主板维修-内存供电电路.ppt

内存供电内存供电主板中常见的内存插槽有DDR1，DDR2和DDR3.不同的内存所需要的工作电压也不同，一般DDR1内存需要2.5V，DDR2需要1.8V，DDR3需要1.5V。一般在内存槽旁边设计了专门的供电电路为内存供电。主供电主供电 VTTVTT电压电压 DDR：2.5V 1.25V DDR2：1.8V 0.9V DDR3:1.5V 0.75V负载供电负载供电内存负载供电：即内存总线终结电压VTT-DDR，采用的一般为独立芯片，如RT9202，RT9199，W83310.内存在读写高速信号的过程中，由于总线阻抗匹配，布线等因素，会影响高频信号的完整性，从而在读，写数据时出现错误，为了防止出现这种错误，需要能够吸收或者提供很大的电流，精确的跟随主供电的一半（VCC-DDR/2)稳压精度高，响应快的终端电源VTT，以降低总线上负载变化所引起的瞬态波形失真。内存供电电路的组成内存供电电路的组成内存供电电路主要有三端稳压管，场效应管（上下管），电感，电容，电源管理芯片，上拉排阻或电阻，上拉芯片等。DDR2DDR2内存供电内存供电引脚定义引脚定义1.BOOT：启动脚，UGATE的动力来源，自举升压端。2.UGATE：上管驱动。3.GND：地脚。4.LGATE：下管驱动。5.VCC：供电端，LGATE的动力来源。6.FB：电压反馈端，与内部0.8V基准电压比较。7.OCSET：过流设定，高电平开启。一般OCSET会连接到一个开关作用的三极管的C极或场管的D极。如果7脚被三极管拉低了，芯片将会停止工作。8.PHASE：相位脚，上管导通的回路。检测上管的导通压降，防止过流。采用采用12V12V和和5V5V供电的供电的RT9202RT9202的工作原理的工作原理1：5V给5脚供电，5V给上管供电，12V经过R4给1脚供电，5V经过R1给7脚供电。2：2脚UGATE驱动上管导通。3：上管给电感L2和电容C3充电。4：当L2和C3成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB电压超过0.8V时，RT9202关闭上管打开下管。5：下管导通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时，RT9202控制关闭下管打开上管，继续供电。6：2-5循环。注1：当Q1的G极得到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停止工作。注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。仅使用仅使用5V5V供电的供电的RT9202RT9202的工作原理的工作原理1：5V给5脚供电，5V给上管供电，5V经过D1给1脚供电，5V经过R1给7脚供电。2：2脚UGATE驱动上管导通。3：上管给电感L2和电容C3充电，并返回给C2右端。4：C2右端的电压增加，因其特性，左端电压（BOOT）脚也会跟随增加，直到完全导通。5：当L2和电容C3组成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB脚电压超过0.8V时，RT9202控制关闭上管，打开下管。6：下管导通构成储能电路的放电回路，当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时，RT9202关闭下管打开上管，继续充电。7:2-6循环注1：当Q1的G极得到高电平SHND信号后，7脚被拉低，整个芯片停止工作。注2：PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3：R2，R3阻值变化会导致输出电压变高或变低，但PWM波形正常。内存电路维修流程内存电路维修流程8 8脚脚PWMPWM芯片工作条件芯片工作条件1：1脚和5脚5V以上电压。2：7脚电压：RT9202是3V以上，RT9214是0.4V以上。3.上下管G极都有控制电压，输出电压还是不正常或无电压输出，一般是反馈FB连接的电阻损坏导致。4.芯片可以控制输出的电压不低于0.8V。5：PWM电路中的元件任何一个有故障以及过压，过流，欠压都会导致整个电路停止工作，所以不需要测上下管的控制电压。输出电压=0.8/Rgnd（Rgnd+Rout)RT9218是RT9214+一个运算放大器捆绑在一起的。有任意一个过流过压，欠压都会引起保护，两个电压都没了。区分上下管：1.下管S极接地。2.上管S极和下管D极相连。3.上管D极和电源相通。4.上下管G极都连接到芯片。