模拟电子线路习题习题复习资料分解.docx

第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度=cm。（1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。（2 若再掺入受主杂质，其浓度=cm，重复（1）。（3）若=cm,，重复（1）。（4）若=cm，=cm，重复（1）。解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值= cm，施主杂质=cm>> = cm，所以可得多子自由浓度为 =cm少子空穴浓度 =cm 该半导体为N型。（2）因为=cm>>，所以多子空穴浓度 cm少子电子浓度 =cm该半导体为P型。（3）因为=,所以 = = =cm该半导体为本征半导体。（4）因为=1010=9910（cm）>>，所以，多子自由电子浓度 = cm空穴浓度 =2.2710（cm）该导体为N型。1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。（2）二极管的直流电阻和交流电阻各为多少？+6VDR100 图1.3 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 =53mA(2) =13.2 =0.491.4二极管电路如题图1.4所示。（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载的电流为多少？（2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压V，试问流过负载的电流是多少？（3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压V，试问流过负载的电流是多少？（4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？（5）增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？D题图1.410V+ERL100解：（1）mA （2）mA （3）mA （4） （5）E增加，直流电流增加，交流电阻下降。1.6 在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求Uo的值。题图1.6解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U05V。(2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U00V。(3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有1.7 二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若ui5sint(V)，试画出u0的波形。题图1.7解：(1)在图(a)中：当ui一2.7V时，V管截止，u0一2V；当ui一2.7V时，V管导通，u0ui。当ui5sint(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。(2)在图(b)中：当ui1.3V时，V管截止，u0ui；当ui1.3V时，V管导通，u02V。其相应波形如答图1.7 (b)所示。答图1.71.9 在题图1.9 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示，试画出u0的波形。题图1.9解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u03一0.72.3V。u1、u2均为0时，uo一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。答图1.91.10 在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz5V，正向导通压降为0.7V。若ui10 sint(V)，试画出u0的波形。题图1.10解：当ui5V时，Vz击穿，u05V。当ui一0.7V时，Vz正向导通，u0一0.7V。当一0.7Vui5V时，Vz截止，u0ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。答图1.101.11 稳压管电路如题图1.11所示。（1）设V，稳压管的稳定电压=10V，允许最大稳定电流=30mA，=5mA, =800,=。试选择限流电阻R的值。 （2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100，=250，试求允许的变化范围。 （3）稳压管的参数如（1）中所示，当=10V时，其工作电流=20mA，=12，如=20V不变，试求从无穷大到1k时，输出电压变化的值为多少？ +_+_题图1.11+ 解：（1）因为式中，因，所以=0，V式中 mA,V=18V 选择R应满足：400<R<457 (2) 当时，mA。 当达到最大时 ，（V） 当为时，（V）即的变化范围是14.517V。（3）当时，=10V。当时，=10V（V）（mV）或 9(mV)第二章2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。0.7V8V0V(a)-0.7V-8V0V(b)4V1V3.7V(c)4V4.3V9V(d)题图2.1解：8V0V0.7V硅NPN-8V0V-0.7V硅PNP1V4V3.7V锗PNP9V4.3V锗NPN4V题图（a）：题图（b）：题图（c）：题图（d）：2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。-5V-0.3V0V3AX81(a)12V3V0V(d)3DG86.6V6.3V7V3CG21(c)8V2.5V3V(b)3BX1题图2.3解：题图（a）3AX为PNP锗管，V（正偏），V（反偏），放大状态题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：e结开路，晶体管损坏2.4 型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示，其中nb0表示平衡时自由电子的浓度。（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。（2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。O（a）PNO（b）PNO（c）PN题图2.4O（d）PN解：（1）对于晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别： （1）图 (a)：发射结反偏，集电结反偏。图 (b)：发射结正偏，集电结反偏。图 (c)：发射结正偏，集电结正偏。图 (d)：发射结反偏，集电结正偏。 （2）图 (a)：截止。图 (b)：放大。图 (c)：饱和。图（d）：反向放大。2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示（1） 求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的值。（2） 确定该管的U(BR)CEO和PCM。题图2.6解：（1）Q1点：（2）2.7硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的V，。判别电路的工作状态。9V1VD0.3V（a）TRB470kRC2kRE1k（b）TRB100kRC2kRE1k（c）15V15V题图2.7解：题图（b）：处于放大状态题图（c）：A，mA(V)不可能，表明晶体管处于饱和状态。2.8题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，UBE(on)=0.6V。在20oC时晶体管的=50，55oC时，=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到55oC时由于的变化引起ICQ的改变程度。UCC(12V)(a)RB246kRC 2.8kT (b)RB130kRC 1.8kT RB210kRE1kUCC(12V)题图2.8解：题图2.8（a）为固定偏流电路。（1）20时 （V）（2）55时的变化为图2.8（b）为分压式电流负反馈偏置电路。（1）20时（2）55时的变化为2.9晶体管电路如题图2.9所示。已知100，UBE-0.3V(1)估算直流工作点ICQ、UCEQ。(2)若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值，并说明各自的工作状态。(3)若RB2开路时要求ICQ2mA，试确定RB1应取多大值。题图2.9（2）当RB1开路时，I3Q=0,管子截止。UC=0.当RB2开路时，则有2.10 设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55125范围内变化时，要求1mA和，。BJT的参数是：时，；时，。解：(1)的估算。根据题意，当时，电流应是最低值1mA，UCE应是最大值，因为已给出，故可写出：解得 如果RC未知，可以根据UCC的数值假设某一数值，本题设，则。（2）的估算。因为 所以将和时各参数值代入可得： （时） （时）联立求解上述两式，可得：如果不利用上述关系式运算，也可以利用经验公式，比如选取去求解。例如设，则，当T=125时的，此时的技术要求，因此还需要重新选取值，直至满足要求为止。（3）和的计算。（4）核算T=125时的值。可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。2.13 电路如题图2.13所示。设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短路。