电子技术基础作业习题(3页).doc

-电子技术基础作业习题-第 3 页一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，不能移动的杂质离子带 电。2、三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 结和 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 极、 极和 极。二、判断正误：（每小题1分，共10分）（ ） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（ ）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （ ）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （ ）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （ ）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题1、单极型半导体器件是（ ）。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ ）。A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（ ）。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？参考答案：一、填空题1. 五 自由电子 空穴 正 三 空穴 自由电子 负2. 发射 基 集电区 发射 集电 发射 基 集电二、判断题1.× 2. 3. × 4. × 5. ×三、选择题1.C 2.A 3.C 4.C 5.A四、简述题1.答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2.答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。