单片机第五章-优秀PPT.ppt

第五章 半导体存储器用途：存储程序、原始数据、中间变量、最终结果性能：（1）容量：影响计算机的记忆实力 （2）速度：影响计算机的运算实力1、存储器定义、存储器定义 能存储程序和数据的部件统称为存储器。2、存储器组成、存储器组成 存储器分为内存内存和外存外存两类。5.1 半导体存储器基础半导体存储器基础外存的存储容量大，存外存的存储容量大，存取速度慢；它不能干脆取速度慢；它不能干脆与与CPU交换信息，必交换信息，必需经过内存实现；常用需经过内存实现；常用的有硬盘、软盘和光盘。的有硬盘、软盘和光盘。内存的存储容量有内存的存储容量有限，存放将要运行限，存放将要运行的程序和数据，存的程序和数据，存取速度快，可以干取速度快，可以干脆与脆与CPU交换信息。交换信息。3、内存储器的组成、内存储器的组成 存储器由半导体存储器芯片（存储器由半导体存储器芯片（VLSI）组成。）组成。单片机内部存储器，单片机内部存储器，当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。当用半导体存储器芯片组成内存时必需满足个要求：当用半导体存储器芯片组成内存时必需满足个要求：每个存储单元确定要有每个存储单元确定要有8个位。个位。存储单元的个数满足系统要求。存储单元的个数满足系统要求。留意：内存的容量是指它所含存储单元的个数留意：内存的容量是指它所含存储单元的个数 每个存储单元确定有每个存储单元确定有8个位，可存储个位，可存储8位二进制信息。位二进制信息。1、ROM简介简介 ROM是是只只读读存存储储器器，ROM中中的的信信息息是是用用写写录录器器写写入入的的，一一旦旦写写入入，其其上上的的信信息息就就不不能能随随意意更更改改，其其内内的的信信息息可可以以由由CPU读读出出，但但不不能能由由CPU通通过过指令写入。指令写入。2、ROM特性特性 ROM具具有有非非易易失失性性，即即掉掉电电后后其其上上的的信信息息不不消消逝逝，常常常常用用于于存存储储程程序序和固定的数据表格。和固定的数据表格。3、ROM分类：分类：掩掩膜膜ROM其其上上的的程程序序由由厂厂家家用用特特殊殊工工艺艺写写入入，结结构构简简洁洁，集集成成度度高高，但成本也高，适用于大批量产生。但成本也高，适用于大批量产生。PROM出出厂厂时时，其其上上未未存存任任何何信信息息；用用户户可可以以用用编编程程器器写写入入，一一旦旦写写入其上的程序就不能再更改。入其上的程序就不能再更改。EPROM出出厂厂时时，其其上上未未存存任任何何信信息息；用用户户可可以以用用编编程程器器写写入入，也也可可以用紫外线整片擦除。以用紫外线整片擦除。E2PROM出出厂厂时时，其其上上未未存存任任何何信信息息；用用户户可可以以用用编编程程器器写写入入，也也可可以用电信号整字节擦除。以用电信号整字节擦除。4、典型、典型ROM芯片芯片5.1.1 ROM芯片芯片2764Intel2764的容量为8K8，有28个引脚。各引脚的功能如下：Al2A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的8K个存储单元。D7D0：双向数据信号输入输出引脚。CE：片选信号输入引脚，低电平有效。OE：数据输出允许限制信号引脚，低电平有效。VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作。PGM：编程脉冲输入，低电平有效 Vcc：+5v电源。GND：地。2764A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12CEOEVPPPGMD0D1D2D3D4D5D6D727641、RAM简介简介 RAM是随机读写存储器，其中的信息由是随机读写存储器，其中的信息由CPU通过指令读写通过指令读写 （movx dptr,a ,movx a,dptr）。）。2、RAM特性特性 RAM具有易失性，即掉电后其上的信息消逝，故用于存储临时性数据。具有易失性，即掉电后其上的信息消逝，故用于存储临时性数据。3、RAM分类：分类：RAM分分为为2类类：双双极极型型和和MOS型型（MOS型型RAM因因其其集集成成度度高高，功功耗耗低低，价格便宜而得到广泛应用）。价格便宜而得到广泛应用）。MOS型型RAM又分为又分为SRAM和和DRAM。4、典型、典型RAM芯片芯片5.1.2 RAM芯片芯片6264SRAM用MOS型双稳态触发器存储信息，集成度低，接口简洁。DRAM用电容存储信息，集成度高，接口困难，因为电容上的电荷简洁泄漏，所以必需定时充电。Intel6264的容量为8K8，有28个引脚。各引脚的功能如下：Al2A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的8K个存储单元。D7D0：双向数据信号输入输出引脚。OE：数据输出允许限制信号引脚，低电平有效。