第一篇-第二章-平面光波在两介质分界平面上的反射与透射.优秀PPT.ppt

薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础其次章其次章 平面光波在两介质分界平平面光波在两介质分界平 面上的反射与透射面上的反射与透射曹建章曹建章薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 光波的反射和透射是薄膜光学的基本问光波的反射和透射是薄膜光学的基本问题。当薄膜介质参数已知的状况下，并假定题。当薄膜介质参数已知的状况下，并假定介质分界面为光滑平面，通常接受几何光学介质分界面为光滑平面，通常接受几何光学近似方法求解平面光波在界面两侧的电场振近似方法求解平面光波在界面两侧的电场振幅之间的关系幅之间的关系即反射系数和透射系数。几即反射系数和透射系数。几何近似方法不仅适用于匀整介质，也可用于何近似方法不仅适用于匀整介质，也可用于非匀整介质和吸取介质。本章首先探讨非匀整介质和吸取介质。本章首先探讨S-波反波反射和射和P-波反射，然后探讨吸取介质、非匀整介波反射，然后探讨吸取介质、非匀整介质和各向异性介质的反射和透射。质和各向异性介质的反射和透射。2.1 各向同性志向介质界面的反射与透射各向同性志向介质界面的反射与透射2.1.1 S-波反射与透射波反射与透射薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 对于随意极化状态对于随意极化状态平面光波的反射和透射平面光波的反射和透射可分解为两个相互垂直可分解为两个相互垂直的极化波的叠加。通常的极化波的叠加。通常选取电场矢量垂直于入选取电场矢量垂直于入射面为垂直极化，称为射面为垂直极化，称为S-波偏振；而选取电场波偏振；而选取电场矢量平行于入射面为平矢量平行于入射面为平行极化，称作行极化，称作P-波偏振。波偏振。如图如图2-1所示。依据式所示。依据式(1-42）和式）和式(1-43），），薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础可写出入射平面光波的复振幅矢量表达式为可写出入射平面光波的复振幅矢量表达式为式中式中 是电场在是电场在r=0处的幅值，处的幅值，为介质为介质1中的波数，中的波数，为介质为介质1的本征阻抗。由图的本征阻抗。由图2-1，在直角坐标下，入射波传播方向的单位矢量。，在直角坐标下，入射波传播方向的单位矢量。由图由图2-1，在直角坐标下，入射波传播方向的，在直角坐标下，入射波传播方向的单位矢量单位矢量 写成重量形式，有写成重量形式，有（2-1）（2-2）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波面上随意一点的位置矢量为波面上随意一点的位置矢量为将上两式代入式（将上两式代入式（2-1），得到），得到 同理，可得反射平面波与透射平面波电同理，可得反射平面波与透射平面波电场和磁场复振幅矢量表达式为场和磁场复振幅矢量表达式为（2-3）（2-4）（2-5）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-6）其中其中 和和 分别为介质分别为介质2中的波数和本征阻抗。中的波数和本征阻抗。依据边界条件依据边界条件有有（2-7）（2-8）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础得到得到对随意的对随意的 x，要使（，要使（2-9）两式成立，必需使三）两式成立，必需使三个指数满足相位匹配条件，即个指数满足相位匹配条件，即由此得到，斯涅尔反射定律由此得到，斯涅尔反射定律（2-9）（2-10）（2-11）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础和斯涅尔折射定律和斯涅尔折射定律式中式中 、分别为介质分别为介质1和介质和介质2的折射率。的折射率。