集成电路制造工艺员（三级）题库一.docx

集成电路制造工艺员（三级）题库一1、单选（江南博哥）在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。A.电子振荡放电B.离子自动放电C.低电压弧光放电D.双等离子电弧放电答案：A2、单选 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。A.动能最低B.稳定C.运动D.静止答案：B3、单选 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。A.电B.磁C.光D.热答案：C4、单选 He，OH，Na等元素在900下，在二氧化硅中的扩散率大于1013cm2/s，这些元素称为（）。A.活跃杂质B.快速扩散杂质C.有害杂质D.扩散杂质答案：B5、单选 pointdefect的意思是（）。A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.缺失的点答案：A6、单选 电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。A.离子B.原子团C.电子D.带电粒子答案：D7、多选 树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C8、单选 降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。A.增大B.减小C.不变D.变为0答案：B9、单选 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C10、单选 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D11、单选 Torr是指（）的单位。A.真空度B.磁场强度C.体积D.温度答案：A12、单选 离子散射方向与入射方向的夹角，称为（）。A.渐近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C13、单选 硅烷的分子式是（）。A.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B14、单选 （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A.溅射率B.溅射系数C.溅射效率D.溅射比答案：A15、单选 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。A.扩散剂总量B.压强C.温度D.浓度答案：D16、单选 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。A.正B.负C.中性D.以上答案都可以答案：A17、单选 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。A.传输率B.载流子浓度C.扩散梯度D.扩散系数答案：A18、多选 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。A.比色法B.双光干涉法C.椭圆偏振光法D.腐蚀法E.电容-电压法答案：A,B,C,D,E19、单选 危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。A.2族金属B.碱金属C.合金金属D.稀有金属答案：B20、多选 溅射的方法非常多其中包括（）。A.直流溅射B.交流溅射C.反应溅射D.二级溅射E.三级溅射答案：A,B,C,D,E21、单选 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。A.推挤扩散B.杂质扩散C.填隙扩散D.自扩散答案：D22、多选 按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。A.真空蒸发B.离子束蒸发C.电子束蒸发D.粒子束蒸发E.常压蒸发答案：A,B,C23、多选 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A.氧化B.改变导电类型C.涂层D.改变材料性质E.镀膜答案：B,D24、单选 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。A.临界剂量B.饱和剂量C.无损伤剂量D.零点剂量答案：A25、多选 微电子领域内，下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。A.台阶仪B.干涉显微镜C.光切显微镜D.扫描电镜E.椭偏仪答案：A,B,C,D26、多选 属于铝的性质有（）。A.电阻低B.抗电迁移特性好C.对硅氧化物有很好的黏合性D.有很高的纯度E.易于光刻答案：A,C,D,E27、单选 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。A.钠B.钾C.氢D.硼答案：A28、单选 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A29、单选 thermalconductivitygauge的意思是（）。A.离子计B.热传导真空计C.放电型真空计D.麦克劳式真空计答案：B30、单选 电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。A.直流B.工频及较高频率的交流C.直流及工频交流D.直流及工频与较高频率的交流答案：B集成电路制造工艺员（三级）考试资料1、多选 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。A.功能B.成品率C.物理性能D.电学性能E.外观答案：B,D2、单选 买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。A.3B.4C.5D.6答案：B3、单选 为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A4、单选 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A.耐热陶瓷器皿B.金属器皿C.石英舟D.玻璃器皿答案：C5、单选 ESD产生（）种不同的静电总类。A.1B.4C.3D.2答案：D6、多选 下列可作为磷扩散源的是（）。A.磷钙玻璃B.三氯氧磷C.三氯化磷D.磷烷E.掺磷二氧化硅乳胶源答案：A,B,C,D,E7、单选 在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。A.硝酸B.硝酸铜C.硫酸D.磺酸答案：A8、单选 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻胶D.去离子水答案：C9、单选 下列材料中电阻率最低的是（）。A.铝B.铜C.多晶硅D.金答案：D10、多选 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A.晶圆顶层的保护层B.多层金属的介质层C.多晶硅与金属之间的绝缘层D.掺杂阻挡层E.晶圆片上器件之间的隔离答案：B,C,E11、多选 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A.氧化B.改变导电类型C.涂层D.