科研成果报奖介绍.ppt

科研成果报奖介绍科研成果报奖介绍中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处樊志军樊志军中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处二期创新期间半导体所取得了很多优秀的科研成果二期创新期间半导体所取得了很多优秀的科研成果成果表现形式：报奖、论文、专利成果表现形式：报奖、论文、专利报奖：加速科技进步、促进社会发展、提高我所综合实力报奖：加速科技进步、促进社会发展、提高我所综合实力报奖渠道报奖渠道各奖励范围及评审标准各奖励范围及评审标准各奖励等级及金额各奖励等级及金额报奖程序报奖程序中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处报国家奖渠道报国家奖渠道国务院有关组成部门、直属机构国务院有关组成部门、直属机构中国科学院中国科学院省、自治区、直辖市人民政府省、自治区、直辖市人民政府北京市北京市；中国人民解放军各总部中国人民解放军各总部国防科工委国防科工委；经国务院科学技术行政部门认定的符合国务院经国务院科学技术行政部门认定的符合国务院科学技术行政部门规定的资格条件的其他单位科学技术行政部门规定的资格条件的其他单位一些学会一些学会中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖评审标准及范围国家奖评审标准及范围国务院设立下列国家科学技术奖：国务院设立下列国家科学技术奖：（一）国家最高科学技术奖；（一）国家最高科学技术奖；（二）国家自然科学奖；（二）国家自然科学奖；（三）国家技术发明奖；（三）国家技术发明奖；（四）国家科学技术进步奖；（四）国家科学技术进步奖；（五）中华人民共和国国际科学技术合作奖。（五）中华人民共和国国际科学技术合作奖。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家最高科学技术奖国家最高科学技术奖国家最高科学技术奖授予在当代科学技术前国家最高科学技术奖授予在当代科学技术前沿取得重大突破或者在科学技术发展中有卓沿取得重大突破或者在科学技术发展中有卓越建树，在科学技术创新、科学技术成果转越建树，在科学技术创新、科学技术成果转化和高新技术产业化中创造巨大经济效益或化和高新技术产业化中创造巨大经济效益或者社会效益的科技工作者。者社会效益的科技工作者。在国家最高科学技术奖的奖金中，在国家最高科学技术奖的奖金中，50万元万元为获奖者个人所得，为获奖者个人所得，450万元由获奖者自主万元由获奖者自主选题，用作科学研究经费。选题，用作科学研究经费。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家自然科学奖国家自然科学奖重大科学发现应当同时具备下列三个条件：重大科学发现应当同时具备下列三个条件：（1）前人尚未发现或者尚未阐明）前人尚未发现或者尚未阐明（2）具有重大科学价值）具有重大科学价值（3）得到国内外自然科学界公认。）得到国内外自然科学界公认。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家技术发明奖国家技术发明奖重大技术发明应当同时具备下列三个条件：重大技术发明应当同时具备下列三个条件：（1）前人尚未发明或者尚未公开；）前人尚未发明或者尚未公开；（2）具有先进性和创造性；）具有先进性和创造性；（3）经实施，创造显著经济效益或者社会）经实施，创造显著经济效益或者社会效益。效益。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家科学技术进步奖国家科学技术进步奖分为技术开发、社会公益、国家安全、重大分为技术开发、社会公益、国家安全、重大工程等四类项目工程等四类项目条件：条件：1，技术创新性突出，技术创新性突出2，经济效益或者社会效益显著，经济效益或者社会效益显著3，推动行业科技进步作用明显，推动行业科技进步作用明显中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国际科技合作奖国际科技合作奖国际科技合作奖授予在双边或者多边国际科国际科技合作奖授予在双边或者多边国际科技合作中对中国科学技术事业做出重要贡献技合作中对中国科学技术事业做出重要贡献的外国科学家、工程技术人员、科技管理人的外国科学家、工程技术人员、科技管理人员和科学技术研究、开发、管理等组织。国员和科学技术研究、开发、管理等组织。国际科技合作奖每年授奖的数额不超过际科技合作奖每年授奖的数额不超过10个个中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖奖励等级及金额国家奖奖励等级及金额国家最高科学技术奖（国家最高科学技术奖（500万元）万元）国家自然科学奖国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科国家技术发明奖、国家科学技术进步奖（每年奖励总数不超过学技术进步奖（每年奖励总数不超过400项，项，设一、二两个奖励等级设一、二两个奖励等级）（一等奖：国家（一等奖：国家9万元，院万元，院300万，所万，所5万；万；二等奖：国家二等奖：国家6万元，院万元，院100万，所万，所3万）万）中华人民共和国国际科学技术合作奖中华人民共和国国际科学技术合作奖中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖推荐单位之一：中国科学院国家奖推荐单位之一：中国科学院每年组织各所报奖，有名额限制（每年组织各所报奖，有名额限制（52项左右）项左右）时间：每年上半年（今年滞后，等院里通知）时间：每年上半年（今年滞后，等院里通知）条件：符合国家奖要求并进行过成果登记的科条件：符合国家奖要求并进行过成果登记的科研成果研成果中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖推荐单位之二：北京市国家奖推荐单位之二：北京市北京市科学技术奖的奖励范围北京市科学技术奖的奖励范围北京市科学技术奖专业评审组北京市科学技术奖专业评审组北京市科学技术奖的等级及金额北京市科学技术奖的等级及金额北京市科学技术奖申报时间及条件北京市科学技术奖申报时间及条件市科学技术奖一等奖、二等奖的获奖项目，市科学技术奖一等奖、二等奖的获奖项目，符合国家级科学技术奖申报条件的，由市科符合国家级科学技术奖申报条件的，由市科学技术行政部门负责推荐。