功率器件项目投资价值分析报告_模板范本.docx

泓域咨询/功率器件项目投资价值分析报告目录第一章 总论7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则8五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度10七、 环境影响10八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议13第二章 项目背景及必要性14一、 全球半导体行业发展概况14二、 功率半导体市场规模与竞争格局14三、 MOSFET器件概述15四、 深入实施创新驱动发展战略，激发振兴发展内生动力20五、 项目实施的必要性23第三章 市场预测24一、 功率MOSFET的行业发展趋势24二、 中国半导体行业发展概况25三、 功率半导体行业概述26第四章 建设方案与产品规划29一、 建设规模及主要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表30第五章 选址方案分析31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 加快推动产业转型升级，构建现代产业体系35四、 项目选址综合评价38第六章 建筑技术方案说明39一、 项目工程设计总体要求39二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标40建筑工程投资一览表41第七章 法人治理结构43一、 股东权利及义务43二、 董事48三、 高级管理人员54四、 监事56第八章 运营模式59一、 公司经营宗旨59二、 公司的目标、主要职责59三、 各部门职责及权限60四、 财务会计制度63第九章 发展规划70一、 公司发展规划70二、 保障措施76第十章 原辅材料及成品分析78一、 项目建设期原辅材料供应情况78二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理78第十一章 环境保护分析80一、 编制依据80二、 环境影响合理性分析81三、 建设期大气环境影响分析82四、 建设期水环境影响分析83五、 建设期固体废弃物环境影响分析84六、 建设期声环境影响分析85七、 环境管理分析85八、 结论及建议86第十二章 工艺技术说明88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理92四、 设备选型方案93主要设备购置一览表93第十三章 投资方案分析95一、 投资估算的依据和说明95二、 建设投资估算96建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表102四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十四章 项目经济效益分析107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表113四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116六、 经济评价结论117第十五章 项目招标方案118一、 项目招标依据118二、 项目招标范围118三、 招标要求118四、 招标组织方式119五、 招标信息发布121第十六章 项目综合评价122第十七章 附表附录123主要经济指标一览表123建设投资估算表124建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表130利润及利润分配表131项目投资现金流量表132借款还本付息计划表134第一章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称：功率器件项目项目单位：xx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约19.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围投资必要性：主要根据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。（二）技术原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。五、 建设背景、规模（一）项目背景目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积12667.00（折合约19.00亩），预计场区规划总建筑面积19056.28。其中：生产工程12817.32，仓储工程2855.85，行政办公及生活服务设施1825.38，公共工程1557.73。项目建成后，形成年产xxx件功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物，对周围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求，所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资6823.24万元，其中：建设投资5534.54万元，占项目总投资的81.11%；建设期利息74.08万元，占项目总投资的1.09%；流动资金1214.62万元，占项目总投资的17.80%。