改变材料性质E.镀膜答案：B,D12、单选 以下属于口腔医务人员个人保护措施的是（）A.手套B.口罩C.防护镜D.保护性工作服E.以上均是答案：E13、多选 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。A.硼B.锡C.锑D.磷E.砷答案：C,D14、多选 属于铝的性质有（）。A.电阻低B.抗电迁移特性好C.对硅氧化物有很好的黏合性D.有很高的纯度E.易于光刻答案：A,C,D,E15、单选 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。A.临界剂量B.饱和剂量C.无损伤剂量D.零点剂量答案：A16、单选 在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。A.二次电子B.二次中子C.二次质子D.无序离子答案：A17、单选 企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。A.分力之和大于简单相加的结果B.分力之和等于简单相加C.共享开发工具、共享信息D.共同分担着开发失败的风险答案：A18、单选 引出系统要求能引出分散性较好的强束流，还希望具有较（）的气阻。A.无序B.稳定C.小D.大答案：D19、单选 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A20、多选 按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。A.真空蒸发B.离子束蒸发C.电子束蒸发D.粒子束蒸发E.常压蒸发答案：A,B,C21、单选 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在9501100的条件下，扩散时间大约（）为宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C22、多选 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。A.进行去水烘烤以保证晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E.也可以直接使用贮存的晶片答案：A,B,C,D23、单选 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D24、单选 铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。A.510nmB.2030nmC.5080nmD.100200nm答案：B25、单选 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。A.动能最低B.稳定C.运动D.静止答案：B26、单选 （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。A.PVDB.CVDC.溅射D.蒸发答案：B27、单选 为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。A.磁分析器B.正交电磁场分析器C.静电偏转电极D.束流分析仪答案：C28、多选 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。A.加强工艺操作B.加强人体和环境卫生C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备D.采用HCl氧化工艺E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹答案：A,B,C,D,E29、单选 半导体硅常用的施主杂质是（）。A.锡B.硫C.硼D.磷答案：D30、单选 thermalconductivitygauge的意思是（）。A.离子计B.热传导真空计C.放电型真空计D.麦克劳式真空计答案：B集成电路制造工艺员（三级）1、单选 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A.离子注入B.溅射C.淀积D.扩散答案：D2、单选 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。A.替位式B.间隙式C.施主D.可能是替位式也可能是间隙式答案：B3、单选 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积答案：C4、单选 将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后，装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱形交换柱内，自来水（）通过交换柱就能称为高纯度去离子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A5、单选 （）是通过把被蒸物体加热，利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A.蒸镀B.溅射C.离子注入D.CVD答案：A6、单选 硅烷的分子式是（）。A.SiF4B.SiH4C.CH4D.SiC答案：B7、单选 用电容电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。A.pn结理论B.欧姆定律C.库仑定律D.四探针技术答案：A8、多选 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A.负胶受显影液的影响比较小B.正胶受显影液的影响比较小C.正胶的曝光区将会膨胀变形D.使用负胶可以得到更高的分辨率E.负胶的曝光区将会膨胀变形答案：A,C,D9、单选 真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。A.衬底加热器B.抽气系统C.真空室D.蒸气源加热器答案：C10、单选 电流通过导线时，在导线里因电阻损耗而产生热量，导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。A.通过的电流值B.周围环境的温度C.散热条件D.导线长度答案：D11、多选 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。A.内部的杂质分布B.表面的杂质分布C.整个晶体的杂质分布D.内部的导电类型E.表面的导电类型答案：A,E12、单选 早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。A.重离子加速器B.热扩散炉C.质子分析仪D.轻离子分析器答案：A13、单选 下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。A.干氧氧化B.湿氧氧化C.水汽氧化D.与氧化方法无关答案：A14、单选 当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C15、多选 为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。A.低电阻率B.易与p或n型硅形成欧姆接触C.可与硅或二氧化硅反应D.易于光刻E.