济南碳化硅项目招商引资方案参考范文.docx

泓域咨询/济南碳化硅项目招商引资方案目录第一章 背景、必要性分析8一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%8二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期9三、 全面塑造强省会高质量发展新优势11第二章 项目概述15一、 项目概述15二、 项目提出的理由17三、 项目总投资及资金构成17四、 资金筹措方案18五、 项目预期经济效益规划目标18六、 项目建设进度规划18七、 环境影响18八、 报告编制依据和原则19九、 研究范围20十、 研究结论20十一、 主要经济指标一览表21主要经济指标一览表21第三章 行业、市场分析23一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心23二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越24三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临26第四章 选址方案分析28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况28三、 扩大高水平开放，全力打造对外开放新高地33四、 形成“东强西兴南美北起中优”城市发展新格局36五、 项目选址综合评价40第五章 建筑工程技术方案42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表46第六章 建设规模与产品方案48一、 建设规模及主要建设内容48二、 产品规划方案及生产纲领48产品规划方案一览表48第七章 发展规划50一、 公司发展规划50二、 保障措施54第八章 法人治理57一、 股东权利及义务57二、 董事60三、 高级管理人员65四、 监事68第九章 组织机构及人力资源70一、 人力资源配置70劳动定员一览表70二、 员工技能培训70第十章 工艺技术方案分析73一、 企业技术研发分析73二、 项目技术工艺分析75三、 质量管理76四、 设备选型方案77主要设备购置一览表78第十一章 节能可行性分析80一、 项目节能概述80二、 能源消费种类和数量分析81能耗分析一览表81三、 项目节能措施82四、 节能综合评价83第十二章 项目进度计划85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十三章 项目投资计划87一、 投资估算的依据和说明87二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90四、 流动资金92流动资金估算表92五、 总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十四章 经济效益评价96一、 基本假设及基础参数选取96二、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表98利润及利润分配表100三、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表102四、 财务生存能力分析103五、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105六、 经济评价结论105第十五章 风险分析107一、 项目风险分析107二、 项目风险对策109第十六章 项目招标、投标分析112一、 项目招标依据112二、 项目招标范围112三、 招标要求112四、 招标组织方式114五、 招标信息发布118第十七章 项目总结分析119第十八章 附表121建设投资估算表121建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表129项目投资现金流量表130报告说明相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。根据谨慎财务估算，项目总投资6680.90万元，其中：建设投资5592.43万元，占项目总投资的83.71%；建设期利息122.53万元，占项目总投资的1.83%；流动资金965.94万元，占项目总投资的14.46%。项目正常运营每年营业收入11500.00万元，综合总成本费用9533.45万元，净利润1435.41万元，财务内部收益率14.94%，财务净现值-12.89万元，全部投资回收期6.62年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 背景、必要性分析一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 全面塑造强省会高质量发展新优势强化创新在现代化建设全局中的核心地位，加快科技自立自强，高效集聚创新要素，健全完善科技创新体系，不断优化创新生态，加快科技成果转化，打造科技创新重要策源地。（一）争创综合性国家科学中心加快推进齐鲁科创大走廊建设，高水平建设中科院济南科创城，推进超高速电磁驱动试验、载人航天微重力试验、大气环境模拟系统等大科学装置建设。全力参与国家重点研发计划和科技创新2030重大项目，主动承接实施大科学计划、大科学工程。