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清华大学出版社模拟电子技术习题解答（课后同步）第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的，而少数载流子的浓度则与 温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变 宽。3,在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。二.判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N型半导体带负电。（X ）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（V ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（X ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合 停止。（X ）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（V ）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（X ）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（X ）三.简答题1、PN结的伏安特性有何特点？V答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式ID Is （eVT 1）表示。式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料 等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压；VT=kT/q,为温度的电压当量(其 单位与V的单位一致)，其中玻尔兹曼常数k 1.38 10 23J/K,电子电量 q 1.60217731 10 19c(库伦)，则 VT (V)115.294T,在常温(T=300K)下，VVTVT=25. 875mV=26mVo当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时，eV 1,于是I Is eVT,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状VT态.外加反向电压，即V为负值，且V|比VT大几倍时，eV 1,于是I Is,这 时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。 PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1. 1. 1所示.从式(1. 1. 1)伏安特性方程的分析 和图LL1特性曲线(实线部分)可见：PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。1. 1. 1 PN伏安特性2、什么是PN结的反向击穿？ PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压 后，PN结发生击穿。PN结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较 高的PN结，一般反向击穿电压小于4Eg/q （EgPN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡 量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿，击穿 机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压 高于6 Eg/q的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速 度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数 载流子浓度升高，反向电流剧增。3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。势垒电容Cb是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子，各具有一 定的电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储的电荷量增加；当外加反向电 压变小时，空间电荷区变窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容” 大小随外加电压改变而变化，是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用 中，常用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极 管。扩散电容Cd是载流子在扩散过程中的积累而引起的。PN结加正向电压时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的电子浓度(Np)分布，PN结边缘处浓度大，离结远的地方浓度小，电子浓度按指数规律变化。当正向电压增加时，载流子积累增加了、：反之，则减图1.3.3 P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累小，如图1.3. 3所示。同理，在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化的关系与P区电子浓度的变化相同。因此，外加电压 增加时所出现的正负电荷积累变化、，可用扩散电容Cd来模拟。Cd也是一种非线性 的分布电容。综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电 容；PN结反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积 成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区2、在常温下，硅二极管的门限电压约0.6 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；楮二极管的门限电压约0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 Vo3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约1.22V ,高于硅二极管的门限电压;考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在510 mA。