WE：数据输入允许限制信号引脚，低电平有效。CS1：片选信号输入引脚，低电平有效。CS2：片选信号输入引脚，高电平有效。Vcc：+5v电源，用于在线的读操作。GND：地。6264A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12WEOECS1CS2D0D1D2D3D4D5D6D76264（1）OPT ROM 双极性熔丝式（2）Flash 闪存（3）FRAM 非易失性铁电存储器（4）nvSRAM 新型非易失性静态读写存储器（5）新型动态存储器5.1.3 新型存储器新型存储器存储器的主要技术指标1、存储容量 指可存储的信息的字节数或比特数，通常用存储字数（单元数）存储字长（每单元的比特数）表示。例如：1Mb=1M 1bit=128k 8bit=256k 4bit=1M位 1MB=1M 8bit=1M字节 2、存取速度（可用多项指标比表示）（1）存取时间（访问时间）TA 从存储器接收到读/写吩咐到信息被读出或写入完成所需的时间（确定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。例如：ROM存取时间通常为几百 ns；RAM存取时间通常为几十 ns 到一百多ns；双极性RAM存取时间通常为1020 ns。（2）存取周期 TM 指在存储器连续读/写过程中一次完整的存取操作所需的时间或者说是CPU连续两次访问存储器的最小时间间隔。（有些存储器在完成读/写操作后还有一些附加动作时间或复原时间，例如刷新或重写时。）TM略大于TA（3）数据传送速率（频宽）BM 单位时间内能够传送的信息量。若系统的总线宽度为W，则BM=W/TM（b/s）例如：若W=32位，TM=100ns，则 BM=32bit/10010-9s=32010+6=320Mbit/s=40MB/s 3、集成度与功耗 （嵌入式系统或便携式微机中尤为重要）4、牢靠性和工作寿命 平均故障间隔时间（MTBF），即两次故障之间的平均时间间隔。EPROM重写次数在数千到10万次之间；ROM数据保存时限是20年到100多年。存储阵列（存放数据）地址译码器（确定位置）三态双向缓冲器（传输通道）限制电路（时序限制）5.1.4 半导体存储器的基本结构单译码编址存储器字线总数=2n 例如 213=8192双译码编址存储器X地址线=27=128，Y地址线=26=64，总数=192 ROM（Read Only Memory）ROM的信息在运用时是不被变更的，即只能读出，不能写入，写入是有条件的。一般只能存放固定程序和常量，如监控程序、BIOS程序等。ROM芯片的种类很多，有掩膜ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）等。5.2 ROM存储器存储器 上图为一个简洁的上图为一个简洁的4 4位位MOS管管ROM，接受单译码结构，两位地址可译，接受单译码结构，两位地址可译出出4种状态，输出种状态，输出4条选择线，可分别选中条选择线，可分别选中4个单元每个单元有个单元每个单元有4位输出。位输出。若若A1A0=00,则选中则选中0号单元，输出为号单元，输出为1010B。图中的矩阵中，在行列的交。图中的矩阵中，在行列的交点，有的有管子，输出为点，有的有管子，输出为0，有的没有，输出为，有的没有，输出为1，这是依据用户供应的程序，这是依据用户供应的程序对芯片图形（掩膜）进行二次光刻所确定的。对芯片图形（掩膜）进行二次光刻所确定的。1、掩膜ROM：厂家依据用户的要求接受掩膜技术把程序和数据在制作集成电路时就已写入完成。一旦制造完毕，存储器的内容就被固定下来，用户不能修改。2、可编程ROM（PROM）为了便于用户依据自己的须要确定ROM的内容，有一种可一次编程的ROM，简称PROM。这种芯片的内部是接受多放射极（8个）熔丝式PROM结构。每一个放射极通过一个熔丝与位线相连，管子工作于射极输出器状态。熔丝一旦烧断，不行逆转，所以只能一次编程写入。下图为这种PROM芯片的内部结构。3、UV-EPROM UV-EPROM为紫外光可擦除可编程的ROM 内部电路结构如图，工作原理如下：行线行线=1时，时，T1导通，导通，T2导通，但因为悬浮栅，导通，但因为悬浮栅，T3不导通，该电路为全不导通，该电路为全1。当写入时，加当写入时，加12.5V25V高压，高压，D,S被瞬时击穿，会有电子通过绝缘层注入被瞬时击穿，会有电子通过绝缘层注入悬浮栅。电压去掉后，电子无处泄漏，硅栅为负，形成导电沟道（悬浮栅。电压去掉后，电子无处泄漏，硅栅为负，形成导电沟道（P），从），从而使而使EPROM单元导通，输出为单元导通，输出为0，没有击穿的单元输出仍为，没有击穿的单元输出仍为1。当紫外线照射时，悬浮栅上的电荷会形成光电流泄漏掉当紫外线照射时，悬浮栅上的电荷会形成光电流泄漏掉，即可把信息擦除。，即可把信息擦除。输出仍为全输出仍为全1。用紫外线照射芯片的石英窗口约。用紫外线照射芯片的石英窗口约10多分钟即可。