晋城碳化硅衬底设备项目申请报告【模板】.docx

泓域咨询/晋城碳化硅衬底设备项目申请报告目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模11六、 项目建设进度12七、 环境影响12八、 建设投资估算12九、 项目主要技术经济指标13主要经济指标一览表13十、 主要结论及建议15第二章 行业发展分析16一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心16二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期17三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越19第三章 项目建设背景、必要性22一、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临22二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期23三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%25四、 激发各类市场主体活力26五、 坚持创新驱动发展，打造一流创新生态26第四章 项目选址方案30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 培育壮大战略性新兴产业集群32四、 项目选址综合评价33第五章 建筑工程可行性分析34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第六章 产品规划方案37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第七章 运营管理39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度43第八章 SWOT分析50一、 优势分析（S）50二、 劣势分析（W）52三、 机会分析（O）52四、 威胁分析（T）53第九章 发展规划59一、 公司发展规划59二、 保障措施65第十章 劳动安全生产分析67一、 编制依据67二、 防范措施70三、 预期效果评价72第十一章 建设进度分析74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十二章 项目节能分析76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表78三、 项目节能措施78四、 节能综合评价79第十三章 环保方案分析81一、 编制依据81二、 建设期大气环境影响分析81三、 建设期水环境影响分析81四、 建设期固体废弃物环境影响分析82五、 建设期声环境影响分析82六、 环境管理分析83七、 结论84八、 建议84第十四章 人力资源配置分析86一、 人力资源配置86劳动定员一览表86二、 员工技能培训86第十五章 投资方案分析89一、 编制说明89二、 建设投资89建筑工程投资一览表90主要设备购置一览表91建设投资估算表92三、 建设期利息93建设期利息估算表93固定资产投资估算表94四、 流动资金95流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表98第十六章 经济收益分析100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表109六、 经济评价结论110第十七章 项目招标方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求112四、 招标组织方式114五、 招标信息发布117第十八章 项目综合评价118第十九章 附表附录120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表132建筑工程投资一览表133项目实施进度计划一览表134主要设备购置一览表135能耗分析一览表135报告说明半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。根据谨慎财务估算，项目总投资29464.05万元，其中：建设投资23313.52万元，占项目总投资的79.13%；建设期利息327.73万元，占项目总投资的1.11%；流动资金5822.80万元，占项目总投资的19.76%。项目正常运营每年营业收入63900.00万元，综合总成本费用47530.41万元，净利润12006.89万元，财务内部收益率33.56%，财务净现值29992.79万元，全部投资回收期4.47年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称：晋城碳化硅衬底设备项目项目单位：xxx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx，占地面积约61.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模（一）项目背景目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积40667.00（折合约61.00亩），预计场区规划总建筑面积77763.60。其中：生产工程49631.12，仓储工程14536.81，行政办公及生活服务设施7649.46，公共工程5946.21。项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理；项目建设具有较明显的社会、经济综合效益；项目实施后能满足区域环境质量与环境功能的要求，但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响，只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度，切实落实各项环境保护措施，加强环境管理，认真对待和解决环境保护问题，对污染物做到达标排放。