第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷及答案标准word版.docx
第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷15678总分910111213141516本卷共16题,满分200分得分阅卷复核一、选择题本题共5小题,每小题6分在每小题给出的4个选项中,有的小题只有一项符合题意,有的小题有多项符合题意。把符合题意的选项前面的英文字母写在每小题后面的方括号内全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错或不答的得0分1.2014年3月8日凌晨2点40分,马来西亚航空公司一架波音777-200飞机与管制中心失去联络2014年3月24日晚,初步确定失事地点位于南纬31º52、东经115 º 52的澳大利亚西南城市珀斯旁边的海疆有一颗绕地球做匀速圆周运动的卫星,每天上午同一时刻在该区域正上方对海面拍照,则A.该卫星肯定是地球同步卫星B.该卫星轨道平面与南纬31 º 52所确定的平面共面C.该卫星运行周期肯定是地球自转周期的整数倍D.地球自转周期肯定是该卫星运行周期的整数倍2.23892U(铀核)衰变为22288Rn(氡核)要经过 A.8次衰变,16次衰变 B.3次衰变,4次衰变 C.4次衰变,16次衰变 D. 4次衰变,4次衰变3如图,一半径为R的固定的光滑绝缘圆环,位于竖直平面内;环上有两个一样的带电小球a和b(可视为质点),只能在环上挪动,静止时两小球之间的间隔 为R。现用外力缓慢推左球a使其到达圆环最低点c,然后撤除外力下列说法正确的是A.在左球a到达c点的过程中,圆环对b球的支持力变大B在左球a到达c点的过程中,外力做正功,电势能增加。C.在左球a到达c点的过程中,a、b两球的重力势能之和不变D.撤除外力后,a、b两球在轨道上运动过程中系统的能量守恒4如图,O点是小球平抛运动抛出点;在O点有一个频闪点光源,闪光频率为30Hz;在抛出点的正前方,竖直放置一块毛玻璃,小球初速度与毛玻璃平面垂直在小球抛出时点光源开场闪光当点光源闪光时,在毛玻璃上有小球的一个投影点已知图中O点与毛玻璃程度间隔 L=120 m,测得第一、二个投影点之间的间隔 为0.05 m取重力加速度g=10m/s2下列说法正确的是A.小球平抛运动的初速度为4m/sB小球平抛运动过程中,在相等时间内的动量改变不相等C小球投影点的速度在相等时间内的改变量越来越大D.小球第二、三个投影点之间的间隔 015m5某同学用电荷量计(能测出一段时间内通过导体横截面的电荷量)测量地磁场强度,完成了如下试验:如图,将面积为S,电阻为"的矩形导线框abcd沿图示方位程度放置于地面上某处,将其从图示位置绕东西轴转180º,测得通过线框的电荷量为Q1;将其从图示位置绕东西轴转90 º ,测得通过线框的电荷量为Q2.该处地磁场的磁感应强度大小应为A.B. C. D. 二、填空题把答案填在题中的横线上只要给出结果,不需写出求得结果的过程得分阅卷复核6(10分)程度力F方向确定,大小随时间的改变如图a所示;用力F拉静止在程度桌面上的小物块,在F从0开场渐渐增大的过程中,物块的加速度a随时间改变的图象如图b所示重力加速度大小为10m/s2。由图示可知,物块与程度桌面间的最大静摩擦力为 ;物块与程度桌面间的动摩擦因数为 ;在04s时间内,合外力做的功为 。得分阅卷复核7(10分)如图,物块A、C置于光滑程度桌面上,通过轻质滑轮和细绳悬挂物块B,物块A、B的质量均为2kg,物块C的质量为1 kg,重力加速度大小为10m/s2 。(1)若固定物块C,释放物块A、B,则物块A、B的加速度之比为;细绳的张力为。(2)若三个物块同时由静止释放,则物块A、B和C加速度之比为。