200MW建设项目环境影响报告书样本9972.docx

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48879份资料苏州阿特斯斯阳光电力力科技有限限公司年产产太阳能电电池片2000MW建建设项目环境影响报报告书简本本一、项目简简况项目名称：苏州阿特特斯阳光电电力科技有有限公司年年产太阳能能电池片2200MWW建设项目目建设单位：苏州阿特特斯阳光电电力科技有有限公司建设规模：年产太阳阳能电池片片200MMW建设性质：外商独资资扩建建设地点：江苏省苏苏州高新区区鹿山路1199号厂厂区二期厂厂房预留车车间内（一一楼）投资总额99980万万美元占地面积：总占地6666600m2（本项目目车间50000m2），总绿化面面积192205m2（不变）二、现有项项目情况1、现有建建设项目主主体工程及及产品方案案现有建设项项目主体工工程及产品品方案序号工程名称（车车间、生产产装置或生生产线）产品名称及及规格设计能力年运行时数数1太阳能电池池片多晶硅硅有铬生产产线（6条线）太阳能电池池片100MWW/a48002太阳能电池池片单晶硅硅无铬生产产线（4条线）太阳能电池池片100MWW/a3太阳能电池池组件组装装线（6条条线）太阳能电池池组件100MWW/a（6条线）*现有一期期项目申报报并通过审审批的1000MW/a太阳能能电池组件件组装项目目目前尚未未建设、生生产，并将将取消该项项目，今后后也不再建建设、生产产；2、现有项项目公用配配套工程现有项目公公用配套工工程一览表表项目建设名称设计能力备注贮运工程原料等由供应商负负责送货汽车（8tt/d）产品由本单位用用专车辆负负责送货汽车（5tt/d）公用工程给水、排水水、供热、供供汽、供气气、供电、绿绿化等输送最大管管径25ccm雨污分流变压器最大大输送5000KVAA由高新区统统一供水1200万万度/年由高新区统统一供电绿化236685平方方米厂房施工时时实施环保工程废气处理酸碱雾洗涤涤塔4套（4个个15米排气气筒）一期项目已已建设实施施（8个排排气筒）硅烷燃烧塔塔3套（3个个15米排气气筒）活性炭吸附附塔1套（1个个15米排气气筒）酸碱废气洗洗涤塔处理理系统1套套（1个225米排气气筒）二期扩建项项目已建设设实施（55个排气筒筒）铬酸雾废气气洗涤+塔塔处理系统统1套（11个25米米排气筒）有机废气活活性炭吸附附系统1套套（1个220米排气气筒）硅烷燃烧塔塔1套（11个20米米排气筒）多孔碳酸钙钙+活性炭炭吸附塔11套（1个个25米排气气筒）制纯水设施施膜过滤纯水水设施（设计规模模100tt/h）一期项目已已建设实施施膜过滤制纯纯水设施（设计规模模200tt/h）二期扩建项项目已建设设实施废水处理酸碱废水处处理+混凝凝沉淀系统统（设计规规模1000t/h）一期项目已已建设实施施酸性废水处处理+混凝凝沉淀系统统（设计规规模2000t/h）二期扩建项项目已建设设实施含氢氟酸废废水处理设设施（设计规模模50t/h）含铬酸废水水处理设施施（设计规模模50t/h）废水（尾水水）后续处处理系统（设计规模模200tt/h）固废处理零排放有资质单位位回收处理理不产生二二次污染危废临时贮贮存场所50一、二期项项目共建实实施一般工业固固废贮存场场所50成品仓库100一般原料仓仓库100气罐区30危险品仓库库100噪声隔音设施、合合理布局、厂厂界绿化隔隔音已实施辅助工程办公建筑面积11174mm2已实施用餐地点面积1000m2门卫室1个依托工程苏州新区第第二污水处处理厂设计日处理理8万吨/天，一期期4万吨/天，运营营稳定3、现有（一一期）项目目生产工艺艺流程简述述及产污环环节（1）一期期项目工艺艺流程硅片腐蚀（制绒）、制纯水废水579.62清损耗6.262洗96.3自来水硅片甩干硅片扩散去硅玻璃硅片甩干加减反射膜硅片背面印刷银铝浆W3 清排水烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片正面印刷银浆烧结刻蚀太阳能电池片纯水、N2POCl3、N2、O2纯水、HF纯水、N2SiH4、NH3、N2银铝浆铝浆银浆CF4、O2G1 HCl、HF、H2、异丙醇W1含 HF、HCl废水；W2含NaOH废水S1 含碱、异丙醇废液W3 清排水W5 清排水G2 Cl2、P2O5G4 HF、SiF4W4含 HF废水G5 NH3、SiH4S2 少量废铝浆G6 少量有机物S3 少量废铝浆G7 少量有机物S4 少量废银浆G8 有机物 G3 CF4、SiF4NaOH、异丙醇、HCl、HF、纯水委外加工单晶硅片（单晶电池片）现有项目生生产工艺流流程图（一一期项目）一期项目主主要工序流流程简述：1.