考虑到式（考虑到式（2-10），则式（），则式（2-9）化为）化为联立求解上两式，得到联立求解上两式，得到S-波偏振状况下反射系波偏振状况下反射系数和透射系数的表达式为数和透射系数的表达式为（2-12）（2-13）（2-14）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-15）这两个系数称之为这两个系数称之为S-波偏振菲涅尔反射系数和波偏振菲涅尔反射系数和透射系数，二者满足关系透射系数，二者满足关系 假定光学介质假定光学介质 ，利用关系式，利用关系式（1-39），式（），式（2-14）和式（）和式（2-15）简化为）简化为（2-16）（2-17）（2-18）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础在垂直入射的状况下，在垂直入射的状况下，则式（，则式（2-17）和式（）和式（2-18）简化为）简化为 对于对于S-波偏振，引入介质界面两侧光学波偏振，引入介质界面两侧光学有效导纳有效导纳则式（则式（2-17）和式（）和式（2-18）改写为）改写为（2-19）（2-20）（2-21）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-22）（2-23）须要留意，此处光学有效导纳并不具有导纳须要留意，此处光学有效导纳并不具有导纳的量纲，因为在反射系数和透射系数表达式的量纲，因为在反射系数和透射系数表达式中分子和分母消去了因子中分子和分母消去了因子 。2.1.2 P-波反射与透射波反射与透射 如图如图2-2所示。依据式（所示。依据式（1-42）和式（）和式（1-43），可写出入射平面波的复振幅矢量表达），可写出入射平面波的复振幅矢量表达式为式为 薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-24）式中式中 是电场在是电场在 处处的幅值，的幅值，为介为介质质1中的波数，中的波数，1 为介质为介质1的本征阻抗，的本征阻抗，为平为平面波传播方向的单位矢量，面波传播方向的单位矢量，r为平面波波前上为平面波波前上随意点的位置矢量。随意点的位置矢量。和和r取式（取式（2-2）和式）和式（2-3），代入式（），代入式（2-24），得到入射平面光），得到入射平面光薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波电场和磁场复振幅矢量的表达式为波电场和磁场复振幅矢量的表达式为 同理，可得反射波与透射波电场和磁场同理，可得反射波与透射波电场和磁场复振幅矢量表达式为复振幅矢量表达式为（2-25）（2-26）（2-27）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础其中其中 k2和和 2分别为介质分别为介质2中的波数和本征阻抗。中的波数和本征阻抗。依据边界条件式（依据边界条件式（2-7），有），有得到得到同样，对随意的同样，对随意的x，要使式（，要使式（2-29）等式成立，）等式成立，必需使三个指数相位满足相位匹配条件必需使三个指数相位满足相位匹配条件（2-28）（2-29）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-30）即满足即满足则式（则式（2-29）化为）化为联立求解上两式，得到联立求解上两式，得到P-波偏振状况下菲涅波偏振状况下菲涅尔反射系数和透射系数的表达式为尔反射系数和透射系数的表达式为（2-31）（2-32）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-33）（2-34）在在P-波偏振状况下，二者满足关系波偏振状况下，二者满足关系 假定光学介质假定光学介质 ，利用关系式，利用关系式（1-39），式（），式（2-33）和式（）和式（2-34）简化为）简化为（2-35）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-36）（2-37）须要留意的是反射系数须要留意的是反射系数 与反射波电场和磁与反射波电场和磁场的方向选取有关，相差一负号。场的方向选取有关，相差一负号。对于对于P-波偏振反射和透射，引入介质界波偏振反射和透射，引入介质界面两侧光学有效导纳面两侧光学有效导纳（2-38）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础则式（则式（2-36）和式（）和式（2-37）改写为）改写为须要留意的是须要留意的是P-波偏振状况下，用光学有效波偏振状况下，用光学有效导纳表示的透射系数与垂直入射状况下的透导纳表示的透射系数与垂直入射状况下的透射系数公式相差因子射系数公式相差因子 。