4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为压） 二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反 向电流和极间电容。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a ）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（c ）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（d ）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20时是5u A,温度每升高10,其反向饱和电流增大一 倍，当温度为40时，反向饱和电流值为（c ）。a. 10 y A b. 15 y A c. 20 u A d. 40 u A5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（b ）。a.正向运用b.反向运用三、问答题1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度 对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数 我流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。2、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？答：根据二极管电流的方程式I IS eqV/KT 1将V=l. 5V代入方程式可得：I 20 10 12 el500/26 120 10Ige 14.34 12 el500/261gI lg20 12 150026故I 2.18 1014 A虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用，但过大的电流定会烧 坏二极管或是电池发热失效，因此应另外添加限流电阻。3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和0.2 A,在外加相同的正向 电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的性能较好？答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于 断路，其反向偏置电阻无穷大。4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？答：能实现稳压，二极管应该正向偏置，硅二极管的正偏导通电压为0.7V；因此硅二极 管的正向特性，可以实现稳压，其稳压值为0.7V。5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？答：齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，其空间电荷区较窄，击穿电压 较低（如5V以下），一般反向击穿电压小于4Eg/q （EgPN结量子阱禁带能量，用电子 伏特衡量，Eg/q指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击 穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电 流上升。发生齐纳击穿需要的电场强度很大，只有在杂质浓度特别大的PN结才能达到。击穿后 并不意味着PN结损坏，当加在稳压管上的反向电压降低以后，管子仍然可以恢复原来的 状态。但是反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率时，就可能由电击穿变 为热击穿，而造成永久性的破坏。电击穿PN结未被损坏，但是热击穿PN结将永久损坏。主观检测题2. 1. 1试用电流方程式计算室温下正向电压为0. 26V和反向电压为IV时的二极管电流。 （设 IS 10 A ）解：由公式 ID IS eqVD/KT 1 IS DeVT/V 1由于 IS 10 A, VT=0.026V正向偏置VD=0. 26V时ID IS eVD/VT 1 10 e 0.26/0.026 110 elO 1220264 A 0.22A当反向偏置VD IV时ID IS 10 A2. 1.2写出题图2. 1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理 想二极管。解：VO1-2V （二极管正向导通），V02=0 （二极管反向截止），V03七一2V （二极管正 向导通），V04-2V （二极管反向截止），V05-2V （二极管正向导通），V06七一2V （二 极管反向截止）。T2D2V十/?n %叫 D不 Tvo42V* 2V 丰 16题图2. 1.22. 1.3重复题D3k Q6V 二二一Uao+12 V-+DiDi一ikQ12V_+6V-+2.1.2,设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD=0.7V。解：UOll. 3V （二极管正 向导通），U02=0 （二极管反向截止），U03心一 1.3V （二极管正向导通），U04弋2V （二 极管反向截止），U05Q1. 3V （二极管正向导通），U06七一2V （二极管反向截止）。2. 1.4设题图2. 1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试 判断其中的二极管是导通还是截止，并求出A、Q两端电压U（a） （b）题图 2. 1.4 （c） AOo解：题图2. 1.4所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=-6V,图 （b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=-OV,图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=-OV2.1.5在用万用表的R 10 ,R 100和R 1k三个欧姆档测量某二极管的正向电阻 时，共测得三个数据；4k ,85和680 ,试判断它们各是哪一档测出的。