多分钟即可。4、E2PROM（电擦除PROM，又称EEPROM或E2PROM:Electrically Erasable PROM）工作原理：是在绝缘栅MOS管的浮栅旁边再增加一个栅极（限制栅）。给限制栅加一正电压，就可在浮栅和漏极之间形成厚度不足200（埃）的隧道氧化物。利用隧道效应，电子可注入浮栅，即数据被编程写入。若给限制栅加一负压，浮栅上的电荷可泄漏掉，即信息被擦除。5.3 RAM存储器存储器 RAM（Random Access Memory）RAM的信息在工作时既能读又能写。能存放数据、中间变量、最终结果等。依据存储信息方式不同，RAM可分为静态（触发器）和动态（存储电容）两种。1、Static-RAM 半导体静态存储器。6管静态存储器单元电路电路组成工作原理 SRAM的基本存储电路是双稳态触发器构成的。为了保持双稳态触发器的状态，增加了两个门控管T5，T6。当位线是高电平常，T5,T6导通，A、B端就分别和位线D和相连，若相应的列选线也是高电平，则T7,T8也导通，于是D和D非就分别和输入/输出电路的I/O线及I/O非线相通了。进行写入操作时，写入信号自I/O线及I/O非线输入。由于存储单元有电源及负载管，可以不断地向栅极补充电荷。所以各个管子的状态不会变更，写入的信息可以恒久保持下去。SRAM的典型芯片介绍 SRAM 有 Intel 6116，6264，62128，62256等。6116：容量为：16k位=2k8bit，因为SRAM内部都是按字节组成的。地址线：11条，7条用于行地址，4条用于列地址。数据线：8条，按字节输入、输出。存储体：128168=16384个存储单元。限制线：3条，OE,WE,CS。6116的引脚与内部结构如下图：2、Dynamic-RAM半导体存储器 由由T与电容与电容Cs组成，信息存储在组成，信息存储在Cs上。上。当当X=1，T导通，电容导通，电容Cs与数据线与数据线D连通。连通。写入时，外部数据驱动写入时，外部数据驱动D，并由，并由D对对电容电容Cs充电或放电，变更其存储的信息。充电或放电，变更其存储的信息。读出时，读出时，Cs经经D对数据线上的寄生电对数据线上的寄生电容容Cd充电或放电，从而变更寄生电容充电或放电，从而变更寄生电容Cd上的电压，读出所存储的信息。因每次输上的电压，读出所存储的信息。因每次输出都会使出都会使Cs上原有的电荷泄放，存储的内上原有的电荷泄放，存储的内容就会被破坏，所以读出是破坏性的。为容就会被破坏，所以读出是破坏性的。为此，每次读出后都须要进行再生（重新写此，每次读出后都须要进行再生（重新写入）以复原入）以复原Cs上的信息。上的信息。因为因为CsCd，读出时引起的数据读出时引起的数据线上的电压变更很小，再加上噪声的影响，线上的电压变更很小，再加上噪声的影响，需经过灵敏度很高的读出放大器放大和整需经过灵敏度很高的读出放大器放大和整形后才能输出形后才能输出 由于基本单元电路简洁，使DRAM的基本存储单元集成度很高，但DRAM的附属电路 较困难，需读出放大器，整形，刷新等电路。为什么DRAM要不断地刷新？由于DRAM是靠电容Cs存储信息的，Cs有电荷时为逻辑“1”，没有电荷时为逻辑“0”。但由于任何电容都存在漏电，因此当电容Cs存有电荷时，过一段时间由于电容的放电会导致电荷流失，信息也会丢失，解决的方法是刷新，即每隔确定时间（大约14ms）就要刷新一次，使原来处于逻辑“1”的电容的电荷又得到补充，而原来处于电平“0”的电容仍保持“0”。DRAM芯片2116介绍：为16k1bit的DRAM芯片，对外引脚16条。A0A6：地址信号为7条；WE：写允许；RAS：行地址选通；CAS：列地址选通；Do：数据输出；Di：数据输入；运用时Do、Di连接在一起。其内部有行、列地址锁存器，行、列译码器，存储矩阵，读出放大器，行、列时钟电路，输出缓冲器和输入寄存器等部件组成。（128行128列，每隔15s刷新一行，1.92ms刷新一遍）其内部结构框图如下：DRAM的刷新策略：DRAM芯片有片内刷新，片外刷新。（1）集中刷新：将整个刷新周期分为两部分,前一部分可进行读、写或维持（不读不写），后一部分不进行读写操作而集中对DRAM刷新操作。这种方式限制简洁。但在刷新过程中不允许读写，存在死时间。（2）分散刷新（隐式刷新）：在每个读写或维持周期之后插入刷新操作，刷新存储矩阵的一行全部单元。这样把一个存储系统的周期分为两部分，读写、维持时间和刷新时间。优点是限制简洁，不存在死时间；缺点是刷新时间占整个读写系统时间的一半，故只用于低速系统。（3）异步刷新：利用CPU不访问存储器的时间进行刷新操作。若依据预定的时间间隔应当刷新时，CPU正在访问存储器，刷新周期可以向后略微延迟一段时间，只要保证在刷新周期内全部的行都能得到刷新即可。这种方式优点是：对CPU访存的效率和速度影响小，又不存在死时间；缺点是：限制电路较困难。The end !The end !The end !The end !