（1）试画出及ui相对应的uBE、和uCE的波形。（2） 将图中的晶体管改成PNP管，UCC改成负电源，重复（1）。UCCRBRCC2 RLC1 ui+ +uo题图2.13解：（1）波形如图2.13（b）所示。ui0tUBEQ0tuBEIBQ0tiBICQ0tiCUCEQ0tuCE图2.13(a)vi0tuBE0UBEQiB0IBQttiC0ICQtuCE0UCEQt图2.13(c)（2）晶体管改成PNP，UCC改成负电源后，波形如图2.13（c）所示。2.17 放大电路如图2.17（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。（1）如工作点变为图2.17（b）中的和，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？ （2）如工作点变为图2.17（c）中和的，又是电路中哪一元件参数改变而引起的？C1RBRCC2TRL+uo(a)+uiUCC0uCE(b)icUCC0uCE(c)icUCC题图2.17解：（1）不变，不变，不变，而变化，工作点的变化可见图2.13（b）。若原工作点为Q，减小时，移至，增加时，移至。 （2）不变，负载线斜率不变，和同时变化，工作点的变化如图2.13（c）所示。如原工作点为Q，增加，也增加，工作点可移至，反之，下降，也下降，工作点可移至。2.23 试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点UCEQ，源电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。设基极静态电流A，k，k，V，厄尔利电压V，C为隔直、耦合电容。RSCRCVRL+UoUs+UiUCC题图2.23RB解：（1）计算工作点和、。已知A则（mA） (V)由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容，负载电阻及工作点有关。由上式解得而（k）（k）（2）计算源电压放大倍数。先画出图2.13电路的小信号等效电路如下图所示。ii=ibRCRLrceicioUo+Us+()RoRi图2.17(b)Rs （3）计算输入电阻、输出电阻。kk2.24放大电路如题图2.24所示。设晶体管的，为理想稳压管，V，此时晶体管的mA。试问：（1）将反接，电路的工作状态有何变化？又为多少？（2）定性分析由于反接，对放大电路电压增益、输入电阻的影响。UCCC2VC1+uiDZ+uoR1.4kRC 1kRB1 24kRB224k题图2.24解:（1）反接，mA，V，电路仍工作在放大区（2）反接，增加，增加，下降，下降，增大即使考虑正向二极管的，结论亦同上2.25 测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：2mA、2.02mA、0.02mA。己知该管的厄尔利电压|UA|120 V，。(1)试画出该晶体管的H参数交流等效电路，确定等效电路中各参数值。(2)画出高频混合型交流等效电路，确定等效电路中各参数值。高频混合型等效电路如下图所示。2.28 在题图2.28（a）所示的共集放大电路（为基极自举电路），已知晶体管的，k，mS；k，k，k，电容、对信号可视为短路。试画出该电路的交流通路，求输入电阻和输出电阻的值。C1RB1图2.28UCCRB1C1T+UoRERB2RB3+UiC2C3RiRoRLT+UoRERB1/RB2RB2RB3+UiRiRoRL(b)解：其交流通路如图2.28（b）所示。因为 所以2.30 在题图2.30所示的共基放大电路中，晶体管的50，.RB1=30k,Ucc=12V,Rc=3 k, RB2=15k,RE=2 k,RL=3 k(1) 计算放大器的直流工作点。(2) 求放大器的Au2、Ri和Ro。题图2.302.32 试判断题图2.32所示各电路属于何种组态放大器。并说明输出信号相对输入的相位关系。题图2.32解：图(a)所示电路为共集共射组合电路。输出及输入反相。 图(b)所示电路为共射一共基组合电路。输出及输入反相。图(c)所示电路为共集一共基组合电路。输出及输入同相。图(d)所示电路由于V1管集电极端具有恒流特性，因而V2管组成以恒流管为负载的共射放大器。输出及输入反相。2.33共集-共基组合电路如题图2.33所示。已知两个晶体管参数相同：，k，。各电容对信号可视为短路。 （1）计算输入电阻、输出电阻。 （2）计算电压增益。UCCC2+Uo+UiRiRoR4 2kV2V1R4 72k题图2.33-UEE解：（1）其中所以（k）（k）（2）2.35三级放大电路如题图5.7(a)所示。设晶体管V1 V3的，D1和D2的直流压降为0.7V。已知静态IEQ3=3mA。各电容对交流信号可视作短路。 (1)试求各管的静态集电极电流ICQ。 (2)计算电压放大倍数，输入电阻Ri和输出电阻Ro。+UiC1RiD1D2RoR2 3k R3 2k R1 2k V1V2V3RB+UoUCC12V(a)+Ui+UoRBR2R3rbe1ib1ib1ib3rbe2ib2rbe3ib3(b)题图2.352reib2解：(1)(2)等效电路如图2.35(b)所示。