解：万用表测量电阻时，对应的测量电路和伏安特性如图2. 1.5所示，实际上是将流过 电表的电流换算为电阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻 小。测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效宜流电阻值和联合决定。通常万用表欧姆档的电池电压为Ei = 1.5V, R 10档时，表头指针的满量程为 100 u A （测量电阻为0,流经电阻Ri的电流为10mA）,万用表的内阻为RilO 150 ； R 100档时，万用表的内阻为RilOO lORilO 1500 （测量电阻为0,表头满量程 时，流经Ri的电流为1mA) ； R 1k档时(测量电阻为0,表头满量程时，流经Ri的电 流为0. 1mA),万用表的内阻为RilOO lOORilO 15k ；由图可得管子两端的电压V和电流I之间有如下关系：R 10 档时，内阻 RilO 150 ； VI 1.5 IlRilO 1.5 15011 R 100 档时，内 阻 RilOO 1500 ； V2 1.5 I2R1100 1.5 150012 R 1k 档时，内阻 RilOO 15k ； V3 1.5 I3Rilk 1.5 1500013从伏安特性图上可以看出，用R 10档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的 特性曲线的交点为A,万用表的读数为V1/I1。用R 100档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为B,万用 表的读数为V2/I2用R 1k档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为C,万用 表的读数为V3/I3O由图中可以得出VIIIV2I2V3I3所以，85为万用表R 10档测出的；680为万用表R 100档测出的；4k为万 用表R 1k档测出的。2. 1.6电路如题图2. 1.6所示，已知vi=6sin3 t (v),试画出vi与vo的波形，并标出 幅值。分别60. 7使用二极管理想模型和恒压降模型(VD=0.7V)。解：由题意可知：vi=6sin3t(v)在vi的正半周，二极管导通，电路的输出电压波形如图2 1.6(a)、(b)所示。2. 1. 7电路如题图2. 1. 7所示，已知vi=6sin3 t (V),二极管导通电压VD=O. 7V。试 画出vi与vO的波形，并标出幅值。题图ROZZJfO +2kQ，0V口迷 2M %616 -图2. 1. 7题图2. 1. 6解：由题意vi=6sin3t(V)波形如图2. 1.7所示：当 vi 3.7V 时，二极管 D1 导通，vo=3. 7V,当 vi 3.7V 时，二极管 D2 导通，vo=-3. 7V,当 3. 7V vi 3.7V 时，二极管 DI、D2 截止，vo=vi .2. 2. 1现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V,正向导通电压为0.7V。试 问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)两只稳压管串联时可得1. 4V、5. 7V、8. 7V和13V等四种稳压值。(2)两只稳压管并联时可得0. 7V、5V和8V等三种稳压值。2. 2.2已知稳压管的稳压值VZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求题图2. 2. 2所 示电路中V01和V02各为多少伏。IffoR+D& D22K3 V* 3 V-2Z_ii(IO题图2. 2.2解：(1)当VI = 10V时，若V01=VZ=6V,则稳压管的电流为IZ1 VI VZR1 10 6500 0.008 A 8mA IZmin 5mA,大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故Vol 6Vo(2)当VI = 10V时，若V02=VZ=6V,则稳压管的电流为IZ2 VI VZR2 10 62000 0.002 A 2mA IZmin 5mA,小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故V022. 2.3电路如题图2. 2. 3 (a) (b)所示，稳压管的稳定电压VZ=3V, R的取值合适, vi的波形如图(c)所示。试分别画出v01和v02的波形。题图 2.2.3RLR2 RL VI 20002000 2000 V 5V . I解：波形如图2. 2. 3所示。题图十 1 kQ%D/K 型力功z八 500QUO(<)2. 2. 3所示的电路中，对于图(a)所示的电路，当vi 3V时，稳压管DZ反向击穿，vo =vi 3V,当vi 3V时，稳压管DZ未击穿，vo=0V。对于图b所示的电路，当vi 3V时，稳压管DZ反向击穿，vo=VZ ,当vi 3V时，稳 压管DZ未击穿，vo=vi 0题图 2.2.4 图 2. 2.32. 2.4已知题图2. 2. 4所示电路中稳压管的稳定电压VZ=6V,最小稳定电流IZmin= 5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。(1)分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；(2)若vi = 35V时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：(1)当vi = 10V时，若vO=VZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电 流，所以稳压管未击穿。故vo RLR RL vi 333. V当vi = 15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin,所以vO=VZ=6V同理，当 vi=35V 时，vO=VZ=6V。(2) IDZ (vi VZ)R 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。2. 2. 5电路如题图2. 2. 5所示，设所有稳压管均为硅管(正向导通电压为VD=0. 7V), 且稳定电压VZ=8V,已知vi = 15sin 3 t (V),试画出v01和v02的波形。(a)题图 2. 2. 5 (b)解：题图 2. 2. 5o 十3koCZFRo+Dz 2 'a6/V|-8.7)，当vi VZ 8V时，稳压管DZ反向击穿，vo=8V ；当vi VD 0. 