2.2 各向同性吸取介质界面的反射与透射各向同性吸取介质界面的反射与透射2.2.1 S-波反射与透射波反射与透射 假设介质电导率假设介质电导率 ，在平面，在平面（2-39）（2-40）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波等振幅面与等相位面重合的状况下，依据图波等振幅面与等相位面重合的状况下，依据图2-1，由式（，由式（1-49）和式（）和式（1-50），可写出入射），可写出入射平面波、反射平面波和透射平面波电场强度矢平面波、反射平面波和透射平面波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下：量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下：入射波：入射波：（2-41）反射波：反射波：（2-42）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础透射波：透射波：（2-43）由边界条件（由边界条件（2-7）式，得到）式，得到对随意的对随意的x，要使（，要使（2-44）两式成立，必需使）两式成立，必需使三个指数满足相位匹配条件，即三个指数满足相位匹配条件，即（2-44）（2-45）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础由此得到，斯涅尔反射定律和斯涅尔折射定由此得到，斯涅尔反射定律和斯涅尔折射定律律式中式中 和和 分别为介质分别为介质1和介质和介质2的复折射率。的复折射率。明显，吸取介质中的折射定律与志向介质中明显，吸取介质中的折射定律与志向介质中的折射定律形式完全相同。的折射定律形式完全相同。由相位匹配条件式（由相位匹配条件式（2-45），式（），式（2-44）简化为简化为（2-46）（2-47）（2-48）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础联立求解得到联立求解得到在吸取介质的状况下，在吸取介质的状况下，S-波偏振的反射系数和波偏振的反射系数和透射系数二者仍旧满足关系透射系数二者仍旧满足关系 由式（由式（1-51），式（），式（2-49）和式（）和式（2-50）简化为简化为（2-49）（2-50）（2-51）（2-52）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-53）在垂直入射的状况下，在垂直入射的状况下，则式，则式（2-52）和式（）和式（2-53）简化为）简化为由此可以看出，吸取介质中的由此可以看出，吸取介质中的S-波偏振反射系波偏振反射系数和透射系数与志向介质中的形式完全相同，数和透射系数与志向介质中的形式完全相同，给计算带来极大的便利。给计算带来极大的便利。（2-54）（2-55）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 同样，同样，S-波反射与透射引入介质界面两侧波反射与透射引入介质界面两侧复光学有效导纳复光学有效导纳式（式（2-52）和式（）和式（2-53）化为）化为2.2.2 P-2.2.2 P-波反射与透射波反射与透射 同样，在平面波等振幅面与等相位面重同样，在平面波等振幅面与等相位面重（2-56）（2-57）（2-58）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础合的状况下假设介质电导率合的状况下假设介质电导率 ，依，依据图据图2-2，由式（，由式（1-49）和式（）和式（1-50），可写），可写出出P-偏振入射平面波、反射平面波和透射平面偏振入射平面波、反射平面波和透射平面波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下：达式如下：入射波：入射波：反射波：反射波：（2-59）（2-60）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础透射波：透射波：（2-61）同样，利用边界条件（同样，利用边界条件（2-7）和相位匹配）和相位匹配条件，可以得到条件，可以得到（2-62）（2-63）（2-64）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础二者满足关系二者满足关系由（由（1-51）式，简化式（）式，简化式（2-63）、式（）、式（2-64），），有有同样，吸取介质中的同样，吸取介质中的P-偏振反射系数和透射系偏振反射系数和透射系数与志向介质中的形式也完全相同。数与志向介质中的形式也完全相同。