海南碳化硅衬底设备项目商业计划书【模板】.docx

泓域咨询/海南碳化硅衬底设备项目商业计划书海南碳化硅衬底设备项目商业计划书xx投资管理公司目录第一章 项目绪论9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算11六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11七、 主要结论及建议13第二章 项目建设单位说明14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据17公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据17五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨19七、 公司发展规划20第三章 项目建设背景、必要性22一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越22二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心23三、 坚持创新驱动发展，努力打造发展新动能25四、 初步建立自由贸易港政策制度体系27五、 项目实施的必要性30第四章 市场分析32一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒32二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期33三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期34第五章 发展规划分析37一、 公司发展规划37二、 保障措施38第六章 运营管理模式41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42四、 财务会计制度45第七章 创新发展52一、 企业技术研发分析52二、 项目技术工艺分析54三、 质量管理56四、 创新发展总结57第八章 SWOT分析说明58一、 优势分析（S）58二、 劣势分析（W）60三、 机会分析（O）60四、 威胁分析（T）62第九章 法人治理66一、 股东权利及义务66二、 董事69三、 高级管理人员73四、 监事76第十章 建设内容与产品方案79一、 建设规模及主要建设内容79二、 产品规划方案及生产纲领79产品规划方案一览表80第十一章 建筑工程方案分析81一、 项目工程设计总体要求81二、 建设方案82三、 建筑工程建设指标82建筑工程投资一览表83第十二章 进度计划85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十三章 风险评估87一、 项目风险分析87二、 公司竞争劣势90第十四章 投资估算91一、 编制说明91二、 建设投资91建筑工程投资一览表92主要设备购置一览表93建设投资估算表94三、 建设期利息95建设期利息估算表95固定资产投资估算表96四、 流动资金97流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表100第十五章 项目经济效益评价102一、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表107二、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109三、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111第十六章 项目总结113第十七章 附表附录115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建设投资估算表121建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126报告说明新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。根据谨慎财务估算，项目总投资20707.15万元，其中：建设投资16985.28万元，占项目总投资的82.03%；建设期利息464.99万元，占项目总投资的2.25%；流动资金3256.88万元，占项目总投资的15.73%。项目正常运营每年营业收入36500.00万元，综合总成本费用30006.58万元，净利润4736.18万元，财务内部收益率16.24%，财务净现值3451.72万元，全部投资回收期6.47年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：海南碳化硅衬底设备项目项目单位：xx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约43.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模（一）项目背景展望2035年，海南在社会主义现代化建设上走在全国前列，自由贸易港的制度体系和运作模式更加成熟，国际影响力和辐射作用更加凸显，营商环境跻身全球前列，成为我国开放型经济新高地;经济总量和城乡居民人均收入迈上新的大台阶，全体人民共同富裕迈出坚实步伐，优质公共服务和创新创业环境达到国际先进水平;基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成现代化经济体系，形成互联网、消费(含免税购物)、大健康和教育、旅游文化体育等一批万亿级产业;生态环境质量和资源利用效率居于世界领先水平，成为在国际上展示我国积极参与应对全球气候变化和生态文明建设成果的靓丽名片;基本实现农业农村现代化;全民素质和社会文明程度达到新高度，建成展示我国文化软实力的重要窗口;法律法规体系更加健全，风险防控体系更加严密，现代社会治理格局基本形成，社会充满活力又和谐有序;初步建成经济繁荣、社会文明、生态宜居、人民幸福的美好新海南。SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积28667.00（折合约43.00亩），预计场区规划总建筑面积49381.64。其中：生产工程28848.59，仓储工程11426.69，行政办公及生活服务设施5924.93，公共工程3181.43。项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资20707.15万元，其中：建设投资16985.28万元，占项目总投资的82.03%；建设期利息464.99万元，占项目总投资的2.25%；流动资金3256.88万元，占项目总投资的15.73%。（二）建设投资构成本期项目建设投资16985.28万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用14217.93万元，工程建设其他费用2353.37万元，预备费413.98万元。六、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入36500.00万元，综合总成本费用30006.58万元，纳税总额3244.81万元，净利润4736.18万元，财务内部收益率16.24%，财务净现值3451.72万元，全部投资回收期6.47年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积28667.00约43.00亩1.1总建筑面积49381.641.2基底面积16340.191.3投资强度万元/亩376.572总投资万元20707.152.1建设投资万元16985.282.1.1工程费用万元14217.932.1.2其他费用万元2353.372.1.3预备费万元413.982.2建设期利息万元464.992.3流动资金万元3256.883资金筹措万元20707.153.1自筹资金万元11217.753.2银行贷款万元9489.404营业收入万元36500.00正常运营年份5总成本费用万元30006.58""6利润总额万元6314.91""7净利润万元4736.18""8所得税万元1578.73""9增值税万元1487.57""10税金及附加万元178.51""11纳税总额万元3244.81""12工业增加值万元11489.92""13盈亏平衡点万元15638.55产值14回收期年6.4715内部收益率16.24%所得税后16财务净现值万元3451.72所得税后七、 主要结论及建议该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。第二章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xx投资管理公司2、法定代表人：武xx3、注册资本：540万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-7-157、营业期限：2011-7-15至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额8007.196405.756005.39负债总额4013.913211.133010.43股东权益合计3993.283194.622994.96公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入16841.7013473.3612631.28营业利润3091.832473.462318.87利润总额2764.002211.202073.00净利润2073.001616.941492.56归属于母公司所有者的净利润2073.001616.941492.56五、 核心人员介绍1、武xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。2、白xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。3、李xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。4、姜xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。5、雷xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。6、魏xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、韩xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。8、廖xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨根据国家法律、法规及其他有关规定，依照诚实信用、勤勉尽责的原则，充分运用经济组织形式的优良运行机制，为公司股东谋求最大利益，取得更好的社会效益和经济效益。七、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第三章 项目建设背景、必要性一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300°C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。三、 坚持创新驱动发展，努力打造发展新动能坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，深入实施科教兴省战略、人才强省战略、创新驱动发展战略，整合优化科技资源配置，改善科技创新生态，完善创新体系，激发创新创造活力。（一）完善科技创新体制机制健全科技研发投入年度核算、评价考核和问责机制，确保如期实现研究与试验发展经费支出占地区生产总值比重目标，推动海口、三亚进入创新型城市行列。