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    实验一 存储器读写实验.ppt

    • 资源ID:67207629       资源大小:322KB        全文页数:26页
    • 资源格式: PPT        下载积分:16金币
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    实验一 存储器读写实验.ppt

    实验一实验一 存储器读写实验存储器读写实验 一、实验目的一、实验目的1、复习相关汇编程序及其调试2、熟悉掌握对RAM的操作二、预备知识二、预备知识1、SRAM6116引脚读写操作引脚读写操作2、SRAM 3、常用调试命令、常用调试命令1.HM6116 它是2K*8位的高速静态CMOS随机存取存储器,其基本特征是:(1)高速度-存取时间为100ns/120ns/150ns/200ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20为标志)。(2)低功耗运行时间为150mW,空载时为mW。(3)与TTL兼容。1.HM6116(4)管脚收出与标准的2K*8b的芯片(例如,2716芯片兼容)。(5)完全静态无须时钟脉冲与定时选通脉冲。(6)HM6116有11条地址线、8条数据线、1条电源线、1条接地线GND和3条控制线片选信号/CE、写允许信号/WE和输出允许信号/OE。nA10A0(address inputs):地址线,可寻址2KB的存储空间。nD7D0(data bus):数据线,双向,三态。n/OE(output enable):读出允许信号,输入,低电平有效。n/WE(write enable):写允许信号,输入,低电平有效。n/CE(chip enable):片选信号,输入,低电平有效。nVCC:5V工作电压。nGND:信号地。6116的操作方式 6116的操作方式由/WE、/OE、/CE 的共同作用决定 写入:当/WE和/CE 为低电平时,数据输入缓冲器打开,数据由数据线D7D0写入被选中的存储单元。读出:/OE当 和/CE 为低电平,且/WE为高电平时,数据输出缓冲器选通,被选中单元的数据送到数据线D7D0上。保持:当/CE为高电平、/OE 和/WE为任意时,芯片未被选中,处于保持状态,数据线呈现高阻状态。动态调试工具动态调试工具DEBUG 的常用命令的常用命令 1.U命令(反汇编)2.G命令(执行)3.T命令(跟踪执行)4.D命令(显示内存)5.R命令(修改寄存器)三、实验内容三、实验内容1、将字符A-Z逐个存入RAM中,然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。2、用一片6116作为内存扩展,向8000H:0H至8000H:100H单元的偶地址单元送入0AAH(扩充)1、将字符、将字符A-Z逐个存入逐个存入RAM中,中,然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:JMP START_DAT DB 26 DUP(?)CHAR DB ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ RAMDUXIE.ASMSTART_:MOV AX,CSADD AX,10HMOV DS,AXLEA BX,CHARMOV CX,26MOV SI,BXLEA BX,DATMOV DI,0WRITE:LODSBMOV BYTE PTR BXDI,ALINC DILOOP WRITEMOV CX,26LEA BX,DATMOV SI,BXREAD:LODSBCALL SHOWNOPNOPNOPLOOP READ JMP$BUSY PROC PUSH DX PUSH AXBUSY1:MOV DX,84H IN AL,DX AND AL,80H JNZ BUSY1 POP AX POP DX RETBUSY ENDPSHOW PROC NEARPUSH DXPUSH AXCALL BUSYMOV DX,88HOUT DX,ALPOP AXPOP DXRETSHOW ENDPCODE ENDSEND START实验现象:实验现象:屏幕将显示26个大写的英文字母。思考题:思考题:按信息的存储方式,RAM分为哪几类,6116属于哪一类?2、用一片6116作为内存扩展,向8000H:0H至8000H:100H单元的偶地址单元送入0AAH(扩充)实验线路连接:实验线路连接:(1)本实验用到的主要模块:)本实验用到的主要模块:6116模块、地模块、地址及数据总线单元等;址及数据总线单元等;(2)数据线接系统数据总线输出单元任意一)数据线接系统数据总线输出单元任意一插座;插座;(3)地址接地址总线输出单元的)地址接地址总线输出单元的A0A7。实验程序与流程图实验程序与流程图CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV CX,50HMOV DI,0MOV AX,8000HMOV DS,AXMOV ES,AXWRITE:MOV AL,0AAHSTOSBMOV AL,55HSTOSBLOOP WRITEMOV CX,50HMOV SI,0000HREAD:LODSWCMP AX,55AAHJNZ NOT_RIGHTLOOP READMOV AL,RMOV DX,88HOUT DX,ALJMP$NOT_RIGHT:MOV AL,EMOV DX,88HOUT DX,ALJMP$实验现象:实验现象:如果存储器没有错误,将显示字符R,否则,显示字符E。思考题:思考题:RAM和ROM有什么区别?掉电后,两种存储器的内容有什么变化?

    注意事项

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