（2-65）（2-66）（2-67）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 对于对于P-波偏振反射和透射，引入介质界波偏振反射和透射，引入介质界面两侧复光学有效导纳为面两侧复光学有效导纳为则式（则式（2-66）和式（）和式（2-67）改写为）改写为（2-68）（2-69）（2-70）一下两节内容为探讨生学习内容，暂略。一下两节内容为探讨生学习内容，暂略。=薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础2.3 2.3 非匀整介质界面的反射与透射非匀整介质界面的反射与透射2.3.1 2.3.1 几何光学近似条件下非匀整介质中的几何光学近似条件下非匀整介质中的波传播波传播2.3.1.1 S-2.3.1.1 S-波射线振幅及相位波射线振幅及相位2.3.1.2 P-2.3.1.2 P-波射线振幅及相位波射线振幅及相位2.3.2 2.3.2 随意非匀整介质界面的反射系数方程随意非匀整介质界面的反射系数方程2.3.2.1 S-2.3.2.1 S-波偏振的反射系数方程波偏振的反射系数方程2.3.2.2 P-2.3.2.2 P-波偏振的反射系数方程波偏振的反射系数方程2.4 2.4 各向异性介质界面的反射与透射各向异性介质界面的反射与透射2.4.1 2.4.1 平面对称各向异性介质中麦克斯韦方平面对称各向异性介质中麦克斯韦方程的重量形式程的重量形式薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础各向异性介质界面各向异性介质界面S-S-波反射与透射波反射与透射各向异性介质界面各向异性介质界面P-P-波反射与透射波反射与透射=2.5 2.5 反射系数和透射系数随入射角的变更反射系数和透射系数随入射角的变更 反射系数和透射系数是描述反射波反射系数和透射系数是描述反射波振幅、透射波振幅与入射波振幅之比随入射振幅、透射波振幅与入射波振幅之比随入射角变更的关系，这种关系在薄膜光学的膜系角变更的关系，这种关系在薄膜光学的膜系仿真计算中特别重要。下面简要介绍一些重仿真计算中特别重要。下面简要介绍一些重要概念，并给出一些实例加以探讨。要概念，并给出一些实例加以探讨。2.5.1.2.5.1.全反射与倏逝波全反射与倏逝波薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 1.，即，即 ，由于正弦函数在，由于正弦函数在第一象限是增函数，必有第一象限是增函数，必有 ，由式（，由式（2-17）、式（）、式（2-18）、式（）、式（2-36）和式（）和式（2-37）可以推断，入射角为可以推断，入射角为 随意可能值时，随意可能值时，S-波反射系数波反射系数 和和P-波反射系数波反射系数 、S-波透射系波透射系数数 和和P-波透射系数波透射系数 均为实数，实例见图均为实数，实例见图2-8（a）所示。）所示。2.，即，即 ，依据斯涅尔定律式，依据斯涅尔定律式（2-12）或式（）或式（2-31）可知，透射角大于入射）可知，透射角大于入射角，即角，即 ，当，当 时，透射角时，透射角 ，此时式（此时式（2-12）或式（）或式（2-31）变为）变为薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 称之为临界角。当称之为临界角。当 时，仍取时，仍取 ，由式（由式（2-6）和式（）和式（2-27）可知，对于）可知，对于S-波，磁波，磁场仅有场仅有Z重量，电场沿重量，电场沿Y方向，由坡印廷定理方向，由坡印廷定理知，波沿知，波沿+X方向传播，没有方向传播，没有Z方向传播的波；方向传播的波；而对于而对于P-波，电场仅有波，电场仅有-Z重量，磁场沿重量，磁场沿Y方向，方向，波沿波沿+X方向传播，也没有方向传播，也没有Z方向传播的波，如方向传播的波，如图图2-7所示。在此状况下，由式（所示。在此状况下，由式（2-17）和式）和式（2-36）可知，）可知，表明无论是，表明无论是S-波还是波还是P-波，当入射角大于临界角时，都将产生全反波，当入射角大于临界角时，都将产生全反（2-200）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础射，实例见图射，实例见图2-8（b）所示。因此，临界角）所示。因此，临界角也称之为也称之为全反射角全反射角。薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础3假如假如 ，当入射角大于临界角，即，当入射角大于临界角，即 ，依据斯涅尔定律，透射角，依据斯涅尔定律，透射角 ，有，有明显，这时斯涅尔定律不成立。