7V时，稳 压管DZ正向导通，vo=-0. 7V ；当0.7V VD vi VZ 8V时，稳压管DZ1和DZ2未击穿，vo=vi。对应题图 2. 2. 5(a)电路的输出电压的波形如图2. 2. 5(a)所示。对于图(b),当vi VZ VD 8.7V时，稳压管DZ1正向导通、DZ2反向击穿，vo= 8V；当viVZ VD8. 7V时，稳压管DZ1反向击穿、DZ2正向导通，vo=-8V；当8. 7V VZ VD viVZ VD 8.7V 时，稳压管 DZ1 和 DZ2 未击穿，vo=vi。对应题图2. 2.5(b)电路的输出电压的波形如图2. 2. 5(b)所示。2. 3. 1在题图2.3. 1所示电路中，发光二极管导通电压VD=1.5V,正向电流在515mA 时才能正常工作。试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2) R的取值范围是多少？解：(1)当开关S闭合时发光二极管才能发光。(2)为了让二极管正常发光，ID=515mA,R的范围为RmRmin (V DV (V DV)Dim)DImax 233 axin 700 »可以计算得到R= 233-700 Q题图2. 3. 1习题3客观检测题一、填空题1 .电压大于零。2 .3 .在半导体中，温度变化时少数载流子的数量变化较大，而多数载流子的数量变 化较小。4 .区厚度要很小；外部条件是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置o5 .处于放大状态的晶体管，集电极电流是子漂移运动形成的。6 .工作在放大区的某三极管，如果当IB从12 u A增大到22 u A时，IC从1mA变为 2mA,那么它的B约为100。7 .和8 .双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。9 .10 .某放大电路在负载开路时的输出电压为5V,接入12k的负载电阻后，输出电压降 为2. 5V,这说明放大电路的输出电阻为12 k .11 .共集电极组态的放大电路。12 .题图3. 0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、 交流负载线。由此可以得出：(1)电源电压VCC；(2)静态集电极电流ICQ；集电极电压UCEQ=；(3)集电极电阻RC；负载电阻RL；(4)晶体管的电流放大系数=50 ,进一步计算可得电压放大倍数Av= -50 ；(rbb'取 200 )；(5)放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为L06V :(6)要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于20uA »题图3.0. 113 .14 .有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有 内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻小。15 .16 .共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。17 .放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。18 .19 .20 .共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；21 .射极输出器的输入电阻较22 .、出电阻小。23 .“小信号等效电路”中的“小信号”是指析，不适合静态工作点和电流电压的总值 的求解，不适合大信号的工作情况分析。24 .放大器的静态工作点由它的直流通路决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的交流通路决定。25 .图解法适合于求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析，而小信号模型电路分法则适合于求交变小信号的工作情况分析。26 .输入电阻反映放大器信号大小的能力；而输出电阻则反映出放大器带负载能 力。27 .对放大器的分析存在静态和动态两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为Q点。28 .在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V0和VI的波形，则 V0和VI的相位关系为反相；当为共集电极电路时，则V0和VI的相位关系为同相。29 .在由NPN管组成的单管共射放大电路中，当Q点（太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉波谷；当Q点太低（太高或太低）时，将产生截 止失真，其输出电压的波形被削掉波峰。30 .单级共射放大电路产生截止失真的原因是，产生饱和失真的原因是放大器的动态工作轨迹进入饱和区。31 . NPN三极管输出电压的底部失真都是饱和失真。32 . PNP三极管输出电压的顶部部失真都是饱和失真。33 .多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有34 . BJT三极管放大电路有共发射极、共集电极、共基极三种组态。35 .不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。 因此，这种BJT接入电路时，总要使它的发射结保持正向偏置，它的集电结保持反向偏 置。36 .某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,则三 极管的集电极是A ,基极是C ,发射极是B。该三极管属于PNP型，由错半导体材料 制成。37 .电压跟随器指共集电极电路，其电压的放大倍数为1；电流跟随器指共基极 电路，指电流的放大倍数为1«38 .温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，ICBO增加， 增加，正向发射结电压UBE减小，PCM减小。39 .特性曲线之间的间隔将增大。40 .41 .在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，VCEQ的变化情况(a.增加，b,减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内)。(1) Rb增加时,VCEQ将 增大.(2) Rc减小时，VCEQ将增大。(3) RC增加时，VCEQ将(4) Rs增加时，VCEQ将(5) 减小时(换管子)，VCEQ将。