甘肃半导体清洗设备项目投资计划书（参考范文）.docx

泓域咨询/甘肃半导体清洗设备项目投资计划书甘肃半导体清洗设备项目投资计划书xxx有限责任公司目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模11六、 项目建设进度12七、 环境影响12八、 建设投资估算12九、 项目主要技术经济指标13主要经济指标一览表13十、 主要结论及建议15第二章 项目投资主体概况16一、 公司基本信息16二、 公司简介16三、 公司竞争优势17四、 公司主要财务数据19公司合并资产负债表主要数据19公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍20六、 经营宗旨21七、 公司发展规划22第三章 背景及必要性27一、 湿法清洗是主流清洗技术路线27二、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节，是芯片良率重要保障30三、 强化创新核心地位，提升战略支撑能力31第四章 市场分析32一、 芯片良率的重要保障，半导体清洗设备国产替代正当时32二、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇33第五章 项目选址方案35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 落实扩大内需战略，积极融入新发展格局39四、 完善科技创新体制机制41五、 项目选址综合评价42第六章 产品方案与建设规划43一、 建设规模及主要建设内容43二、 产品规划方案及生产纲领43产品规划方案一览表43第七章 建筑工程可行性分析47一、 项目工程设计总体要求47二、 建设方案47三、 建筑工程建设指标48建筑工程投资一览表48第八章 SWOT分析说明50一、 优势分析（S）50二、 劣势分析（W）52三、 机会分析（O）52四、 威胁分析（T）53第九章 法人治理61一、 股东权利及义务61二、 董事66三、 高级管理人员70四、 监事72第十章 原辅材料及成品分析74一、 项目建设期原辅材料供应情况74二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理74第十一章 组织架构分析76一、 人力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十二章 环保分析78一、 编制依据78二、 环境影响合理性分析79三、 建设期大气环境影响分析80四、 建设期水环境影响分析80五、 建设期固体废弃物环境影响分析80六、 建设期声环境影响分析81七、 环境管理分析82八、 结论及建议83第十三章 劳动安全分析85一、 编制依据85二、 防范措施88三、 预期效果评价90第十四章 项目节能分析91一、 项目节能概述91二、 能源消费种类和数量分析92能耗分析一览表92三、 项目节能措施93四、 节能综合评价94第十五章 投资计划95一、 编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十六章 经济效益106一、 基本假设及基础参数选取106二、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表108利润及利润分配表110三、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表112四、 财务生存能力分析114五、 偿债能力分析114借款还本付息计划表115六、 经济评价结论116第十七章 项目风险评估117一、 项目风险分析117二、 项目风险对策119第十八章 项目总结122第十九章 附表附件125主要经济指标一览表125建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表132固定资产折旧费估算表133无形资产和其他资产摊销估算表134利润及利润分配表135项目投资现金流量表136借款还本付息计划表137建筑工程投资一览表138项目实施进度计划一览表139主要设备购置一览表140能耗分析一览表140第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称：甘肃半导体清洗设备项目项目单位：xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx，占地面积约58.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、中国制造2025；2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划；3、工业绿色发展规划(2016-2020年)；4、促进中小企业发展规划（20162020年）；5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策；7、项目建设单位提供的相关技术参数；8、相关产业调研、市场分析等公开信息。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模（一）项目背景根据Gartner数据，2018年全球半导体清洗设备市场规模为34.2亿美元，2019和2020年受全球半导体行业景气度下降以及新冠疫情的影响，全球半导体清洗设备市场规模有所下降，分别为30.5亿美元和25.4亿美元。预计2021年随着全球半导体行业的复苏以及全球半导体设备市场规模提升的拉动，半导体清洗设备市场将呈现逐年增长的趋势，2024年全球半导体清洗设备市场规模将达到32亿美元。