要使斯涅尔明显，这时斯涅尔定律不成立。要使斯涅尔定律形式上成立，可取透射角为复角，由式定律形式上成立，可取透射角为复角，由式（2-12）得到）得到将该式代入式（将该式代入式（2-6），得到），得到（2-201）（2-202）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-203）式中式中为为式（式（2-203）表明，介质）表明，介质2中存在非匀整平面波，中存在非匀整平面波，波沿波沿+X方向传播，而在方向传播，而在+Z方向是衰减的，其方向是衰减的，其衰减常数为衰减常数为。等于常数为等振幅面，等于常数为等振幅面，等于常数为等相位面，如图等于常数为等相位面，如图2-7所示。这种存所示。这种存在于介质在于介质2中沿平行于界面传播而在垂直于界中沿平行于界面传播而在垂直于界面方向衰减的非匀整平面波称之为倏逝波，由面方向衰减的非匀整平面波称之为倏逝波，由于沿表面传播，所以也称之为表面波。于沿表面传播，所以也称之为表面波。（2-204）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础2.5.2 2.5.2 全透射全透射 当菲涅尔反射系数当菲涅尔反射系数 ，对应的入射角，对应的入射角 定义为布儒斯特角，记为定义为布儒斯特角，记为 。对于对于S-S-波偏振的状况，令式（波偏振的状况，令式（2-172-17）的分子为零，有的分子为零，有把该式两端平方，再利用（把该式两端平方，再利用（2-122-12）式，得到）式，得到明显，无解。结果表明斜入射的明显，无解。结果表明斜入射的S-S-波不存在布波不存在布儒斯特角，也即不存在儒斯特角，也即不存在S-S-波反射为零的入射角。波反射为零的入射角。（2-205）（2-206）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 对于对于P-波，令式（波，令式（2-36）的分子为零，并）的分子为零，并利用（利用（2-31）式，得到）式，得到或者或者由以上两点可知，当入射光波的电场矢量为随由以上两点可知，当入射光波的电场矢量为随意偏振方向时，可分解为意偏振方向时，可分解为S-波偏振重量和波偏振重量和P-波波偏振重量之矢量和，当波以布儒斯特角入射到偏振重量之矢量和，当波以布儒斯特角入射到介质表面时，介质表面时，P-波重量全部透入其次种介质，波重量全部透入其次种介质，（2-207）（2-208）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础而反射波仅包含而反射波仅包含S-波偏振重量，这种现象称为波偏振重量，这种现象称为全透射。于是随意偏振方向的光波以布儒斯特全透射。于是随意偏振方向的光波以布儒斯特角入射时，反射波将仅包含角入射时，反射波将仅包含S-波偏振重量，而波偏振重量，而椭圆偏振或圆偏振光波经反射后将成为线偏振椭圆偏振或圆偏振光波经反射后将成为线偏振光波，所以布儒斯特角也称之为偏振角或极化光波，所以布儒斯特角也称之为偏振角或极化角。角。虽然上述探讨是针对各向同性介质而言，虽然上述探讨是针对各向同性介质而言，对于吸取介质、非匀整介质和各项异性介质也对于吸取介质、非匀整介质和各项异性介质也可以进行探讨。可以进行探讨。(属探讨生学习内容，暂略属探讨生学习内容，暂略)2.5.3 反射系数、透射系数振幅和相位随入射反射系数、透射系数振幅和相位随入射角变更角变更薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 当光波入射到两种介质的分界面上时，反当光波入射到两种介质的分界面上时，反射系数和透射系数随入射角的变更而变更，即射系数和透射系数随入射角的变更而变更，即反射系数和透射系数是入射角的函数。不管是反射系数和透射系数是入射角的函数。不管是S-波偏振还是波偏振还是P-波偏振，光波通过界面不仅可波偏振，光波通过界面不仅可以变更入射波的振幅，还可以变更入射波的相以变更入射波的振幅，还可以变更入射波的相位。一般状况下，菲涅尔反射系数为复值，写位。一般状况下，菲涅尔反射系数为复值，写成模和幅角的形式反映振幅和相位更为便利，成模和幅角的形式反映振幅和相位更为便利，因此，可令因此，可令式中式中 和和 分别为分别为S-波偏振反射系数的模和波偏振反射系数的模和P-波偏振反射系数的模，而波偏振反射系数的模，而 和和 分别为分别为S-波波（2-211）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础偏振反射系数的相位和偏振反射系数的相位和P-波偏振反射系数的相波偏振反射系数的相位，分别称位，分别称 和和 为反射系数的振幅为反射系数的振幅图，而图，而 和和 为反射系数的相位图。