第18讲金属及合金的塑性变形与断裂课件.ppt

第18讲金属及合金的塑性变形与断裂10/7/202210/7/20221 1第1页，此课件共29页哦上讲内容回顾上讲内容回顾三元相图总结三元相图总结三元相图总结三元相图总结三元系的两相平衡三元系的两相平衡三元系的两相平衡三元系的两相平衡 三元系的三相平衡三元系的三相平衡三元系的三相平衡三元系的三相平衡三元系的四相平衡三元系的四相平衡三元系的四相平衡三元系的四相平衡相区接触法则相区接触法则相区接触法则相区接触法则金属的应力金属的应力金属的应力金属的应力-应变曲线应变曲线应变曲线应变曲线单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形第2页，此课件共29页哦第六章第六章 金属及合金的塑性变形与断裂金属及合金的塑性变形与断裂内容提要内容提要6-1 金属的应力金属的应力-应变曲线应变曲线6-2 单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形6-3 多晶体的塑性变形多晶体的塑性变形6-4 合金的塑性变形合金的塑性变形6-5 塑性变形对金属组织和性能的影响塑性变形对金属组织和性能的影响6-6 金属的断裂（自学内容）金属的断裂（自学内容）作业作业第3页，此课件共29页哦6-2 单晶体的塑性变形单晶体的塑性变形一、一、微观现象微观现象二、塑性变形方式二、塑性变形方式 返回返回第4页，此课件共29页哦二、塑性变形方式二、塑性变形方式在室温或温度不高时单晶体变形基本方式有两种：在室温或温度不高时单晶体变形基本方式有两种：在室温或温度不高时单晶体变形基本方式有两种：在室温或温度不高时单晶体变形基本方式有两种：l1.滑移滑移l2.孪生孪生l3.两种变形方式的异同点两种变形方式的异同点返回返回第5页，此课件共29页哦1.滑移滑移 滑移的概念滑移的概念滑移的概念滑移的概念 滑移面和滑移方向滑移面和滑移方向滑移面和滑移方向滑移面和滑移方向 滑移时临界分切应力滑移时临界分切应力滑移时临界分切应力滑移时临界分切应力 滑移时晶体的转动滑移时晶体的转动滑移时晶体的转动滑移时晶体的转动 多滑移多滑移多滑移多滑移 滑移与位错滑移与位错滑移与位错滑移与位错 返回返回第6页，此课件共29页哦 滑移与位错滑移与位错滑移的机制滑移的机制滑移的机制滑移的机制 滑移是通过位错的运动来实现的：滑移是通过位错的运动来实现的：滑移是通过位错的运动来实现的：滑移是通过位错的运动来实现的：晶体中原子排列晶体中原子排列晶体中原子排列晶体中原子排列不是完全规则的，存在着一个正刃型位错，在切应不是完全规则的，存在着一个正刃型位错，在切应不是完全规则的，存在着一个正刃型位错，在切应不是完全规则的，存在着一个正刃型位错，在切应力作用下，通过这个多余半原子面从一侧到另一侧力作用下，通过这个多余半原子面从一侧到另一侧力作用下，通过这个多余半原子面从一侧到另一侧力作用下，通过这个多余半原子面从一侧到另一侧的运动，每移出晶体一次即造成一个原子间距的变的运动，每移出晶体一次即造成一个原子间距的变的运动，每移出晶体一次即造成一个原子间距的变的运动，每移出晶体一次即造成一个原子间距的变形量。形量。形量。形量。位错的运动与晶体的滑移位错的运动与晶体的滑移位错的运动与晶体的滑移位错的运动与晶体的滑移 位错的增殖位错的增殖位错的增殖位错的增殖 位错的交割与塞积位错的交割与塞积位错的交割与塞积位错的交割与塞积 返回返回第7页，此课件共29页哦 位错的运动与晶体的滑移位错的运动与晶体的滑移理想晶体在切应力的作用下，晶体的上下两部分沿滑理想晶体在切应力的作用下，晶体的上下两部分沿滑理想晶体在切应力的作用下，晶体的上下两部分沿滑理想晶体在切应力的作用下，晶体的上下两部分沿滑移面作整体刚性的滑移，此时所需的临界切应力移面作整体刚性的滑移，此时所需的临界切应力移面作整体刚性的滑移，此时所需的临界切应力移面作整体刚性的滑移，此时所需的临界切应力 KK与与与与实际强度相差十分悬殊。