中山关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告【范文】.docx

泓域咨询/中山关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告中山关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xx有限公司目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 市场预测16一、 中国半导体行业发展概况16二、 功率半导体行业概述16第三章 项目背景、必要性19一、 功率半导体市场规模与竞争格局19二、 MOSFET器件概述19三、 功率器件应用发展机遇24四、 深度参与国内国际双循环，加快融入新发展格局28五、 推动产业高端化发展，加快建设现代产业体系31六、 项目实施的必要性34第四章 公司成立方案35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 公司组建方式36四、 公司管理体制36五、 部门职责及权限37六、 核心人员介绍41七、 财务会计制度42第五章 法人治理46一、 股东权利及义务46二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事57第六章 发展规划分析59一、 公司发展规划59二、 保障措施65第七章 项目选址分析67一、 项目选址原则67二、 建设区基本情况67三、 项目选址综合评价70第八章 项目风险防范分析71一、 项目风险分析71二、 项目风险对策73第九章 环境影响分析75一、 编制依据75二、 环境影响合理性分析76三、 建设期大气环境影响分析77四、 建设期水环境影响分析79五、 建设期固体废弃物环境影响分析79六、 建设期声环境影响分析80七、 环境管理分析80八、 结论及建议82第十章 项目投资分析84一、 编制说明84二、 建设投资84建筑工程投资一览表85主要设备购置一览表86建设投资估算表87三、 建设期利息88建设期利息估算表88固定资产投资估算表89四、 流动资金90流动资金估算表91五、 项目总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表93第十一章 项目经济效益95一、 基本假设及基础参数选取95二、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表97利润及利润分配表99三、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表101四、 财务生存能力分析103五、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104六、 经济评价结论105第十二章 项目规划进度106一、 项目进度安排106项目实施进度计划一览表106二、 项目实施保障措施107第十三章 项目总结108第十四章 附表附件110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125报告说明在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。xx有限公司主要由xxx（集团）有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中：xxx（集团）有限公司出资189.00万元，占xx有限公司30%股份；xx集团有限公司出资441万元，占xx有限公司70%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资20169.86万元，其中：建设投资15841.09万元，占项目总投资的78.54%；建设期利息405.01万元，占项目总投资的2.01%；流动资金3923.76万元，占项目总投资的19.45%。项目正常运营每年营业收入39800.00万元，综合总成本费用33214.18万元，净利润4800.80万元，财务内部收益率16.59%，财务净现值1877.18万元，全部投资回收期6.50年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本630万元三、 注册地址中山xxx四、 主要经营范围经营范围：从事MOSFET功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xx有限公司主要由xxx（集团）有限公司和xx集团有限公司发起成立。