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    实验二存储器实验(4页).doc

    • 资源ID:35963899       资源大小:128.50KB        全文页数:4页
    • 资源格式: DOC        下载积分:15金币
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    实验二存储器实验(4页).doc

    -计算机组成原理实验报告 实验名称:静态随机存储器实验 实验类型:验证型 实验环境:TD-CMA系统、实验箱 指导教师:顾娅军 专业班级:信安1505班 姓 名: 学 号: 实验地点:东6E501 实 验 日 期:2017年4月25日 成绩:_-第 4 页-一、 实验目的掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法二、 实验过程(1) 关闭实验系统电源,按图2-1-4所示连接实验电路,并检查无误(2) 将时序与操作台单元的开关 KK1、KK3置为运行档、开关 KK2置为单步档(3) 将 CON单元的 IOR开关置为 1(使 IN单元无输出),打开电源开关,如果听到有“嘀”报警声,说明有总线竞争现象,应立即关闭电源,重新检查接线,直到错误排除。(4) 给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器实验原理图(图 2-1-3)可以看出,由于数据和地址由同一个数据开关给出,因此数据和地址要分时写入,先写地址,具体操作步骤为:先关掉存储器的读写(WR=0,RD=0),数据开关输出地址(IOR=0),然后打开地址寄存器门控信号(LDAR=1),按动 ST产生 T3脉冲,即将地址打入到 AR中。再写数据,具体操作步骤为:先关掉存储器的读写(WR=0,RD=0)和地址寄存器门控信号(LDAR=0),数据开关输出要写入的数据,打开输入三态门(IOR=0),然后使存储器处于写状态(WR=1,RD=0,IOM=0),按动 ST产生T3脉冲,即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图 2-1-5所示(以向 00地址单元写入11H为例)(5) 依次读出第 00、01、02、03、04号单元中的内容,观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似,也要先给出地址,然后进行读,地址的给出和前面一样,而在进行读操作时,应先关闭 IN单元的输出(IOR=1),然后使存储器处于读状态(WR=0,RD=1,IOM=0),此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图 2-1-6所示(以从 00地址单元读出 11H为例): 图2-1-7 数据通路图三、 实验结果以给地址为15H(00010101)的单元写入42H(01000010)为例,从二进制地址单元输入00010101后,产生脉冲将地址打入AR中,对应的代表地址的指示灯亮,地址输入成功;从二进制地址单元输入要写入的数据01000010,数据开关输出要写入的数据,打开输入三态门,存储器处于写状态,按动 ST产生T3脉冲,即将数据打入到存储器中,对应的指示灯亮,数据写入成功。四、 讨论与分析(1) 思考题由两片 6116(2K*8)怎样扩展成(2K*16)或(4K*8)的存储器?怎样连线?(2) 小结实验过程中经常会将两头的线插错位或插反,导致实验结果有误。实验过程中应该仔细认真的接线并进行检查,才能保证出错率最低。在读出数据完成时,应先关闭RD按钮再关闭IOR按钮,否则会出现“嘀”报警声。将CON单元的IOR开关置为1后,再打开电源开关,如出现“嘀”报警声,应立即关闭电源,重新检查连线,直到错误排除。通过将数据再从存储器中读出,发现数据与先前输入存储器中的数据一致,对应存储区地址00H、01H、02H、03H、04H 单元分别为数据11H12H、13H、14H、15H,故表明正确输入和读出操作无误。五、 实验者自评在本次实验中,因为对实验箱以及静态存储机制熟悉度不够,因而操作效率较低,出现的错误也比较多,极其考验按操作者的细心和耐心程度,但最终实验成功,例如:因为连线错误而产生报警声时需要分析并仔细检查出错误的连线处。通过本次实验,我对RAM静态存储机制有了更深更形象的了解,也有利于加深对理论知识的理解。六、 附录:关键代码无

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