（二）建设投资构成本期项目建设投资5534.54万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用4637.63万元，工程建设其他费用774.33万元，预备费122.58万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入12400.00万元，综合总成本费用10265.74万元，纳税总额1046.56万元，净利润1558.34万元，财务内部收益率16.24%，财务净现值1971.77万元，全部投资回收期6.19年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积12667.00约19.00亩1.1总建筑面积19056.281.2基底面积7726.871.3投资强度万元/亩270.082总投资万元6823.242.1建设投资万元5534.542.1.1工程费用万元4637.632.1.2其他费用万元774.332.1.3预备费万元122.582.2建设期利息万元74.082.3流动资金万元1214.623资金筹措万元6823.243.1自筹资金万元3799.573.2银行贷款万元3023.674营业收入万元12400.00正常运营年份5总成本费用万元10265.74""6利润总额万元2077.79""7净利润万元1558.34""8所得税万元519.45""9增值税万元470.64""10税金及附加万元56.47""11纳税总额万元1046.56""12工业增加值万元3604.08""13盈亏平衡点万元5208.88产值14回收期年6.1915内部收益率16.24%所得税后16财务净现值万元1971.77所得税后十、 主要结论及建议该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。第二章 项目背景及必要性一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。四、 深入实施创新驱动发展战略，激发振兴发展内生动力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，充分发挥人文科教大省优势，下好创新先手棋，打好创新主动仗，围绕汽车等重大产业链部署创新链，围绕光电、应用化学等重大创新链布局产业链，努力打造科技、教育、产业、人才紧密融合的创新型经济体系，充分激发振兴发展内生动力,推动实现高质量发展。（一）着力增强自主创新能力坚持以问题导向和需求导向配置创新资源，持续实施一批重大科技专项和重点产业链“搭桥”工程，弥补产业融合及产业链缺失技术短板。加快智能制造、核心光电子器件和高端芯片、战略性先进材料、新能源高效利用、生物医药、现代农业等领域关键核心技术突破和应用，建成吉林大学综合极端条件实验装置、长春光机所大口径空间光学载荷综合环境试验中心、长春国家半导体激光技术创新中心，继续实施具有吉林特色的国家“大科学工程”项目。推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享，完善重大科技创新平台体系，重点建设新型汽车产业、新型农产品加工、新型光电技术、新型生态治理技术等科技创新平台，建设一批国家和省重点实验室。高标准建设长春国家区域创新中心，推动人才、技术、资本、数据等创新要素高效集聚与释放，增强对全省科技创新的辐射引领带动能力，打造具有国际影响力的创新转型示范区。（二）发挥企业技术创新主体作用推动各类创新要素向企业集聚，实施科技创新企业研发投入、转化成果、新产品产值“三跃升”计划和科技企业上市工程，促进科技型“小巨人”企业发展壮大，积极培育“独角兽”企业，壮大高新技术产业。强化大型工业企业研发机构建设，新建一批工程技术研究中心、企业技术中心等创新机构，建设中小微企业技术创新公共服务平台。发挥企业家在技术创新中的重要作用，引导企业加大研发投入，支持企业牵头组建创新联合体，推动跨领域跨行业协同创新，促进产学研深度融合。鼓励一汽、吉化、长客等龙头企业开展产业集成创新试点，构建基础研究、技术研发、成果转化全流程创新产业链，推进产业链创新链深度融合。（三）激发人才创新创业创造活力深入实施人才优先发展战略，深化人才发展体制机制改革，着力培养、引进、用好人才，让人才引得进、留得住、干得好。鼓励与优质教育资源合作办学，建设一批高质量发展急需的新兴产业专业，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系，培育一批科技领军人才和创新创业团队。完善创新激励和保障机制，构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制和科研人员职务发明成果权益分享机制，对科研人员兼职或离岗创办科技创新型企业给予最优条件，实行职称特殊评聘政策，职称评聘覆盖社会各法人单位。加强创新型、应用型、技能型人才培养，实施知识更新工程、技能提升行动，壮大高水平工程师和高技能人才队伍。加大人才结构性引进力度，实施“长白山人才工程”，推进装备制造、大数据、医药、环保、金融、企业经营管理等重点领域专项引才计划，在长春、通化等地开展人才管理改革试点，加大创新创业人才政策支持力度，鼓励引导人才向艰苦边远地区和基层一线流动。建立域外人才引进常态化工作机制，创新引进和使用“候鸟型”人才，打造东北亚地区科技人才汇聚高地。（四）持续优化创新生态深入推进科技体制改革，完善科技创新治理体系，改进科技项目组织管理方式，提升管理效能，赋予高校、科研机构更大自主权，给予创新领军人才更大技术路线决定权和经费使用权。健全政府投入为主、社会多渠道投入机制，完善首台（套）重大技术装备省内优先采购机制，支持省内企业创新发展；加大重大技术装备、汽车、新能源、电子信息等重点领域研发投入，强化税收抵扣、政府采购、知识产权保护等政策支持，加大研究与试验开发（R&D）投入强度，力争达到全国平均水平。