便于进行键合答案：A,B,D,E16、单选 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A.n型掺杂区B.P型掺杂区C.栅氧化层D.场氧化层答案：C17、单选 （）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。A.Cl2B.BCl3C.CO2D.H2答案：B18、单选 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。A.温度B.硅-二氧化硅界面处的化学反应C.氧的扩散速率D.压力答案：B19、单选 分析器是一种（）分选器。A.电子B.中子C.离子D.质子答案：C20、单选 扩散炉中的管道一般都是用（）制作。A.陶瓷B.玻璃C.石英D.金属答案：C21、单选 半导体硅常用的施主杂质是（）。A.锡B.硫C.硼D.磷答案：D22、多选 一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。A.产生一个离子并导向靶B.被轰击的原子向硅晶片运动C.离子把靶上的原子轰出来D.经过加速电场加速E.原子在硅晶片表面凝结答案：A,B,C,E23、单选 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A.单晶硅刻蚀B.多晶硅刻蚀C.二氧化硅刻蚀D.氮化硅刻蚀答案：A24、多选 离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。A.砷化氢B.二硼化氢C.三氟化硼D.硅烷E.氧气答案：A,B,D25、多选 从电极的结构看，溅射的方法包括（）。A.直流溅射B.交流溅射C.二级溅射D.三级溅射E.四级溅射答案：C,D,E26、单选 在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。A.SIMS技术B.扩展电阻技术C.微分电导率技术D.四探针技术答案：D27、单选 晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。A.极大值B.极小值C.既不极大也不极小D.小于动能答案：B28、单选 （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A.刻蚀速率B.刻蚀深度C.移除速率D.刻蚀时间答案：A29、多选 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。A.光学曝光B.离子束曝光C.接近式曝光D.电子束曝光E.投影式曝光答案：A,B,D30、多选 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A.ARC可以是硅的氮化物B.可用干法刻蚀除去C.ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D.ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E.ARC膜也可以通过CVD的方法形成答案：A,B,C,D,E31、多选 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A.晶圆顶层的保护层B.多层金属的介质层C.多晶硅与金属之间的绝缘层D.掺杂阻挡层E.晶圆片上器件之间的隔离答案：B,C,E32、单选 ESD产生（）种不同的静电总类。A.1B.4C.3D.2答案：D33、单选 离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。A.分析器B.扫描器C.加速器D.偏转器答案：C34、多选 真空镀膜室是由（）几部分组成。A.钟罩B.蒸气源加热器C.衬底加热器D.活动挡板E.底盘答案：A,B,C,D,E35、单选 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A.晶振B.电容C.电感D.PN结答案：D36、单选 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。A.结晶形态B.非结晶形态C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的D.以上都不对答案：B37、单选 沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。A.不会影响成品率B.晶圆缺陷C.成品率损失D.晶圆损失答案：C38、单选 买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。A.3B.4C.5D.6答案：B39、多选 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。A.负胶的感光区域溶解B.正胶的感光区域溶解C.负胶的感光区域不溶解D.正胶的感光区域不溶解E.负胶的非感光区域溶解答案：B,C,E40、多选 微电子领域内，下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。A.台阶仪B.干涉显微镜C.光切显微镜D.扫描电镜E.椭偏仪答案：A,B,C,D41、单选 检验水中是否有盐酸，可用（）溶液滴入水中，如果出现白色沉淀，就表示水中有盐酸。A.氧化铜B.硝酸镁C.硝酸银D.氯化铜答案：C42、多选 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。A.进行去水烘烤以保证晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好C.刚刚处理好的晶片应立即涂胶D.贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥E.也可以直接使用贮存的晶片答案：A,B,C,D43、单选 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A.能量淀积B.动量淀积C.能量振荡D.动量振荡答案：A44、多选 在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。A.电路图形结构的凹凸B.尺寸大小C.位置分布D.高度E.密集程度答案：A,B,C,D,E45、多选 电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。A.低压仪表B.高压仪表C.直流仪表D.交流仪表E.交直流仪表答案：C,D,E46、单选 悬浮在空气中的颗粒称为（）。A.悬浮物B.尘埃C.污染颗粒D.浮质答案：D47、单选 干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B.氧化的速度慢C.生长的二氧化硅缺陷多D.生长的二氧化硅薄膜钝化效果差答案：B48、单选 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。A.恒定总掺杂剂量B.不恒定总掺杂剂量C.恒定杂志浓度D.不恒定杂志浓度答案：A49、单选 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A.多晶硅B.单晶硅C.铝硅铜合金D.铜答案：C50、单选 真空镀膜室内，在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板，用来（）。A.隔挡气体交换B.控制蒸发的过程C.