光刻胶涂布与曝光.ppt

光刻胶涂布与曝光正光阻正光阻负光阻光阻分辨率高分辨率低黏结能力差黏结能力好与mask暗场图形一致与mask亮场图形一致成本高成本低光刻胶分类E&H GF2结构采用正性干膜光刻胶莱宝 GG结构采用正性湿膜光刻胶曝光机理UV光光罩光阻显影后負光阻(BM、R、G、B、PS layer)(見光留)正光阻(MVA、TFT layer)(見光死)Cr膜玻璃基板石英GF2结构使用干膜光刻胶，采用双面热压roller形式上胶。膜厚在线不可调控，膜厚由DFR决定，E&H 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易产生针孔，分辨率低，工艺制程简单。GG使用湿膜光刻胶，采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控，厚度1.4um2.3um,易产生针孔，分辨率高，工艺制程复杂，涂布后需软烘烤后才能曝光。涂布方式GF2结构 主要控制参数：压辊温度，压辊压力 主要品质问题：气泡，异物，附着不良GG结构 主要控制参数：涂布速度，抽泵频率，压辊压力 主要品质问题：膜厚不均，针孔，异物主要控制参数及品质GF2结构1st exposure:双面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤，6个对位镜头，双面同时对位2nd exposure:双面接触式曝光，分辨率低，易造成产品缺陷及mask划伤，4个对位镜头，双面同时对位GG结构单面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤，2个对位镜头，单面对位曝光方式GG对位方式 （Glass stage 校准）maskglass铬版mask（石英基板）对320-450nm波长有很好的透过率，变形尺寸小，精度高5um,成本高干版mask （钠钙玻璃基板）对320-450nm波长有较好的透过率，变形尺寸小，精度较高20um菲林 对320-450nm波长有的透过率低，变形尺寸大，精度较高30umMask 分类E&H GF2结构：1st exposure支持玻璃mask及菲林，2nd exposure 只支持菲林莱宝 GG结构：使用铬版mask主要控制参数及品质主要控制参数：曝光强度，曝光gap,曝光时间主要品质问题：曝光不均，异物，过曝光，曝光不足Mask cleaner&(Mask repair)光强测试仪附属设备The End