加快建设量子信息科学国家实验室济南基地，推动济南人工智能与网络安全、济南微生态医学、济南粒子科学与应用技术山东省实验室向高端前沿发展，争取纳入国家实验室体系，建设一批国家、省重点实验室，构建多层次实验室体系。高水平建设山东产业技术研究院、山东高等技术研究院、山东省工业技术研究院、山东区块链研究院等新型研发机构。支持驻济高校提高创新能力，加快建设高水平研究型大学。大力引进大院名校，积极筹建空天信息大学，推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享。（二）提升企业自主创新能力建立以企业为主体、市场为导向的协同创新体系，推进创新链产业链协同发展，促进各类创新要素向企业集聚，开展创新竞赛活动。健全多渠道投入机制，支持企业增加研发投入，建立国有企业研发投入刚性增长机制。推进产学研深度融合，鼓励企业牵头组建创新联合体，承担国家、省重大科技项目。发挥大企业引领支撑作用，支持创新型中小微企业成长为重要创新发源地，加强共性技术平台建设，推动实现产业链上中下游、大中小微企业融通创新，加快培育更多“专精特新”企业。创建一批国家、省产业创新中心、技术创新中心、制造业创新中心，打造高水平科技创新基地。（三）加速科技成果转化围绕加快建设国家科技成果转移转化示范区，创新科技成果转移转化机制，建立健全科技成果转化平台体系，推动项目、技术、人才、资金一体化配置，打通成果转移转化通道。加快推进高校基础研究和前沿技术领域成果的熟化转化，鼓励建设科技成果转化应用型大学科技园。建设一批产业中试、检验检测、成果熟化转化基地，支持中科院系等专业团队在济开展科技成果转移转化。推进山东省技术成果交易中心建设，打造辐射全省、链接全国的技术转移枢纽。用好“科创中国”科技经济融通平台，加强科技供给与产业需求对接。（四）加快建设人才强市牢固确立人才引领发展的战略地位，完善普惠化与个性化相结合的人才政策体系，着力打造最优引才环境、最优发展平台、最优金融服务。持续实施泉城系列重点人才工程，梯次培养、精准引进各领域高端人才。发挥国家科技领军人才创新创业济南基地、国家海外人才离岸创新创业基地作用，打造高层次人才服务载体。像尊重科学家一样尊重企业家，依法保护企业家合法权益，激励企业家干事创业，培育具有国际视野和现代经营管理理念的企业家群体。推进产业工人队伍建设改革，弘扬“工匠精神”，壮大高技能人才队伍。发挥多元评价主体作用，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的人才评价体系。建设国家级人力资源服务产业园，构建“一园多区”的产业发展空间布局，拓展人才价值金融兑价应用场景，打造“人才特区”和全国人力资本产业高地。建设青年友好型城市，建立健全针对青年人才的普惠性政策，支持高校毕业生在济落户就业创业，让更多优秀青年人才选择济南、扎根济南、书写梦想、成就事业。（五）营造优良创新生态统筹优化政府对创新活动的服务和引导，加快政府科技管理职能转变。改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅制”“包干制”。改革人事管理制度，破除影响人才自由流动的体制机制障碍。构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制，完善科研人员职务发明成果权益分享机制，畅通技术创富、技术造富制度通道，提高人才待遇和社会地位。创新知识产权保护机制，细化知识产权制度规则，完善新领域新业态知识产权保护制度。创建国家科创金融改革试验区，实现对技术攻关、成果转化、科技金融、知识产权的全周期覆盖。高标准建设国家、省双创示范基地，健全创新创业平台，加大孵化培育力度，形成创新创业浓厚氛围。第二章 项目概述一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：济南碳化硅项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xx（待定）5、项目联系人：程xx（二）主办单位基本情况公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（待定），占地面积约20.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx吨碳化硅材料/年。二、 项目提出的理由半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资6680.90万元，其中：建设投资5592.43万元，占项目总投资的83.71%；建设期利息122.53万元，占项目总投资的1.83%；流动资金965.94万元，占项目总投资的14.46%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资6680.90万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）4180.22万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额2500.68万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：11500.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：9533.45万元。