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    大规模数字集成电路习题解答.doc

    • 资源ID:60106292       资源大小:239KB        全文页数:9页
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    大规模数字集成电路习题解答.doc

    自我检测题1在存储器结构中,什么是“字”?什么是“字长”,如何表示存储器的容量?解:采用同一个地址存放的一组二进制数,称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量,一个具有n字、每字m位的存储器,其容量一般可表示为n×m位。2试述RAM和ROM的区别。解:RAM称为随机存储器,在工作中既允许随时从指定单元内读出信息,也可以随时将信息写入指定单元,最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。ROM在正常工作状态下只能从中读取数据,不能快速、随时地修改或重新写入数据,内部信息通常在制造过程或使用前写入,3试述SRAM和DRAM的区别。解:SRAM通常采用锁存器构成存储单元,利用锁存器的双稳态结构,数据一旦被写入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元,利用对电容器的充放电来存储信息,例如电容器含有电荷表示状态1,无电荷表示状态0。根据DRAM的机理,电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此,DRAM在使用时需要定时地进行信息刷新,不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。4与SRAM相比,闪烁存储器有何主要优点?解:容量大,掉电后数据不会丢失。5用ROM实现两个4位二进制数相乘,试问:该ROM需要有多少根地址线?多少根数据线?其存储容量为多少?解:8根地址线,8根数据线。其容量为256×8。6简答以下问题:(1)CPLD和FPGA有什么不同?FPGA可以达到比 CPLD更高的集成度,同时也具有更复杂的布线结构和逻辑实现。FPGA更适合于触发器丰富的结构,而 CPLD更适合于触发器有限而积项丰富的结构。在编程上 FPGA比 CPLD具有更大的灵活性;CPLD功耗要比 FPGA大;且集成度越高越明显;CPLD比 FPGA有较高的速度和较大的时间可预测性,产品可以给出引脚到引脚的最大延迟时间。CPLD的编程工艺采用 E2 CPLD的编程工艺,无需外部存储器芯片,使用简单,保密性好。而基于 SRAM编程的FPGA,其编程信息需存放在外部存储器上,需外部存储器芯片 ,且使用方法复杂,保密性差。(2)写出三家CPLD/FPGA生产商名字。Altera,lattice,xilinx,actel7真值表如表T5.7所示,如从存储器的角度去理解,AB应看为 地址 ,F0F1F2F3应看为 数据 。表T5.7ABF0F1F2F30001010110101001111111108一个ROM 共有10根地址线,8根位线(数据输出线),则其存储容量为 。A10×8 B102×8 C10×82 D210×89为了构成4096×8的RAM,需要 片1024×2的RAM。A8片 B16片 C2片 D4片10哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失 ?ASRAM BUVEPROM CE2PROM DPAL11关于半导体存储器的描述,下列哪种说法是错误的 。ARAM读写方便,但一旦掉电,所存储的内容就会全部丢失BROM掉电以后数据不会丢失CRAM可分为静态RAM和动态RAMD动态RAM不必定时刷新12有一存储系统,容量为256K×32。设存储器的起始地址全为0,则最高地址的十六进制地址码为 3FFFFH 。13PAL是一种 的可编程逻辑器件。A与阵列可编程、或阵列固定的 B与阵列固定、或阵列可编程的 C与、或阵列固定的 D与、或阵列都可编程的习 题1现有如图P5.1所示的4×4位RAM若干片,现要把它们扩展成8×8位RAM。(1)试问需要几片4×4位RAM?(2)画出扩展后电路图(可用少量门电路)。图P5.1解:(1)用4×4位RAM扩展成8×8位RAM时,需进行字数和位数扩展,故需要4片4×4的RAM (2)扩展后电路如图:2在微机中,CPU要对存储器进行读写操作,首先要由地址总线给出地址信息,然后发出相应读或写的控制信号,最后才能在数据总线上进行信息交流。现有256×4位的RAM二片,组成一个页面,现需4个页面的存储容量,画出用256×4位组成1K×8位的RAM框图,并指出各个页面的地址分配。解:电路连接图如图所示。从左到右四个页面的地址为:000H0FFH,100H1FFH,200H2FFH,300H3FFH。3试用4×2位容量的ROM实现半加器的逻辑功能,并直接在图P5.3中画出用ROM点阵图实现的半加法器电路。图P5.3解:由于半加器的输出 所以ROM点阵图如图所示。4用EPROM实现二进制码与格雷码的相互转换电路,待转换的代码由I3I2I1I0输入,转换后的代码由O3O2O1O0输出。X为转换方向控制位,当X=0时,实现二进制码到格雷码的转换;当X=1时,实现格雷码到二进制码的转换。试求:(1)列出EPROM的地址与内容对应关系真值表;(2)确定输入变量和输出变量与ROM地址线和数据线对应关系。解:真值表为:XI3I2I1I0O3O2O1O0000000000000010001000100011000110010001000110001010111001100101001110100010001100010011101010101111010111110011001010011011011011101001011111000100000000100010001100100011100110010101000111101010110101100100101110101110001111110011110110101100110111101111001000111011001111101011111111010输入变量和输出变量与ROM地址线和数据线对应关系如图所示:5试分析如图P5.5所示PLA构成电路。写出F1、F2的逻辑表达式。图P5.5解:6试分析如图P5.6所示电路。(1)列出时序PLA的状态表和状态图(2)简述该时序PLA的逻辑功能。图P5.6解:(1)根据电路图写出各触发器驱动方程,(2)写出各触发器状态方程(3)列出状态表Q2nQ1nQ0nCPQ2n+1Q1n+1Q0n+1000001001010010011011100100101101110110000111000(4)状态转换图(5)功能:同步七进制加法计数器。7试分析如图P5.7所示由PLA实现的时序电路,列出状态转换表,简述该时序电路的逻辑功能。图P5.7 解 (1)根据电路图写出各触发器状态方程: (2)根据特性方程列出状态真值表,如表所示。XQ2nQ1nQ0nQ2n+1Q1n+1Q0n+1XQ2nQ1nQ0nQ2n+1Q1n+1Q0n+10000001100000100010101001010001001110100110011100101110001001011100000010100011010000110111111001001110011111100(3)状态转换图由状态真值表可得电路在X= 0与X= 1时的状态转换图,如图所示。(4)逻辑功能当X=0时,该时序电路为6进制加法计数器;当X=1时,该时序电路为5进制加法计数器。8观察如图P5.8的可编程I/O模块,要求把此I/O模块配置成输入管脚,请标出数据输入通道,给出具体的5个配置比特,并给出T的值。图P5.8解:要将I/O引脚作为输入引脚,要将输出三态缓冲器输出置成高阻态,弱上拉禁止。因此可将三态控制T置1,三态反相置0,弱上拉置0,其余编程位无关。

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