得分阅卷复核8 (10分)2011年8月中国放射的宇宙飞船“嫦娥二号”在完成探月任务后,首次从绕月轨道飞向日地延长线上的拉格朗日点,在该点,“嫦娥二号”和地球一起同步绕太阳做圆固运动已知太阳和地球的质量分别为MS和ME, 日地间隔 为R该拉格朗日点离地球的间隔 x满意的方程为,由此解得x · (已知当<<l时,(1+)n1+n)得分阅卷复核9 (10分)在“利用电流传感器(相当于志向电流表)测定干电池电动势和内阻”的试验中,某同学利用两个电流传感器和定值电阻R0=2000以及滑动变阻器,设计了如图a所示的电路,进展试验该同学测出的试验数据如下表所示12345I1/mA135130120110105I2/A030040060080090表中I1和I2分别是通过电流传感器1和2的电流该电流的值通过数据采集器输入到计算机,数据采集器和计算机对原电路的影响可忽视(1)在图b中绘出I1I2图线;(2)由I1I2图线得出,被测电池的电动势为 V,内阻为 得分阅卷复核10 (10分)某金属材料发生光电效应的最大波长为0,将此材料制成一半径为R的圆球,并用绝缘线悬挂于真空室内若以波长为(<0)的单色光持续照耀此金属球,该金属球发生光电效应所产生光电子的最大初动能为 ,此金属球可带的电荷量最多为 , (设无穷远处电势为零,真空中半径为r带电量为q的导体球的电势为U=k)三、计算题。计算题的解容许写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤,只写出最终结果的不能得分.有数值计算的,答案中必需明确写出数值和单位得分阅卷复核11 (20分)某机场候机楼外景如图a所示。该候机楼构造简化图如图b所示:候机楼侧壁是倾斜的,用钢索将两边斜壁系住,在钢索上有很多竖直短钢棒将屋面支撑在钢索上假设海边斜壁的质量为m,质量分布匀称;钢索与屋面(包括短钢棒)的总质量为,在地面处用铰链与程度地面连接,钢索固定于斜壁上端以支撑整个屋面,钢索上端与斜壁的夹角为30º;整个系统左右对称求(1j斜壁对钢索的拉力的大小;(2)斜壁与地面的夹角得分阅卷复核12.(20分)从左至右在同程度地面上依次有3个质点a、b、c,且三者共线,a与b相距l1,b与c相距l2现同时将它们从其初始位置抛出已知质点b以初速度v0竖直上抛,质点c以某一初速度竖直上抛设在这3个质点的运动过程中,a能遇到质点b和c;并假设质点a的质量远大于质点b的质量,且a与b碰撞时间极短求质点c的初速度vc和质点a的初速度所满意的条件。所求的结果均用题中的已知量表示出来。得分阅卷复核13 (20分)有块长条形的纯洁半导体硅,其横截面积为25cm2,通有电流2mA时,其内自由电子定向挪动的平均速率为75×10-5m/s,空穴定向挪动的平均速率为25 ×10-5m/s已知硅的密度为24×103kg/m3,原子量是28电子的电荷量大小为e=16×10-19C若一个硅原子至多只释放一个自由电子,试估算此半导体材料中平均多少个硅原子中才有一个硅原子释放出自由电子阿伏伽德罗常数为N0=602×1023mol-1得分阅卷复核14 (20分)电子感应加速器利用改变的磁场来加速电子电子绕平均半径为R的环形轨道(轨道位于真空管道内)运动,磁感应强度方向与环形轨道平面垂直。 电子被感应电场加速,感应电场的方向与环形轨道相切电子电荷量为e。(1)设电子做圆周运动的环形轨道上的磁感应强度大小的增加率为,求在环形轨道切线方向感应电场作用在电子上的力;(2)设环形轨道平面上的平均磁感应强度大小的增加率为,试导出在环形轨道切线方向感应电场作用在电子上的力与的关系;(3)为了使电子在不断增加的磁场中沿着半径不变的圆轨道加速运,求和之间必需满意的定量关系得分阅卷复核15.(20分)如图,导热性能良好的气缸A和B高度均为h(已除开活塞的厚度),横截面积不同,竖直浸没在温度为T0的恒温槽内。它们的底部由细管连通(细管容积可忽视)两气缸内各有一个活塞,质量分别为mA=2m和mB=m,活塞与气缸之间无摩擦,两活塞的下方为志向气体,上方为真空。当两活塞下方气体处于平衡状态时,两活塞底面相对于气缸底的高度均为。现保持恒温槽温度不变,在两活塞土上面同时各缓慢加上同样大小的压力,让压力从零缓慢增加,直至其大小等于2mg(g为重力加速度)为止。并始终保持两活塞上的压力不变;系统再次到达平衡后,缓慢上升恒温槽的温度,对气体加热,直至气缸B中活塞底面恰好回到高度为处求(1)两个活塞的横截面积之比SA:SB;(2)气缸内气体的最终的温度;(3)在加热气体的过程中气体对活塞所做的总功。得分阅卷复核16 (20分)如示意图所示,一垂直放置的高为15.0cm的圆柱形中空玻璃容器,其底部玻璃较厚,底部顶点A点到容器底平面中心B点的间隔 为8.0cm,底部上沿为一凸起的球冠,球心C点在A点正下方,球的半径为1.75cm已知空气和容器玻璃的折射率分别是n0=1.0和n1=1.56只考虑近轴光线成像。 