芯片失效分析及材料分析.docx

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芯片失效分析及材料分析芯片IC失效分析(FA)：光学检查(VI/OM)；扫描电镜检查(FIB/SEM)微光分析定位(EMMI/InGaAs)；OBIRCII ； Micro-probe;聚焦离子束微观分析(FIB)；弹坑试验(cratering)；芯片开封(decap)；芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；PN结染色/码染色试验；推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：PCBA 切片分析(X-section)；芯片材料分析：高辨别TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；SEM (形貌观看、截面观看、膜厚测量、EBSD)；Raman (Raman 光谱)；AFM (微观表面形貌分析、台阶测量);测试地点:广电计量广州总部试验室、广电计量上海试验室。GRGT李工TEL 138+0884+0060芯片失效分析方向主要设备目检、外观检查设备：光学显微镜金相显微镜电性失效分析设备：微光发射显微镜InGaAs激光诱导光发射显微镜OBI RCH IV测试机探针台微观形貌分析设备：扫描电子显微镜双束聚焦离子束覆盖测试：/外观检测/热点定位/电性测试/微观切片分析/形貌分析微光发射显微镜广电计量一002967 X-ray检查仪光学显微镜扫描电子显微镜

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