例如铜，理论计算的实际强度相差十分悬殊。例如铜，理论计算的实际强度相差十分悬殊。例如铜，理论计算的实际强度相差十分悬殊。例如铜，理论计算的 KK1500MN1500MN，而实际测出的，而实际测出的，而实际测出的，而实际测出的 KK0.98MN0.98MN，两者相差竟达两者相差竟达两者相差竟达两者相差竟达15001500倍！对这一矛盾现象的研究，导倍！对这一矛盾现象的研究，导倍！对这一矛盾现象的研究，导倍！对这一矛盾现象的研究，导致了位错学说的诞生。致了位错学说的诞生。致了位错学说的诞生。致了位错学说的诞生。第8页，此课件共29页哦实际晶体的滑移是通过位错在切应力的作用下沿着滑移面实际晶体的滑移是通过位错在切应力的作用下沿着滑移面实际晶体的滑移是通过位错在切应力的作用下沿着滑移面实际晶体的滑移是通过位错在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的结果逐步移动的结果逐步移动的结果逐步移动的结果，如图，如图，如图，如图6-96-9所示。所示。所示。所示。滑移线的实质滑移线的实质滑移线的实质滑移线的实质：当一条位错线移到晶体表面时，便会在晶体：当一条位错线移到晶体表面时，便会在晶体：当一条位错线移到晶体表面时，便会在晶体：当一条位错线移到晶体表面时，便会在晶体表面上留下一个原子间距、大小为柏氏矢量模的滑移台阶，表面上留下一个原子间距、大小为柏氏矢量模的滑移台阶，表面上留下一个原子间距、大小为柏氏矢量模的滑移台阶，表面上留下一个原子间距、大小为柏氏矢量模的滑移台阶，大量位错移到晶体表面时，就会在晶体表面形成滑移线。大量位错移到晶体表面时，就会在晶体表面形成滑移线。大量位错移到晶体表面时，就会在晶体表面形成滑移线。大量位错移到晶体表面时，就会在晶体表面形成滑移线。图图6-9 晶体通过刃型位错移动造成滑移的示意图晶体通过刃型位错移动造成滑移的示意图 第9页，此课件共29页哦晶体在滑移时并不是滑移面上的全部原子一齐移动，而是晶体在滑移时并不是滑移面上的全部原子一齐移动，而是晶体在滑移时并不是滑移面上的全部原子一齐移动，而是晶体在滑移时并不是滑移面上的全部原子一齐移动，而是位错中心的原子由一个平衡位置转移到另一个平衡位置，位错中心的原子由一个平衡位置转移到另一个平衡位置，位错中心的原子由一个平衡位置转移到另一个平衡位置，位错中心的原子由一个平衡位置转移到另一个平衡位置，如图如图如图如图6-106-10所示，图中的实线表示位错（半原子面所示，图中的实线表示位错（半原子面所示，图中的实线表示位错（半原子面所示，图中的实线表示位错（半原子面PQPQ）原来）原来）原来）原来的位置，虚线表示位错移动了一个原子间距（的位置，虚线表示位错移动了一个原子间距（的位置，虚线表示位错移动了一个原子间距（的位置，虚线表示位错移动了一个原子间距（PQPQ）后的）后的）后的）后的位置。位置。位置。位置。图图6-10 刃型位错的滑移刃型位错的滑移 正刃型位错正刃型位错 负刃型位错负刃型位错 第10页，此课件共29页哦可见，位错虽然移动了一个原子间距，但位错中心附近的少可见，位错虽然移动了一个原子间距，但位错中心附近的少可见，位错虽然移动了一个原子间距，但位错中心附近的少可见，位错虽然移动了一个原子间距，但位错中心附近的少数原子只作远小于一个原子间距的弹性偏移，而晶体其它区数原子只作远小于一个原子间距的弹性偏移，而晶体其它区数原子只作远小于一个原子间距的弹性偏移，而晶体其它区数原子只作远小于一个原子间距的弹性偏移，而晶体其它区域的原子仍处于正常位置。显然，这样的位错运动只需要一域的原子仍处于正常位置。显然，这样的位错运动只需要一域的原子仍处于正常位置。显然，这样的位错运动只需要一域的原子仍处于正常位置。显然，这样的位错运动只需要一个很小的切应力就可实现，这就是实际滑移的个很小的切应力就可实现，这就是实际滑移的个很小的切应力就可实现，这就是实际滑移的个很小的切应力就可实现，这就是实际滑移的 KK比理论计算比理论计算比理论计算比理论计算的的的的 KK低得多的原因。低得多的原因。