红外探测器概述精选课件.ppt

关于红外探测器概述第一页，本课件共有50页第一章第一章 红外探测器概述红外探测器概述n1.1 红外探测器物理基础红外探测器物理基础n1.2 红外探测器的性能参数红外探测器的性能参数n1.3 红外探测器性能参数的测量红外探测器性能参数的测量第二页，本课件共有50页1.1 红外探测器物理基础n任何温度高于绝对零度的物体都会产生红外辐射。如何检测它的存在，测定它的强弱并将其转变为其他形式的能量(多数情况是转变为电能)以便应用，就是红外探测器的主要任务。红外探测器是红外系统中最关键的元件之一。红外探测器所用的材料是制备红外探测器的基础，没有性能优良的材料就制备不出性能优良的红外探测器。第三页，本课件共有50页完整的红外探测器的构成n一个完整的红外探测器包括红外敏感元件、红外辐射入射窗口、外壳、电极引出线以及按需要而加的光阑、冷屏、场镜、光锥、浸没透镜和滤光片等，在低温工作的探测器还包括杜瓦瓶，有的还包括前置放大器。按探测器工作机理区分，可将红外探测器分为热探测器热探测器和光子探测器光子探测器两大类。第四页，本课件共有50页1.1.1 热探测器n工作原理：热探测器吸收红外辐射后产生温升，然后伴随发生某些物理性能的变化。测量这些物理性能的变化就可以测量出它吸收的能量或功率。n常见的类型：常利用的物理性能变化有下列四种，利用其中一种就可以制备一种类型的热探测器。第五页，本课件共有50页1.金属或半导体热敏电阻测辐射热器n热敏物质吸收红外辐射后，温度升高，阻值发生变化。阻值变化的大小与吸收的红外辐射能量成正比。利用物质吸收红外辐射后电阻发生变化而制成的红外探测器叫做热敏电阻。热敏电阻常用来测量热辐射，所以又常称为热敏电阻测辐射热器。常见的热敏电阻及其应用形式十分广泛。第六页，本课件共有50页n 热敏电阻器种类繁多，一般按阻值温度系数可分为负电阻温度系数和正电阻温度系数热敏电阻器；按其阻值随温度变化的大小可分为缓变和突变型；按其受热方式可分为直热式和旁热式；按其工作温度范围可分为常温、高温和超低温热敏电阻器；按其结构分类有棒状、圆片、方片、垫圈状、球状、线管状、薄膜以及厚膜等热敏电阻器。第七页，本课件共有50页n 热敏电阻器的主要特点是对温度灵敏度高，热惰性小，寿命长，体积小，结构简单，以及可制成各种不同的外形结构。因此，随着工农业生产以及科学技术的发展，这种元件已获得了广泛的应用，如温度测量、温度控制、温度补偿、液面测定、气压测定、火灾报警、气象探空、开关电路、过荷保护、脉动电压抑制、时间延迟、稳定振幅、自动增益调整、微波和激光功率测量等等。第八页，本课件共有50页2.测辐射热电偶和热电堆n把两种不同的金属或半导体细丝(也有制成薄膜结构)连成一个封闭环，当一个接头吸热后其温度和另一个接头不同，环内就产生电动势，这种现象称为温差电现象。利用温差电现象制成的感温元件称为温差电偶(也称热电偶)。温差电动势的大小与接头处吸收的辐射功率或冷热两接头处的温差成正比，因此，测量热电偶温差电动势的大小就能测知接头处所吸收的辐射功率或冷热两接头处的温差。第九页，本课件共有50页图1-14 热电偶原理图第十页，本课件共有50页n制造温差电偶的材料有纯金属、合金和半导体。常用于直接测温的热电偶一般是纯金属与台金相配而成，如铂锭铂、镍铬镍铝和铜康铜等，它们被广泛用于测量1300以下的温度。用半导体材料制成的温差电偶比用金属作成的温差电偶的灵敏度高，响应时间短，常用作红外辐射的接收元件。将若干个热电偶串联在一起就成为热电堆。在相同的辐照下，热电堆可提供比热电偶大得多的温差电动势。因此，热电堆比单个热电偶应用更广泛。第十一页，本课件共有50页n两种不同材料或材料相同而逸出功不同的物体，当它们构成闭环回路时，如果两个接点的温度不相同，环路中就产生温差电动势，这就是温差电效应，也称为塞贝克效应。n单个热电偶提供的温差电动势比较小，满足不了某些应用的要求，所以常把几个或几十个热电偶串联起来组成热电堆。