学技术行政部门负责推荐。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处北京市科学技术奖的奖励范围北京市科学技术奖的奖励范围(一一)研究、开发或者系统集成高新技术应用于经济研究、开发或者系统集成高新技术应用于经济建设和社会发展，拥有自主知识产权，并取得较大建设和社会发展，拥有自主知识产权，并取得较大经济效益或者社会效益的；经济效益或者社会效益的；(二二)运用科学技术知识对产品、工艺、材料及其系运用科学技术知识对产品、工艺、材料及其系统等提出具有创新性的技术或者取得发明专利，实统等提出具有创新性的技术或者取得发明专利，实施后取得较大经济效益或者社会效益的；施后取得较大经济效益或者社会效益的；(三三)在转化、推广科技成果并使之产业化中，取得在转化、推广科技成果并使之产业化中，取得显著经济效益或者社会效益的；显著经济效益或者社会效益的；中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处北京市科学技术奖的奖励范围北京市科学技术奖的奖励范围(四四)在社会公益性领域研究、开发出具有国内领在社会公益性领域研究、开发出具有国内领先水平的计量、标准、档案等公共技术，并取得较先水平的计量、标准、档案等公共技术，并取得较大社会效益的；大社会效益的；(五五)阐明自然现象、特征、规律，在学术上有新阐明自然现象、特征、规律，在学术上有新见解，得到国内外学术界公认的基础研究成果，对见解，得到国内外学术界公认的基础研究成果，对科学技术发展具有重要价值的；科学技术发展具有重要价值的；(六六)研究成果对推动决策科学化和管理现代化，研究成果对推动决策科学化和管理现代化，促进科技、经济与社会协调发展起重大作用的；促进科技、经济与社会协调发展起重大作用的；(七七)外国组织和个人在本市传授先进技术、培养外国组织和个人在本市传授先进技术、培养科技和管理人才，促进国际科学技术交流与合作中科技和管理人才，促进国际科学技术交流与合作中做出突出贡献的。做出突出贡献的。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处北京市科学技术奖专业评审组北京市科学技术奖专业评审组农业与林业专业评审组农业与林业专业评审组医药、卫生专业评审组医药、卫生专业评审组中医中药专业评审组中医中药专业评审组药物与生物医学工程专业评审组药物与生物医学工程专业评审组电子、通讯与仪器仪表专业评审组电子、通讯与仪器仪表专业评审组计算机与自动化专业评审组计算机与自动化专业评审组工业技术专业评审组工业技术专业评审组城市建设专业评审组城市建设专业评审组环境保护专业评审组环境保护专业评审组城市管理与交通运输专业评审组城市管理与交通运输专业评审组材料科学专业评审组材料科学专业评审组基础专业评审组基础专业评审组软科学专业评审组软科学专业评审组中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处北京市科学技术奖的等级及金额北京市科学技术奖的等级及金额市科学技术奖分设一等奖、二等奖、三市科学技术奖分设一等奖、二等奖、三等奖等奖3个等级，每年奖励项目总数不超个等级，每年奖励项目总数不超过过300项。一等奖奖金项。一等奖奖金5万元，二等奖奖万元，二等奖奖金金3万元，三等奖奖金万元，三等奖奖金1万元。万元。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处北京市科学技术奖申报时间及条件北京市科学技术奖申报时间及条件时间：每年时间：每年3月月31日前日前条件：符合北京市科技奖励办法及进行条件：符合北京市科技奖励办法及进行过成果登记的科研成果过成果登记的科研成果中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖推荐单位之三：国防科工委国家奖推荐单位之三：国防科工委国防科技奖励范围国防科技奖励范围国防科技奖励申报条件国防科技奖励申报条件国防科技奖励申报渠道国防科技奖励申报渠道企事业单位的申报项目，由其主管部门（单企事业单位的申报项目，由其主管部门（单位）审查后报国防成果办。位）审查后报国防成果办。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国防科技奖励范围国防科技奖励范围（一）在武器装备及其配套产品的科研、生产、试（一）在武器装备及其配套产品的科研、生产、试验及相关工作中取得的科学技术成果；验及相关工作中取得的科学技术成果；（二）在核、航天、航空、船舶、兵器、电子等国（二）在核、航天、航空、船舶、兵器、电子等国防科技工业主导产业的军民两用技术、产品开发中，防科技工业主导产业的军民两用技术、产品开发中，完成科学技术创新、科学技术成果转化取得的科学完成科学技术创新、科学技术成果转化取得的科学技术成果；技术成果；（三）在国防基础性技术（含技术基础及质量管理）（三）在国防基础性技术（含技术基础及质量管理）研究中取得的科学技术成果；研究中取得的科学技术成果；（四）在为决策科学化和管理现代化而进行的国防（四）在为决策科学化和管理现代化而进行的国防科技工业软科学研究中取得的科学技术成果。