第14章 半导体二极管和三极管.ppt

第14章 半导体二极管和三极管2022/10/81现在学习的是第1页，共56页模拟电子技术模拟电子技术半导体器件（半导体器件（14）；放大器）；放大器 （15、16）；反馈（）；反馈（17）；直流电源）；直流电源 （18）；电力电子技术（）；电力电子技术（19）数字电子技术数字电子技术组合电路（组合电路（20）；时序电路（）；时序电路（21）存储器和可编程器件（存储器和可编程器件（22）、模数转换（）、模数转换（23）下册下册现在学习的是第2页，共56页计算机检测控制系统原理框图计算机检测控制系统原理框图微微机机传传感感器器伺服伺服机构机构模拟模拟信号信号处理处理功率功率放大放大模数模数转换转换数模数模转换转换数字数字接口接口数字数字接口接口被被测测控控对对象象干扰、噪声、漂移、非线性干扰、噪声、漂移、非线性电工电子技术的典型应用电工电子技术的典型应用模拟电模拟电子技术子技术数字电数字电子技术子技术电机电机现在学习的是第3页，共56页电工学课程和非电类专业学生的关系电工学课程和非电类专业学生的关系 几乎没有任何一个行业离得开电学几乎没有任何一个行业离得开电学 在非电类专业应用领域，在非电类专业应用领域，如机械制造，如机械制造，现代现代先进的制造技术涉及先进的制造技术涉及电镀、电焊、金属加工、电镀、电焊、金属加工、数字控制技术、微机控制技术数字控制技术、微机控制技术等，等，都和电学都和电学知识息息相关。知识息息相关。在航空领域，在航空领域，如机务维修、空中交通管制等，如机务维修、空中交通管制等，电气设备比比皆是，电气设备比比皆是，都离不开电工电子技术都离不开电工电子技术现在学习的是第4页，共56页第第14章章 半导体器件半导体器件14.314.3二极管二极管二极管二极管14.414.4稳压二极管稳压二极管稳压二极管稳压二极管14.514.5双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管14.2PN14.2PN结及其单向导电性结及其单向导电性结及其单向导电性结及其单向导电性14.114.1半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性14.614.6光电器件光电器件光电器件光电器件现在学习的是第5页，共56页第第14章章 半导体器件半导体器件本章要求：本章要求：本章要求：本章要求：一、理解一、理解一、理解一、理解PNPN结的单向导电性，双极型晶体管的电流分配结的单向导电性，双极型晶体管的电流分配结的单向导电性，双极型晶体管的电流分配结的单向导电性，双极型晶体管的电流分配和电流放大作用；和电流放大作用；和电流放大作用；和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和双极型晶体管的基本构造、二、了解二极管、稳压管和双极型晶体管的基本构造、二、了解二极管、稳压管和双极型晶体管的基本构造、二、了解二极管、稳压管和双极型晶体管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。现在学习的是第6页，共56页学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。要过分追究精确的数值。要过分追究精确的数值。要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、RC RC 的值有误差、工程上的值有误差、工程上的值有误差、工程上的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。允许一定的误差、采用合理估算的方法。允许一定的误差、采用合理估算的方法。允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。目的在于应用。目的在于应用。目的在于应用。现在学习的是第7页，共56页在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分为：划分为：导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属一，金属一般都是导体。电阻率在般都是导体。电阻率在1010-4-4cmcm以下。以下。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡皮、，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。电阻率在陶瓷、塑料和石英。电阻率在10101010cmcm以以上。上。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓和一，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。些硫化物、氧化物等。电阻率在电阻率在10-41010cm。14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性现在学习的是第8页，共56页半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变能力明显改变能力明显改变能力明显改变(可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化(可做可做可做可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等管、光敏三极管等)。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强现在学习的是第9页，共56页14.1.114.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。导体。导体。导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子现在学习的是第10页，共56页 Si Si Si Si价电子价电子价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成即可挣脱原子核的束缚，成即可挣脱原子核的束缚，成即可挣脱原子核的束缚，成为为为为自由电子自由电子自由电子自由电子（带负电），同（带负电），同（带负电），同（带负电），同时共价键中留下一个空位，时共价键中留下一个空位，时共价键中留下一个空位，时共价键中留下一个空位，称为称为称为称为空穴空穴空穴空穴（带正电）（带正电）（带正电）（带正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。当于正电荷的移动）。当于正电荷的移动）。当于正电荷的移动）。现在学习的是第11页，共56页本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流电流电流电流(1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流(2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意：(1)(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高，载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就愈好。