理芯片下游市场有望持续发展。第二章 项目绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：泸州功率半导体项目2、承办单位名称：xxx（集团）有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（以最终选址方案为准）5、项目联系人：宋xx（二）主办单位基本情况面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约52.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件功率半导体/年。二、 项目提出的理由晶体管中，双极性结型晶体管（三极管）是电流型功率开关器件，价格低、功耗大，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来，消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资20621.72万元，其中：建设投资16086.07万元，占项目总投资的78.01%；建设期利息177.01万元，占项目总投资的0.86%；流动资金4358.64万元，占项目总投资的21.14%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资20621.72万元，根据资金筹措方案，xxx（集团）有限公司计划自筹资金（资本金）13396.62万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额7225.10万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：43500.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：33800.82万元。3、项目达产年净利润（NP）：7097.62万元。4、财务内部收益率（FIRR）：26.26%。5、全部投资回收期（Pt）：5.14年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：15576.24万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等，符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的要求，项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺，生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后，均能达标排放，符合清洁生产理念。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。九、 研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求，对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证，以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。十、 研究结论本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积34667.00约52.00亩1.1总建筑面积58712.291.2基底面积21146.871.3投资强度万元/亩301.172总投资万元20621.722.1建设投资万元16086.072.1.1工程费用万元14074.202.1.2其他费用万元1524.392.1.3预备费万元487.482.2建设期利息万元177.012.3流动资金万元4358.643资金筹措万元20621.723.1自筹资金万元13396.623.2银行贷款万元7225.104营业收入万元43500.00正常运营年份5总成本费用万元33800.82""6利润总额万元9463.50""7净利润万元7097.62""8所得税万元2365.88""9增值税万元1963.93""10税金及附加万元235.68""11纳税总额万元4565.49""12工业增加值万元15274.20""13盈亏平衡点万元15576.24产值14回收期年5.1415内部收益率26.26%所得税后16财务净现值万元15074.95所得税后第三章 项目背景、必要性一、 二极管、晶体管行业的基本情况1、二极管、晶体管简介半导体二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性二端器件，其产品结构比较简单，一般为单个PN节结构，只允许电流从单一方向流过。