热电堆比热电偶可以提供更大的温差电动势，新型的热电堆采用薄膜技术制成，可称为薄膜型热电堆。第十二页，本课件共有50页热电堆图1-23 热电堆示意图第十三页，本课件共有50页3.气动探测器n气体在体积保持一定的条件下吸收红外辐射后引起温度升高，压强增大。压强增加的大小与吸收的红外辐射功率成正比，由此，可测量被吸收的红外辐射功率。利用上述原理制成的红外探测器叫做气体探测器。高莱管就是一种典型的气体探测器。第十四页，本课件共有50页高莱管第十五页，本课件共有50页工作原理：当辐射通过红外窗口到吸收膜上时，膜吸收辐射并传给气室的气体，气体温度升高，压力增大，柔镜膨胀。为了测出它的移动量，另用一光源将投射到柔镜背面的反射膜上。在没有辐照时，气室内气压稳定，柔镜处于正常状态，由柔镜背面反射的光因被光栅遮挡照射不到光电管上。当有辐照时，辐射透过窗口照射到吸收膜，吸收膜将吸收的能量传给气室，气室温度升高，气压增大，柔镜膜片变形，从而引起反射光线的移动，通过光栅到达光电管的光强发生变化，由此可检测红外辐射的强弱。第十六页，本课件共有50页4.热释电探测器n有些晶体，如硫酸三甘肽，钽酸锂和铌酸锶钡等，当受到红外辐射时，温度升高，在某一晶轴方向上产生电压。电压大小与吸收红外辐射的功率成正比。n热释电红外传感器在热辐射能量发生改变时，会产生电荷变化。这个效应被用来探测红外辐射的变化。这些热释电传感器应用于人体移动探测器，被动红外防盗报警器，以及自动灯开关。基于同样的原理，热释电传感器通过红外吸收方法，应用于气体探测。第十七页，本课件共有50页热释电探测器的特点n低噪声，高响应度 n优异的共模平衡-双单元类型 nTO-39，TO-5封装 n各种滤波器窗口供宽带或者窄带应用 n单通道或者双通道器件 n双元或者四元器件应用于防盗产品 n单元器件带热补偿 第十八页，本课件共有50页典型应用n被动红外防盗报警：Lhi968，对强烈的白光以及电磁辐射具有优异的抗干扰性能。n人体移动探测：n天花板安装人体探测 n气体分析 n非接触红外测量第十九页，本课件共有50页小结：n热探测器是一种对一切波长的辐射都具有相同响应的无选择性探测器。但实际上对某些波长的红外辐射的响应偏低，等能量光谱响应曲线并不是一条水平直线，这主要是由于热探测器材料对不同波长的红外辐射的反射和吸收存在着差异。n物体吸收辐射，晶格振动加剧，辐射能转换成热能，温度升高。由于物体温度升高，与温度有关的物理性能发生变化。这种物体吸收辐射使其温度发生变化从而引起物体的物理、机械等性能相应变化的现象称为热效应。利用热效应制成的探测器称为热探测器。第二十页，本课件共有50页1.1.2 光子探测器n光子探测器吸收光子后，发生电子状态的改变，从而引起几种电学现象。这些现象统称为光子效应。测量光子效应的大小可以测定被吸收的光子数。利用光子效应制成的探测器称为光子探测器。第二十一页，本课件共有50页1.光电子发射器件（外光电效应）n当光入射到某些金属、金属氧化物或半导体表面时，如果光子能量足够大，能使其表面发射电子，这种现象统称为光电子发射，属于外光电效应。n利用光电子发射制成的器件称为光电子发射器件。如光电管和光电倍增管。光电倍增管的灵敏度很高，时间常数较短（约几个毫微秒），所以在激光通讯中常使用特制的光电倍增管。第二十二页，本课件共有50页光电倍增管的应用场合n将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电管通常用于自动控制、光度学测量和强度调制光的检测。如用于保安与警报系统、计数与分类装置、影片音膜复制与还音、彩色胶片密度测量以及色度学测量等。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长 2001200纳米的极微弱辐射功率。闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围。