模拟电子技术5章习题答案(8页).doc

-5 放大电路的频率响应自我检测题一选择和填空1放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 C 的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为 A 的影响。(A. 耦合电容和旁路电容；B. 晶体管的非线性；C. 晶体管的极间电容和分布电容)2共射放大电路中当输入信号频率为fL、fH时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 A ；或者说是下降了 D dB；此时与中频相比，放大倍数的附加相移约为 G 度。(A. 0.7，B. 0.5，C. 0.9)； (D. 3dB，E. 5dB，F. 7dB)； (G. -45°，H. -90°，I. -180°)3某放大电路的对数幅频响应如图选择题3所示。由图可见，该电路的中频电压增益= 1000 ； 上限频率= 108 Hz ； 下限频率= 102 Hz ；当时电路的实际增益= 57 dB；当时电路的实际增益= 57 dB。图选择题3 4若放大电路存在频率失真，则当为正弦波时， D 。（A.会产生线性失真 B.为非正弦波 C.会产生非线性失真 D.为正弦波）5放大电路如图选择题5所示，其中电容增大，则导致 D 。（A.输入电阻增大 B. 输出电阻增大 C.工作点升高 D.下限频率降低）图选择题5二判断题（正确的在括号内画，错误的画×）1改用特征频率fT高的晶体管，可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。（ ）2增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（ × ）3幅度失真和相位失真统称为非线性失真。（ × ）4当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦。（ × ）5当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（ ）6当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。（ × ）7当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（ ）8在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频响应特性。（ × ）习题5.1某放大电路的，现输入信号频率为2MHz的正弦波，试问输出波形是否会产生频率失真？若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，问此时输出信号波形有无频率失真？解：（1）输入信号频率为2MHz的正弦波时，输出不会产生频率失真。（2）若输入信号是由100kHz和2MHz两种频率分量组成的波形，则输出波形有频率失真。5.2一共射放大电路的通频带为100Hz100kHz，中频电压增益，最大不失真交流输出电压范围为-4V+4V，试求：（1）若输入一个的正弦信号，输出波形是否会产生频率失真和非线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大？与间的相位差是多少？（2）若，重复回答（1）中的问题。（3）若，输出波形是否会失真？解：（1）因为输入信号的工作频率 ，处于中频区所以输出波形不会产生非线性失真，又因为输入信号是单一频率的正弦波，所以输出也不会产生频率失真。根据上述计算可知，输出电压的峰值为1V，因是共射电路，与间的相位差是-180° （2）因为输入信号的工作频率 ，处于中频区所以输出波形会产生非线性失真，但因输入是单一频率的正弦波，故不会产生频率失真。 （3）因为输入信号的工作频率 ，处于高频区，电压放大倍数小于中频放大倍数，即所以输出即不会产生非线性失真。又因为输入信号是单一频率的正弦波，输出不会产生频率失真。5.3已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为 试求该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。解：将的表达式分子、分母同时除以，可得：对比简单RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式，可知：上限频率，下限频率，中频电压增益，输入电压与输出电压在中频区的相位差为0°5.4已知某放大电路的电压放大倍数的频率特性为试画出该电路的幅频响应波特图，并求出中频增益、上限频率和下限频率。解：将的表达式与简单RC高通、低通滤波电路的放大倍数表达式进行对比，可知：，上限频率，下限频率。该电路的幅频响应波特图如下：5.5一个高频晶体管，在时，其低频H参数为：，晶体管的特征频率，试求混合型模型参数：、。解：，5.6放大电路如图题5.6所示，已知三极管为3DG8D，试求：（1）画出电路的高频小信号等效电路，估算其上限频率；（2）画出电路的低频小信号等效电路，估算其下限频率。图题5.6解：（1）高频小信号等效电路如下： （2）低频小信号等效电路如下： 5.7已知图题5.7所示放大电路中，晶体管的，要求中频增益为，下限截止频率为，试确定和C1的大小。 图题5.7解： 5.8电路如图题5.8所示，设信号源内阻，其中晶体管参数为：，；其余参数如图中所示。试求：（1）混合型模型参数：、；（2）电路的上限频率；（3）中频区电压增益；（4）增益带宽积。图题5.8解：（1）（2） （3）（4）5.9已知晶体管电路如图题5.8所示，设信号源内阻为，已知晶体管，估算电路的下限频率。解：，（1）输入回路：（2）输出回路： 5.10有一个N沟道耗尽型MOS场效应管（1mA），三个电阻（分别为、）和两个电容（分别为0.1F 、10F ），要求从中选择合适的电阻、电容组装一个如图题5.10所示的放大电路（其负载电阻为），并希望该放大电路有较高的输入电阻和尽量低的下限截止频率。 图题5.10解：（1）为使电路有尽可能高的输入电阻，必须取大值，所以应取。（2）在此电路中，则，所以，为保证电路具有合适的静态工作点，应取。因为，若、两者相差4倍以上，电路最终的下限截止频率取决于两者中较大的下限频率，所以要使下限截止频率尽可能低，应取，取。5.11已知图题5.11所示电路中，两个晶体管的和相同，试分析：（1）定性分析C1、C2、C3中哪一个电容对放大电路的下限截止频率起决定性作用？（简要说明理由）（2）估算该放大电路的下限截止频率。 图题5.11解：（1）因为负载开路，所以C3构成的回路时间常数为；T2管为共集电路，输入电阻Ri2很大，因此C2与Ri2构成的回路时间常数也较大；T1为共射电路，输入电阻Ri1较小，信号源内阻Rs又不大，所以C1构成的回路时间常数最小，对整个放大电路的起决定作用。（2）-第 143 页-