3、项目达产年净利润（NP）：1435.41万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.94%。5、全部投资回收期（Pt）：6.62年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：4740.72万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物，对周围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求，所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规，认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定；2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线，提高项目的竞争力和市场适应性；3、设备的布置根据现场实际情况，合理用地；4、严格执行“三同时”原则，积极推进“安全文明清洁”生产工艺，做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行，注意可持续发展要求，具有可操作弹性；5、形成以人为本、美观的生产环境，体现企业文化和企业形象；6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求；7、充分估计工程各类风险，采取规避措施，满足工程可靠性要求。九、 研究范围1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。十、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积13333.00约20.00亩1.1总建筑面积20580.351.2基底面积7866.471.3投资强度万元/亩268.162总投资万元6680.902.1建设投资万元5592.432.1.1工程费用万元4857.962.1.2其他费用万元629.342.1.3预备费万元105.132.2建设期利息万元122.532.3流动资金万元965.943资金筹措万元6680.903.1自筹资金万元4180.223.2银行贷款万元2500.684营业收入万元11500.00正常运营年份5总成本费用万元9533.45""6利润总额万元1913.88""7净利润万元1435.41""8所得税万元478.47""9增值税万元438.90""10税金及附加万元52.67""11纳税总额万元970.04""12工业增加值万元3510.50""13盈亏平衡点万元4740.72产值14回收期年6.6215内部收益率14.94%所得税后16财务净现值万元-12.89所得税后第三章 行业、市场分析一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300°C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。第四章 选址方案分析一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况济南位于山东省的中部，地理位置介于北纬36°0237°54，东经116°21117°93，南依泰山，北跨黄河，地处鲁中南低山丘陵与鲁西北冲积平原的交接带上，地势南高北低。地形可分为三带：北部临黄带，中部山前平原带，南部丘陵山区带。济南是中国东部沿海经济文化大省山东省的省会，全省政治、经济、文化、科技、教育和金融中心，重要的交通枢纽。四周与德州、滨州、淄博、泰安、聊城等市相邻。总面积10244.45平方千米。济南地处鲁中南低山丘陵与鲁西北冲积平原交接带，南依泰山，北跨黄河，地层南老北新，南部以古生界石灰岩为主，北部以新生界松散堆积物为主。大地构造处于华北板块的华北拗陷区的济阳坳陷和鲁西隆起区之鲁中隆起的衔接地带。北部为济阳坳陷、淄博茌平坳陷，南部为鲁中隆起，属向北倾斜的单斜构造。到二三五年基本建成新时代现代化强省会的远景目标。在“十四五”基本建成科创济南、智造济南、文化济南、生态济南、康养济南的基础上，再奋斗十年，建成全国重要的区域经济中心、科创中心、金融中心、贸易中心、文化中心，初步建成“大强美富通”现代化国际大都市。城市发展能级和辐射带动能力大幅跃升，人均地区生产总值率先达到中等发达经济体水平，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成全国先进制造业基地，建成现代化基础设施体系，形成优势突出、特色鲜明的现代产业体系；城乡区域发展差距显著缩小，绿色智慧、动能强劲、活力迸发的新旧动能转换起步区基本建成，“东强西兴南美北起中优”城市发展格局全面塑成；省会治理体系和治理能力现代化基本实现，平安济南建设达到更高水平，法治济南、法治政府、法治社会基本建成；市场化法治化国际化营商环境全面形成，国际影响力、全球知名度显著提升，成为衔接南北、统筹陆海、联通世界的改革开放新高地；高品质生活广泛享有，基本实现幼有善育、学有优教、劳有厚得、病有良医、老有颐养、住有宜居、弱有众扶，市民素质和社会文明程度达到新高度，省会文化软实力大幅提升，生态环境质量实现根本性好转，人的全面发展、全市人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。