为反射系数的相位图。下面首先以光波入射到玻璃与空气分界面下面首先以光波入射到玻璃与空气分界面为例，分析反射系数和透射系数随入射角的变为例，分析反射系数和透射系数随入射角的变更特性。更特性。如图如图2-8所示为所示为S-波偏振和波偏振和P-波偏振反射波偏振反射系数系数 、和透射系数和透射系数 、随入射角随入射角 的变的变更关系曲线。更关系曲线。1.对于对于 的状况，由图的状况，由图2-8（a）可知，）可知，（1）垂直入射，）垂直入射，；薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2）掠入射，）掠入射，；（3）布儒斯特角入射，）布儒斯特角入射，（满足，（满足 ），），表明反射光波中，表明反射光波中仅有仅有S-波偏振，而没有波偏振，而没有P-波偏振，产生全偏振波偏振，产生全偏振现象。另外，反射系数的模现象。另外，反射系数的模 和和 随入射角随入射角的增大而增大，的增大而增大，和和 随入射角的增大而减小，随入射角的增大而减小，但透射系数但透射系数 和和 在在 从从 的范围内总的范围内总取正值，表明透射波与入射波的相位是相同取正值，表明透射波与入射波的相位是相同的，也即电场矢量的方向与图中标定的方向的，也即电场矢量的方向与图中标定的方向一样，光通过界面透射波不发生相位变更。一样，光通过界面透射波不发生相位变更。相位变更对于相位变更对于S-波偏振波偏振,入射角从入射角从薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础的范围内，反射系数的范围内，反射系数 取负值，反射波相位有取负值，反射波相位有 的突变，即电场矢量的方向与图的突变，即电场矢量的方向与图2-1中标定中标定的方向相反，相位变更见图的方向相反，相位变更见图2-9（a）；对于）；对于P-波偏振波偏振,入射角在经过布儒斯特角后，当入射角在经过布儒斯特角后，当 ,反射波的相位有反射波的相位有的突变，相位变更见图的突变，相位变更见图2-9（b）。）。2.的状况，由图的状况，由图2-8（b）可知）可知,（1）垂直入射，）垂直入射，,；（；（2）布儒斯）布儒斯特角入射，特角入射，表明反，表明反射光波中仅有射光波中仅有S-波偏振，而没有波偏振，而没有P-偏振，产生偏振，产生全偏振现象；（全偏振现象；（3）临界角入射，）临界角入射，薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础发生全反射现象，但是发生全反射现象，但是 ，这是一，这是一个至今也不能自圆其说的个至今也不能自圆其说的“冲突冲突”。相位变更对于相位变更对于S-波偏振，在波偏振，在 的范围的范围内内,；当；当 时，相位从时，相位从0到到连续变更，连续变更，薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础图图2-10（a）。对于）。对于P-波偏振，在波偏振，在 的的范围内，范围内，与，与 的状况正好相反。的状况正好相反。在在 范围内，范围内，。当。当 时，相位时，相位从从0到到连续变更。相位变更见图连续变更。相位变更见图2-10（b）。）。薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础2.6 2.6 反射率和透射率反射率和透射率 反射系数和透射系数分别表示反射波以反射系数和透射系数分别表示反射波以及透射波的电场振幅与入射波的电场振幅之及透射波的电场振幅与入射波的电场振幅之比。但事实上，反射率和透射率是试验室可比。但事实上，反射率和透射率是试验室可以干脆测量的量，因此，有必要推导出反射以干脆测量的量，因此，有必要推导出反射率和透射率公式。率和透射率公式。反射率定义为反射波能量流与入射反射率定义为反射波能量流与入射波能量流之比，而透射率定义为透射波能量波能量流之比，而透射率定义为透射波能量流与入射波能量流之比，分别记为流与入射波能量流之比，分别记为R R和和T T。电。电磁波的能量流密度是平均坡印廷矢量磁波的能量流密度是平均坡印廷矢量 ，其物理含义，其物理含义 为单位时间通过垂直于传播方为单位时间通过垂直于传播方向单位面向单位面薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础积的能量。