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积38667.00（折合约58.00亩），预计场区规划总建筑面积72868.67。其中：生产工程50912.84，仓储工程8591.04，行政办公及生活服务设施6200.57，公共工程7164.22。项目建成后，形成年产xxx套半导体清洗设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目的建设符合国家政策，各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小，从环保角度分析，本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资30631.28万元，其中：建设投资25366.63万元，占项目总投资的82.81%；建设期利息575.84万元，占项目总投资的1.88%；流动资金4688.81万元，占项目总投资的15.31%。（二）建设投资构成本期项目建设投资25366.63万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用22025.06万元，工程建设其他费用2672.77万元，预备费668.80万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入55000.00万元，综合总成本费用45022.25万元，纳税总额4892.01万元，净利润7285.35万元，财务内部收益率16.84%，财务净现值8964.70万元，全部投资回收期6.38年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38667.00约58.00亩1.1总建筑面积72868.671.2基底面积23200.201.3投资强度万元/亩427.622总投资万元30631.282.1建设投资万元25366.632.1.1工程费用万元22025.062.1.2其他费用万元2672.772.1.3预备费万元668.802.2建设期利息万元575.842.3流动资金万元4688.813资金筹措万元30631.283.1自筹资金万元18879.363.2银行贷款万元11751.924营业收入万元55000.00正常运营年份5总成本费用万元45022.25""6利润总额万元9713.80""7净利润万元7285.35""8所得税万元2428.45""9增值税万元2199.61""10税金及附加万元263.95""11纳税总额万元4892.01""12工业增加值万元17033.32""13盈亏平衡点万元23517.32产值14回收期年6.3815内部收益率16.84%所得税后16财务净现值万元8964.70所得税后十、 主要结论及建议本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。第二章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限责任公司2、法定代表人：姜xx3、注册资本：510万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2014-2-247、营业期限：2014-2-24至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事半导体清洗设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额10537.418429.937903.06负债总额5765.414612.334324.06股东权益合计4772.003817.603579.00公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入40822.2432657.7930616.68营业利润6947.525558.025210.64利润总额5971.104776.884478.33净利润4478.333493.103224.40归属于母公司所有者的净利润4478.333493.103224.40五、 核心人员介绍1、姜xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。2、曹xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。3、刘xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、钱xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。5、邱xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。6、贺xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、韦xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。8、金xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨自主创新，诚实守信，让世界分享中国创造的魅力。七、 公司发展规划（一）公司未来发展战略公司秉承“不断超越、追求完美、诚信为本、创新为魂”的经营理念，贯彻“安全、现代、可靠、稳定”的核心价值观，为客户提供高性能、高品质、高技术含量的产品和服务，致力于发展成为行业内领先的供应商。未来公司将通过持续的研发投入和市场营销网络的建设进一步巩固公司在相关领域的领先地位，扩大市场份额；另一方面公司将紧密契合市场需求和技术发展方向进一步拓展公司产品类别，加大研发推广力度，进一步提升公司综合实力以及市场地位。