自20世纪50年代面世至今，陆续发展出整流二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、TVS二极管等系列的二极管，广泛应用于整流、稳压、检波、保护等电路中。二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，是电子工程上用途最广的电子元器件之一。晶体管是一种使用半导体材料制作而成的三端器件，具有放大、开关、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压或输入电流控制输出电流。晶体管根据结构特点和功能主要分为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和双极性结型晶体管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗称三极管）。 2、二极管、晶体管行业的市场规模及竞争格局2018年全球二极管市场规模达63.93亿美元，市场空间广阔。根据中国电子信息产业统计年鉴数据，中国二极管销量从2014年的2,856亿只增长到了2018年的16,950亿只。根据芯谋研究的有关数据，2020年全球二极管营收前十大厂商中以欧、美、日厂商为主。晶体管主要分为双极性结型晶体管（三极管）、MOSFET和IGBT。根据三种晶体管的市场规模估算，2019年，晶体管总的市场规模约为138.27亿美元；2020年，晶体管总市场规模约为147.88亿美元。由于双极性结型晶体管存在功耗偏大等问题，随着全球节能减排的推行，其市场规模总体趋于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市场规模则以较高速度增长。市场竞争格局方面，三极管、MOSFET和IGBT三类产品的市场竞争格局有所不同。其中，全球三极管市场比较分散，MOSFET和IGBT市场集中度较高。3、二极管、晶体管行业的未来发展趋势二极管的应用领域涵盖了消费类电子、网络通讯、安防、工业等，随着市场的扩展而成长。二极管在部分细分领域的中高端产品，对技术创新要求较高，会随着应用领域的技术要求不断提升，推动产品的技术升级，尤其是在消费类电子领域。晶体管中，双极性结型晶体管（三极管）是电流型功率开关器件，价格低、功耗大，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年来，消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流。中国MOSFET、IGBT市场规模增长迅速。二、 MOSFET产品的行业基本情况1、MOSFET简介MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽结构MOSFET于1990年左右逐步研发成功。2008年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET。对国内市场而言，MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。2、MOSFET的市场规模及竞争格局2019年全球MOSFET市场规模达76亿美元，2016-2023年复合增速达5%；中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元，中国市场在全球占比约48%。2020年，全球MOSFET市场规模达80.67亿美元，2021年在全球尤其是中国的5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET增速将以较高速度增长。预计2021年至2025年，MOSFET每年的增速将不低于6.7%，预计2025年将达到118.47亿美元。根据有关数据，2020年，全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以29.7%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前2大厂商英飞凌和安森美营收之和占比为40.9%，前10大公司营收之和占比高达80.4%。3、MOSFET的未来发展趋势近二十年来，各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流，技术上MOSFET朝着低阻抗发展。中国MOSFET市场规模增长迅速，据统计，2016年-2019年MOSFET市场的复合增长率为12.0%。