下面分两种状况探讨。积的能量。下面分两种状况探讨。2.6.1 志向介质分界面的反射率和透射率志向介质分界面的反射率和透射率 首先探讨首先探讨S-波偏波偏振的状况，如图振的状况，如图2-11所示。设平面电磁波所示。设平面电磁波沿一圆柱体入射到两沿一圆柱体入射到两志向介质的交界面上，志向介质的交界面上，圆柱与平面界面相交圆柱与平面界面相交的截面面积为的截面面积为A。入。入射、反射和透射波射、反射和透射波薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础的电场复振幅分别为的电场复振幅分别为 、和和 ，依据式，依据式（1-54）和式（）和式（1-55），得到入射、反射和透），得到入射、反射和透射波的平均能量流密度矢量的大小为射波的平均能量流密度矢量的大小为式中式中 和和 分别为介质分别为介质1和介质和介质2的折射率。与的折射率。与之相对应的入射、反射和透射平均能量流为之相对应的入射、反射和透射平均能量流为（2-212）（2-213）（2-214）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-215）（2-216）（2-217）依据反射率和透射率的定义，有依据反射率和透射率的定义，有（2-218）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-219）同样，对于同样，对于P-波偏振，有波偏振，有在无吸取的状况下，入射波、反射波和透射在无吸取的状况下，入射波、反射波和透射波满足能量守恒，即入射的能量流等于反射波满足能量守恒，即入射的能量流等于反射（2-220）（2-221）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础能量流和透射能量流之和。对于能量流和透射能量流之和。对于S-波偏振的状波偏振的状况，有况，有把式（把式（2-215）、式）、式(2-216)和式（和式（2-217）代）代入，得到入，得到利用式（利用式（2-218）和式（）和式（2-219），可得），可得（2-222）（2-223）（2-224）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 同样，对于同样，对于P-波偏振，有波偏振，有一般状况下，入射光波的电场矢量可分解为一般状况下，入射光波的电场矢量可分解为S-波偏振重量和波偏振重量和P-波偏振重量，计算不同入射角波偏振重量，计算不同入射角的反射率，就要分别计算的反射率，就要分别计算 、和和 。图。图2-12给出的是与图给出的是与图2-8相对应的空气到相对应的空气到玻璃和玻璃到空气的反射率变更曲线，图中玻璃和玻璃到空气的反射率变更曲线，图中 。由图。由图2-12可以看出，可以看出，随入射随入射角的增大单调增大，而角的增大单调增大，而 先下降，经过布儒先下降，经过布儒斯特角斯特角 ，然后再上升。当入射角，然后再上升。当入射角或或 时，时，S-波偏振重量和波偏振重量和P-波偏振重量的波偏振重量的（2-225）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础反射率都趋向反射率都趋向1。薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础2.6.2 2.6.2 吸取介质分界面的反射率和透射率吸取介质分界面的反射率和透射率*对于吸取介质，依据式（对于吸取介质，依据式（1-581-58），），由图由图2-112-11可写出可写出S-S-波偏振入射、反射和透射波偏振入射、反射和透射波的平均能量流密度为波的平均能量流密度为（2-226）（2-227）（2-228）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础式中式中 和和 分别为介质分别为介质1和介质和介质2的复折射率；的复折射率；和和 分别为吸取介质分别为吸取介质1和吸取介质和吸取介质2的消光的消光系数；系数；为光波圆频率，为光波圆频率，c 为真空中的光速。为真空中的光速。