激光检测仪器的发展与采用光电倍增管作为有效接收器密切有关。电视电影的发射和图像传送也离不开光电倍增管。光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。第二十三页，本课件共有50页图1-26 光电倍增管原理图第二十四页，本课件共有50页n光电管由真空管壳内的光电阴极和阳极所构成（图中 a）。阳极相对阴极为正电位。光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子。光电子在电场的作用下到达阳极，在电路中产生光电流。光电倍增管由真空管壳内的光电阴极、阳极以及位于其间的若干个倍增极构成（图中 b）。工作时在各电极之间加上规定的电压。当光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子，光电子在电场的作用下逐级轰击次级发射倍增极，在末级倍增极形成数量为光电子的106108倍的次级电子。众多的次级电子最后为阳极收集，在阳极电路中产生可观的输出电流。第二十五页，本课件共有50页2.光电导探测器n当半导体吸收入射光子后，半导体内有些电子和空穴从原来不导电的束缚状态转变到能导电的自由状态，从而使半导体的电导率增加，这种现象称为光电导效应。n利用半导体的光电导效应制成的红外探测器叫做光电导探测器，是目前，它是种类最多应用最广的一类光子探测器。第二十六页，本课件共有50页光电导探测器的分类n光电导探测器可分为单晶型和多晶薄膜型两类。n多晶薄膜型光电导探测器的种类较少，主要的有响应于13微米波段的FbS、响应于35pm波段的PbSe和PbTe(PbTe探测器，有单晶型和多晶薄膜型两种)。n单晶型光电导探测器，早期以锑化铟(InSb)为主，只能探测7微米以下的红外辐射，后来发展了响应波长随材料组分变化的锑镉汞(Hg1-xCdxTe)和锑锡铅(Pb1-xSnxTe)三元化合物探测器，在77K温度下对8到14微米波段的红外辐射的探测率很高。第二十七页，本课件共有50页3.光伏探测器np-n结及其附近吸收光子后产牛电子和空穴。在结区外，它们靠扩散进入结区；在结区内，则受结的静电场作用电子漂移到n区，空穴漂移到p区。n区获得附加电子，p区获得附加空穴，结区获得一附加电势差。它与p-n结原来存在的势垒方向相反，这就要降低p-n结原有的势垒高度，使得扩散电流增加，直到达到新的平衡为止。如果把半导体两端用导线连结起来，电路中就有反向电流流过，用灵敏电流计可以测量出来；如果p-n结两端开路，可用高阻毫伏计测量出光生伏特电压。这就是p-n结的光伏效应。利用光伏效应制成的红外探测器称为光伏探测器(简称PV器件)。第二十八页，本课件共有50页4.光磁电探测器n在样品横向加一磁场，当半导体表面吸收光子后所产生的电子和空穴随即向体内扩散，在扩散过程中由于受横向磁场的作用，电子和空穴分别向样品两端偏移，在样品两端产生电位差。这种现象叫做光磁电效应。利用光磁电效应制成的探测器称为光磁电探测器(简称PEM器件)。第二十九页，本课件共有50页小结：n光电子发射属于外光电效应。光电导、光生伏特和光磁电三种属于内光电效应。光子探测器能否产生光子效应，决定于光于的能量。入射光子能量大于本征半导体的禁带宽度Eg(或杂质半导体的杂质电离能Ed或Ea)就能激发出光生载流子。入射光子的最大波长(也就是探测器的长波限)与半导体的禁带宽度Eg有如下关系：第三十页，本课件共有50页1.1.3 热探测器与光子探测器性能比较n光子探测器主要是测出光子的吸收速率，而热探测器是测光子探测器主要是测出光子的吸收速率，而热探测器是测出能量的吸收速率，所以它们对辐射的响应的形式是不同出能量的吸收速率，所以它们对辐射的响应的形式是不同的。的。n热探测器对各种波长的辐射都有相应，而光子探测器只对它长波热探测器对各种波长的辐射都有相应，而光子探测器只对它长波限的一段波长区间有响应。限的一段波长区间有响应。