已知:当1时,sin(1)当容器内未装任何液体时,求从B点发出的光线通过平凸玻璃柱,在玻璃柱对称轴上所成的像的位置,并推断像的虚实;(2)当容器内装满折射率为1.30的液体时,求从B点发出的光线通过平凸玻璃柱的上外表折射后所成像点的位置,并推断这个像的虚实。第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷参考解答与评分标准一、选择题本题共5小题,每小题6分在每小题给出的4个选项中,有的小题只有一项符合题意,有的小题有多项符合题意把符合题意的选项前面的英文字母写在每小题后面的方括号内。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错或不答的得0分 1 D 2D 3BD 4A 5C二、填空题把答案填在题中的横线上只要给出结果,不需写出求得结果的过程 6(10分)答案: 6N 3分0.13分24J4分7.(10分 )答案:(1)2:1 3分 ; 8N 3分(2)2:3:44分8.(10分 )答案:= (R+x ) 6分R 4分9.(10分 )答案 :(1)I1I2图线为4分(2)3.0(± 0.1) 3分 ; 1.0(± 0.1)3分10. (10分 )答案:5分 ; 5分三、计算题.计算题的解容许写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤,只写出最终结果的不能得分。有数值计算的,答案中必需明确写出数值和单位.11.(20分)设斜壁长度为l,斜壁对钢索的拉力大小为F,斜壁与程度地面所夹锐角为,由力矩平衡条件得F=mgcos 钢索与屋面作为一个整体受到三个力:两端的拉力大小均为 F(与程度方向的夹角为-30º),竖直向下的重力mg,由力的平衡条件得2Fsin(-30°)= mg 由式得cossin(-30°)= 由三角中的积化和差公式有sin(-30 º -)+ sin(-30 º +)= 即sin(2-30 º) =1 解得=60 º 由式得F=mg评分参考 :式各 4分 ,式各 3分.12.(20分)以质点 a的初始位置为原点,向右为x轴正向,向上为y轴正向.设a的初速度x和y重量分别为 vx 和 vy.按抛体运动公式,在时刻t质点a、b、c的坐标分别为(xa,ya)=(vxt,vyt-gt2) (xb,yb)=(l1,v0t-gt2) (xc,yc)=( l1+l2,vct-gt2) a与 b相碰的条件是,存在时刻t1, 使满意vxt1=l1vyt1-gt12= v0t1-gt12v0t1-gt120式来自于程度地面对质点y坐标的限制。由式得vy= v0vxg 由于 a与 b碰撞时间极短,可忽视重力的影响。在a与b碰撞前后,系统的动量和能量守恒mavx= mav'x+ mbv'bxma+ mbvby(t1)=mav'y(t1)+mbv'by(t1)mavx2+ vy2 (t1)+ mbvby2(t1)=mav'x2+ v'y2 (t1)+ mbv'bx2+ v'by2 (t1) 式中,碰后的有关速度用打撇的字母表示.由题意,可认为mb=0.将mb=0代入式得vx=v'x ,vy (t1)v'y (t1)可见,质点b的运动对质点a的运动的影响可忽视。同理,a与c相碰的条件是,存在时刻t2,使满意vxt2=l1+ l2vyt2-gt22= vct2-gt22 vct2-gt220 由式得vc=vy vxg 由式得,质点c的初速度vc为vc=v0 质点 a的初速度应满意的条件为vxg vy=vc=v0 评分参考:式各 2分 ,各1分.13.(20分)设此半导体单位体积内有n个自由电子(因此也有n个空穴),以S表示此半导体的横截面积,vl和v2分别表示半导体中空穴和自由电子的定向挪动速率,Il和I2分别表示半导体中空穴和自由电子定向挪动形成的电流,则Il=nevlS I2=nev2S 半导体中的总电流为I =Il +I2 由此得n=由题意知 ,此半导体单位体积内有 瓦个硅原子释放出自由电子.单位体积半导体硅内的原子个数为N=N0 式中和M分别为硅的密度和摩尔质量,N0=6.02×1023mo1-1是阿伏伽德罗常数.