(6)环境温度升高时，VCEQ将 减小。题图3. 0.242 .在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和 性能的变化。(在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。)(1)若Rb阻值减小，则静态电流IB将 增大，VCE将电压放大倍数Av将RA/(2)若换一个 值较小的晶体管，则静态的IB将电压放大倍数AvVCE将将 减小。(3)若RC阻值增大，则静态电流IB将VCE将，电压放大倍数Av将大。题图3.0. 343 .放大器的频率特性表明放大器对不同频率信号适应程度。表征频率特性的主要指是中频电压放大倍数，上限截止频率和下限截1上频率。44 .放大器的频率特性包括幅频响应和相频响应两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同。45 .46 .47 .幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为截止频率。48 .阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于 存在耦合电容和旁路电容的影响；高频区电压增益下降的原因是由于存在放大器件内部的 极间电容的影响。49 .单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，电压增益的幅值比中频 时下降了 3 dB,高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为-45°和+45。50 .在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为-20dB/十倍频， 幅频响应低频区的斜率为-20dB/十倍频；附加相移高频区的斜率为-45。/十倍频，附加相 移低频区的斜率为+45。/十倍频。40dB, 51. 一个单级放大器的下限频率为fL 100Hz,上限频率为fH 30kHz, AVM如果输入一个15sin(100,000 tmV的正弦波信号，该输入信号频率为50kHz ,该电路 不会产生波形失真。52 .大，高频区附加相移增大。二、判断题1.下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理 由。(1) 3.2V, 5V, 3V；解：错NPN型BJT管VBE=0. 2 V所以为诸管；5V为集电极，3. 2V为基极，3V为发射 极，(2) -9V, -5V, -5.7V解：硅PNP型BJT管；-9V为集电极，-5. 7V为基极，-5V为发射极(3) 2V, 2. 7V, 6V；解：硅NPN型BJT管；6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极(4) 5V, 1.2V, 0.5V；解：硅NPN型BJT管；5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极(5) 9V, 8.3V, 4V解：硅PNP型BJT管9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极（6） 10V, 9. 3V, 0V解：硅PNP型BJT管，10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极（7）5.6V, 4. 9V, 12V；解：硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4. 9V为发射极，（8） 13V,12.8V, 17V；解：铭NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12. 8V为发射极，（9）6.7V, 6V, 9V；解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极，2.判断三极管的工 作状态和三极管的类型。1管：VB 2V.VE 2. 7V, VC 4V;答：NPN管，工作在放大状态。2管：VB 6V.VE 5. 3V, VC 5. 5V;答：NPN管，工作在饱和状态。3管：VB IV, VE 0. 3V, VC 7V;答：NPN管，工作在截止状态。3 .题图3. 0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？答：题图3. 0.44 .放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3. 0.5,三极管可能发生的故障是什 么？答：题图3. 0.5所示的三极管，B、E极之间短路，发射结可能烧穿。题图3.0. 55 .测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA, 3. 66mA和3. 6mA,则该管的为。为60。为61。0.98。无法确定。6.只用万用表判别晶体管3e极b极c极7.输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。输入和输出均具近似的恒流特性。输入和输出均具有近似的恒压特性。输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。8 .共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c, e间的 击穿电压分别用V (BR) CEO , V (BR) CES和V (BR) CER表示，则它们之间的大小关系 是。V (BR) CEO>V (BR) CES>V (BR) CER。V (BR) CES>V (BR) CER >V (BR) CEO»V (BR) CER>V (BR) CES>V (BR) CEO。©V (BR) CES>V (BR) CEO>V (BR) CER。9 .题图3. 0.6所示电路中，用直流电压表测出VCEOV,有可能是因为C或D。A Rb开路B Rc短路C Rb过小D 过大题图3.0.610 .测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3. 0.7所示。试判断各三极管的工作 状态。(a)(b)题图 3. 0.7 (c) (d)答：题图3. 07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为放大，图（b）为放大，图 （c）为饱和，图（d）为C、E极间击穿。11 .