(3)首先求各管的第三章3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。试判别其类型，并说明各管子在UDS= 10V时的饱和漏电流IDSS、夹断电压UGSOff（或开启电压UGSth）各为多少。uGS/ViD/mA12312UDS=10V(a)uGS/ViD/mA12312UDS=10V(b)34uDS/ViD/mA246851015204.5V4V3.5V3V2.5VUGS=2V(c)题图3.1 解：FET有JFET和MOSFET，JFET有P沟（只能为正）和N沟（只能为负）之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟（可为正、零或负），增强型P沟（只能为负）和N沟（只能为正）。 图 (a)：N沟耗尽型MOSFET，=2mA,V。 图 (b)：P沟结型FET，=3mA, V。 图 (c)：N沟增强型MOSFET，无意义 ，V。3.3已知各FET各极电压如题图3.3所示，并设各管的V。试分别判别其工作状态（可变电阻区，恒流区，截止区或不能正常工作）。(a)(b)(c)(d)D 3VD 5VD -5VD 9V5VGS 2VS 0VS 0VS 0VG-3V题图3.3 解：图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为VV，VV，所以工作在恒流区。 图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET，VV，VV，所以工作在可变电阻区。 图 (c)中，P沟增强型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流区。 图（d）中，为N沟JFET，VV，所以工作在截止区。3.5在题图3.5（a）和（b）所示电路中。TRD 1kRG 1MRS 4kUSS(-10V)(a)UDD(+10V)TC2RD 30kR21M C1RS 6k+Ui+UoR11.5M (b)题图3.5UDD(+12V)（1）已知JFET的mV，V。试求、和的值。（2）已知MOSFET的。试求、和的值。解(1)解得：(2)解得：3.12 题图3.12电路中JFET共源放大电路的元器件参数如下：在工作点上的管子跨gm=1mS，rds=200k，R1=300 k，R2=100k，R3=1M，R4=10k，R5=2k，R6=2k，试估算放大电路的电压增益、输入电阻、输出电阻。题图3.12第四章4.1 已知某放大器的幅频特性如题图4.1所示。(1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率fH和下限频率fL、通频带BW。10102103104105106107102030400题图4.1f/Hz20lg(Au)dB(2) 当和时，输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB，即100倍，fH=106Hz, fL=10Hz（在fH和fL处，增益比中频增益下降30dB），。(2)当时，其中f=104Hz的频率在中频段，而的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真。当时，f=5Hz的频率在低频段，f=104Hz的频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真。4.3已知某晶体管电流放大倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出的频率特性表达式，分别指出该管的、T各为多少？并画出其相频特性的近似波特图。 /Mrad/s0-45-90题图4.3(b) 其相频特性的近似波特图如图4.3(b)所示。4.4 某一放大器的中频增益为AuI=40dB，上限频率为fH=2MHz，下限频率fL=100Hz，输出不失真的动态范围为Uopp=10V。输入下列信号时会产生什么失真？（1）、ui(t)=0.1sin(2×104t)(V) （2）、ui(t)=10sin(2×3×106t)(mV)（3）、ui(t)=10sin(2×400t)+ 10sin(2×106t) (mV)（4）、ui(t)=10sin(2×10t)+ 10sin(2×5×104t) (mV)（5）、ui(t)=10sin(2×103t)+ 10sin(2×107t) (mV)解：（1）输入信号为单一频率正弦波，所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅度较大（为0.1V）,经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×10020V，已大大超过输出不失真动态范围（UOPP=10V）,故输出信号将产生严重的非线性失真（波形出现限幅状态）。