辅助热量交换D.温度调节答案：B51、单选 下列材料中电阻率最低的是（）。A.铝B.铜C.多晶硅D.金答案：D52、单选 二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。A.降低B.增加C.不变D.先降低后增加答案：A53、多选 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A.埋层B.外延C.PN结D.扩散电阻E.隔离区答案：A,C,D54、多选 下列可作为磷扩散源的是（）。A.磷钙玻璃B.三氯氧磷C.三氯化磷D.磷烷E.掺磷二氧化硅乳胶源答案：A,B,C,D,E55、单选 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。A.烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B.烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C.烘烤的温度一般在300左右D.烘烤的时间越长越好答案：B56、多选 静电释放带来的问题有哪些（）。A.金属电迁移B.金属尖刺现象C.芯片产生超过1A的峰值电流D.栅氧化层击穿E.吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面答案：C,D,E57、单选 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻胶D.去离子水答案：C58、单选 在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。A.二氧化锰B.铝C.氧化铬D.金刚石答案：A59、单选 真空蒸发又被人们称为（）。A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空答案：B60、单选 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。A.等离子体B.不等离子体C.正离子体D.液电流答案：A61、单选 （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A.溅射率B.溅射系数C.溅射效率D.溅射比答案：A62、多选 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。A.正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶B.正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解C.负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低D.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解E.负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低答案：A,C,E63、单选 （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。A.热退火B.激光退火C.连续激光退火D.脉冲激光退火答案：B64、单选 薄膜沉积的机构，依发生的顺序，可以分为这几个步骤。其中不包括（）。A.形成晶核B.晶粒自旋C.晶粒凝结D.缝道填补答案：B65、多选 （）的方法有利于减少热预算。A.高压氧化B.湿氧氧化C.掺氯氧化D.氢氧合成氧化E.等离子增强氧化答案：A,E66、单选 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。A.离子距离B.靶厚C.射程D.注入深度答案：C67、单选 离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。A.正B.负C.中性D.以上答案都可以答案：A68、单选 为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A69、单选 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。A.长度B.深度C.宽度D.表面平整度答案：B70、单选 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻胶D.多晶硅答案：B71、单选 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。A.钠B.钾C.氢D.硼答案：A72、单选 以下属于口腔医务人员个人保护措施的是（）A.手套B.口罩C.防护镜D.保护性工作服E.以上均是答案：E73、单选 企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。A.分力之和大于简单相加的结果B.分力之和等于简单相加C.共享开发工具、共享信息D.共同分担着开发失败的风险答案：A74、单选 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。A.临界剂量B.饱和剂量C.无损伤剂量D.零点剂量答案：A75、单选 树脂的外形为（）的球状颗粒。A.淡黄色或褐色B.黑色或棕色C.淡红色或褐色D.淡蓝色或棕色答案：A76、多选 直流二极管辉光放电系统是由（）构成。A.抽真空的玻璃管B.抽真空后再充入某种低压气体的玻璃管C.两个电极D.加速器E.增益管答案：B,C77、多选 树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C78、单选 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A.耐热陶瓷器皿B.金属器皿C.石英舟D.玻璃器皿答案：C79、单选 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。A.液氮冷阱B.净化阱C.抽气阱D.无气泵答案：A80、单选 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案：D81、单选 局域网中使用中继器的作用是（）。A.可以实现两个以上同类网络的联接B.可以实现异种网络的互连C.实现信号的收集、缓冲及格式的变换D.实现传递信号的放大和整形答案：D82、单选 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A.选择性B.均匀性C.轮廓D.刻蚀图案答案：B83、单选 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。A.重要步骤B.次要步骤C.首要步骤D.不一定答案：C84、单选 静电释放的英文简述为（）。A.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C85、单选 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A.ARCB.HMDSC.正胶D.负胶答案：C86、单选 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。A.锡B.硼C.磷D.锰答案：A87、单选 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。