（一）xxx（集团）有限公司基本情况1、公司简介展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7169.565735.655377.17负债总额2327.131861.701745.35股东权益合计4842.433873.943631.82公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入18489.2514791.4013866.94营业利润3177.562542.052383.17利润总额2773.672218.942080.25净利润2080.251622.601497.78归属于母公司所有者的净利润2080.251622.601497.78（二）xx集团有限公司基本情况1、公司简介本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7169.565735.655377.17负债总额2327.131861.701745.35股东权益合计4842.433873.943631.82公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入18489.2514791.4013866.94营业利润3177.562542.052383.17利润总额2773.672218.942080.25净利润2080.251622.601497.78归属于母公司所有者的净利润2080.251622.601497.78六、 项目概况（一）投资路径xx有限公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。展望2035年，中山经济实力、科技实力、城市功能品质、人民生活水平稳居全国同类城市前列，基本实现社会主义现代化，在全面建设社会主义现代化国家新征程中走在全省前列、再创新的辉煌。经济高质量发展取得重大进展，经济总量迈上新台阶，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业农村现代化，迈入国家创新型城市前列，建成现代化经济体系，形成国际一流的营商环境，国际合作和竞争优势更加显著，形成高水平全面开放新格局。基本实现市域治理体系和治理能力现代化，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，成为全省最安全稳定、最公平公正、法治环境最好地区之一。率先建成教育强市、文化强市、体育强市、健康中山，市民素质和社会文明程度达到新高度，文化软实力显著增强。广泛形成绿色生产生活方式，资源节约集约利用水平国内领先，生态环境质量实现根本性改善，建成岭南特色的美丽生态城。人民生活更加美好，共同富裕率先取得实质性进展，人均地区生产总值率先达到中等发达国家水平，中等收入群体显著扩大，城乡区域发展和居民生活水平均衡度持续领先，基本实现幼有善育、学有优教、劳有厚得、病有良医、老有颐养、住有宜居、弱有众扶。（三）项目选址项目选址位于xx（待定），占地面积约36.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积50336.30，其中：生产工程32515.56，仓储工程11521.44，行政办公及生活服务设施4366.96，公共工程1932.34。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资20169.86万元，其中：建设投资15841.09万元，占项目总投资的78.54%；建设期利息405.01万元，占项目总投资的2.01%；流动资金3923.76万元，占项目总投资的19.45%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：39800.00万元。2、综合总成本费用（TC）：33214.18万元。3、净利润（NP）：4800.80万元。4、全部投资回收期（Pt）：6.50年。5、财务内部收益率：16.59%。6、财务净现值：1877.18万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）项目综合评价综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。第二章 市场预测一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。第三章 项目背景、必要性一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。四、 深度参与国内国际双循环，加快融入新发展格局坚持统筹利用好国内国外两个市场、两种资源，以扩大内需为战略基点，依托我国超大规模市场优势，以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求，推动更大范围、更宽领域、更深层次对外开放，为全省打造新发展格局战略支点提供有力支撑。（一）深入实施扩大内需战略持续扩大有效投资。持续优化投资结构，促进投资稳定增长，充分发挥投资对优化供给结构的关键作用，力争“十四五”时期完成投资7000亿元，投资率提高至45%左右。围绕强弱项、补短板，推动新基建与传统基建一体谋划、协同推进，加大新型基础设施投资力度，补齐交通、教育、医疗、环境等传统基础设施建设短板，实施一批强基础、增功能、利长远的重大基础设施项目。狠抓工业投资，加快推动企业设备更新和技术改造，引进培育一批投资大、效益好、技术高、用地少、带动强的战略性新兴产业项目，推动工业投资成为投资增长的关键支撑。加大政府和社会资本合作力度，推动解决民间投资用地、用能、人才引进、政策配套、报建审批等实际困难，鼓励民间资本参与重大基础设施、重点产业、新型城镇化项目建设，支持民间资本加大5G 网络、人工智能、工业互联网、物联网等新型基础设施投资建设力度。