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    第三章晶体生长中的输运理论优秀课件.ppt

    • 资源ID:53451002       资源大小:5.59MB        全文页数:38页
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    第三章晶体生长中的输运理论优秀课件.ppt

    第三章晶体生长中的输运理论第1页,本讲稿共38页晶体生长过程中的输运过程对生长速率起限制作用,并支配着生长界面的稳定性。只有了解了输运过程在不同生长阶段所起的作用,才能使工作做得更有效、更自觉。第2页,本讲稿共38页哈密顿算子第3页,本讲稿共38页本章提纲4.1 输运理论的基本方程组4.2 混合传输的动力学方程组4.3 边界层理论4.4 输运理论的应用4.5 晶体生长的实验模拟4.6 量纲分析与相似性原理4.7 提拉法晶体生长中的界面翻转4.8 溶质分凝与质输运第4页,本讲稿共38页1.输运理论的基本方程组流体输运的两种机制:(整体)迁移传导或扩散第5页,本讲稿共38页1.1 动量输运Navier-Stokes方程V流体运动速度流体密度流体的动力粘滞系数p压强f流体基元上的体积力表示的是强迫对流系统中的流体动力学方程。第6页,本讲稿共38页如果考虑自然对流系统,除了粘滞力外,还应考虑由温度、浓度的不均匀性引起的浮力作用T由温度不均匀性引起的体膨胀系数C由浓度不均匀性引起的体膨胀系数第7页,本讲稿共38页1.2 对流扩散质量输运两种机制:分子扩散宏观迁移流体中物质的对流扩散第8页,本讲稿共38页物质对流扩散方程:C溶质浓度V流体运动速度D扩散系数若V=0,即流体处于静止状态,则方程变为:即是我们熟悉的质量输运的Fick方程。第9页,本讲稿共38页1.3 对流传热热量输运与对流扩散的方程相类似的,对于流体中的热量输运,可以得到:Cp为流体的定压热容,K为热传导系数。当V=0,流体静止时,即为傅里叶(Fourier)方程第10页,本讲稿共38页1.4 流体的压缩性和定常性流体的压缩性流体的定常性均质流动第11页,本讲稿共38页1.5 连续性方程对不可压缩均质流体:单位时间内流入和流出某封闭曲面的流体应该相等,因而有这就是不可压缩流体的连续性方程第12页,本讲稿共38页2.混合传输的动力学方程流体宏观运动导致热和质的对流传输;流体分子的微观运动,必然引起热和质的扩散传输。热和质的同时传输即为混合传输。第13页,本讲稿共38页如果不考虑热、扩散和内摩擦哦三种不可逆过程引起的能量耗散,可由组成解决粘滞的不可压缩流体混合传输的流体动力学方程组。第14页,本讲稿共38页3.边界层理论理论和时间证明,在晶体生长过程中,如何保持边界层的稳定性,是一个很重要的研究课题,也是生长优质单晶的关键问题之一。第15页,本讲稿共38页3.1 边界层概念由物体传播的速度场、温度场、溶质浓度场本质上只波及到物体表面邻近的一个狭窄区域,我们将这些区域称为速度边界层V、温度边界层T 和溶质边界层C.。在这些边界层中,分别有较大的速度变化、温度变化以及溶质浓度的变化。第16页,本讲稿共38页物体表面第17页,本讲稿共38页3.2速度边界层V在边界层外,粘性力较惯性力小很多,因地可以将粘性力忽略。而在边界层内部,粘性力将是一个同惯性力同阶的量,必须一起加以考虑。第18页,本讲稿共38页通常人为的约定与来流速度相差1%的地方就是外部边界。边界层厚度的定义对于平板或者具有较小曲率的表面:为流体的运动粘滞系数,V0为流体的整体速度。而对于旋转圆盘下流体的速度场:提拉法生长晶体第19页,本讲稿共38页3.3 溶质边界层C同处理速度场的分部相似,对流体中的溶质分部也采用边界层近似对于旋转圆盘下的溶质分布,可以通过求解相应的对流扩散方程及满足的边界条件,得到的溶质边界层厚度C表达式为:第20页,本讲稿共38页3.4 温度边界层T温度边界层的厚度取决于流体的搅拌程度,即决定于自然对流与强迫对流 对于提拉法生长晶体:第21页,本讲稿共38页可以看到,晶体旋转对速度边界层、溶质边界层和温度边界层的影响都是相似的,即边界层厚度都是与晶体旋转角速度的平方根成反比。第22页,本讲稿共38页4.输运理论的应用4.1 晶体中的温度分布数学模型,箭号为热流密度矢量边界条件:第23页,本讲稿共38页满足上述边界条件的偏微分方程近似解为式中的h=/K 第24页,本讲稿共38页(r,z)在晶体同一水平面上,以r为半径的圆周线上的温度相同当h0,r越大,温度越低,环境冷却晶体,如(a)当h=Gr dc=gTTr3-21/4w-1/2第38页,本讲稿共38页

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