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微电子器件微电子器件3-2 定义：定义：定义：定义：基区中到达集电结的少子电流基区中到达集电结的少子电流 与与 从发射区注入基区从发射区注入基区的少子形成的电流之比，的少子形成的电流之比，称为称为 基区输运系数基区输运系数基区输运系数基区输运系数 ，记为，记为 。对于。对于 PNP 管，为管，为 由于少子空穴在基区的复合，使由于少子空穴在基区的复合，使 JpC JpE ，。3.2.1 基区输运系数基区输运系数 3.2.2 3.2.2 基区渡越时间基区渡越时间基区渡越时间基区渡越时间 定义：定义：定义：定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间，称为少子的时间，称为少子的 基区渡越时间基区渡越时间基区渡越时间基区渡越时间，记为，记为 b b。在在 b 期间，基区内的少子全部更新一遍，因此，期间，基区内的少子全部更新一遍，因此，注意注意注意注意 b b 与与与与 B B 的区别的区别的区别的区别 的物理意义：的物理意义：时间，时间，代表少子在单位时间内的复合几率，因而代表少子在单位时间内的复合几率，因而 就代表就代表少子在基区停留期间被复合的几率，而少子在基区停留期间被复合的几率，而 则代表未复合则代表未复合掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流掉的比例，也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。之比。b 代表少子在基区停留的平均代表少子在基区停留的平均 3.2.3 发射结注入效率发射结注入效率 定义：定义：定义：定义：从发射区注入基区的少子形成的电流从发射区注入基区的少子形成的电流 与与 总的发射极总的发射极电流之比，称为电流之比，称为 注入效率注入效率注入效率注入效率（或（或（或（或 发射效率发射效率发射效率发射效率），记为，记为 。对于。对于 PNP 管，为管，为 当当 WB LB 及及 WE NB ，即（，即（NB/NE）1，则上式，则上式可近似写为可近似写为 将将 代入代入 中，得中，得 再利用爱因斯坦关系再利用爱因斯坦关系 ，得，得注意：注意：注意：注意：D DB B、D DE E 代表代表 少子少子少子少子 扩散系数，扩散系数，B B 、E E 代表代表 多子多子多子多子 迁移率。迁移率。利用利用 方块电阻方块电阻方块电阻方块电阻 的概念，的概念，可有更简单的表达式。方块电阻可有更简单的表达式。方块电阻代表一个正方形薄层材料的电阻，记为代表一个正方形薄层材料的电阻，记为 R R口口口口。对于均匀材料，对于均匀材料，对于厚度方向（对于厚度方向（x 方向方向）上不均匀的材料，）上不均匀的材料，对于均匀掺杂的发射区与基区，对于均匀掺杂的发射区与基区，中，可将中，可将 表示为最简单的形式，表示为最简单的形式，代入前面得到的代入前面得到的 公式公式的典型值：的典型值：R口口E=10，R口口B1=1000，=0.9900。3.2.4 3.2.4 电流放大系数电流放大系数电流放大系数电流放大系数式中，式中，称为，称为 亏损因子亏损因子亏损因子亏损因子。由由 的关系，可得的关系，可得第第 3 章第章第 1 次习题次习题1、2、3、6、7、8、9、10、14、15思考题思考题27、31、32、33、34、35、39