（2）输入信号为单一频率正弦波，虽然处于高频区，但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小，为10m V,经放大后峰峰值为100×2×102V，故也不出现非线性失真。(3) 输入信号两个频率分量分别为10Hz及1MHz，均处于放大器的中频区，不会产生频率失真，又因为信号幅度较小（10m V）,故也不会出现非线性失真。（4）输入信号两个频率分量分别为10Hz及50KHz，一个处于低频区，而另一个处于中频区，故经放大后会出现低频频率失真，又因为信号幅度小，叠加后放大器也未超过线性动态范围，所以不会有非线性失真。（5）输入信号两个频率分量分别为1KHz和10MHz，一个处于中频区，而另一个处于高频区，故信号经放大后会出现高频频率失真。同样，由于输入幅度小。不会出现非线性频率失真。4.6电路如题图4.6(a)所示，已知晶体管的(1) 试画出电路的高频等效电路。(2) 利用密勒近似求上限频率fH。+VCCUo+RB500k RC2k RERL2k C1 10F RS0.9k C210F (a)+RS UsRB rbbUbeCbeCbcgmUbeRC/RL +Uo+rbe(b)题图4.6Us10F 解：(1)高频等效电路如题图4.6(b)所示：(3) 利用密勒近似，将Cbc折算到输入端，即第五章5.2电路如题图7.2所示，试求各支路电流值。设各晶体管V。V1V5V2V3V4IRI5I3I4+6V6V1k5k5k10k2k题图7.2 解：图7.2是具有基极补偿的多电流源电路。先求参考电流， （mA）则 （mA）（mA）（mA）5.4 对称差动放大电路如题图7.1所示。已知晶体管和的，并设UBE(on)=0.7V,rbb=0,rce=¥。+V1V2+UCCui1ui2RC 5.1k RL Uo5.1k RC5.1k RE5.1k -6VRB2k 题图7.1RB2k +RL/2+2Uod/2+Uid/2RCRBV1(b)+UicRCRBV1(c)2REE+Uoc (1)求V1和V2的静态集电极电流ICQ、UCQ和晶体管的输入电阻rbe。 (2)求双端输出时的差模电压增益Aud，差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod。 (3)若RL接V2集电极的一端改接地时，求差模电压增益Aud(单),共模电压增益Auc和共模抑制比KCMR,任一输入端输入的共模输入电阻Ric,任一输出端呈现的共模输出电阻Roc。 (4) 确定电路最大输入共模电压范围。解:(1)因为电路对称，所以(2)差模电压增益 195.22)1.521/(1.55021/'-»+´´-=+-=ebbLCudrRRRAbB 差模输入电阻：W=W+=+=kkrRRebid9)5.22(2)(2' 差模输出电阻：(3)单端输出差模电压增益：共模电压增益：共模抑制比： (Aud为单)共模输入电阻： 共模输出电阻： (4)设晶体管的UCB=0为进入饱和区，并略去RB上的压降。 为保证V1和V2工作在放大区，正向最大共模输入电压Uic(max)应满足下式： ，否则晶体管饱和。 如果题图7.1中的RE是用恒流源IEE，则只要 为保证V1和V2工作在放大区，负向最大共模输入电压Uic(min)应满足下式： 否则晶体管截止。 由上可得最大共模输入范围为5.6 电路如题图7.6。已知V1、V2、V3管的， (1)若ui1=0，ui2=10sint(mV),试求uo=?(2)若ui1=10sint(mV),ui2=5mV,试画出uo的波形图。(3)若ui1=ui2=Uic,试求Uic允许的最大变化范围。(4)当R1增大时，Aud、Rud将如何变化？题图7.6(2) 其波形如图所示。uo-113使得Aud减小，而Rid增大。5.8 差动放大电路如题图7.8所示。试通过计算画出输出电压波形。设晶体管的UBE(on)=0.7V,IE=2mA。+V1V2ui20VIERC5k RC5k V35k -20V+uo题图7.8uo/Vt14.35V0(b)(a) 解：略去V3基极电流的影响，即输出电压的静态电压为14.3。 略去V3的输入电阻对V2的负载影响，由图7.8(a)可看出，不失真的输出电压峰值为。如根据线性放大计算，很明显，输出电压失真被双向限幅，如图7.8(b)所示。5.9 电路见题图7.9。设（1）试画出u0当波形，并标出波形当幅度。（2）若RC变为，u0波形有何变化？为什么？(a) (b)题图7.9解：（1）由于Uid=1.2V>>0.1V,电路呈现限幅特性，其u0波形如题图(b)所示。（2） 当RC变为时，u0幅度增大，其值接近±15V，此时，一管饱和，另一管截止。；第六章6.1 试判断题图6.1所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。+Ui+UoV1V2R1R3R5R2R4(a)UCC+Ui+Uo(b)V1V2R1R2R3(c)+UsRSUCC+UoR8R7R6R2R1R3R4R5V1V2V3V4RL-UEEUCC+UiUCC+UoR1R3R7R2R4R6R5V1V2V3V4(d)题图6.1解： 电路(a)为串联电压负反馈。电路(b)为串联电压负反馈。电路(c) V1及V3间为电压串联负反馈。