（二）扩产计划经过多年的发展，公司在相关领域领域积累了丰富的生产经验和技术优势，随着公司业务规模逐年增长，产能瓶颈日益显现。因此，产能提升计划是实现公司整体发展战略的重要环节。公司将以全球行业持续发展及逐渐向中国转移为依托，提高公司生产能力和生产效率，满足不断增长的客户需求，巩固并扩大公司在行业中的竞争优势，提高市场占有率和公司影响力。在产品拓展方面，公司计划在扩宽现有产品应用领域的同时，不断丰富产品类型，持续提升产品质量和附加值，保持公司产品在行业中的竞争地位。（三）技术研发计划公司未来将继续加大技术开发和自主创新力度，在现有技术研发资源的基础上完善技术中心功能，规范技术研究和产品开发流程，引进先进的设计、测试等软硬件设备，提高公司技术成果转化能力和产品开发效率，提升公司新产品开发能力和技术竞争实力，为公司的持续稳定发展提供源源不断的技术动力。公司将本着中长期规划和近期目标相结合、前瞻性技术研究和产品应用开发相结合的原则，以研发中心为平台，以市场为导向，进行技术开发和产品创新，健全和完善技术创新机制，从人、财、物和管理机制等方面确保公司的持续创新能力，努力实现公司新技术、新产品、新工艺的持续开发。（四）技术研发计划公司将以新建研发中心为契机，在对现有产品的技术和工艺进行持续改进、提高公司的研发设计能力、满足客户对产品差异化需求的同时，顺应行业技术发展，不断研发新工艺、新技术，不断提升产品自动化程度，在充分满足下游领域对产品质量要求不断提高的同时，强化公司自主创新能力，巩固公司技术的行业先进地位，强化公司的综合竞争实力。积极实施知识产权保护自主创新、自主知识产权和自主品牌是公司今后持续发展的关键。自主知识产权是自主创新的保障，公司未来三年将重点关注专利的保护，依靠自主创新技术和自主知识产权，提高盈利水平。公司计划在未来三年内大量引进或培养技术研发、技术管理等专业人才，以培养技术骨干为重点建设内容，建立一支高、中、初级专业技术人才合理搭配的人才队伍，满足公司快速发展对人才的需要。公司将采用各种形式吸引优秀的科技人员。包括：提高技术人才的待遇；通过与高校、科研机构联合，实行对口培训等形式，强化技术人员知识更新；积极拓宽人才引进渠道，实行就地取才、内部挖掘和面向社会广揽人才相结合。确保公司产品的高技术含量，充分满足客户的需求，使公司在激烈的市场竞争中立于不败之地。公司将加强与高等院校、研发机构的合作与交流，整合产、学、研资源优势，通过自主研发与合作开发并举的方式，持续提升公司技术研发水平，提升公司对重大项目的攻克能力，提高自身研发技术水平，进一步强化公司在行业内的影响力。（五）市场开发规划公司根据自身技术特点与销售经验，制定了如下市场开发规划：首先，公司将以现有客户为基础，在努力提升产品质量的同时，以客户需求为导向，在各个方面深入了解客户需求，以求充分满足客户的差异化需求，从而不断增加现有客户订单；其次，公司将在稳定与现有客户合作关系的同时，凭借公司成熟的业务能力及优质的产品质量逐步向新的客户群体拓展，挖掘新的销售市场；最后，公司将不断完善营销网络建设，提升公司售后服务能力，从而提升公司整体服务水平，实现整体业务的协同及平衡发展。（六）人才发展规划人才是公司发展的核心资源，为了实现公司总体战略目标，公司将健全人力资源管理体系，制定科学的人力资源开发计划，进一步建立完善的培训、薪酬、绩效和激励机制，最大限度的发挥人才潜力，为公司的可持续发展提供人才保障。公司将立足于未来发展需要，进一步加快人才引进。通过专业化的人力资源服务和评估机制，满足公司的发展需要。一方面，公司将根据不同部门职能，有针对性的招聘专业化人才：管理方面，公司将建立规范化的内部控制体系，根据需要招聘行业内专业的管理人才，提升公司整体管理水平；技术方面，公司将引进行业内优秀人才，提升公司的技术创新能力，增加公司核心技术储备，并加速成果转化，确保公司技术水平的领先地位。另一方面，公司将建立人才梯队，以培养管理和技术骨干为重点，有计划地吸纳各类专业人才进入公司，形成高、中、初级人才的塔式人才结构，为公司的长远发展储备力量。培训是企业人力资源整合的重要途径，未来公司将强化现有培训体系的建设，建立和完善培训制度，针对不同岗位的员工制定科学的培训计划，并根据公司的发展要求及员工的发展意愿，制定员工的职业生涯规划。公司将采用内部交流课程、外聘专家授课及先进企业考察等多种培训方式提高员工技能。人才培训的强化将大幅提升员工的整体素质，使员工队伍进一步适应公司的快速发展步伐。公司将制定具有市场竞争力的薪酬结构，制定和实施有利于人才成长和潜力挖掘的激励政策。根据员工的服务年限及贡献，逐步提高员工待遇，激发员工的创造性和主动性，为员工提供广阔的发展空间，全力打造团结协作、拼搏进取、敬业爱岗、开拓创新的员工队伍，从而有效提高公司凝聚力和市场竞争力。第三章 背景及必要性一、 湿法清洗是主流清洗技术路线根据清洗的介质不同，清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种。湿法清洗是指利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，通过腐蚀、溶解、化学反应等方法，使硅片表面的杂质与溶剂发生化学反应生成可溶性物质、气体或直接脱落，以获得满足洁净度要求的硅片。干法清洗是指不依赖化学试剂的清洗技术，包括等离子体清洗、气象清洗等。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，是目前市场上的主流清洗方法。湿法清洗采用液体化学试剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法和单晶片清洗等。