n热探测器一般在工作时不需要冷却，而光子探测器多数需要冷却。热探测器一般在工作时不需要冷却，而光子探测器多数需要冷却。n热探测器的响应速度一般低于光子探测器，而响应时间长热探测器的响应速度一般低于光子探测器，而响应时间长于光子探测器。于光子探测器。n热探测器的性能与器件的尺寸、形状、工艺细节等有很大热探测器的性能与器件的尺寸、形状、工艺细节等有很大关系，因此要求有高的工艺水平，产品性能不容易稳定，关系，因此要求有高的工艺水平，产品性能不容易稳定，情况有点类似与薄膜型光子探测器，而单晶型的光子探测情况有点类似与薄膜型光子探测器，而单晶型的光子探测器，无论在单晶生长、器件制造工艺及物理机构等方面都器，无论在单晶生长、器件制造工艺及物理机构等方面都比较清楚、先进、定型，产品能够规格化。比较清楚、先进、定型，产品能够规格化。第三十一页，本课件共有50页1.2 红外探测器的性能参数光光电电系系统统一一般般都都是是围围绕绕光光电电探探测测器器的的性性能能进进行行设设计计的的，而而探探测测器器的的性性能能由由特特定定工工作作条件条件下的一些参数来表征。下的一些参数来表征。实际参量实际参量参考参量参考参量测量条件测量条件第三十二页，本课件共有50页1.2.1 1.2.1 探测器的主要工作条件探测器的主要工作条件光光电电探探测测器器的的性性能能参参数数与与其其工工作作条条件件密密切切相相关关，在在给给出出性性能能参参数数时时，要要注注明明有有关关的的工工作作条条件件。这这一一点点很很重重要要，因因为为只只有这样，光电探测器才能有这样，光电探测器才能互换使用互换使用。主要工作条件有：主要工作条件有：1入射辐射的入射辐射的光谱分布光谱分布 2电路的电路的频率范围频率范围3工作温度工作温度4光敏面的形状尺寸光敏面的形状尺寸5偏置情况偏置情况6.特殊工作条件特殊工作条件第三十三页，本课件共有50页1.入射辐射的光谱分布入射辐射的光谱分布很多光电探测器（特别是光子探测器），其响应是辐很多光电探测器（特别是光子探测器），其响应是辐射波长的函数。仅对一定的波长范围内的辐射有信号射波长的函数。仅对一定的波长范围内的辐射有信号输出，称为输出，称为光谱响应光谱响应，它决定了探测器探测特定目标，它决定了探测器探测特定目标的有效程度。在说明探测器的性能时，一般都需要给出的有效程度。在说明探测器的性能时，一般都需要给出测定性能时所用辐射源的光谱分布。测定性能时所用辐射源的光谱分布。如果辐射源是单色辐射，则需给出如果辐射源是单色辐射，则需给出辐射波长辐射波长。假如辐。假如辐射源是黑体，那么要指明射源是黑体，那么要指明黑体的温度黑体的温度。当辐射经过调制时，则要说明当辐射经过调制时，则要说明调制频率调制频率。第三十四页，本课件共有50页2.电路的频率范围电路的频率范围因因噪噪声声限限制制了了探探测测器器的的极极限限性性能能(后后面面将将详详细讨论细讨论)。噪噪声声电电压压或或电电流流均均正正比比于于带带宽宽的的平平方方根根，有些噪声还是频率的函数。有些噪声还是频率的函数。在在描描述述探探测测器器的的性性能能时时，必必须须明明确确通通频频带带和带宽和带宽。第三十五页，本课件共有50页3.工作温度工作温度n许多探测器，特别是用半导体材料制作的探测器，许多探测器，特别是用半导体材料制作的探测器，无论是信号还是噪声，都和工作温度有密切关系，无论是信号还是噪声，都和工作温度有密切关系，所以必须所以必须明确工作温度明确工作温度。n通用的工作温度通用的工作温度是：是：n 室温室温(295K)、n 干冰温度干冰温度(195K)、n 液氮温度液氮温度(77K)、n 液氢温度液氢温度(20.4K)n 液氦温度液氦温度(4.2K)第三十六页，本课件共有50页4.光敏面的形状和尺寸光敏面的形状和尺寸n探测器的探测器的信号信号和和噪声噪声都和光敏面积有关都和光敏面积有关，大部分探测器的信噪比与大部分探测器的信噪比与光敏面积的平方光敏面积的平方根成比例根成比例。