低得多的原因。低得多的原因。图图6-10 刃型位刃型位错的滑移错的滑移 正刃型位错正刃型位错 负刃型位错负刃型位错 返回返回第11页，此课件共29页哦 位错的增殖位错的增殖问题问题问题问题1 1：晶体在塑性变形时产生大量的滑移带就需要晶体在塑性变形时产生大量的滑移带就需要晶体在塑性变形时产生大量的滑移带就需要晶体在塑性变形时产生大量的滑移带就需要为数极多的位错。晶体中有如此大量的位错吗？为数极多的位错。晶体中有如此大量的位错吗？为数极多的位错。晶体中有如此大量的位错吗？为数极多的位错。晶体中有如此大量的位错吗？问题问题问题问题2 2：滑移是位错扫过沿移面并移出晶体表面造成的，随滑移是位错扫过沿移面并移出晶体表面造成的，随滑移是位错扫过沿移面并移出晶体表面造成的，随滑移是位错扫过沿移面并移出晶体表面造成的，随着塑性变形过程的进行，晶体中的位错数目应越来越少，着塑性变形过程的进行，晶体中的位错数目应越来越少，着塑性变形过程的进行，晶体中的位错数目应越来越少，着塑性变形过程的进行，晶体中的位错数目应越来越少，最终会形成无位错的理想晶体？最终会形成无位错的理想晶体？最终会形成无位错的理想晶体？最终会形成无位错的理想晶体？问题问题问题问题3 3：退火金属中的位错密度为退火金属中的位错密度为退火金属中的位错密度为退火金属中的位错密度为10101010mm-2-2，经剧烈塑性变，经剧烈塑性变，经剧烈塑性变，经剧烈塑性变形后，位错密度增至形后，位错密度增至形后，位错密度增至形后，位错密度增至1010151510101616mm-2-2。这些增加的位错是。这些增加的位错是。这些增加的位错是。这些增加的位错是怎样来的？怎样来的？怎样来的？怎样来的？第12页，此课件共29页哦 弗兰克弗兰克弗兰克弗兰克-瑞德位错源瑞德位错源瑞德位错源瑞德位错源晶体中的位错呈空间网络状分布，各个位错线段不会位于同一晶体中的位错呈空间网络状分布，各个位错线段不会位于同一晶体中的位错呈空间网络状分布，各个位错线段不会位于同一晶体中的位错呈空间网络状分布，各个位错线段不会位于同一个晶面上。这样，相交于一个结点的几个位错线段在滑移时不个晶面上。这样，相交于一个结点的几个位错线段在滑移时不个晶面上。这样，相交于一个结点的几个位错线段在滑移时不个晶面上。这样，相交于一个结点的几个位错线段在滑移时不能一致行动，只有位于滑移面上的位错线才能运动。因此，位能一致行动，只有位于滑移面上的位错线才能运动。因此，位能一致行动，只有位于滑移面上的位错线才能运动。因此，位能一致行动，只有位于滑移面上的位错线才能运动。因此，位错网络上的结点即可能成为固定的结点（图错网络上的结点即可能成为固定的结点（图错网络上的结点即可能成为固定的结点（图错网络上的结点即可能成为固定的结点（图6-116-11）。）。）。）。图图6-11 弗兰克瑞德位错源弗兰克瑞德位错源 m、n为异号螺位错为异号螺位错b b产生一个柏氏产生一个柏氏矢量位移区域矢量位移区域返回返回第13页，此课件共29页哦 位错的交割与塞积位错的交割与塞积在多滑移时，由于各滑移面相交，因而在不同滑移面在多滑移时，由于各滑移面相交，因而在不同滑移面在多滑移时，由于各滑移面相交，因而在不同滑移面在多滑移时，由于各滑移面相交，因而在不同滑移面上运动着的位错也就必然相遇，发生相互交割。上运动着的位错也就必然相遇，发生相互交割。上运动着的位错也就必然相遇，发生相互交割。上运动着的位错也就必然相遇，发生相互交割。在滑移面上运动着的位错还要与晶体中原有的以不同在滑移面上运动着的位错还要与晶体中原有的以不同在滑移面上运动着的位错还要与晶体中原有的以不同在滑移面上运动着的位错还要与晶体中原有的以不同角度穿过滑移面的位错相交割。角度穿过滑移面的位错相交割。角度穿过滑移面的位错相交割。角度穿过滑移面的位错相交割。