A.NaB.BC.PD.As答案：A88、多选 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金属C.单晶硅多晶硅D.铝铜E.铝硅答案：A,E89、单选 thermalconductivitygauge的意思是（）。A.离子计B.热传导真空计C.放电型真空计D.麦克劳式真空计答案：B90、多选 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A.CF4B.BCl3C.Cl2D.F2E.CHF3答案：B,C91、多选 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。A.氧化B.改变导电类型C.涂层D.改变材料性质E.镀膜答案：B,D92、单选 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A.铜B.铝C.金D.二氧化硅答案：D93、单选 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。A.传输率B.载流子浓度C.扩散梯度D.扩散系数答案：A94、多选 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A.CA光刻胶对深紫外光吸收小B.CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C.CA光刻胶在显影液中的可溶性强D.有较高的光敏度E.有较高的对比度答案：A,B,C,D,E95、单选 有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A.离子注入B.刻蚀C.扩散D.光刻答案：D96、单选 干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。A.稍高于B.大大于C.等于D.没有要求答案：A97、多选 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A.红外线辐射B.X射线照射C.加热D.紫外光辐射E.电子束扫描答案：C,D98、单选 在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。A.硝酸B.硝酸铜C.硫酸D.磺酸答案：A99、单选 由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。A.置换B.化学C.不可逆D.可逆答案：D100、多选 按加热源的不同，可以分成（）几种不同类型的蒸发。A.真空蒸发B.离子束蒸发C.电子束蒸发D.粒子束蒸发E.常压蒸发答案：A,B,C101、多选 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。A.低温注入B.常温注入C.高温注入D.分子注入E.双注入答案：A,D,E102、多选 铜与铝相比较，其性质有（）。A.铜的电阻率比铝小B.铝的熔点较高C.铝的抗电迁移能力较弱D.铜与硅的接触电阻较小E.铜可以在低温下淀积答案：A,C,E103、单选 在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。A.蒸馏水B.自来水C.去离子水D.矿泉水答案：C104、多选 （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A.薄膜成长B.蒸发C.薄膜沉积D.溅射E.以上都正确答案：B,C,D105、多选 晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A.除去光刻胶中剩余的溶剂B.增强光刻胶对晶片表面的附着力C.提高光刻胶的抗刻蚀能力D.有利于以后的去胶工序E.减少光刻胶的缺陷答案：A,B,C,E106、单选 在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。A.二次电子B.二次中子C.二次质子D.无序离子答案：A107、单选 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。A.自扩散机制B.杂质扩散机制C.空位机制D.菲克扩散方程机制答案：C108、单选 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在9501100的条件下，扩散时间大约（）为宜。A.46hB.50min2hC.1040minD.510min答案：C109、多选 净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。A.颗粒B.金属C.有机分子D.静电释放（ESD）E.水答案：A,B,C,D110、单选 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。A.乙醇B.HCLC.H2SO4D.HNO3答案：D111、多选 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A.单晶硅B.多晶硅C.硅化金属D.二氧化硅E.氮化硅答案：B,C112、单选 由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。A.几伏B.几十伏C.几百伏D.几万伏答案：D113、单选 复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。A.交换柱B.混合床C.混合柱D.复合柱答案：A114、单选 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。A.结晶形态B.非结晶形态C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的D.以上都不对答案：B115、单选 在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中，自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫（）。A.平均运动范围B.平均速度C.平均碰撞距离D.平均自由程答案：D116、单选 通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。A.11.8倍B.1.31.8倍C.1.32.1倍D.1.52.3倍答案：C117、多选 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。A.功能B.成品率C.物理性能D.电学性能E.外观答案：B,D118、单选 （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A.蒸镀B.离子注入C.溅射D.沉积答案：C119、单选 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A.薄膜沉积B.薄膜成长C.蒸发D.溅射答案：B120、单选 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A.刻蚀速率B.选择性C.各向同性D.各向异性答案：B121、单选 如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。A.单晶靶B.超晶靶