从环保角度上讲，项目的建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资29464.05万元，其中：建设投资23313.52万元，占项目总投资的79.13%；建设期利息327.73万元，占项目总投资的1.11%；流动资金5822.80万元，占项目总投资的19.76%。（二）建设投资构成本期项目建设投资23313.52万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用19632.02万元，工程建设其他费用3080.17万元，预备费601.33万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入63900.00万元，综合总成本费用47530.41万元，纳税总额7365.98万元，净利润12006.89万元，财务内部收益率33.56%，财务净现值29992.79万元，全部投资回收期4.47年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积40667.00约61.00亩1.1总建筑面积77763.601.2基底面积24806.871.3投资强度万元/亩362.642总投资万元29464.052.1建设投资万元23313.522.1.1工程费用万元19632.022.1.2其他费用万元3080.172.1.3预备费万元601.332.2建设期利息万元327.732.3流动资金万元5822.803资金筹措万元29464.053.1自筹资金万元16087.303.2银行贷款万元13376.754营业收入万元63900.00正常运营年份5总成本费用万元47530.41""6利润总额万元16009.19""7净利润万元12006.89""8所得税万元4002.30""9增值税万元3003.28""10税金及附加万元360.40""11纳税总额万元7365.98""12工业增加值万元24199.17""13盈亏平衡点万元17673.91产值14回收期年4.4715内部收益率33.56%所得税后16财务净现值万元29992.79所得税后十、 主要结论及建议本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。第二章 行业发展分析一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300°C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目建设背景、必要性一、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。四、 激发各类市场主体活力创新土地、劳动力、资本、技术、数据、环境容量等要素市场化配置方式，完善要素交易规则和服务体系，引导各类要素协同向先进生产力集聚。优化国有资本布局，推进国资国企改革，完善现代企业制度，加快“六定”改革，大力发展混合所有制，加快“腾笼换鸟”，破解“一煤独大”“一股独大”。大力激发民营经济活力，破除制约民营企业发展的各种壁垒，构建“亲”“清”政商关系，在准入许可、政策获取等方面优化环境、改进服务。改善中小企业金融生态，完善融资担保体系，加快中小企业“个转企”“小升规”“规改股”“股上市”步伐，实施上市挂牌提速工程。到“十四五”末，规上工业企业增加到800家。五、 坚持创新驱动发展，打造一流创新生态把创新驱动放在转型发展全局中的核心位置，深入实施创新驱动发展、科教兴市战略，充分激发全社会创新创造创业的潜力和动能，建设高水平创新型城市。（一）培育壮大创新主体。强化企业创新主体地位，推动创新要素首先在企业集聚，创新生态小气候首先在企业形成。鼓励企业做专业细分领域的“隐形冠军”，抢占创新制高点。支持煤炭、化工、冶铸等传统优势企业提升创新水平，组建创新联合体，促进新技术应用和迭代升级。滚动实施高新技术企业倍增计划，推进规上企业创新研发全覆盖。培育一批“雏鹰”“瞪羚”“独角兽”和领军企业。开展科技型中小微企业培育行动，推动科技型中小企业梯次快速成长，推动产业链上中下游、大中小型企业融通创新、协同发展。发展科技中介组织，健全技术市场体系。（二）构建创新创业平台。鼓励科技创新平台建设，聚焦5个千亿级产业集群发展需求，加快推进煤与煤层气共采国家重点实验室、5G应用创新联合实验室、先进半导体光电器件与系统集成实验室等创新战略平台做优做强。加强“双创”平台建设，培育众创空间、科技企业孵化器和小微企业创新创业基地等新型“双创”孵化载体，不断创新孵化服务模式。汇聚现有创新创业平台，努力培育一批国家或省级“双创”示范基地。加快推进晋城经济开发区国家级双创示范基地和高平省级双创示范基地建设，高标准建设山西智创城NO6，打通“创业苗圃孵化器加速器产业园”的双创全产业链条，确保促改革、稳就业、强动能的示范带动作用有效发挥。（三）实施创新领跑行动。围绕打造全省创新生态示范市目标，实施创新载体建设、产业创新协同、创新主体壮大、创新能力提升、创新人才引育、重大技术攻关、科技成果转化承接、创新环境优化、创新文化培育等九大行动。聚焦煤层气、光机电等重点产业，融合融通“产业链创新链供应链要素链制度链资金链”，着力突破一批关键核心技术和共性技术，重点培育一批高科技领军企业，精准打造一批具有综合竞争力、特色优势明显的创新型产业集群，创新生态系统雏型初显。（四）大力培育创新文化。在全社会树立崇尚科学、崇尚创新、崇尚人才的鲜明导向，注重用创新文化激发创新精神、形成创新动力、支持创新实践、激励创新事业。加强对大众创业、万众创新的政策支持和宣传引导，大力激发晋城人血液中蕴含的创新基因，形成尊重创新、宽容失败的浓厚社会氛围。加强创业创新知识普及教育，支持社会力量开展创业培训。大力弘扬企业家精神、工匠精神和创客文化，进一步提高企业家创新意识，激发全社会创新创业热情。持续加大知识产权保护力度，进一步提升知识产权执法力度与执法效率，促进创新环境不断优化。