（二）积极融入全国统一大市场拓展产业发展腹地。积极参与粤港澳大湾区、省“一核一带一区”及都市圈建设，加强与周边城市战略对接、协同联动，推动优势产业链条向粤西地区延伸。发挥中山制造优势，增强与京津冀、长三角、成渝等先进地区和城市在科技、产业、人才、教育、环保、旅游等领域合作，支持企业优先布局国内，有序开展产业共建。落实对口支援、对口合作、对口帮扶和扶贫协作工作，深化援受两地交往交流交融，扎实推进产业合作、合作园区建设和人才交流。创造公平可预期的市场环境，引导更多国内先进企业、创新机构、资金资本、高层次人才来中山发展。（三）提升对外开放水平培育外贸发展新优势。加快打造高能级外贸发展平台，推进跨境电商综试区建设，高标准规划建设跨境电商产业园，争取翠亨新区纳入广东自贸区扩区范围，推进药品进口口岸建设，积极申报综合保税区，做强古镇灯饰、小榄锁具、南头家电、沙溪休闲服装等国家和省外贸转型基地。持续优化外贸结构，扩大机电产品出口，推动加工贸易企业由OEM（原始设备生产商）向ODM（原始设计制造商）、OBM（原始品牌制造商）转型，鼓励先进设备进口。大力发展外贸新业态新模式，推进服务贸易创新发展，完善市场采购平台建设。优化通关环境，完善口岸布局和建设，深化智能通关改革，推动港口通关提速降费。五、 推动产业高端化发展，加快建设现代产业体系坚持把发展着力点放在实体经济上，坚定不移建设制造强市、质量强市、数字中山，大力推动产业高端化发展、深度融入全球产业链，打好产业基础高级化、产业链现代化攻坚战，打造具有国际竞争力的现代产业体系。（一）推动制造业高质量发展打造先进制造业产业集群。积极对接省战略性产业集群培育战略，按照壮大主导产业、巩固优势产业、培育新兴产业的思路，重点培育“4+6+4”产业集群，建设若干具有全球竞争力的先进制造业产业集群，打造全国制造业一线城市。做大做强智能家居、电子信息、装备制造、健康医药四大战略性支柱产业集群，支撑全市制造业结构战略性调整。培育壮大半导体及集成电路、激光与增材制造、新能源、智能机器人、精密仪器设备、数字创意六大战略性新兴产业集群，建设一批战略性新兴产业示范区和未来产业先导区。做优做强纺织服装、光电、美妆、板式家具四大特色优势产业集群，推动传统优势产业转型升级。推进海上风电机组研发中心建设，打造千亿级海上风电产业龙头企业。积极布局氢能产业。加强和创新产业集群治理，充分发挥行业协会、产业联盟等力量，培育构建产业集群组织和战略咨询支撑机构，构建开放协同的集群发展公共服务体系。（二）打造现代服务业发展高地构建“2+3+4”现代服务业体系。做强做优现代金融、商贸流通两大支柱型现代服务业。争取复制自贸区创新金融政策，大力招引法人金融机构和中山空白牌照、紧缺牌照类金融机构落户，积极发展新兴金融，支持本地法人金融机构做大做强。大力发展新零售，推进品牌化、连锁化、智能化发展，推动特色商圈打造新场景、新体验、新地标。重点推动商务会展、文化旅游、现代物流三大领域突破发展。规划建设翠亨国际会展中心，做强游博会、家博会、灯博会、家电展、菊花会、花木会等区域精品会展品牌，争取更多国际性、全国性、区域性会议和品牌展览活动在中山举办。推进欢乐海岸等大型文旅项目建设。支持黄圃物流园建设集铁路、水运、公路等于一体的国际物流园，依托黄圃、三角、民众等东北片区打造区域物流枢纽，促进智慧物流、冷链物流、跨境电商物流、国际物流发展，创建中国快递示范城市。加快发展科技服务、信息服务、健康服务、商务服务四大成长性服务业，逐步构建起新技术支撑、新业态引领、新模式广泛应用的现代服务业体系。（三）打好产业基础高级化和产业链现代化攻坚战实施产业基础再造工程。瞄准智能家居、电子信息、装备制造和健康医药等重点产业链，加快建设产业共性技术平台，提升基础零部件、基础原材料、基础工艺、产业技术基础，以及质量标准和检测等基础能力水平。积极参与国家和省产业基础再造工程，组织开展国家级和省级产业基础提升重点项目。加大制造业核心基础零部件、核心电子元器件、工业基础软件、关键基础材料、先进基础工艺和产业基础技术等领域科研攻关力度，掌握产业基础关键核心技术和产业基础数据，加快项目工程化、产业化进程，支持制造业基础产品和技术首台套、首批次、首版次应用推广。实施新一轮技术改造，重点推动家电、家具、灯饰、五金、纺织等传统企业运用先进、实用技术改造升级生产工艺。（四）加快发展数字经济推动数字产业化发展。巩固数字经济关键优势产业，重点发展超高清视频、智能终端、软件信息服务三大产业，推动超高清面板、芯片和整机制造、内容制作产业集聚发展，谋划布局超高清视频、智能终端、信创等产业基地，支持软件、互联网等大型企业搭建国内领先的软件开发平台。做强数字经济核心先导产业，大力推动人工智能、大数据两大产业发展，加快建设数字经济创意产业园，大力发展人工智能新药创制与精准医疗产业，培育一批人工智能独角兽企业和人工智能应用示范项目，规划建设大数据产业园。壮大数字经济前沿新兴产业，重点扶持5G、物联网、云计算、区块链、3D打印、车联网等新兴产业发展，依托火炬开发区光电装备与产品制造产业基础打造5G产业集群，引进和培育一批高性能服务器、海量存储设备等核心云基础设备制造商以及云计算服务企业，探索建设区块链政务应用创新平台，发展3D打印机及配套元器件制造业，推动面向智能网联汽车行业的创新示范产业基地建设。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领