1)RCA通用清洗法：RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水（UPW）中彻底清洗。2)化学稀释法：在RCA清洗的基础上，对SC1、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀释APMSC2混合物（1:1:50）可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释HPM混合物（1:1:60）和稀释HCI（1:100）在清除金属时可以像标准SC2液体一样有效。采用稀释HCI溶液的另外一个优点是，在低HCI浓度下颗粒不会沉淀。采用稀释RCA清洗法可以使全部化学品消耗减少86%。稀释SC1,SC2溶液及HF补充兆声搅动后，可以降低槽中溶液使用温度，并优化了各种清洗步骤的时间，因此导致槽中溶液寿命加长，使化学品消耗量减少80-90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可以使UPW消耗量减少75-80%。此外，多种稀释化学液体由于低流速或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。3)IMEC清洗法：第一步，去除有机污染物，生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物。第二步，去除氧化层，同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程，在光照条件下，铜的表面沉积速度加快。第三步，在硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用稀释HCL/O3混合物，在低pH值下使硅表面产生亲水性，同时避免再发生金属污染，并且在最后冲洗过程中增加HNO3的浓度以减少Ca表面污染。4)单晶片清洗：大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法。其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化的DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。干法清洗采用气相学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法，清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室，反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程，在氧化炉中进行，氩（Ar）溅射通常在溅射淀积前现场进行。干法清洗的优点在于清洗后无废液，可有选择性的进行局部处理。另外，干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应，都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混合物蒸发压力不同，在低温下各种金属挥发性不同，所以在一定的温度、时间条件下，不能将所有金属污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验证明，气相化学法可按要求的标准减少的金属污染物有铁、铜、铝、锌、镍等，另外，钙在低温下采用基于CL离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常采用干、湿法相结合的清洗方式。二、 清洗步骤贯穿芯片生产各环节，是芯片良率重要保障清洗是半导体制程的重要环节，也是影响半导体器件良率的最重要的因素之一。清洗是晶圆加工制造过程中的重要一环，为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响，在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗，还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗，在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程工艺中均为必要环节。1)硅片制造过程中，经过抛光处理后的硅片，需要通过清洗过程来确保其表面的平整度和性能，进而提升在后续工艺中的良率。2)晶圆制造过程中，晶圆经过光刻、刻蚀、离子注入、去胶、成膜以及机械抛光等关键工序前后都需要进行清洗，以去除晶圆沾染的化学杂质，减少缺陷率，提高良率。3)芯片封装过程中，芯片需要根据封装工艺进行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸点底层金属/薄膜再分布技术)清洗以及健合清洗等。硅片在进入每道工序之前表面必须是洁净的，需经过重复多次的清洗步骤，除去表面的污染物。芯片制造需要在无尘室中进行，在芯片的制造过程中，任何的沾污现象都将影响芯片上器件的正常功能。沾污杂质具体指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率以及电学性能的物质。具体的沾污物包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等，此类污染物包括从环境、其他制造工艺、刻蚀副产物、研磨液等。上述沾污杂质如果不及时清理均可能导致后续工艺的失败，导致电学失效，最终会造成芯片报废。清洗步骤数量是芯片制造工艺步骤占比最大的工序，约占所有芯片制造工序步骤的30%以上。伴随半导体制造技术节点的进步，清洗工序的数量和重要性将继续提高。