硅片腐腐蚀(制绒绒)、清洗洗:P型单晶硅硅薄片，经经碱腐蚀清清洗烘干，制制绒主要是是使用碱性性溶液腐蚀蚀硅表面形形成绒面。清清洗主要是是处理制绒绒后的硅片片表面，使使其净化，用用氢氟酸清清洗残留的的碱性物质质，接着用用盐酸去除除表面残留留的物质，最最后再用纯纯水清洗。此此过程有废废气产生，废废气中含有有HCl、HHF、H22；此工序序还有碱性性废水、酸酸性废水产产生，碱性性废水中主主要含有氢氢氧化钠，酸酸性废水中中主要含盐盐酸、氢氟酸；另外在碱碱腐蚀过程程还会有碱碱性废液产产生，其中中含有较高高浓度的异异丙醇。碱腐蚀的反反应方程式式为：2NNaOH+Si+HH2O=NaaSiO33+2H22.硅片扩扩散：硅片扩散也也称磷扩散散，是在氧氧气存在的的条件下，磷磷源分解在在硅中扩散散而形成PP-N结，PPOCl33为电子级级纯度，在在过程中所所起作用是是为扩散提提供磷源，各各反应化学学式如下：5POCll3=3PCCl5+P2O52P2O55+O2+6Sii=4P+6SiOO24PCl55+5O2=2P2O5+10CCl24POCll3+3O2=2P2O5+6Cll2因而硅片扩扩散工序,有废气产产生，该废废气成分有有P2O5、Cl2等。3.刻蚀：主要是去除除边缘的NN型硅，此此工序为干干法刻蚀，主主要是利用用四氟化碳碳和硅以及及氧气的反反应来去除除边缘硅，其其化学反应应式为：CF4+SSi+O22=SiFF4+CO2因而此工序序有未反应应完全的四四氟化碳和和反应生成成的四氟化化硅气体逸逸出。4.去硅玻玻璃（PSSG）：主要是用氢氢氟酸腐蚀蚀硅片表面面的氧化层层，即清除除硅片表面面的SiOO2层，反应应生成为微微量的SiiF4和H2SiF62-少量的的络合物，其其一起进入入酸性废水水处理。因因而此工序序会有少量量的氢氟酸酸和四氟化化硅挥发。5.加减反反射膜：利用硅烷、氨氨气之间的的反应在硅硅片表面形形成一层加加减反射膜膜，N2不发生反反应，作为为保护气体体，此工序序会有少量量的氨气和和硅烷挥发发。6.丝网印印刷(即在在硅片上印印刷铝浆、银银浆、银铝铝浆)：使用浆料印印刷电极，使使之形成良良好接触,收集电流流。主要是是使用银浆浆，铝浆，银银铝浆，一一般由金属属粉末和有有机溶剂以以及固体树树脂构成，经经过烧结后后有机溶剂剂和固体树树脂都被挥挥发，剩余余金属与硅硅形成合金金层。7烧结烧结工序主主要是将印印刷好银浆浆、铝浆、银银铝浆的电电极放入烧烧结炉中，使使浆料中的的水分、树树脂及某些些有机物挥挥发出来。烧结自然冷冷却后即为为成品单晶晶硅太阳能能电池片。（2）二期期扩建项目目工艺流程程（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4P2O5委外加工多晶硅片G1铬酸雾、HFG2 HCl、HF、异丙醇W1含铬、HF废水W2 HF、HCl废水S1 含铬、异丙醇废液三氧化铬、HF、纯水异丙醇、HCl烧结S4 少量废银浆银浆G9少量有机物S3 少量废铝浆铝浆G8 少量有机物S2 少量废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W5 清排水纯水、N2G6 HF、SiF4W4含 HF废水纯水、HFG5 CF4、SiF4CF4、O2POCl3、N2、O2W3 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗二期扩建项项目主要工工序流程简简述1.硅片腐腐蚀(制绒绒)、清洗洗：二期扩建项项目使用原原材料为PP型多晶硅硅薄片，使使用碱腐蚀蚀已无法满满足产品质质量需求，因因此本扩建建项目使用用铬酸腐蚀蚀硅表面形形成绒面（使使用浓度约约在1.225%）。