展望二三五年，一座宜业宜居、宜乐宜游、充满活力、令人向往的新时代现代化强省会将崛起于黄河流域、祖国大地上，在全面建设社会主义现代化国家大局中展现更大作为！锚定二三五年远景目标，综合考量全市发展实际，经过五年不懈努力，到二二五年，贯彻落实国家重大战略任务取得显著成果，科创济南、智造济南、文化济南、生态济南、康养济南基本建成，新时代现代化强省会建设实现新跨越。综合实力实现新跨越。经济持续较快增长，主要经济指标增速领跑全省，经济总量在全国主要城市中实现位次前移，省会城市首位度明显提升，经济和人口承载能力显著增强，成为黄河流域核心增长极。发展质量实现新跨越。新旧动能转换实现新的突破，工业强市建设取得显著成效，产业基础高级化、产业链现代化水平明显提高，金融服务实体经济质效明显提升，“四新”经济占全部经济总量比重超过40%，先进制造业占规模以上工业比重达到70%，初步建立实体经济、科技创新、现代金融、人力资源协同发展的现代产业体系。改革创新实现新跨越。重点领域关键环节改革取得新的突破，要素市场化配置机制更加健全，公平竞争制度更加完善，高标准市场体系基本建成，营商环境持续优化，市场主体更加充满活力，创新能力显著提升，各方面创新创造热情得到充分发挥。对外开放实现新跨越。“一带一路”重要节点城市建设取得重大进展，黄河流域对外开放门户地位进一步凸显，自贸试验区济南片区等重大开放平台建设取得突破，开放型经济发展水平显著提高，初步形成内外兼顾、陆海联动、东西互济、多向并进的全面开放新格局。“十三五”时期成为济南经济社会发展质量最高、区域功能地位提升最快、城乡面貌变化最大、人民群众获益最多的时期之一。这五年，综合实力迈上新台阶，主要经济指标占全省比重稳步提高，经济总量实现历史性突破，城市能级和核心竞争力明显提升。发展质效迈上新台阶，新旧动能转换取得明显成效，大数据与新一代信息技术、智能制造与高端装备产业规模达到4000亿级，精品钢与先进材料、生物医药与大健康产业达到1500亿级，培育形成2家千亿级企业，高新技术企业数量增长3.9倍、突破3000家，新型研发机构达100家，落地中科院系院所14家，大科学装置实现零的突破，综合性国家科学中心建设迈出坚实步伐。城市建设迈上新台阶，东部汉峪金谷崛起成峰、中央商务区拔地而起，西部国际医学科学中心初具规模，南部“诗画南山”魅力彰显，北部新旧动能转换起步区全面起势，中心城区有机更新，章丘、济阳完成撤市（县）设区，莱芜、钢城融入步伐不断加快，“东强西兴南美北起中优”城市发展新格局破题起步。功能品质迈上新台阶，东部老工业区工业企业搬迁改造基本完成，节能减排目标任务超额完成，空气质量综合指数累计改善39.4%，在全省率先消除劣类水体，重点泉群连续17年保持喷涌，土壤环境质量持续改善，拆违拆临超过1亿平方米，建绿透绿479万平方米，建成各类公园700多处，“米”字型高铁网建设加快推进，“三环十二射”高快一体路网即将成型，省会快速驶入“地铁时代”。改革开放迈上新台阶，“放管服”改革深入推进，一批创新举措在全省、全国复制推广，“在泉城全办成”塑成品牌，社会信用体系建设走在全国前列，自贸试验区、综合保税区、开发园区等开放平台体系加快形成，进出口总值实现翻番，引进世界500强企业达到81家，领事机构实现零的突破。民生保障迈上新台阶，脱贫攻坚任务圆满完成，1006个贫困村全部摘帽退出，21.13万贫困人口实现稳定脱贫，33.9万黄河滩区居民圆了安居梦，教育、就业、社保、医疗、养老等民生事业加快发展，社会治理体系日趋完善，平安济南、法治济南建设成效明显，创造全国文明城市年度测评“三连冠”佳绩，保持全国双拥模范城“九连冠”，获评全国卫生城市，入选中国十大美好生活城市。特别是，面对突如其来的新冠肺炎疫情冲击，全市上下坚定信心、同舟共济、科学防治、精准施策，疫情防控取得重大战略成果，经济社会发展呈现加速恢复增长态势。经过艰苦不懈努力，“十三五”规划主要目标任务即将完成，为开启新时代现代化强省会建设新征程奠定了坚实基础。三、 扩大高水平开放，全力打造对外开放新高地主动融入和服务国家开放大局，积极对接“一带一路”建设，抓住区域全面经济伙伴关系协定（RCEP）达成的契机，实施更大范围、更宽领域、更深层次对外开放，全力打造黄河流域对外开放门户，提高全球资源要素集聚配置能力。（一）高水平推进自贸试验区济南片区建设对标国际一流自由贸易区（港）和国际经贸规则，推动贸易投资、跨境资金流动、国际人员往来、国际物流运输便利化和数据安全有序流动，打造引领省会经济圈、辐射山东半岛城市群、服务黄河流域对外开放的自由贸易高地。聚焦生物医药、人工智能、信息技术、智能制造等重点产业开展系统集成创新，破解立项、研发、生产、上市和标准等全流程发展瓶颈制约，促进现代产业链重构。推进链上自贸保税体系、人力资本价值赋能和“互联网+医疗”大健康平台建设，开展更广范围、更深程度、更高水平风险压力测试，探索形成更多国家级首创试点。聚焦放大自贸试验区溢出效应，建设制度创新“共享空间”，设立自贸联动创新区和双向“飞地”合作平台，探索“工业互联网+自贸”融合发展路径。牵头组建黄河流域自贸联盟，创建国家对外文化贸易基地和国家文化出口基地，深化与港澳台地区和日韩等国在科技、医养健康和服务贸易等领域的合作，建设全省对外开放新高地示范区。（二）高标准打造国际内陆港加快出海出境大通道建设，构建欧亚陆海联动枢纽，强化与门户枢纽城市、沿海沿边城市、黄河沿线城市互联互通，大力发展枢纽经济、通道经济。积极申建铁路口岸，完善口岸功能，提升“齐鲁号”欧亚班列品牌和国际影响力，创建“一带一路”国家集结中心和中欧班列枢纽城市，打造新亚欧大陆桥经济带的主要节点，架构起日