在半导体芯片工艺技术节点进入28nm、14nm以及更先进等级后，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的高效清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过200道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。三、 强化创新核心地位，提升战略支撑能力坚持把创新作为引领发展的第一动力，面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，深入实施创新驱动发展战略，完善区域创新体系，加快建设创新型省份，努力把我省打造成西部地区创新驱动发展新高地。第四章 市场分析一、 芯片良率的重要保障，半导体清洗设备国产替代正当时清洗步骤是芯片良率的重要保障，单片成为先进制程清洗设备的主流发展趋势：为了最大限度降低杂质对芯片良率的影响，在实际生产过程中不仅需要确保高效的单次清洗，还需要在几乎所有的制程前后都进行频繁的清洗，清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、芯片封装各环节。根据清洗的介质不同，清洗技术可以分为湿法清洗和干法清洗两种，湿法清洗技术是目前市场上的主流清洗方法。根据结构，清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、批式旋转喷淋清洗设备和洗刷器等，单片清洗具备良率高的优点，槽式清洗具备效率高的优点，单片清洗在先进工艺中逐步取代槽式清洗成为主流。根据东京电子的预测，预计未来单片清洗将占据主要份额。日系巨头领跑全球，国产替代进展顺利：从竞争格局来看，全球半导体清洗设备高度集中于日本、美国、韩国等企业。根据Gartner数据，全球半导体清洗设备行业的龙头企业主要是迪恩士(DainipponScreen)、东京电子(TEL)、韩国SEMES、拉姆研究（LamResearch）等，其中迪恩士处于绝对领先地位，2020年占据了全球半导体清洗设备45.1%的市场份额，东京电子、SEMES和拉姆研究分别占据约25.3%、14.8%和12.5%。国内厂商主要包括至纯、盛美、北方华创、芯源微等，在全球市场规模占比较小，在国内市场占比处于快速提高状态。根据中国国际招标网信息，从2019年2021年H1中国主流晶圆厂清洗设备招标采购份额来看，我国半导体清洗设备的国产化率已经维持在10%20%，属于国产化突破较快的设备。目前，国内厂商如至纯、盛美、北方华创已经具备28nm制程清洗设备能力，产品性能比肩国际主流，具备进口替代能力，能满足大陆晶圆厂的扩产需求，清洗设备国产替代迎快速发展期。二、 先进工艺为清洗设备增添新增长机遇除了受益于半导体行业景气周期上行，半导体工艺升级也将为清洗设备带来新增长机遇，随着芯片先进制程的进步以及芯片结构的复杂化，清洗设备市场有望量价提升。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高，清洗的步骤大幅提高。90nm的芯片清洗工艺约90道，到了20nm清洗工艺达到215道。随着芯片进入16nm以及7nm以下，清洗工艺的道数将会加速增长。另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸到达14nm后，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。3DNAND制造工艺中，主要是将原来2DNAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也从32层、64层向128层发展。3D存储技术的提升，在清洗晶圆表面的基础上提出了更高的要求，即在无损情况下清洗立体内部沾污，对清洗设备提出了更高的要求，清洗设备的单台价值将不断上升。第五章 项目选址方案一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范，有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用，坚持节能、保护环境可持续利用发展，经济效益、社会效益、环境效益三效统一，土地利用最优化。二、 建设区基本情况甘肃，简称“甘”或“陇”，中华人民共和国省级行政区，省会兰州市。位于中国西北地区，东通陕西，西达新疆，南瞰四川、青海，北扼宁夏、内蒙古，西北端与蒙古接壤。介于北纬32°1142°57，东经92°13108°46之间，总面积42.58万平方千米。甘肃地形呈狭长状，地貌复杂多样，山地、高原、平川、河谷、沙漠、戈壁，四周为群山峻岭所环抱，地势自西南向东北倾斜。甘肃地处黄土高原、青藏高原和内蒙古高原三大高原的交汇地带，气候类型从南向北包括亚热带季风气候、温带季风气候、温带大陆性干旱气候和高原山地气候四大类型。“十三五”时期是甘肃发展进程中殊为不易、极不寻常的五年。面对错综复杂的国内外环境和艰巨繁重的改革发展稳定任务，面对政治生态和自然生态遭到破坏、经济下行压力加大的不利局面，面对突如其来的新冠肺炎疫情、多发频发的自然灾害影响，呈现出经济发展持续向好、改革开放有序推进、生态环境明显改善、民生福祉稳步提升、民族团结进步事业创新发展、社会大局和谐稳定、党风政风进一步好转的良好局面。一是脱贫攻坚取得决定性成就，五年累计减贫325万人，贫困地区面貌发生翻天覆地变化，困扰甘肃千百年的绝对贫困问题即将历史性地得到解决。二是生态文明建设全面加强，祁连山生态保护“由乱到治、大见成效”，污染防治三年攻坚行动如期完成，国家西部生态安全屏障综合试验区建设取得积极成效。三是高质量发展迈出重要步伐，经济综合实力持续增强，结构调整和转型升级深入推进，粮食生产连年丰收，基础设施条件进一