图图6-12 两个相互垂直的刃型位错的交割两个相互垂直的刃型位错的交割 交割前交割前交割后交割后mn-割阶割阶第14页，此课件共29页哦位错的交割（刃型与刃型、刃型与螺型、螺型与螺型）位错的交割（刃型与刃型、刃型与螺型、螺型与螺型）位错的交割（刃型与刃型、刃型与螺型、螺型与螺型）位错的交割（刃型与刃型、刃型与螺型、螺型与螺型）都会形成都会形成都会形成都会形成割阶割阶割阶割阶，一方面增加了位错线的长度，一方面还，一方面增加了位错线的长度，一方面还，一方面增加了位错线的长度，一方面还，一方面增加了位错线的长度，一方面还可能形成一种位错难以运动的可能形成一种位错难以运动的可能形成一种位错难以运动的可能形成一种位错难以运动的固定割阶固定割阶固定割阶固定割阶，成为后续位错，成为后续位错，成为后续位错，成为后续位错运动的障碍，造成运动的障碍，造成运动的障碍，造成运动的障碍，造成位错缠结位错缠结位错缠结位错缠结。这就是多滑移加工硬化效。这就是多滑移加工硬化效。这就是多滑移加工硬化效。这就是多滑移加工硬化效果较大的主要原因。果较大的主要原因。果较大的主要原因。果较大的主要原因。在切应力的作用下，大量位错沿滑移面的运动过程中，在切应力的作用下，大量位错沿滑移面的运动过程中，在切应力的作用下，大量位错沿滑移面的运动过程中，在切应力的作用下，大量位错沿滑移面的运动过程中，如果遇到障碍物（固定位错、杂质粒子、晶界等）的阻如果遇到障碍物（固定位错、杂质粒子、晶界等）的阻如果遇到障碍物（固定位错、杂质粒子、晶界等）的阻如果遇到障碍物（固定位错、杂质粒子、晶界等）的阻碍，领先的位错在障碍前被阻止，后续的位错被堵塞起碍，领先的位错在障碍前被阻止，后续的位错被堵塞起碍，领先的位错在障碍前被阻止，后续的位错被堵塞起碍，领先的位错在障碍前被阻止，后续的位错被堵塞起来，结果形成位借的来，结果形成位借的来，结果形成位借的来，结果形成位借的平面塞积群平面塞积群平面塞积群平面塞积群，并在障碍物的前端形，并在障碍物的前端形，并在障碍物的前端形，并在障碍物的前端形成成成成高度应力集中高度应力集中高度应力集中高度应力集中。第15页，此课件共29页哦位错塞积群位错塞积群位错塞积群位错塞积群的位错数，与障碍物至位错源的距离的位错数，与障碍物至位错源的距离的位错数，与障碍物至位错源的距离的位错数，与障碍物至位错源的距离L L成正比。成正比。成正比。成正比。L L越大，则塞积的位错数目越多，造成的应力集中便越越大，则塞积的位错数目越多，造成的应力集中便越越大，则塞积的位错数目越多，造成的应力集中便越越大，则塞积的位错数目越多，造成的应力集中便越大。大。大。大。经计算，塞积群在障碍处产生的应力集中。为：经计算，塞积群在障碍处产生的应力集中。为：经计算，塞积群在障碍处产生的应力集中。为：经计算，塞积群在障碍处产生的应力集中。为：=nn0 0 0 0：滑移方向的分切应力值，此式说明，在塞积群：滑移方向的分切应力值，此式说明，在塞积群：滑移方向的分切应力值，此式说明，在塞积群：滑移方向的分切应力值，此式说明，在塞积群前端产生的应力集中前端产生的应力集中前端产生的应力集中前端产生的应力集中 是是是是 0 0的的的的n n倍。倍。倍。倍。返回返回第16页，此课件共29页哦2.孪生孪生孪生孪生孪生孪生是晶体的一部分沿一定的晶面（是晶体的一部分沿一定的晶面（是晶体的一部分沿一定的晶面（是晶体的一部分沿一定的晶面（孪生面孪生面孪生面孪生面）和一定的晶向）和一定的晶向）和一定的晶向）和一定的晶向（孪生方向孪生方向孪生方向孪生方向）相对于另一部分发生均匀切变。）相对于另一部分发生均匀切变。）相对于另一部分发生均匀切变。）相对于另一部分发生均匀切变。每层原子的切变量不同，远离孪晶面切变量大，层间切变每层原子的切变量不同，远离孪晶面切变量大，层间切变每层原子的切变量不同，远离孪晶面切变量大，层间切变每层原子的切变量不同，远离孪晶面切变量大，层间切变量一般小于量一般小于量一般小于量一般小于1 1个原子间距。这种切变虽不改变晶体类型，但孪个原子间距。这种切变虽不改变晶体类型，但孪个原子间距。这种切变虽不改变晶体类型，但孪个原子间距。这种切变虽不改变晶体类型，但孪晶面两侧位向发生变化，形成镜面对称。晶面两侧位向发生变化，形成镜面对称。