由式（由式（2-226）、式（）、式（2-227）和式（）和式（2-228）可写出与之相对应的入射、反射和透射）可写出与之相对应的入射、反射和透射平均能量流为平均能量流为(2-229)(2-230)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-231)依据反射率和透射率的定义，对于依据反射率和透射率的定义，对于S-波偏振，波偏振，有有(2-232)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-233)在在 取实数的状况下，由式（取实数的状况下，由式（2-47）并利用）并利用式（式（1-10），得到），得到由式（由式（2-232）可以看出，在分界面上）可以看出，在分界面上 ，得到斜入射反射率为得到斜入射反射率为（2-234）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-235）将式（将式（2-234）代入式（）代入式（2-233），在分界面上），在分界面上 ，得到斜入射透射率表达式为，得到斜入射透射率表达式为明显，吸取介质状况下，明显，吸取介质状况下，S-波偏振的反射率和波偏振的反射率和透射率公式（透射率公式（2-235）和（）和（2-236）与志向介质）与志向介质中的反射率和透射率公式（中的反射率和透射率公式（2-218）和（）和（2-219）形式完全相同。）形式完全相同。（2-236）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础对于对于P-波偏振，同样有波偏振，同样有须要留意的是：对于吸取介质的状况下，须要留意的是：对于吸取介质的状况下，S-波偏振和波偏振和P-波偏振反射率和透射率表达式中波偏振反射率和透射率表达式中复光学有效导纳复光学有效导纳 和和 取复值，见式（取复值，见式（2-56）和）和式（式（2-68），志向介质中的光学有效导纳取），志向介质中的光学有效导纳取实数值。实数值。（2-237）（2-238）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础在吸取介质的状况下，假设介质中的吸取率在吸取介质的状况下，假设介质中的吸取率为为A，依据能量守恒，则有，依据能量守恒，则有2.6.3 空气与金属导体表面的反射率空气与金属导体表面的反射率 假如介质假如介质1为空气，折射率为空气，折射率 ；介质；介质2为金属导体，折射率为复数，为金属导体，折射率为复数，代，代入式（入式（2-47）或式（）或式（2-62），有），有得到得到（2-239）（2-240）（2-241）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础明显，明显，取复数值，表明在斜入射的状况下，取复数值，表明在斜入射的状况下，已不代表实际的透射角，已不代表实际的透射角，也取复数值。也取复数值。于是，于是，为为表明表明 也取复数。为了简化表达式，令也取复数。为了简化表达式，令代入式（代入式（2-52）和式（）和式（2-66）得到）得到（2-242）（2-243）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础（2-244）（2-245）由式（由式（2-235）和式（）和式（2-237），得到反射率为），得到反射率为（2-246）（2-247）薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础由此可以看出，导电介质只要由此可以看出，导电介质只要 ，和和 就就不行能为零，所以吸取介质不存在布儒斯特不行能为零，所以吸取介质不存在布儒斯特角。角。图图2-13是金属银和铜的反射率是金属银和铜的反射率 和和 随入射随入射角的变更曲线。两种金属在光波长角的变更曲线。两种金属在光波长 处的折射率和消光系数为处的折射率和消光系数为Ag:,Cu:，。由图可以看出，反。由图可以看出，反射率射率 是入射角的增函数，而是入射角的增函数，而 随入射角的随入射角的增大，先减小然后再增大，存在微小点，但增大，先减小然后再增大，存在微小点，但反射率反射率 不为零，表明金属表面反射时不会不为零，表明金属表面反射时不会产生全偏振现象。由于产生全偏振现象。由于P-波反射率微小点对应波反射率微小点对应薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础的入射角与布儒斯特角有相像性，所以此入射的入射角与布儒斯特角有相像性，所以此入射角也称准布儒斯特角。角也称准布儒斯特角。薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础