愈好。愈好。愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。空穴都称为载流子。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。导体中载流子便维持一定的数目。导体中载流子便维持一定的数目。导体中载流子便维持一定的数目。现在学习的是第12页，共56页14.1.2 N14.1.2 N型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和 P P 型半导体型半导体型半导体型半导体掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或称为电子半导体或N N型半导型半导型半导型半导体。体。体。体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个电失去一个电子变为正离子变为正离子子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂形成杂形成杂形成杂质半导体。质半导体。质半导体。质半导体。在在在在N N 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是自由电子是自由电子是多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流子。子。子。子。现在学习的是第13页，共56页14.1.2 N14.1.2 N型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和 P P 型半导体型半导体型半导体型半导体掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或式，称为空穴半导体或 P P型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在在在 PP型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是多数空穴是多数空穴是多数空穴是多数载流子，自由电子是少数载流载流子，自由电子是少数载流载流子，自由电子是少数载流载流子，自由电子是少数载流子。子。子。子。B硼原子硼原子接受一个电接受一个电接受一个电接受一个电子变为负离子变为负离子变为负离子变为负离子子子子空穴空穴无论无论无论无论N N型或型或型或型或P P型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。现在学习的是第14页，共56页1.1.在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与（a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。2.2.在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与（a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。3.3.当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量（a.a.减少、减少、减少、减少、b.b.不变、不变、不变、不变、c.c.增多）。增多）。增多）。增多）。a ab bc c4.4.在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，PP型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是主要是主要是 ，NN型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是。（a.a.电子电流、电子电流、电子电流、电子电流、b.b.空穴电流）空穴电流）空穴电流）空穴电流）b ba a现在学习的是第15页，共56页14.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性1 1、PNPNPNPN结的形成结的形成结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差PP型半导体型半导体型半导体型半导体NN型半导体型半导体型半导体型半导体内电场越强，漂移运动内电场越强，漂移运动内电场越强，漂移运动内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区越强，而漂移使空间电荷区越强，而漂移使空间电荷区越强，而漂移使空间电荷区变薄。变薄。变薄。变薄。扩散的结果使空间电扩散的结果使空间电荷区变宽。荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称PN结结扩散和漂移这扩散和漂移这扩散和漂移这扩散和漂移这一对相反的运动一对相反的运动一对相反的运动一对相反的运动最终达到动态平最终达到动态平最终达到动态平最终达到动态平衡，空间电荷区衡，空间电荷区衡，空间电荷区衡，空间电荷区的厚度固定不变。的厚度固定不变。的厚度固定不变。的厚度固定不变。+形成空间电荷区形成空间电荷区现在学习的是第16页，共56页2 2、PNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性 1 1）PN PN 结加正向电压结加正向电压结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）（正向偏置）PN结变窄结变窄P接正、接正、N接负接负外电场外电场IF内电场被内电场被内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。扩散电流。扩散电流。PNPN结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，向电阻较小，向电阻较小，向电阻较小，PNPN结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。内电场内电场PN+现在学习的是第17页，共56页2 2）PN PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场PP接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+现在学习的是第18页，共56页PNPN结变宽结变宽结变宽结变宽2 2）PN PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）外电场外电场外电场外电场内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IRPP接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。