由式得= 代入有关数据得=1×105 即此半导体材料中,平均约1×105个硅原子释放出一个自由电子.评分参考:式各 4分 ,式 3分,式 2分 ,式 3分 ,式各2分.14.(20分)(1)设电子做圆周运动的圆轨道上的磁感应强度大小为 B,方向与环面垂直。由牛顿第二定律和洛伦兹力公式得evB=m 设在圆轨道切线方向作用在电子上作用力为F,根据动量定理有Ft= (mv) 由式得F=eR (2)根据法拉第电磁感应定律 ,在电子运动的圆轨道上的感应电动势为= 式中圆轨道所张的面上的磁通量 为=R2 这里, 为圆轨道所张的面上的平均磁感应强度。由式得=R2 考虑电子运行一圈感应电场所做的功,由电动势的定义可得=2RE 电子在圆轨道切向所受到的力为F=qE 由式得,F=eR (3)和式所表示的是同样的力的大小.联立式得= 这就是为了使电子在不断增加的磁场中沿着半径不变的圆轨道加速运动, 和之间必需满意的定量关系.评分参考:第 (1)问 6分 ,式各 2分 ;第 (2)问10分 ,式各2分 ;第 (3)问 4分 ,式4分.15.(20分)(1)平衡时气缸A、B内气体的压强相等,故 由式和题给条件得SA:SB=2:1 (2)两活塞上各放一质量为2m的质点前,气体的压强pl和体积V1分别为p1= V1=SBh 两活塞上各放一质量为 2m的质点后,B中活塞所受到的气体压力小于它和质点所受重力之和,B中活塞将始终下降至气缸底部为止,B中气体全部进入气缸A.假设此时气缸A中活塞并未上升到气缸顶部,气体的压强p2为p2= 设平衡时气体体积为V2.由于初态末态都是平衡态,由志向气体状态方程有 由式得V2=SBh =SAh 这时气体的体积小于气缸A的体积,与活塞未上升到气缸顶部的假设一样.缓慢加热时,气体先等压膨胀,B中活塞不动,A中活塞上升;A中活塞上升至顶部后,气体等容升压;压强升至时,B中活塞开场上升,气体等压膨胀。设当温度升至T时,该活塞恰位于处.此时气体的体积变为V3=SBh 气体压强p3= 设此时气缸内气体的温度为T,由 状态方程有 由式得T=5T0 (3)上升恒温槽的温度后,加热过程中,A活塞上升量为h-h=h 气体对活塞所做的总功为W=4mg·h+3mg·h=4mgh 评分参考:第 (1)问 3分 ,式2分 ,式1分 ;第(2)问 13分, 式各2分,式各1分 ;第 (3)问 4分 , 式各2分.16.(20分 )(1)容器底部凸面两侧介质的折射率分别是n1=1.56和n0=1.0。如图,由 B点发出的经过球心C的光线BA经过顶点A后,方向不变,进入空气中;由B点发出的与BA成角的另一条光线BD在D点折射,设折射角为,并与前一条出射光线交于 E点,E点即B点的像点的位置。由折射定律和几何关系得nlsin=n0sin = + = + 在三角形 BCD和三角形 CDE中 ,由正弦定理可得 由于只考虑近轴光线成像,所以、都是小角度,式可写为n1= n0= =由式可得+= (1+)0.82所考虑的光线是会聚的,故所成的像为实像.由 式可得将题给数据代入上式得1.75cm=9.75cm 由式和题给数据得= (8.0-1.75+9.75)cm=16.0cm B点发出的光线通过平凸玻璃柱,在玻璃柱对称轴上所成的像点的位置在C点正上方9.75cm处或在B点正上方16.0cm处.(2)容器底部凸面两侧介质的折射率分别是nl=1.56和n2=1.30.如图,由B点发出的经过球心C的光线BA经过顶点A后,方向不变,进入液体中;由B点发出的与BA成角的另一条光线BD在D点折射,设折射角为,并与前一条出射光线交E点,E点即B点发出的光线第一次折射后所成像点的位置.由折射定律和几何关系可得nlsin=n2sin = + = + 在三角形 BCD和三角形 CDE中 ,由 正弦定理可得 由于只考虑近轴光线成像,所以、都是小角度, 式可写为n1= n2= =由式可得+= (1+)1.07>所考虑的光线是发散的,故所成的像为虚像.由式得将有关数据代入上式可得 :1.75cm=26.25cm 由式和题给数据得= (1.75+26.25-8.0)cm=20.0cm B点发出的光线通过平凸玻璃柱,第一次折射后所成的像点的位置在C点正下方26.25cm处或在 B点正下方20.0cm处.评分参考 :第 (1)问 10分 ,式各 1分 ;第 (2)问 10分 , 式各1分