（五）完善创新体制机制。以关键核心共性技术、技术综合集成、产业化技术专项为突破口，建立以企业为主体的产学研资用一体化科技研发机制。推动科技政策与产业、财政、金融等政策有机衔接，建立科技风投专项基金和科技融资担保制度。完善科技成果转化激励政策，开展重大技术转移转化示范。建立健全创新需求导向和科技管理组织链条，形成政府部门、承担单位、专业机构“三位一体”的科研管理体系。到“十四五”末，晋城创新体制机制和政策制度环境达到全省先进水平。第四章 项目选址方案一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况晋城市，是山西省地级市，古称建兴、泽州、泽州府。晋城市位于山西省东南部，晋豫两省接壤处，全境居于晋城盆地，总面积9490平方公里，是山西省东南门户，自古为兵家必争之地，素有“三晋门户、太行首冲”的美誉。晋城市历史悠久，两万年前便留下高都、塔水河、下川等人类遗址。东晋置郡，北魏置州，清置府，是一座千年古城。是女娲补天、愚公移山、禹凿石门、商汤筹雨等神话发源地，诞生了刘羲叟、李俊民、张慎言、王国光、陈廷敬等名人。现有国家重点文保单位66处，包括冶底岱庙、青莲寺、开化寺、程颢书院、柳氏民居、湘峪古堡、天官王府、皇城相府、长平之战遗址、羊头山石窟、中华名山析城山、太行至尊王莽岭等众多名胜古迹和自然遗产。晋城市古为煤铁之乡，有“九头十八匠”之称。是战国“阳阿古剑”产地，境内泽州铁器、兰花炭曾名扬海内。蟒河、历山等保护区，生长有猕猴、大鲵等稀有动物，素有山西生物资源宝库之称。晋城市是山西省中高档铸件、电力、畜牧业基地。二广、晋侯（阳翼）、陵沁、环城高速与207国道交织成网，太焦、嘉南及侯月铁路贯穿全境，拥有国家森林城市、国家园林城市等多项荣誉。面对错综复杂的外部发展环境和艰巨繁重的改革发展稳定任务，特别是新冠肺炎疫情的严重冲击，产业结构持续优化，传统产业巩固提升，新兴产业蓬勃兴起，新旧动能加快转换，质量效益稳步提高。煤炭年产量突破亿吨，全力建设煤层气“一枢纽三基地一中心”，着力打造“世界光谷”，加快发展全域旅游和康养产业，成功举办首届全国康养产业发展大会，农林文旅康产业融合发展试点成效明显。重点领域关键环节改革取得重大突破，能源革命综合改革试点稳步推进，人才、户籍、土地等改革措施落地见效，开发区改革创新、教育体制机制改革、城乡基本医疗卫生一体化、“四块地”改革等重点领域改革走在全省前列，率先在全省开展相对集中行政许可权改革试点，“一枚印章管审批”经验在全省推广。城乡统筹发展步伐加快，全面推进老城更新与保护、丹河新城建设、人居环境整治、新型城镇化和乡村振兴战略，五级公交体系全面建成，实现“一元公交”全覆盖。生态环保成效显著，全市森林覆盖率和整体绿化水平保持全省领先，低碳城市试点和循环经济示范市建设任务圆满完成，建立四级“河长制”“林长制”管理体系，出口断面全部达到国家考核标准。民生福祉持续增进，我市和沁水县成功入选第六届全国文明城市（县），郑太高铁开通运营。陵川、沁水提前实现脱贫摘帽，建档立卡贫困户动态清零，脱贫攻坚胜利收官，全面小康实现程度位列全省第一方阵。城乡基本公共服务均等化全面实现，公共卫生服务体系更加健全，普通高中教育优势凸显，群众安全感、获得感、幸福感调查连续九年全省第一。党的建设全面加强，坚持以党建引领发展，把党建融入发展，用党建推动发展，靠发展检验党建，全面从严治党纵深推进，政治生态持续向好。“晋城的事，大家想、大家说、大家干”深入人心，干事创业、担当作为氛围日渐浓厚，高质量转型发展大局已定、布局已成、气势已起。总体看，“十三五”规划确定的主要目标任务基本完成，全面建成小康社会取得决定性成就。三、 培育壮大战略性新兴产业集群紧跟战略性新兴产业和未来产业发展趋势，围绕全省14个战略性新兴产业，加快布局光机电、半导体、煤机智能制造装备、煤层气、现代医药和大健康等，全面提升战略性新兴产业规模，培育全国全省知名的战略性新兴产业制造企业。实施产业基础再造工程，加强工业强基重点项目建设，推动先进制造业比重稳步上升。聚焦打造“世界光谷”目标，制定光机电产业五年倍增计划，实现产值三年500亿，五年1000亿，形成“一院五园两集群”产业发展新格局。依托光机电产业研究院，瞄准纳米材料与器件、半导体光电材料与器件、光机电集成技术与重大应用，培育孵化一批产业项目。依托富士康工业园、新能源装备制造产业园、煤机及燃气装备制造产业园、新材料产业园、光机电产业园，形成“眼睛”和“牙齿”两条产业链。按照“一枢纽三基地一中心”目标，实施增储上产行动。到“十四五”末，煤层气年产量达到100亿立方米。依托华新燃气集团，整合燃气市场，实现“气化晋城”。加快管网建设，实现互联互通。大力建设储气调峰设施，提升消纳能力。打造煤层气高端装备制造基地，推进煤层气全产业链发展。鼓励发展风能、太阳能、生物质能，重点挖掘氢能发展潜力，打造“风光气氢”融合发展新能源基地。积极发展道地药材加工转化，支持特色中药品种发展。四、 项目选址综合评价项目选址应统筹区域经济社会可持续发展，符合城乡规划和相关标准规范，保证城乡公共安全和项目建设安全，满足项目科研、生产要求，社会经济效益、社会效益、环境效益相互协调发展。 第五章 建筑工程可行性分析一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条件综合考虑。2、为满足工艺生产的需要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案1、本项目建构筑物完全按照现代化企业建设要求进行设计，采用轻钢结构、框架结构建设，并按建筑抗震设计规范（GB500112010）的规定及当地有关文件采取必要的抗震措施。整个厂房设计充分利用自然环境，强调丰富的空间关系，力求设计新颖、优美舒适。主要建筑物的围护结构及屋面，符合建筑节能和防渗漏的要求；车间厂房设有天窗进行采光和自然通风，应选用气密性和防水性良好的产品。.2、生产车间的建筑采用轻钢框架结构。在符合国家现行有关规范的前提下，做到结构整体性能好，有利于抗震防腐，并节省投资，施工方便。在设计上充分考虑了通风设计，避免火灾、爆炸的危险性。.3、建筑内部