MOSFET增速与全球功率器件增速接近，占据功率器件22%的市场份额，长期来看仍将保持重要地位。全球功率器件市场规模稳步增长，MOSFET需求长期稳定。三、 行业基本情况半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是整个信息产业的发展基石，是电子产品的核心组成部分。从应用领域看，半导体产品主要应用领域集中于PC、消费类电子、手机、汽车电子等领域。此外，随着电子产品的升级，半导体在电子产品的含量将逐步提高，未来在下游电子产品市场需求增长的带动下，半导体产业将保持较好的增长态势。半导体器件是利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。功率半导体是对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件，不但实施电能的存储、传输、处理和控制，保障电能安全、可靠、高效和经济的运行，而且将能源与信息高度地集成在一起。虽然功率半导体器件在电力电子装置中的成本占比通常仅20%-30%，但是对设备的使用性能、过载能力、响应速度、安全性和可靠性影响极为重大，是决定其性价比的核心器件。在日常生活中，凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的，均离不开功率半导体。功率半导体器件作为不可替代的基础性产品，广泛应用于国民经济建设的各个领域。从产品类型来看，功率半导体可以分为功率器件和功率IC。功率器件属于分立器件，可进一步分为二极管、晶体管、晶闸管等，其中二极管主要包括TVS二极管、肖特基二极管、整流二极管等，晶体管主要包括MOSFET、IGBT、双极性晶体管等；功率IC属于集成电路中的模拟IC，可进一步分为AC/DC、DC/DC、电源管理IC、驱动IC等。四、 打造协同创新中心（一）建设创新发展平台主动融入成渝地区科技创新中心建设，争取国家重大创新功能平台布局泸州，提高高新区、开发区等创新发展能力，建设创新型城市。推动泸州国家高新区建成创新驱动发展示范区和高质量发展先行区。加快国家技术转移西南中心泸州分中心建设，支持泸州国家高新区医药产业园区创建省级科技成果转移转化示范区，打造川渝滇黔结合部技术转移转化区域中心。推动泸州区域医药健康中心建设，支持西南医科大学及其附属医院建设重点实验室、临床医学研究中心、国家大学科技园等高层次创新平台。支持国家固态酿造工程技术研究中心转建国家技术创新中心，做实做强四川省酱香型白酒生态酿造工程技术研究中心、酿酒生物技术及应用四川省重点实验室、四川省白酒产业技术研究院等酒类创新平台，推进白酒新技术、新工艺、新产品研发。加强与国内外高校和科研院所开展务实性科技合作，积极争创国、省级国际科技合作基地、引才引智基地。持续推动双创载体提档升级，推进成渝地区双城经济圈双创协同发展，打造高水平创新孵化平台、专业技术服务平台和“一站式”公共服务平台。（二）培育创新发展主体深入实施“高新技术企业倍增计划”和“科技型中小企业成长路线图计划”，培育壮大创新型企业群体，支持企业推动重大关键技术攻关、成果转化以及产业化。推动大企业、高新技术企业、科技型中小企业融通创新，培育创新型领军企业。支持企业牵头组建产学研深度融合的创新联合体，承担国省重大科技项目。加强重点企业创新能力建设，支持企业建立企业技术中心、工程（技术）研究中心、技术创新中心等创新平台，鼓励企业建设院士（专家）工作站、博士后科研工作站、创新实践基地，引进知名企业来泸建立研发中心。紧扣重点领域、重点产业、重点项目，培养引进科技领军人才、青年科技人才、基础研究人才和高水平创新创业团队，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系，加速科技成果转移转化。（三）完善创新体制机制构建科技、教育、产业、金融紧密融合的创新体系，打造成渝地区双城经济圈协同创新先行区。完善财税金融支持科技创新的体制机制，健全企业研发经费投入后补助机制，大力推广运用科技创新券，促进全社会加大研发投入。深化职务科技成果混合所有制改革，探索“先确权、后转化”的成果转化模式，建立市场化的定向成果转化机制。健全创新激励和保障机制，构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制，完善知识产权创造、运用、管理、保护制度规则，加强企业商业秘密保护，完善新领域新业态知识产权保护制度。着力提升关键领域原创能力，强化科技安全制度保障，完善风险防范体系，筑牢新时代维护科技安全的坚固防线。吸引和支持国内外高水平学术会议、专业论坛在泸州举办，加强科学技术普及，努力营造创新浓厚氛围。