+PNPN结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，反向结变宽，反向电流较小，反向结变宽，反向电流较小，反向结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，电阻较大，电阻较大，电阻较大，PNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+现在学习的是第19页，共56页14.3 二极管二极管+P区阳极区阳极N区阴极区阴极阳极阳极阴极阴极D现在学习的是第20页，共56页14.3 二极管二极管14.3.1 14.3.1 基本结构基本结构基本结构基本结构(a)(a)点接触型点接触型点接触型点接触型(b)(b)面接触型面接触型面接触型面接触型结面积小、结面积小、结面积小、结面积小、结电容小、正结电容小、正结电容小、正结电容小、正向电流小。用向电流小。用向电流小。用向电流小。用于检波和变频于检波和变频于检波和变频于检波和变频等高频电路。等高频电路。等高频电路。等高频电路。结面积大、结面积大、结面积大、结面积大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、正向电流大、结电容大，用结电容大，用结电容大，用结电容大，用于工频大电流于工频大电流于工频大电流于工频大电流整流电路。整流电路。整流电路。整流电路。(c)(c)平面型平面型平面型平面型用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。用于集成电路制作工艺中。PNPN结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。现在学习的是第21页，共56页阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳(a)点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线(b)面接触型面接触型图图14.3.1半导体二极管的结构和符号半导体二极管的结构和符号14.3 二极管二极管二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极(d)符号符号D现在学习的是第22页，共56页14.3.2 14.3.2 伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗锗锗锗管管管管0.1V0.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。电压二极管才能导通。外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。现在学习的是第23页，共56页根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到PNPNPNPN结的伏结的伏结的伏结的伏安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即：安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即：安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即：安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即：I IS S为反向饱和电流为反向饱和电流为反向饱和电流为反向饱和电流U UT T为温度的电压当量，在常温（为温度的电压当量，在常温（为温度的电压当量，在常温（为温度的电压当量，在常温（300K300K300K300K）下，）下，）下，）下，U UT T 26mV26mV26mV26mV。当当当当U U0000时，且时，且时，且时，且U U U UU UT T,则电流则电流则电流则电流I I I I与与与与U U U U基本成指数关系。基本成指数关系。基本成指数关系。基本成指数关系。当当当当U U000U UT T,则电流则电流则电流则电流I I I I -I IS S现在学习的是第24页，共56页14.3.3 14.3.3 主要参数主要参数主要参数主要参数1.1.最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IOMOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。流。流。流。2.2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWMRWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压二极管反向击穿电压二极管反向击穿电压二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。二极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.3.反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流反向峰值电流I IRMRM指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，电流大，说明管子的单向导电性差，电流大，说明管子的单向导电性差，电流大，说明管子的单向导电性差，I IRMRM受温度的影响，受温度的影响，受温度的影响，受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的锗管的锗管的锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。现在学习的是第25页，共56页二极管二极管的单向导电性的单向导电性 1.1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时，）时，）时，）时，二极管处于正向二极管处于正向二极管处于正向二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时，）时，）时，）时，二极管处于二极管处于二极管处于二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.3.3.3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。单向导电性。单向导电性。单向导电性。4.4.4.4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。向电流愈大。向电流愈大。向电流愈大。现在学习的是第26页，共56页 二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路分析举例二极管电路分析举例 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，正向管压降否则，正向管压降硅硅0 0.60.7V锗锗0.20.3V分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压的高低或所加电压的高低或所加电压的高低或所加电压U UD D的正负。的正负。的正负。的正负。