晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程百度文库精.doc

一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，那么需要进展深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆外表。再由一或多组侦测器接收自晶圆外表绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进展底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作准确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装Packaging IC构装依使用材料可分为陶瓷ceramic及塑胶plastic两种，而目前商业应用上那么以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割die saw、黏晶die mount / die bond、焊线wire bond、封胶mold、剪切/成形trim / form、印字mark、电镀plating及检验inspection等。 (1 晶片切割die saw 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒die切割别离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进展晶片切割，首先必须进展晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进展切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐防止了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2 黏晶die mount / die bond 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶epoxy粘着固定。黏晶完成后之导线架那么经由传输设备送至弹匣magazine内，以送至下一制程进展焊线。 (3 焊线wire bond IC构装制程Packaging那么是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路Integrated Circuit；简称IC，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，防止电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架Pin，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4 封胶mold 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5 剪切/成形trim / form 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除dejunk。成形之目的那么是将外引脚压成各种预先设计好之形状 ，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6 印字mark及电镀plating 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。 (7 检验inspection 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中工程包括诸如：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。 (8 封装 制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成电路功能是否正常。 2. 测试制程Initial Test and Final Test (1 芯片测试wafer sort (2 芯片目检die visual (3 芯片粘贴测试die attach (4 压焊强度测试lead bond strength (5 稳定性烘焙stabilization bake (6 温度循环测试temperature cycle (7 离心测试constant acceleration (8 渗漏测试leak test (9 上下温电测试 (10 高温老化burn-in (11 老化后测试post-burn-in electrical testB.半导体制造工艺流程 NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片编批清洗水汽氧化一次光刻检查清洗干氧氧化硼注入清洗 UDO淀积清洗硼再扩散二次光刻检查单结测试清洗干氧氧化磷注入清洗铝下CVD清洗发射区再扩散三次光刻检查双结测试清洗铝蒸发四次光刻检查氢气合金正向测试清洗铝上CVD检查五次光刻检查氮气烘焙检查中测中测检查粘片减薄减薄后处理检查清洗反面蒸发贴膜划片检查裂片外观检查综合检查入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片编批擦片前处理一次氧化QC检查tox 一次光刻QC检查前处理基区CSD涂覆CSD预淀积后处理QC检查R前处理基区氧化扩散QC检查tox、R二次光刻QC检查单结测试前处理POCl3预淀积后处理P液QC检查前处理发射区氧化QC 检查tox前处理发射区再扩散R前处理铝下CVDQC检查tox、R前处理HCl氧化前处理氢气处理三次光刻QC检查追扩散双结测试前处理铝蒸发QC检查tAl四次光刻QC检查前处理氮气合金氮气烘焙QC检查ts五次光刻QC检查大片测试中测中测检查粘片减薄减薄后处理检查清洗反面蒸发 贴膜划片检查裂片外观检查综合检查入中间库。GR平面品种小功率三极管工艺流程为：编批擦片 前处理一次氧化QC检查tox一次光刻QC检查前处理基区干氧氧化QC检查tox一GR光刻不腐蚀 GR硼注入湿法去胶前处理GR基区扩散QC检查Xj、R硼注入前处理基区扩散与氧化QC检查Xj、tox、 R二次光刻QC检查单结测试前处理发射区干氧氧化QC检查tox磷注入前处理发射区氧化和再扩散前处理 POCl3预淀积R后处理前处理铝下CVDQC检查tox前处理氮气退火三次光刻QC检查双结测试 前处理铝蒸发QC检查tAl四次光刻QC检查前处理氮气合金氮气烘焙正向测试五次光刻QC检查大片测试中测编批中测中测检查入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：编批擦片前处理一次氧化QC 检查tox一次光刻QC检查前处理基区干氧氧化QC检查tox一硼注入前处理基区扩散后处理QC检查Xj、R前处理基区CSD涂覆CSD预淀积后处理QC检查R前处理基区氧化与扩散QC检查Xj、tox、 R二次光刻QC检查单结测试磷注入前处理发射区氧化前处理发射区再扩散前处理POCl3预淀积R 后处理前处理HCl退火、N2退火三次光刻QC检查双结测试前处理铝蒸发QC检查tAl四次光刻QC检查 前处理氮氢合金氮气烘焙正向测试ts外协作ts前处理五次光刻QC检查大片测试测试ts中测编批 中测中测检查入中间库。变容管制造的工艺流程为：外延片编批擦片前处理一次氧化QC检查 N+光刻QC检查前处理干氧氧化QC检查P+注入前处理N+扩散P+光刻QC检查硼注入1前处理 CVDLTOQC检查硼注入2前处理LPCVDQC检查前处理P+扩散特性光刻电容测试是否再加扩电容测试.直到到达电容测试要求三次光刻QC检查前处理铝蒸发QC检查tAl铝反刻QC检查前处理 氢气合金氮气烘焙大片测试中测电容测试粘片减薄QC检查前处理反面蒸发综合检查入中间库。P+扩散时间越长，一样条件下电容越小。稳压管N衬底制造的工艺流程为：外延片编批擦片前处理一次氧化QC检查P+光刻QC检查前处理干氧氧化QC检查硼注入前处理铝下 UDOQC检查前处理P+扩散特性光刻扩散测试反向测试前处理是否要P+追扩三次光刻QC检查前处理铝蒸发QC检查tAl四次光刻QC检查前处理氮气合金氮气烘焙大片测试中测。P+扩散时间越长，一样条件下反向击穿电压越高。肖特基二极管根本的制造工艺流程为：编批擦片前处理一次氧化QC检查toxP+光刻QC检查硼注入前处理P+扩散与氧化QC检查Xj，R，tox三次光刻QC检查前处理铬溅射前泡酸铬溅射QC检查tcr先行片热处理先行片后处理特性检测先行片：VBR，IR热处理后处理特性测试VBR，IR前处理钛/铝蒸发QC检查tAl四次光刻QC检查前处理氮气合金先行VBR，IR氮气合金特性测试VBR，IR大片测试中测反向测试抗静电测试中测检验 如中转库。