用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3. 0.8示，试判 断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图3. 07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为损坏，图（b）为放大，图 （c）为放大，图（d）为截止，图（e）为损坏，图（f）为饱和（或B、C极间击穿）。12.放大电路如题图3. 0.9所示，对于射极电阻Re的变化是否会影响电压放大 倍数Av和输入电阻Ri的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当Re增大时，负反馈增强，因此Av 、Ri 。（）乙：当Re增大时，静态电流 IC减小，因此Av 、Ri o （）丙：因电容Ce,对交流有旁路作用，所以Re的变化对交流量不会有丝毫影响，因此， 当Re增大时，Av和Ri均无变化。题图3.0.9解：本题意在我们要搞清Re,在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，Re被Ce交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以Re的变化不影响Au 和Ri,这是本题容易使我们产生错觉的地方。但我们还必须进一步考虑，尽管Re不产生 交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到ICQ,就影响到 rbe进而影响Au和Ri。甲的说法是错误的，原因：因Ce的旁路作用，所以Re不产生交流负反馈，所以甲的观 点前提就是错的。乙的说法是正确的。原因：Re ICQ（IEQ） rbe Au ;rbe , Ri Rb/rbe, Ri丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管Re不产生负反馈，但Re增大使IEQ减小,IEQ的减小必然引起Au减小和Ri的增加。主观检测题3. 1.1把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量IB 6 A时，则IC 0. 4mA,当测得IB 18 A 时，I1.12mA,问这个晶体管的 值是多少？ ICB0和ICEO各是多少?解：根据电流关系式：IC IB (1 )ICBO,可得0.4mA 0.006mA (1) ICBO (1) 1. 12mA 0.018mA (1 )ICBO (2)将(1)、(2)两式联立，解其联立方程得：60ICBO 0.66 A进而可得：ICEO (1 )ICBO 0.66 A 61 40 A3.L2根据题图3.1.2所示晶体三极管3BX31A和输出特性曲线,试求Q点处VCE 3V, IC 4mA, IB 150 A的和值，和值。题图3.L2解：ICIB4mA0. 2mA2mA20, 10. 95IC IB0. 1mA200. 953.L3硅三极管的 50, ICBO可以忽略，若接为题图3. 1.3 (a),要求IC 2mA,问RE应为多大？现改接为图(b),仍要求IC 2mA,问RB应为多大？(a)题图3.L3(b)解：(a) IBIE 1 IE RERE6 VBEIEICIC2mA5040 AIB2.04mA6 VBE6 0. 72. 042mA50(b) IB40 ARBVCC VIBBE6 0. 70. 04132k3. 3. 1在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3. 3. 1所示，试 判断各晶体管的类型(PNP管还是NPN管，硅管还是错管)，并区分e、b、c三个电极。(a)(b)题图 3. 3. 1(c)解：题图3. 3.1 (a)所示的晶体管为错NPN管，三个引脚分别为e极、b极、c极。题图3. 3.1 (b)所示的晶体管为硅PNP管，三个引脚分别为c极、b极、e极。题图3. 3. 1(c)所示的晶体管为错PNP管，三个引脚分别为b极、e极，c极。3. 3. 2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图3. 3. 2所示，已测出II 1.2mA,12 0.03mA, 13 1. 23mA,试判断e、b、c三个电极，该晶体管的类型(NPN型还是PNP型)以及该晶体管的电流放大系数。题图3. 3.2解：题图3. 3. 2所示的晶体管为PNP管，三个电极分别为b极、c极、e极，晶 体管的直流电流放大倍数为=1.2/0.03=40。3. 3. 3共发射极电路如题图3. 3. 3所示，晶体管 50, ICB0 4 A,导通时VBE 0. 2V,问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电 流IC为多少？设二极管D具有理想特性。题图3. 3.3解：题图3. 3. 3所示的电路，当开关置于A位置时，Ib= (2-0.2) /10=0. 18 mAIcbo=12/ (1X50) =0. 24 mA 故工作在放大区，Ic=IbX50=9 mA.当开关置于B位置时，晶体管工作在截止区，Ic=0。当开关至于C位置时，晶体管工作在饱和区。3. 3. 4.题图3. 3. 4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常 放大？哪些不能？为什么？(图中电容的容抗可忽略不计)。J Cl+v0(e)RbCiViZc（mA）题图3. 3.4解：题图所示的各个电路中，图（a）能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反 偏；交流通路信号能顺畅的输入输出。图（b）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅的 输入。图（c）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅的 输出。图（d）不能放大，直流通路不满足发射结正偏、集电结反偏;图(e)不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；交流通路信号不能顺畅的 输入。图(f)不能放大，直流通路不满足发射结正偏；交流通路信号能顺畅的输入输出。3.4. 1 一个如题图3. 4.1 (a)所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图3.4. 1(b)的输出特性，静态工作点Q和直流负载线已在图上标出(不包含加粗线)。(a)(1)确定VCC、RC和R的数值(设VBE可以略去不计)o b(2)若接入RL 6k ,画出交流负载线。(3