第四章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况泸州，古称“江阳”，别称酒城、江城，是四川省地级市，全国区域中心城市，川渝滇黔结合部区域中心城市和成渝地区双城经济圈南翼中心城市、重要的商贸物流中心，长江上游重要的港口城市。截止2020年12月底，全市乡镇政区126个，面积12232.34平方千米。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，泸州市常住人口为4254149人。泸州是国家历史文化名城，具有两千多年历史文化；西汉设江阳侯国；梁武帝大同年间建置泸州；泸州在宋代即为西南要会，明代即与成都、重庆三足鼎立，成为当时全国33个商业大都会之一。形成了以名酒文化、生态文化、红色文化、历史文化、长江文化为代表的五大特色旅游资源；拥有国家4A级旅游景区14个，国家3A级旅游景区8个，国家2A级旅游景区10个。泸州是长江中上游地区第二大集装箱码头，四川第三大航空港；也是第三批国家新型城镇化综合试点地区、跨境电子商务综合试验区；世界级白酒产业基地，国家重要的以名优酒为主体的食品工业基地、循环型化工基地、清洁能源生产基地、国家高性能液压件高新技术产业化基地、国家9大工程机械生产基地之一。2020年全市实现地区生产总值2157.2亿元。先后获得过联合国改善人居环境最佳范例奖（迪拜奖）、中国地级市民生发展100强、国家卫生城市、中国优秀旅游城市、国家森林城市、国家园林城市、全国文明城市、国家水生态文明城市等荣誉。从国际看，当今世界正经历百年未有之大变局，新冠肺炎疫情全球大流行使大变局加速演变，新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际力量对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，同时世界进入动荡变革期，不稳定性不确定性明显增加。这些变化既增加了风险挑战，也为我国主动优化产业链战略布局、加快完善现代产业体系提供了巨大空间。从国内看，我国正处于实现中华民族伟大复兴的关键时期，已转向高质量发展阶段，面临的国内外环境发生深刻复杂变化，但经济稳中向好、长期向好的基本面没有变。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。在全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后，我国将进入全面建设社会主义现代化国家、向第二个百年奋斗目标进军的新发展阶段。从全省看，“一干多支、五区协同”“四向拓展、全域开放”战略部署深入实施、加快成势，省委十一届八次全会聚焦“十四五”规划，对打造带动全国高质量发展的重要增长极和新的动力源，建设具有全国影响力的重要经济中心、科技创新中心、改革开放新高地、高品质生活宜居地等作出系列重大部署，四川发展的战略动能将更加强劲、战略位势更加凸显、战略支撑更加有力。展望“十四五”，泸州站在新的历史起点，仍将处于重要战略机遇期，具有加快发展、转型发展的良好环境和基础条件。“一带一路”建设、长江经济带发展、新时代推进西部大开发形成新格局等国家战略在我市交汇叠加，特别是推动成渝地区双城经济圈建设战略的出台，将深刻改变成渝地区在全国发展格局中的地位，为我市集聚关键资源要素和扩大开放合作提供广阔空间。我省实施“一干多支”等发展战略，推动全省经济副中心城市建设，加快川南经济区一体化发展，为我市明确发展方向、找准功能定位提供了重要战略指引。我市在综合交通枢纽建设、高能级开放平台打造、产业发展基础提升等方面的发展成就，为“十四五”时期经济社会加快发展奠定坚实基础。但我市发展不平衡不充分的问题依然突出，经济总量不大、实力不强、产业结构不优、开放型经济体制不健全等问题仍然存在，重点领域关键环节改革任务仍然艰巨，基础设施、科技创新、公共服务、生态保护、社会治理等领域还有短板弱项，历史遗留问题和改革发展中的新问题相互交织，矛盾风险积累叠加。面向未来，全市上下需要坚持胸怀“两个大局”，深刻认识社会主要矛盾变化带来的新特征新要求，保持战略定力，努力在危机中育先机、于变局中开新局，推动泸州经济社会发展再次迈上新台阶。经济发展实现跨越提升，经济总量突破2000亿元。产业转型升级成效明显，酒类产业营业收入突破1000亿元，现代服务业梯次发展，国家现代农业示范区带动效应明显。脱贫攻坚取得全面胜利，39.9万贫困人口全部脱贫，324个贫困村全部退出，合江、叙永、古蔺三个县成功摘帽。综合交通枢纽加快构建，建成四川第三大航空港云龙机场，泸州港功能更加完善，高速公路通车总里程509公里、居全省第3位，绵泸高铁内自泸段正线全面贯通，渝昆高铁开工建设。