晶面两侧位向发生变化，形成镜面对称。晶面两侧位向发生变化，形成镜面对称。图图6-13 面心立方晶面心立方晶体的孪生变形过体的孪生变形过程示意图程示意图 a）孪晶面与孪生方向）孪晶面与孪生方向b）孪生变形时的晶面）孪生变形时的晶面移动情况移动情况第17页，此课件共29页哦在孪晶面之间切变部分为在孪晶面之间切变部分为在孪晶面之间切变部分为在孪晶面之间切变部分为孪晶带孪晶带孪晶带孪晶带或或或或孪晶孪晶孪晶孪晶，抛光浸蚀后可看，抛光浸蚀后可看，抛光浸蚀后可看，抛光浸蚀后可看到痕迹。密排六方金属及低温下的体心立方金属常以孪晶变形。到痕迹。密排六方金属及低温下的体心立方金属常以孪晶变形。到痕迹。密排六方金属及低温下的体心立方金属常以孪晶变形。到痕迹。密排六方金属及低温下的体心立方金属常以孪晶变形。孪生的变形速度极大，常引起冲击波，发出响声。孪生的变形速度极大，常引起冲击波，发出响声。孪生的变形速度极大，常引起冲击波，发出响声。孪生的变形速度极大，常引起冲击波，发出响声。孪生对塑性变形的贡献比滑移小得多孪生对塑性变形的贡献比滑移小得多孪生对塑性变形的贡献比滑移小得多孪生对塑性变形的贡献比滑移小得多，例如钢单纯依靠孪，例如钢单纯依靠孪，例如钢单纯依靠孪，例如钢单纯依靠孪生变形只能获得生变形只能获得生变形只能获得生变形只能获得7.4%7.4%的延伸率。但是，由于孪生后变形的延伸率。但是，由于孪生后变形的延伸率。但是，由于孪生后变形的延伸率。但是，由于孪生后变形部分的晶体位向发生改变，可使原来处于不利取向的滑移部分的晶体位向发生改变，可使原来处于不利取向的滑移部分的晶体位向发生改变，可使原来处于不利取向的滑移部分的晶体位向发生改变，可使原来处于不利取向的滑移系转变为新的有利取向，这样就可以激发起晶体的进一步系转变为新的有利取向，这样就可以激发起晶体的进一步系转变为新的有利取向，这样就可以激发起晶体的进一步系转变为新的有利取向，这样就可以激发起晶体的进一步滑移。滑移。滑移。滑移。第18页，此课件共29页哦滑移和孪生两者交替进行滑移和孪生两者交替进行滑移和孪生两者交替进行滑移和孪生两者交替进行，即可获得较大的变形量。，即可获得较大的变形量。，即可获得较大的变形量。，即可获得较大的变形量。正是由于这一原因，当金属中存在大量孪晶时，可以正是由于这一原因，当金属中存在大量孪晶时，可以正是由于这一原因，当金属中存在大量孪晶时，可以正是由于这一原因，当金属中存在大量孪晶时，可以较顺利地进行形变。可见，较顺利地进行形变。可见，较顺利地进行形变。可见，较顺利地进行形变。可见，对于滑移系少的密排六方对于滑移系少的密排六方对于滑移系少的密排六方对于滑移系少的密排六方金属来说，孪生对于塑性变形的贡献，还是不能忽略的。金属来说，孪生对于塑性变形的贡献，还是不能忽略的。金属来说，孪生对于塑性变形的贡献，还是不能忽略的。金属来说，孪生对于塑性变形的贡献，还是不能忽略的。返回返回第19页，此课件共29页哦比较点比较点比较点比较点滑移滑移滑移滑移孪生孪生孪生孪生相同点相同点相同点相同点沿一定的晶面、晶向进行；不改变结构。沿一定的晶面、晶向进行；不改变结构。沿一定的晶面、晶向进行；不改变结构。沿一定的晶面、晶向进行；不改变结构。不不不不同同同同点点点点晶体位向晶体位向晶体位向晶体位向不改变（对抛光面观察不改变（对抛光面观察不改变（对抛光面观察不改变（对抛光面观察无重现性）无重现性）无重现性）无重现性）改改改改变变变变，镜镜镜镜面面面面对对对对称称称称关关关关系系系系（对对对对抛抛抛抛光面观察有重现性）光面观察有重现性）光面观察有重现性）光面观察有重现性）位移量位移量位移量位移量位位位位移移移移量量量量较较较较大大大大。滑滑滑滑移移移移方方方方向向向向上原子间距的整数倍。上原子间距的整数倍。上原子间距的整数倍。上原子间距的整数倍。位移量较小。小于孪生方向位移量较小。小于孪生方向位移量较小。小于孪生方向位移量较小。小于孪生方向上的原子间距。上的原子间距。上的原子间距。上的原子间距。