霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量.ppt

霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量,【实验目的】,1.了解霍耳效应实验原理以及有关霍耳器件对材料要求的知识。 2.学习用对称测量法消除副效应的影响。 3.测绘试样的VH-IS图线和 VH-IM 图线，计算器件的霍尔系数RH和灵敏度KH。 4.根据RH判断试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。,【实验原理】,1 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场 。,霍尔电场 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力 与洛仑兹力 相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有 （1） 设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n ，则 （2）,图1 霍尔效应实验原理示意图 （a）载流子为电子（N型）；（b）载流子为空穴（P型）,由（1）、（2）两式可得： （3）比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出 （伏）以及知道 （安）、（高斯）和 （厘米）可按下式计算 （厘米3库仑）： （4）,2霍尔系数与其它参数间的关系,（）由RH求载流子浓度n。即 。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子的速度统计分布，需引入 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著半导体物理学）。 （3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率 。电导率 与载流子浓度n以及迁移率 之间有如下关系： （5） 即 ，测出 值即可求 。,3霍尔效应与材料性能的关系,根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率亦较高）的材料。因 ，就金属导体而言，迁移率和电阻率均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小，因而这两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体迁移率高，电阻率适中，是制造霍尔元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所于霍尔元件多采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。,【实验装置】,霍尔效应实验仪示和测试仪意图,TH-H型霍尔效应组合实验仪由实验仪和测试仪两大部分组成 。, 励磁恒流源： 输出电流：010A，示值误差为末位1（mA） 样品工作恒流源： 输出电流：010mA，示值误差为末位1（10A） 直流数字毫伏表： 测量范围：10mV 示值误差为末位1（10V）,然后求 、 、 和 的代数平均值。 （6） 通过上述的测量方法，虽然还不能消除所有的副效应，但其引入的误差不大，可以略而不计。,实验方法,（1）霍尔电压 的测量方法 值得注意的是，在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的 、 两极间的电压并不等于真实的霍尔电压 值，而是包含着各种副效应所引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的 和 组合的 （ 、 两点的电位差）即：,（2）电导率 和迁移率的测量,s,(单位,或,）,所以，迁移率与载流子浓度n之间的关系为：,（8）,【实验内容】, 实验中变换Is和IM的方向测出VH四个的值取平均，这样做可以消除哪些因素引起的误差？ 如果 +B、+Is与 - B 、- Is的数值相差较多，这主要是由哪种因素引起的？ 如果 + B 、- Is与 - B 、+ Is的数值相差较多，这主要是由哪种因素引起的？ 霍尔效应实验仪上用双刀双掷开关分别连接成为换向开关和选择开关，试分别画出电路图，并扼要说明怎样实现了换向和选择。如果用一个单刀双掷开关，怎样连接成换向开关？怎样连接成选择开关？分别画图说明之。,【思考题】,注意事项,