完善统分结合、齐抓共管的科技创新体制和创新成果转化机制。完善财政科技投入机制，加强与金融手段的协调配合，加快引导金融资本和民间资本进入创新领域，创新信用担保，设立创新基金。发挥企业创新主体作用，鼓励中小企业参与高新技术产业创新。推进国际科技交流合作。建立高等教育创新联合体。积极推进中国科学院、中国工程院等国家级科研机构、创新型大企业参与海南创新驱动发展战略。推动企业成为创新要素集成、科技成果转化的生力军，促进全省高新技术企业数量大幅增长。推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享。（二）打造特色创新平台抢抓全球新一轮科技革命和产业革命重要机遇，布局建设重大科技基础设施平台。围绕产业链部署创新链，围绕创新链布局产业链，推动高科技产业发展迈出更大步伐。聚焦海洋科技、热带特色高效农业、航天科技、生态环保、新能源、生命健康、人工智能和大数据等领域，统筹建设省重点实验室、省技术创新中心、省临床医学中心等省级创新平台，推进建设全国深海科技创新中心和成果孵化转化基地、全球热带农业中心和全球动植物种质资源引进中转基地、文昌国际航天城航天科技创新和成果转移转化基地、重大新药创制成果转移转化试点示范基地。高水平推进国际离岸创新创业示范区建设。（三）加快建设智慧海南加快推进各地区各部门间数据共享，打破“数据孤岛”。开展国际互联网数据交互试点，建设国际海底光缆及登陆点，设立国际通信出入口局，建成国际信息通信开放试验区。构建数字孪生治理体系，加快建设社会管理信息化平台，实现全域物流、资金流、人流等全要素数字化、虚拟化、实时可视可控，打造精细智能社会治理样板区。探索发展国际化远程医疗、远程教育，创建国际旅游消费智能体验岛。推进数字产业化和产业数字化，推动数字经济和实体经济深度融合，构筑开放型数字经济创新高地。初步将海南打造成为全球自由贸易港智慧标杆。四、 初步建立自由贸易港政策制度体系围绕贸易投资自由化便利化，打造法治化、国际化、便利化营商环境，破除妨碍生产要素市场化配置和商品服务流通的体制机制障碍，实现自由贸易港建设早期收获。（一）落实“零关税、低税率”政策实行部分进口商品零关税政策，落地实施“一负三正”四张清单。高水平举办中国国际消费品博览会。用足用好免税购物政策，优化全岛免税店布局，丰富免税商品种类，实现免税品品牌、品种、价格与国际“三同步”，形成日用消费品免税、离境退税、离岛免税三类免税购物并存，不断提升免税购物体验。落实好个人所得税、企业所得税优惠政策，根据实际动态调整享受个人所得税优惠政策高端紧缺人才清单和鼓励类产业目录，完善享受税收优惠政策争议协调工作机制。（二）推动贸易投资自由化便利化全面推进货物贸易零关税和服务贸易“既准入又准营”的制度创新。完善国际贸易“单一窗口”和国际投资“单一窗口”。完善市场准入制度，在具有强制性标准的领域，建立“标准制+承诺制”的投资制度。优化外资结构，提升利用外资水平。加强社会信用体系建设，健全社会信用奖惩联动机制。完善过程监管制度，对新技术、新产业、新业态、新模式实行包容审慎监管。加快培育数据要素市场，推进数据安全有序流动，在国家数据跨境传输安全制度框架下，开展数据跨境传输安全管理试点，创新数据资源确权、开放、流通、交易等相关制度。依法加强对产权的平等保护。探索建立与国际接轨的知识产权保护体系、知识产权侵权惩罚性赔偿制度。（三）深化财政金融等领域制度集成创新推进跨境资金流动自由便利。健全多功能自由贸易账户体系，构建海南金融对外开放基础平台。逐步提高非金融企业跨境融资杠杆率，建立充分满足市场主体自主融资需求的新外债管理体制。依法构建政府举债融资机制，推动设立海南自由贸易港建设投资基金，规范运用政府和社会资本合作等模式，引导社会资本参与基础设施和民生事业。建立规范透明、标准科学、约束有力的预算制度，全面实施绩效管理，加强专项资金管理改革。深化交通、水务等基础设施建设投融资改革，探索建立行政事业单位资产调剂共享机制，探索编制自然资源资产负债表，探索建立生态产品价值实现机制，开展资源资产资本化工作。坚持市场化改革方向，完善以管资本为主的国有资产监管体制，推动做强做优做大国有资本和国有企业。聚焦主业主责，有力有序有效推进国有资本布局和结构调整，打造一流国有资本综合性投资运营公司，打造一批主业突出、核心竞争力强的龙头产业集团和专业产业集团，努力实现跨越式发展。（四）打造一流营商环境努力打造营商环境“海南样板”，确保到2025年总体达到国内一流水平。实施优化营商环境的中长期行动计划。深化“双随机、一公开”的市场监管体制改革，推动行政人员编制向监管部门倾斜。扎实推进政务服务标准化、规范化、便利化、公开化，推进“一枚印章管审批”“一个窗口管受理”“一支队伍管执法”“最多跑一次”“就近办、马上办”，全面推行“极简审批”制度。健全各类市场主体评价反馈机制，动员人大代表、政协委员、民主党派、人民群众和新闻媒体等参与营商环境监督，完善营商环境评价考核机制及成果应用。建立党政领导和企业家常态化沟通联系机制，健全企业家参与涉企政策制定机制，营造亲清政商关系。切实帮助企业解决好经营中的实际困难。大力弘扬企业家精神，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济健康发展和非公有制经济代表人士健康成长，推动民营企业做大做强。（五）适时启动全岛封关运作加快推进海关特殊监管区域“一线”放开、“二线”管住的政策落地实施。高标准建设开放口岸和“二线口岸”基础设施、监管设施和信息化系统，建设全岛封关运作的配套设施设备。积极配合国家有关部门，建立海南自由贸易港边际管控体系，强化近海、岸线、岛内三道防控圈有效管控。在全岛封关运作的同时，依法将现行增值税、消费税、车辆购置税、城市维护建设税及教育费附加等税费进行简并，启动在货物和服务零售环节征收销售税相关工作。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 市场分析一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充