塑变贡献塑变贡献塑变贡献塑变贡献很大，总变形量大很大，总变形量大很大，总变形量大很大，总变形量大有限，总变形量小有限，总变形量小有限，总变形量小有限，总变形量小均匀性均匀性均匀性均匀性不均匀切变，只集中在不均匀切变，只集中在不均匀切变，只集中在不均匀切变，只集中在某些晶面上大量进行某些晶面上大量进行某些晶面上大量进行某些晶面上大量进行 均匀切变均匀切变均匀切变均匀切变变形应力变形应力变形应力变形应力 有一定的临界分切应力有一定的临界分切应力有一定的临界分切应力有一定的临界分切应力临界分切应力远高于滑移临界分切应力远高于滑移临界分切应力远高于滑移临界分切应力远高于滑移变形条件变形条件变形条件变形条件一般先发生滑移一般先发生滑移一般先发生滑移一般先发生滑移滑移困难时发生滑移困难时发生滑移困难时发生滑移困难时发生变形机制变形机制变形机制变形机制全位错运动的结果全位错运动的结果全位错运动的结果全位错运动的结果分位错运动的结果分位错运动的结果分位错运动的结果分位错运动的结果3.两种变形方式的异同点两种变形方式的异同点 返回返回第20页，此课件共29页哦6-3 多晶体的塑性变形多晶体的塑性变形塑性变形基本方式：塑性变形基本方式：塑性变形基本方式：塑性变形基本方式：滑移和孪生滑移和孪生滑移和孪生滑移和孪生多晶体与单晶体塑性变形过程的区别：多晶体与单晶体塑性变形过程的区别：多晶体与单晶体塑性变形过程的区别：多晶体与单晶体塑性变形过程的区别：受到晶界的阻碍及位向不同晶粒的影响；受到晶界的阻碍及位向不同晶粒的影响；受到晶界的阻碍及位向不同晶粒的影响；受到晶界的阻碍及位向不同晶粒的影响；为保持晶粒间的结合和整个晶体的连续性，晶粒的为保持晶粒间的结合和整个晶体的连续性，晶粒的为保持晶粒间的结合和整个晶体的连续性，晶粒的为保持晶粒间的结合和整个晶体的连续性，晶粒的塑性变形需要周围晶粒协同变形来配合。塑性变形需要周围晶粒协同变形来配合。塑性变形需要周围晶粒协同变形来配合。塑性变形需要周围晶粒协同变形来配合。1.1.多晶体的塑性变形过程多晶体的塑性变形过程多晶体的塑性变形过程多晶体的塑性变形过程 2.2.多晶体变形的特点多晶体变形的特点多晶体变形的特点多晶体变形的特点3.3.晶粒大小对塑性变形的影响晶粒大小对塑性变形的影响晶粒大小对塑性变形的影响晶粒大小对塑性变形的影响返回返回第21页，此课件共29页哦1.多晶体的塑性变形过程多晶体的塑性变形过程由于各晶粒的位向不同，则各滑移系的取向不同，在由于各晶粒的位向不同，则各滑移系的取向不同，在由于各晶粒的位向不同，则各滑移系的取向不同，在由于各晶粒的位向不同，则各滑移系的取向不同，在外力的作用下，各滑移系的分切应力值相差很大，只外力的作用下，各滑移系的分切应力值相差很大，只外力的作用下，各滑移系的分切应力值相差很大，只外力的作用下，各滑移系的分切应力值相差很大，只有那些位向有利晶粒的滑移系，首先达到有那些位向有利晶粒的滑移系，首先达到有那些位向有利晶粒的滑移系，首先达到有那些位向有利晶粒的滑移系，首先达到 k k值，开始值，开始值，开始值，开始塑性变形，而此时周围位向不利的晶粒仍处于弹性状塑性变形，而此时周围位向不利的晶粒仍处于弹性状塑性变形，而此时周围位向不利的晶粒仍处于弹性状塑性变形，而此时周围位向不利的晶粒仍处于弹性状态。态。态。态。第22页，此课件共29页哦位向有利的晶粒已开始塑性变形，即位错开始沿滑移位向有利的晶粒已开始塑性变形，即位错开始沿滑移位向有利的晶粒已开始塑性变形，即位错开始沿滑移位向有利的晶粒已开始塑性变形，即位错开始沿滑移面运动，但由于周围晶粒位向不同，运动着的位错在面运动，但由于周围晶粒位向不同，运动着的位错在面运动，但由于周围晶粒位向不同，运动着的位错在面运动，但由于周围晶粒位向不同，运动着的位错在晶界处受阻，形成位错的晶界处受阻，形成位错的晶界处受阻，形成位错的晶界处受阻，形成位错的平面塞积群平面塞积群平面塞积群平面塞积群。在晶界处造成。在晶界处造成。在晶界处造成。在晶界处造成很大的应力集中。很大的应力集中。很大的应力集中。很大的应力集中。