支持企业深化与国内一流科研机构、高校、创新型企业合作，深入实施国家重点研发计划战略性创新合作专项和政府间创新合作专项，促进与“一带一路”国家科技创新合作。建设长春国家级双创基地，发挥各级各类开发区双创主阵地作用，打造创新最前沿、创业富集地。大力发展各类科技服务业，有效发挥国家技术转移东北中心、长吉图国家科技成果转移转化示范区的作用，促进科技成果就地转化和应用。深化知识产权审判领域改革，更好发挥长春知识产权法庭作用，优化科技创新法治环境。弘扬科学精神和工匠精神，强化政府服务意识，营造崇尚创新的社会氛围。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 市场预测一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。第四章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积12667.00（折合约19.00亩），预计场区规划总建筑面积19056.28。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx件功率器件，预计年营业收入12400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1功率器件件xx2功率器件件xx3功率器件件xx4.件5.件6.件合计xxx12400.00第五章 选址方案分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况吉林省，简称“吉”，是中华人民共和国省级行政区，省会长春。吉林省位于中国东北地区中部，与辽宁、内蒙古、黑龙江相连，并与俄罗斯、朝鲜接壤，地处东北亚地理中心位置。截至2019年末，吉林省总人口2690.73万人，下辖1个副省级城市、7个地级市、1个自治州、60个县（市、区）和长白山保护开发区管理委员会，省会长春市。吉林省是近代东北亚政治军事冲突完整历程的见证地，是中国重要的工业基地和商品粮生产基地。吉林省地貌形态差异明显。地势由东南向西北倾斜，呈现出东南高、西北低的特征。以中部大黑山为界，可分为东部山地和中西部平原两大地貌。东部山地分为长白山中山低山区和低山丘陵区，中西部平原分为中部台地平原区和西部草甸、湖泊、湿地、沙地区；地跨图们江、鸭绿江、辽河、绥芬河、松花江五大水系。吉林省位于中纬度欧亚大陆的东侧，属于温带大陆性季风气候。“十三五”时期是吉林老工业基地滚石上山、爬坡过坎的五年，是决战脱贫攻坚、决胜全面建成小康社会的五年，也是加快转型升级、推动改革创新、奋力走出发展新路的五年。扎实推进中东西“三大板块”建设，加快构建“一主、六双”产业空间布局，谋划推进一批支撑高质量发展的重大项目，研究推出引领改革创新的重大举措，着力破解制约振兴发展的深层次矛盾问题，重塑风清气正的政治生态，强化干事创业的浓厚氛围，经济社会发展取得了新的重大成就。有效应对外部环境影响、顶住下行压力，进一步夯实发展基础，保持经济持续平稳发展势头；坚持以“数字吉林”建设为引领，以智能制造为主攻方向，深化供给侧结构性改革，涌现出红旗牌汽车、复兴号高铁、吉林一号卫星等标志性成果，冰雪旅游、生物医药、航天信息等发展势头强劲，长春现代化都市圈建设迈出重要步伐，转变经济发展方式、优化经济结构、转换增长动力取得重要进展；聚焦“两不愁三保障”，70万群众摆脱绝对贫困，脱贫攻坚取得决定性胜利；加快现代农业“三大体系”建设，全面实施乡村振兴战略，粮食产量连续七年保持700亿斤以上水平，农业现代化第一方阵地位进一步巩固；党政机构、国资国企、“放管服”、扩权强县等改革成效显著，营商环境持续优化，民营经济加快发展；深度融入“一带一路”，深入实施长吉图战略，全面深化与浙江对口合作，开展多层次区域与行业战略合作，东博会、吉商大会影响力日益扩大，长春新区、珲春海洋经济发展示范区、中韩（长春）国际合作示范区加快建设；打好污染防治攻坚战，中部黑土地保护、东部天然林保护、西部河湖连通工程效益凸显，蓝天、碧水、青山、黑土地、草原湿地“五大保卫战”全面实施，长白山、东辽河、查干湖治理保护等标志性战役取得重大成果；持续开展“三抓”“三早”行动，高速公路短板基本补齐，高铁、机场以及水利、能源等基础设施建设全面加快，重大产业项目落地见效；人民生活水平持续提高，城乡居民人均可支配收入增速高于国内生产总值增速，城镇新增就业累计超过220万人，社会保障水平进一步提高，扎实推进棚户区改造、农村危房改造、城市二次供水、农村饮水安全等重大民生工程，切实解决“无籍房”等群众关心的热点难点问题；文化、教育、新闻出版、医疗卫生、体育和民族团结进步事业全面发展，人民精神力量不断增强，思想道德素质、科学文化素质、健康素质和社会文明程度显著提高；全力以赴、慎终如始打好疫情防控人民战争，新冠肺炎疫情防控取得重大战略成果；有效防范化解重大风险，妥善处置金融和债务风险隐患，法治吉林建设全面推进，社会治理水平明显提高，扫黑除恶斗争战果显著，国家政治安全和边境安全得到有力保障；全面加强党的建设，深入开展“三严三实”专题教育、“不忘初心、牢记使命”主题教育，思想政治建设、领导班子和干部队伍建设、基层组织建设、党风廉政建设成效明显，党对经济工作的领导能力显著提升。锚定二三五年远景目标，对标二三年左右实现全面振兴全方位振兴要求，综合考虑外部环境条件和自身发展基础，“十四五”时期吉林要在高质量发展上取得突破性进展，在保障改善民生上取得标志性成果，在营造风清气正昂扬向上的振兴氛围上实现根本性提升，确保全面振兴全方位振兴率先实现突破，为全面实现新一轮东北振兴战略目标奠定坚实基础。