电路(d)为电压由V3的射极经R6至V1的射极组成了电压串联负反馈。6.2 试判别6.2所示各电路的反馈类型和反馈极性。UiUoR1R2R3R4R5+A1+A2(a)R6UiUo+A2R2R1R5R4R3+A1(b)题图6.2解:电路(a)为电压并联负反馈。电路(b)：经A2、R2组成电压并联正反馈电路；经R3组成电压并联负反馈电路。6.3 一电压串联负反馈放大器，其基本放大器的电压增益Au=100，反馈网络的反馈系数Bu=0.1。由于温度变化，Au增大到120，试求负反馈放大电路的电压增益变化率。解:或6.7 某放大器的放大倍数A(j)为若引入F=0.01的负反馈，试问:(1)开环中频放大倍数AI?fH=?(2)闭环中频放大倍数AIf=?fHf=?6.9 电路如题图6.10(a)和(b)所示。试问：RS+UsR1R2R3(a)C1T1T2R4R6C2C3RLUCCRS+UsR1R2C1T1RLUCC+Uo+Uo(b)R4C2T2R5图6.10R5(1) 反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果，两个电路对RS有何要求？(2) 当信号源内阻变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能力强？(3) 当负载RL变化时，哪个电路输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益稳定能力强？解：(1)图(a)：第一级是电流串联负反馈，第二级是电压并联负反馈，第一级对第二级相当于恒流源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒压源激励，以使电流串联负反馈起作用，即RS越小越好。 图(b)：第一级是电压并联负反馈，第二级是电流串联负反馈，第一级对第二级相当于恒压源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒流源激励以使电压并联负反馈起作用，即RS越大越好。 (2)图(a)：输入端是串联负反馈，Rif大，RS小，而且Rif>>RS，当RS变化时，源电压增益的变化不大，即稳定性较好，输出电压当然也就稳定。图(b)：输入端是并联负反馈，Rif小，RS大，而且Rif<< RS，当RS变化时，源电压增益不稳定，输出电压也不稳定(3)图(a)：输入端是电压负反馈，Rof小，是恒压源，RL变化时，输出电压稳定，源电压增益也稳定。图(b)：输出端是电流负反馈，Rof大，是恒流源，RL变化时，输出电压不稳定，源电压增益也不稳定。6.10反馈放大器电路如题图6.11所示，试回答：（1）判断该电路引入了何种反馈？反馈网络包括哪些元件？工作点的稳定主要依靠哪些反馈？（2）该电路的输入输出电阻如何变化，是增大还是减少了？（3）在深反馈条件下，交流电压增益Auf？题图6.11解：（1）90电阻和1电阻构成两级之间的交流串联电压负反馈。4、60以及V1构成两级之间的直流电流负反馈，以保证直流工作点更加稳定。（2）该电路输入阻抗增大，输出阻抗减小。(3)在深反馈条件下：6.11负反馈放大电路如题图6.12所示。(1) 试判别电路中引入了何种反馈？(2) 为得到低输入电阻和低输出电阻，应采用何种类型的负反馈？电路应如何改接？+UCCUo-UEE+Ui2k 10k 10k 120k 2k 4.7k 90k 10k 10k 2k 3.9k V1V2V3图6.12解：(1)输出信号Uo通过90k电阻接至V2的基极，故构成电压串联负反馈。(2)应采用电压并联负反馈。其改接方法为：将V3的基极由接在V1的集电极改接到V2的集电极；将输出端的90k电阻，由接在V2的基极改接到V1的基极。6.13电路如题图6.14所示，试回答： （1） 集成运放A1和A2各引进什么反馈？（2） 求闭环增益。题图6.14解：（1）运放A1引入了串联电压负反馈；运放A2引入了并联电压负反馈。（2）闭环增益Auf为6.15电路如题图6.15(a)和(b)所示，各电容对信号可视为短路。(1) 试分别判断电路级间交流反馈的极性和类型。(2) 分别写出反馈系数的表达式。(3) 分别估算满足深度反馈条件下的源电压增益Ausf的表达式或数值。RSR1R2R3R4C1C2IiUCCT1T2+Uo(a)+UsUoT1T2C1C2IiR218k R310k R110k R53k R41k RL10k R627k (b)UCC+UsRS题图6.15解:(1) 图(a)：电压并联负反馈图(b)：电流并联负反馈（2）图(a)： 图(b)：(3) 图(a)： 图(b)：6.19某放大器的开环幅频响应如题图6.19所示。（1）问当施加F=0.001的负反馈时，此反馈放大器是否能稳定工作？相位裕度等于多少？题图6.19解：（1）F=0.001,Af1/F=1000(60dB)，如图P6-19所示，此时有45°相位裕度。 第七章7.1 试求图题7.1各电路的输出电压及输入电压的关系式。 （a） （b）图题7.1解：(a)根据虚断特性 ，根据虚短特性，所以(b)当时，电路转换为反相输入求和电路