当应力集中与外加应力相迭加，使相邻晶粒相互协调就要当应力集中与外加应力相迭加，使相邻晶粒相互协调就要当应力集中与外加应力相迭加，使相邻晶粒相互协调就要当应力集中与外加应力相迭加，使相邻晶粒相互协调就要求相邻晶粒必须在几个滑移系（包括有利位向与不太有利求相邻晶粒必须在几个滑移系（包括有利位向与不太有利求相邻晶粒必须在几个滑移系（包括有利位向与不太有利求相邻晶粒必须在几个滑移系（包括有利位向与不太有利位向）上进行滑移。位向）上进行滑移。位向）上进行滑移。位向）上进行滑移。在外加应力以及滑移晶粒内位错平面塞积群所造成的在外加应力以及滑移晶粒内位错平面塞积群所造成的在外加应力以及滑移晶粒内位错平面塞积群所造成的在外加应力以及滑移晶粒内位错平面塞积群所造成的应力集中的推动下，越来越多的晶粒参与塑性变形。应力集中的推动下，越来越多的晶粒参与塑性变形。应力集中的推动下，越来越多的晶粒参与塑性变形。应力集中的推动下，越来越多的晶粒参与塑性变形。返回返回第23页，此课件共29页哦2.多晶体变形的特点多晶体变形的特点 变形的不同时性变形的不同时性变形的不同时性变形的不同时性 软位向晶粒先变形，逐批变形。软位向晶粒先变形，逐批变形。软位向晶粒先变形，逐批变形。软位向晶粒先变形，逐批变形。变形的相互协调性变形的相互协调性变形的相互协调性变形的相互协调性 立方晶系滑移系多，变形协调性好，塑性好。立方晶系滑移系多，变形协调性好，塑性好。立方晶系滑移系多，变形协调性好，塑性好。立方晶系滑移系多，变形协调性好，塑性好。变形的不均匀性变形的不均匀性变形的不均匀性变形的不均匀性 由于晶界及晶粒位向的影响，各个晶粒的变形是不均匀由于晶界及晶粒位向的影响，各个晶粒的变形是不均匀由于晶界及晶粒位向的影响，各个晶粒的变形是不均匀由于晶界及晶粒位向的影响，各个晶粒的变形是不均匀的，有的晶粒变形量大，有的小。对每一个晶粒来说，的，有的晶粒变形量大，有的小。对每一个晶粒来说，的，有的晶粒变形量大，有的小。对每一个晶粒来说，的，有的晶粒变形量大，有的小。对每一个晶粒来说，晶粒中心变形大，晶界及附近变形小。晶粒中心变形大，晶界及附近变形小。晶粒中心变形大，晶界及附近变形小。晶粒中心变形大，晶界及附近变形小。返回返回第24页，此课件共29页哦3.晶粒大小对塑性变形的影响晶粒大小对塑性变形的影响晶粒越细，晶界总面积越大，位错运动时越易受阻，材料的强晶粒越细，晶界总面积越大，位错运动时越易受阻，材料的强晶粒越细，晶界总面积越大，位错运动时越易受阻，材料的强晶粒越细，晶界总面积越大，位错运动时越易受阻，材料的强度越高，这就是度越高，这就是度越高，这就是度越高，这就是“晶界强化晶界强化晶界强化晶界强化”(细晶强化细晶强化细晶强化细晶强化)。根据理论分析和实验，根据理论分析和实验，根据理论分析和实验，根据理论分析和实验，s s与晶粒直径存在以下关系：与晶粒直径存在以下关系：与晶粒直径存在以下关系：与晶粒直径存在以下关系：0 0 常数，相当于单晶体金属的屈服强度；常数，相当于单晶体金属的屈服强度；常数，相当于单晶体金属的屈服强度；常数，相当于单晶体金属的屈服强度；d d 多晶体中各晶粒的平均直径；多晶体中各晶粒的平均直径；多晶体中各晶粒的平均直径；多晶体中各晶粒的平均直径；k k 表征晶界对强度影响的常数。表征晶界对强度影响的常数。表征晶界对强度影响的常数。表征晶界对强度影响的常数。霍尔霍尔霍尔霍尔-配奇公式配奇公式配奇公式配奇公式 第25页，此课件共29页哦多晶体的塑性变形开始由外加应力直接引起变形的晶多晶体的塑性变形开始由外加应力直接引起变形的晶多晶体的塑性变形开始由外加应力直接引起变形的晶多晶体的塑性变形开始由外加应力直接引起变形的晶粒只占少数，不引起明显的宏观效果，主要决定于已粒只占少数，不引起明显的宏观效果，主要决定于已粒只占少数，不引起明显的宏观效果，主要决定于已粒只占少数，不引起明显的宏观效果，主要决定于已滑移晶粒晶界附近的位错塞积群所产生的应力集中，滑移晶粒晶界附近的位错塞积群所产生的应力集中，滑移晶粒晶界附近的位错塞积群所产生的应力集中，滑移晶粒晶界附近的位错塞积群所产生的应力集中，能否激发相邻晶粒滑移系的位错源启动。