开放平台建设走在前列，中国（四川）自贸试验区川南临港片区运行良好，综合保税区、跨境电商综合试验区成功创建、加快发展，开放功能显著提升。城市功能品质大幅提升，“两江新城”初具规模，老旧城区有机更新，城市基础设施和公共服务设施提档升级，成功创建全国文明城市，城镇化率达到52%。民生社会事业不断进步，社会保障体系更加完善，人民生活水平显著提高，城乡基本公共服务均等化水平提升。生态环境质量持续改善，主要污染物排放量大幅下降，环境突出问题得到有效整治，城镇污水处理等环保基础设施更加完善，创建为全国首批水生态文明试点城市。全面深化改革重点突破，获批全国社会信用体系建设示范城市、全国综合交通运输服务示范城市等，农村土地制度改革三项试点等57项改革列入国省改革试点。全面依法治市谱写新篇，成功创建全国首批法治政府建设示范市，平安泸州建设成效明显，安全生产形势持续稳定向好。全面从严治党纵深推进，良好政治生态持续巩固。五年攻坚克难、砥砺奋进，“十三五”规划主要目标任务总体如期完成，全面小康建设取得决定性成就。三、 全面融入成渝地区双城经济圈建设（一）推进泸永江融合发展示范区建设全面启动泸东新城规划建设，构建“都市区+城镇组群+特色小镇+美丽乡村”的城乡空间布局，打造跨行政区组团发展模式的融合发展示范区。积极推动与永川区、江津区融合发展，加快建设互联互通的交通、能源、信息等基础设施支撑体系；探索建立协作共兴的区域产业体系，推进与永川区在高端装备、智能制造、职教培训和医疗卫生等领域的融合发展，与江津区在保税加工、航运贸易、现代物流等联动协作，推动建设毗邻地区产业合作园区。探索建立“联合河长制”“联合林长制”，开展跨区域生态环境保护联合执法。推动公共服务信息互联、标准互认、资源共享，加快实现异地入学、就业、就医、社会保障等公共服务一体化。加快建立市场准入异地同标机制，推进产业准入、要素保障、企业开办等政策协同，打造产业和人口优势承载地、南向开放新高地。（二）推进川南经济区一体化发展深化与成都干支联动，加强与川南城市合作，加快推动宜泸州沿江协同发展，共同发展壮大川南经济区，建成四川南向开放门户和川渝滇黔结合部区域经济中心。强化基础设施互联互通，构建以城际铁路、高等级公路为骨架的城际快速路网，实现城市群、中心城区、县城与重点城镇等主要节点间快速有效联接。培育特色优势产业集群，转型壮大名优白酒、装备制造、能源化工等特色优势产业，引导产业向国省级园区集聚发展。探索建立重大政策协同、市场主体联动机制，共同打造承接东部地区产业转移创新发展示范区。协同推进开放平台建设，打造西部陆海新通道和长江经济带物流枢纽，建成全省第二经济增长极，助推成渝地区双城经济圈南翼跨域发展。（三）促进毗邻地区互动发展加强与川渝滇黔结合部城市合作，以城际铁路、无水港为纽带，重点在商贸会展、加工贸易、大宗商品集散、航运物流等领域开展合作，培育形成互补优势。深化与重庆沿江区域合作，共同发挥长江黄金水道作用。加强与荣昌区等渝西毗邻地区合作，共建川南渝西融合发展试验区。加强与滇东黔北地区合作，推动赤水河流域协同发展，打造川南黔北合作示范区。大力提升“中国白酒优质产区”品牌影响力，打造“醉游中国”白酒精品旅游线路和白酒文化旅游首选地。深入挖掘红军长征红色文化内涵，联动开发红色文化旅游精品线路，共同打造红军长征四渡赤水旅游区。积极融入攀乐宜泸沿江经济带，联动推进岸线保护开发和航道港口建设，打造长江上游绿色发展示范区和沿江生态型城市。四、 激发释放投资活力（一）开辟“两新一重”投资新领域准确把握当前经济社会发展需求与基础设施新特征，统筹当前与长远、传统与新型、补短板与加长板关系，在新型基础设施、新型城镇化以及交通、水利设施等领域，实施一批全局性、基础性、战略性的重大工程项目，让投资更好地惠及群众、支撑发展。加大数字基础设施投资力度，优先实现5G网络在交通枢纽、产业园区、热门景区、核心商圈等热点区域深度覆盖，加快建设一批大数据资源中心。夯实新型城镇化发展新基础，加快城市公共设施、建筑、环保等领域智能化改造，推进污染源智慧环境监测监控设施、智慧管廊综合运营系统建设。提升交通、水利设施数字化智能化水平，推动区域港口、物流基础设施数字化、智能化改造升级。（二）拓展民间投资新渠道放宽民间投资准入领域，在城市基础设施、铁路、公路、机场、能源、水利、生态环保等投资领域，实施市场准入负面清单，给予各类市场主体公平参与的机会，为企业和社会资本拓宽投资渠道、放开投资限制。降低民间投资准入门槛，打破行业垄断、引入竞争机制、实行宽进严管，鼓励社会资本以多元主体、多种方式参与教育、医疗、养老、体育健身、文化、旅游等基础设施建设，支持民间资本通过参股、联合、联营、并购等方式进入投资公司或项目公司。创新投资方式，鼓励民间资本采取私募等方式发起设立主要投资公共服务、生态环保、基础设施等领域的产业投资基金，政府可通过投资补助、基金注资、