科技工业软科学研究中取得的科学技术成果。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国防科技奖励申报条件国防科技奖励申报条件（一）按有关规定经过相应的技术评价，并进行（一）按有关规定经过相应的技术评价，并进行了成果登记；了成果登记；（二）经过一年以上的使用实践（理论研究和一（二）经过一年以上的使用实践（理论研究和一次性应用成果除外），并证明其技术性能稳定、可次性应用成果除外），并证明其技术性能稳定、可靠；靠；（三）不存在成果权属、技术内容、主要完成单（三）不存在成果权属、技术内容、主要完成单位和主要完成人及其排序等方面的争议；位和主要完成人及其排序等方面的争议；（四）具有潜在应用价值。（四）具有潜在应用价值。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处国家奖推荐单位之四：具有推荐资格的各学会国家奖推荐单位之四：具有推荐资格的各学会中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励范中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励范围围中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励等中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励等级及基本标准级及基本标准优秀获奖项目参加信息产业部科技司的推荐优秀获奖项目参加信息产业部科技司的推荐国家奖励项目的评审国家奖励项目的评审中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励范围中国电子学会电子信息科学技术奖的奖励范围（一）基础研究和应用基础研究；（一）基础研究和应用基础研究；（二）电子信息技术发明创新；（二）电子信息技术发明创新；（三）先进科技成果推广应用及产业化；（三）先进科技成果推广应用及产业化；（四）电子信息重大工程组织实施；（四）电子信息重大工程组织实施；（五）技术标准研究与制定。（五）技术标准研究与制定。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处奖励等级及基本标准奖励等级及基本标准（一）一等奖：达到或接近国际先进水平，技术（一）一等奖：达到或接近国际先进水平，技术难度大，对促进科技进步有显著作用，经实践验证难度大，对促进科技进步有显著作用，经实践验证有显著经济效益或社会效益。有显著经济效益或社会效益。（二）二等奖：达到国内先进水平，技术难度较（二）二等奖：达到国内先进水平，技术难度较大，对促进科技进步作用较大，经实践验证有较大大，对促进科技进步作用较大，经实践验证有较大经济效益或社会效益。经济效益或社会效益。（三）三等奖：达到国内同行业的先进水平，有（三）三等奖：达到国内同行业的先进水平，有一定技术难度，对促进科技进步有一定作用，经实一定技术难度，对促进科技进步有一定作用，经实践验证有一定经济效益或社会效益。践验证有一定经济效益或社会效益。中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处报奖程序中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院中国科学院北京市北京市国防科工委国防科工委学会学会国家奖国家奖成成果果登登记记所所学学术术委委员员会会推推荐荐信息产业部科技司信息产业部科技司我所近期获奖情况介绍我所近期获奖情况介绍2001年国家最高科技奖年国家最高科技奖一项一项获奖人：黄昆先生获奖人：黄昆先生中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处我所近期获奖情况介绍我所近期获奖情况介绍2001年国家自然科学二等奖：年国家自然科学二等奖：“自组织生长自组织生长量子点激光材料和器件研究量子点激光材料和器件研究”获奖人：王占国院士、封松林、徐仲英、获奖人：王占国院士、封松林、徐仲英、梁基本、徐波等梁基本、徐波等2000年曾获院自然科学一等奖年曾获院自然科学一等奖引用率：引用率：被被SCISCI他引达他引达209次次中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处我所近期获奖情况介绍我所近期获奖情况介绍2004年国家自然科学二等奖：半导体纳米结年国家自然科学二等奖：半导体纳米结构物理性质的理论研究构物理性质的理论研究获奖人：夏建白院士、李树深、常凯、获奖人：夏建白院士、李树深、常凯、朱邦芬院士朱邦芬院士98年曾获院自然科学一等奖年曾获院自然科学一等奖引用率：引用率：被被SCISCI他引达他引达429429次次中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处我所近期获奖情况介绍我所近期获奖情况介绍2001年北京市科技进步一等奖：半导体神经年北京市科技进步一等奖：半导体神经网络技术及其应用网络技术及其应用获奖人：获奖人：王守觉院士等王守觉院士等中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处欢迎大家积极报奖欢迎大家积极报奖谢谢！谢谢！中国科学院半导体研究所科技开发处中国科学院半导体研究所科技开发处