n参考面积一般为参考面积一般为1cm2。第三十七页，本课件共有50页5.偏置情况偏置情况n大多数探测器需要某种形式的偏置。大多数探测器需要某种形式的偏置。例例如如：光光电电导导探探测测器器和和电电阻阻测测辐辐射射热热器器需需要要直直流流偏偏置电源置电源n信信号号和和噪噪声声往往往往与与偏偏置置情情况况有有关关，因因此此要要说说明明偏偏置置的情况的情况。n此外，对于此外，对于受背景光子噪声限制受背景光子噪声限制的探测器，应注明的探测器，应注明光光学视场学视场和和背景温度背景温度。n对于对于非密封型的薄膜探测器非密封型的薄膜探测器，要，要标明湿度标明湿度。第三十八页，本课件共有50页1.2.2 红外探测器的性能参数红外探测器的性能参数n1.响应度响应度(响应率响应率)n2.探测器的探测器的响应时间响应时间 n3.噪声等效功率噪声等效功率n4.探测率探测率n5.探测器的探测器的光谱响应光谱响应第三十九页，本课件共有50页1.响应度响应度(或称响应率或称响应率)Rv或或RI1 1）响响应应率率是是描描述述探探测测器器灵灵敏敏度度的的参参量量。它它表表征征探探测测器器输输出出信信号号与与输输入入辐辐射射之之间间关关系系的的参参数数。又又称称为为光光电电探探测测器的器的灵敏度灵敏度。2 2）定定义义：光光电电探探测测器器的的输输出出均均方方根根电电压压VsVs或或电电流流IsIs与与入射到光电探测器上的平均光功率之比。入射到光电探测器上的平均光功率之比。R Rv vV Vs ss s R RI Iis ss s 分别称为光电探测器的分别称为光电探测器的电压响应率电压响应率和和电流响应率电流响应率。3 3）测量响应率的辐射源一般是）测量响应率的辐射源一般是500K500K的黑的黑体体。4 4）单色灵敏度单色灵敏度和和积分灵敏度积分灵敏度。第四十页，本课件共有50页单色灵敏度单色灵敏度1 1）如果使用波长为）如果使用波长为的单色辐射源，则称为单色响应率或的单色辐射源，则称为单色响应率或单色单色灵敏度灵敏度，又叫，又叫光谱响应度光谱响应度，用，用R R表示，表示，2 2）定义：光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上）定义：光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上单色辐射通量单色辐射通量(光通量光通量)之比。之比。(V/W)(V/W)(A/W)(A/W)式式中中，()()为为入入射射的的单单色色辐辐射射通通量量或或光光通通量量。如如果果()()为为光通量，则光通量，则R Rvv的单位为的单位为V Vlmlm。第四十一页，本课件共有50页积分灵敏度积分灵敏度n积积分分灵灵敏敏度度表表示示探探测测器器对对连连续续辐辐射射通通量量的的反反应应程程度度。对包含有各种波长的辐射光源，总光通量为：对包含有各种波长的辐射光源，总光通量为：n n光光电电探探测测器器输输出出的的电电流流或或电电压压与与入入射射总总光光通通量量之之比比称为积分灵敏度。称为积分灵敏度。第四十二页，本课件共有50页由由于于光光电电探探测测器器输输出出的的光光电电流流是是由由不不同同波波长长的的光光辐辐射引起的，所以输出光电流为：射引起的，所以输出光电流为：可得积分灵敏度为：可得积分灵敏度为：式中，式中，、分别为光电探测器的分别为光电探测器的长波限长波限和和短波限短波限。n由于采用不同的辐射源，甚至具有不同色温的同由于采用不同的辐射源，甚至具有不同色温的同一辐射源所发生的光谱通量分布也不相同，因此一辐射源所发生的光谱通量分布也不相同，因此提供数据时提供数据时应指明采用的辐射源及其色温应指明采用的辐射源及其色温。第四十三页，本课件共有50页2.2.探测器的响应时间（时间常数）探测器的响应时间（时间常数）1 1）响应时间是描述光电探测器对入射）响应时间是描述光电探测器对入射辐射辐射响应快慢响应快慢的一个参数。