根据能否激发相邻晶粒滑移系的位错源启动。根据能否激发相邻晶粒滑移系的位错源启动。根据能否激发相邻晶粒滑移系的位错源启动。根据 =nn0 0的关系，应力集中的关系，应力集中的关系，应力集中的关系，应力集中 的大小决定于塞积的位错数目的大小决定于塞积的位错数目的大小决定于塞积的位错数目的大小决定于塞积的位错数目n n，n n越越越越大，则大，则大，则大，则 越大。越大。越大。越大。第26页，此课件共29页哦当外加应力和其它条件一定时，当外加应力和其它条件一定时，当外加应力和其它条件一定时，当外加应力和其它条件一定时，n n与引起塞积的障碍与引起塞积的障碍与引起塞积的障碍与引起塞积的障碍物物物物晶界到位错源的距离成正比。晶粒晶界到位错源的距离成正比。晶粒晶界到位错源的距离成正比。晶粒晶界到位错源的距离成正比。晶粒L Ln n 。反之，亦然。反之，亦然。反之，亦然。反之，亦然。因此，在同样的外加应力下，大晶粒的位错塞积所造因此，在同样的外加应力下，大晶粒的位错塞积所造因此，在同样的外加应力下，大晶粒的位错塞积所造因此，在同样的外加应力下，大晶粒的位错塞积所造成的成的成的成的 激发相邻晶粒塑性变形要容易。小晶粒的激发相邻晶粒塑性变形要容易。小晶粒的激发相邻晶粒塑性变形要容易。小晶粒的激发相邻晶粒塑性变形要容易。小晶粒的 小，则小，则小，则小，则需要在较大的外加应力下才能使相邻晶粒塑性变形。这需要在较大的外加应力下才能使相邻晶粒塑性变形。这需要在较大的外加应力下才能使相邻晶粒塑性变形。这需要在较大的外加应力下才能使相邻晶粒塑性变形。这就是就是就是就是晶粒越细，强度越高晶粒越细，强度越高晶粒越细，强度越高晶粒越细，强度越高的主要原因。的主要原因。的主要原因。的主要原因。第27页，此课件共29页哦晶界强化不但可以提高材料的强度，同时还可以改善晶界强化不但可以提高材料的强度，同时还可以改善晶界强化不但可以提高材料的强度，同时还可以改善晶界强化不但可以提高材料的强度，同时还可以改善材料的塑性和韧性。材料的塑性和韧性。材料的塑性和韧性。材料的塑性和韧性。因为晶粒越细，不同位向晶粒因为晶粒越细，不同位向晶粒因为晶粒越细，不同位向晶粒因为晶粒越细，不同位向晶粒分布越均匀，变形的不均匀性越小，位错塞积造成分布越均匀，变形的不均匀性越小，位错塞积造成分布越均匀，变形的不均匀性越小，位错塞积造成分布越均匀，变形的不均匀性越小，位错塞积造成的应力集中小，裂纹不易形成，断裂前的总变形量的应力集中小，裂纹不易形成，断裂前的总变形量的应力集中小，裂纹不易形成，断裂前的总变形量的应力集中小，裂纹不易形成，断裂前的总变形量增加（裂纹扩展遇晶界改变方向消耗能量，所以裂增加（裂纹扩展遇晶界改变方向消耗能量，所以裂增加（裂纹扩展遇晶界改变方向消耗能量，所以裂增加（裂纹扩展遇晶界改变方向消耗能量，所以裂纹不易扩展），塑性、韧性增加。纹不易扩展），塑性、韧性增加。纹不易扩展），塑性、韧性增加。纹不易扩展），塑性、韧性增加。返回返回第28页，此课件共29页哦6-4 合金的塑性变形合金的塑性变形合金的基本相是固溶体和金属化合物合金的基本相是固溶体和金属化合物合金的基本相是固溶体和金属化合物合金的基本相是固溶体和金属化合物，因此合金可能，因此合金可能，因此合金可能，因此合金可能是：是：是：是：单相固溶体单相固溶体单相固溶体单相固溶体、多相固溶体的混合物多相固溶体的混合物多相固溶体的混合物多相固溶体的混合物、固溶体与化合物固溶体与化合物固溶体与化合物固溶体与化合物的混合物的混合物的混合物的混合物（以固溶体为基体，化合物量少作为第二相）。（以固溶体为基体，化合物量少作为第二相）。（以固溶体为基体，化合物量少作为第二相）。（以固溶体为基体，化合物量少作为第二相）。1.1.单相固溶体的塑性变形单相固溶体的塑性变形单相固溶体的塑性变形单相固溶体的塑性变形 2.2.多相合金的塑性变形多相合金的塑性变形多相合金的塑性变形多相合金的塑性变形返回返回第29页，此课件共29页哦