若若若若 V V阳阳阳阳 VV阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正(正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置)，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 VVV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，U UABAB=6V6V否则，否则，否则，否则，U UABAB低于低于低于低于6V6V一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为6.36.3或或或或6.7V6.7V例例1：取取取取BB点作参考点，断点作参考点，断点作参考点，断点作参考点，断开二极管，分析二极管开二极管，分析二极管开二极管，分析二极管开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k BAUAB+现在学习的是第28页，共56页两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起两个二极管的阴极接在一起取取取取BB点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的管，分析二极管阳极和阴极的管，分析二极管阳极和阴极的管，分析二极管阳极和阴极的电位。电位。电位。电位。V V1 1阳阳阳阳=6V6V，V V2 2阳阳阳阳=0V=0V，V V1 1阴阴阴阴=V V2 2阴阴阴阴=12V12VU UD1D1=6V=6V，U UD2D2=12V=12V U UD2D2U UD1D1 D D22优先导通，优先导通，优先导通，优先导通，D D1 1截止。截止。截止。截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，U UABAB =0V=0V例例2:D D1 1承受反向电压为承受反向电压为承受反向电压为承受反向电压为6V6V流过流过流过流过 D D2 2 的电流为的电流为的电流为的电流为求：求：求：求：U UABAB 在这里，在这里，在这里，在这里，D D22起钳起钳起钳起钳位作用，位作用，位作用，位作用，D D1 1起隔离起隔离起隔离起隔离作用。作用。作用。作用。BD16V12V3k AD2UAB+现在学习的是第29页，共56页例例二二极极管管构构成成“门门”电电路路，设设D1、D2均均为为理理想想二二极极管管，当当输输入入电电压压UA、UB为为低低电电压压0V和和高高电电压压5V的的不不同同组组合时，求输出电压合时，求输出电压UO的值。的值。UAUBUOR3k 12VUD1D2BAY输入电压输入电压理想二极管理想二极管输出输出电压电压UAUBD1D20V0V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通0V0V5V正偏正偏导通导通反偏反偏截止截止0V5V0V反偏反偏截止截止正偏正偏导通导通0V5V5V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通5V现在学习的是第30页，共56页例：例：判别二极管是导通还是截止。判别二极管是导通还是截止。+9V-+1V-+2.5V-+12.5V -+14V-+1V-截止截止-9V+-1V+2.5V-+12.5V -+14V-+1V-截止截止解：解：现在学习的是第31页，共56页+18V-+2V-+2.5V-+12.5V -+14V-+1V-导通导通现在学习的是第32页，共56页分析二极管组成的限幅电路时：分析二极管组成的限幅电路时：根据电路先判断二极管根据电路先判断二极管若不导通，输出的电压又是什么；若不导通，输出的电压又是什么；若导通，输出的电压是什么若导通，输出的电压是什么；根据电路的输入电压（电流），判断二极管根据电路的输入电压（电流），判断二极管导通和截止的范围。导通和截止的范围。画出电路的输出电压（电流）波形。画出电路的输出电压（电流）波形。现在学习的是第33页，共56页u ui i8V8V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路u uo o=8V=8V u ui i8V8V，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路u uo o=u ui i已知：已知：二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出uo 波形。波形。8V8V例例例例3 3：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：二极管的用途：整流、检波、整流、检波、整流、检波、整流、检波、限幅、钳位、开限幅、钳位、开限幅、钳位、开限幅、钳位、开关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、关、元件保护、温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。温度补偿等。ui18V参考点参考点参考点参考点二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为 8V8VD D8V8VR Ru uo ou ui i+现在学习的是第34页，共56页14.4 稳压二极管稳压二极管1.1.符号符号符号符号 UZIZIZM UZ IZ2.2.伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。_+UIO现在学习的是第35页，共56页3.3.主要参数主要参数主要参数主要参数(1)(1)(1)(1)稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZZ 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)(2)(2)电压温度系数电压温度系数电压温度系数电压温度系数 环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化1 1 1 1 C C引起引起引起引起稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数百分数百分数。(3)(3)(3)(3)动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻(4)(4)(4)(4)稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 I IZZ、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流 I IZMZM(5)(5)(5)(5)最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率 P PZMZM=U UZZI IZMZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。现在学习的是第36页，共56页14.5 双极型晶体管双极型晶体管14.5.1 14.5.1 基本结构基本结构基本结构基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECBECPNP型型P PP PN N基极基极发射极发射极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管TT现在学习的是第37页，共56页基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集