的一个参数。2 2）当入射辐射到光电探测器后或入射辐）当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探测器的射遮断后，光电探测器的输出上升到输出上升到稳定值稳定值或或下降到照射前的值下降到照射前的值所需时间所需时间称为响应时间。常用称为响应时间。常用时间常数时间常数 的大的大小来表示。小来表示。当用一个辐射脉冲照射光电探测器，如果这当用一个辐射脉冲照射光电探测器，如果这个脉冲的上升和下降时间很短，如方被，个脉冲的上升和下降时间很短，如方被，则光电探测器的输出由于则光电探测器的输出由于器件的惰性器件的惰性而有延迟，把从而有延迟，把从1010上升到上升到9090峰值处峰值处所需的时间称为探测器的所需的时间称为探测器的上升时间上升时间，而把从而把从9090下降到下降到1010处所需的时间处所需的时间称为称为下降时间下降时间。第四十四页，本课件共有50页3.噪声等效功率噪声等效功率(NEP)1）定义）定义为为信信号号功功率率与与噪噪声声功功率率之之比比为为1(即即SN1)时时，入入射射到到探测器上的探测器上的辐射通量辐射通量(单位为瓦单位为瓦)。n一个良好的探测器件的一个良好的探测器件的NEP约为约为10-11W。NEP越小，越小，噪声越小，器件的性能越好。噪声越小，器件的性能越好。n 应指明测量条件，如应指明测量条件，如光谱分布光谱分布、频率、温度等频率、温度等。2 2）作用：）作用：确定光电探测器件的探测极限确定光电探测器件的探测极限。第四十五页，本课件共有50页3探测率探测率D与比探测率与比探测率D*n只只用用NEP无无法法比比较较两两个个不不同同来来源源的的光光探探器器的的优优劣劣。引入两个新的性能参数引入两个新的性能参数探测率探测率D和比探测率和比探测率D*1）探测率探测率D定义为定义为NEP的倒数，即的倒数，即n它它描描述述的的特特性性是是：光光电电探探测测器器在在它它的的噪噪声声电电平平之之上上产产生生一一个个可可观观测测的的电电信信号号的的本本领领，即即光光电电探探测测器器能能响应的入射光功率越小，则其探测率越高。响应的入射光功率越小，则其探测率越高。n探测率探测率D D与与光敏面积光敏面积A Ad d、测量带宽测量带宽有关。有关。第四十六页，本课件共有50页2 2）比探测率比探测率D*为为了了能能方方便便地地对对不不同同来来源源的的光光电电探探测测器器进进行行比比较较，将将VN除除以以 ，则则D就就与与Ad和和带带宽宽无无关关了了。也也就就是是归归一一化化到到测测量量带带宽宽为为1Hz、光光探探测测器器光光敏敏面面积积为为1cm2。这这种种归归一一化化的的探探测测率率一一般般称称为为比比探探测测率率，通常用通常用D*记之。根据定义，记之。根据定义，D*的表达式为的表达式为:第四十七页，本课件共有50页5.光谱响应光谱响应1）定义：）定义：不同波长的光辐射照射到探测器光敏面时，不同波长的光辐射照射到探测器光敏面时，探测器的探测器的响应率响应率和和比探测率比探测率等特性参量等特性参量随随光辐射波长光辐射波长变化变化的特性。的特性。2）单色灵敏度和单色探测率，）单色灵敏度和单色探测率，峰值波长峰值波长3）光子探测器光子探测器的光谱响应的光谱响应与波长有关，与波长有关，截止波长截止波长4）热探测器热探测器的光谱响应的光谱响应与与波长无关波长无关，与辐射功率有关。，与辐射功率有关。第四十八页，本课件共有50页n单色响应率与波长的关系称为光谱响应曲线或响应光谱。n热敏型红外探测器的响应率与波长无关(至少在 115微米范围内)。光电型红外探测器有峰值波长p和长波限。通常取响应率下降到p处的一半所在的波长为。光电探测只在范围内有响应,因而又称为选择性红外探测器。图2是红外探测器的两种典型的光谱响应曲线（纵轴通常用相对单位表示）。截止波长截止波长:第四十九页，本课件共有50页感感谢谢大大家家观观看看第五十页，本课件共有50页