清清洗主要是是处理制绒绒后的硅片片表面，使使其净化，用用氢氟酸清清洗残留的的碱性物质质，接着用用盐酸去除除表面残留留的物质，最最后再用纯纯水清洗。此此过程有废废气产生，废废气中含有有铬酸雾、HCl、HF、H2；此工序还有含铬废水、含氟废水、酸性废水产生，同时产生一定的废液，其中含有较高浓度的异丙醇。2.硅片扩扩散：硅片扩散也也称磷扩散散，是在氧氧气存在的的条件下，磷磷源分解在在硅中扩散散而形成PP-N结，PPOCl33为电子级级纯度，在在过程中所所起作用是是为扩散提提供磷源，各各反应化学学式如下：5POCll3=3PCCl5+P2O52P2O55+O2+6Sii=4P+6SiOO24PCl55+5O2=2P2O5+10CCl24POCll3+3O2=2P2O5+6Cll2因而硅片扩扩散工序,有废气产产生，该废废气成分有有P2O5、Cl2等。3.刻蚀：主要是去除除边缘的NN型硅，此此工序为干干法刻蚀，主主要是利用用四氟化碳碳和硅以及及氧气的反反应来去除除边缘硅，其其化学反应应式为：CF4+SSi+O22=SiFF4+CO2因而此工序序有未反应应完全的四四氟化碳和和反应生成成的四氟化化硅气体逸逸出。4.去硅玻玻璃（PSSG）：主要是用氢氢氟酸腐蚀蚀硅片表面面的氧化层层，即清除除硅片表面面的SiOO2层，反应应生成为为为微量的SSiF4和H2SiF62-少量的的络合物，其其一起进入入酸性废水水处理。因因而此工序序会有少量量的氢氟酸酸和四氟化化硅挥发。5.加减反反射膜：利用硅烷、氨氨气之间的的反应在硅硅片表面形形成一层加加减反射膜膜，N2不发生反反应，作为为保护气体体，此工序序会有少量量的氨气和和硅烷挥发发。6.丝网印印刷(即在在硅片上印印刷铝浆、银银浆、银铝铝浆)：使用浆料印印刷电极，使使之形成良良好接触,收集电流流。主要是是使用银浆浆，铝浆，银银铝浆，一一般由金属属粉末和有有机溶剂以以及固体树树脂构成，经经过烧结后后有机溶剂剂和固体树树脂都被挥挥发，剩余余金属与硅硅形成合金金层。7烧结烧结工序主主要是将印印刷好银浆浆、铝浆、银银铝浆的电电极放入烧烧结炉中，使使浆料中的的水分、树树脂及某些些有机物挥挥发出来。烧结自然冷冷却后即为为成品单晶晶硅太阳能能电池片。4、现有项项目污染物物排放“三本帐”现有项目污污染物“三本帐”一览表（一一期+二期期）类别项目一期（已建建）二期（在建建）公司目前排放总量tt/a核准总量tt/a排放总量tt/a核准总量tt/a排放总量tt/a核准总量tt/a废气铬酸雾000.01220.01220.01220.0122氟化物（FF）0.0644*0.40770.40770.40770.4711*0.4711HCl0.360.360.360.360.720.72异丙醇0.04*0.20.20.20.2044*0.2044Cl20.11550.1155011501150.230.23P2O50.29330.29330.29330.29330.58660.5866NH30.71550.71550.57110.57111.431.43SiH400.004420.004420.004420.004420.00442TVOC0.69110.69110.69110.69111.38221.3822废水废水量34.866万34.866万19.300278万万19.300278万万54.166278万万54.166278万万COD36.52236.52226.522326.522363.044363.0443SS11.84411.84411.15511.15522.99922.999NH3-NN0.540.540.810.811.351.35TP0.10880.10880.16330.16330.270.27氟化物1.291.290.49990.49991.78991.7899六价铬000.030.030.030.03总铬000.060.060.060.06固废危险固废000000一般工业固固废000000生活垃圾000000*氟化物、异异丙醇由于于在一期项项目“三同时”验收时未未检出，因因此按照检检出限的一一半计算其其排放量；5、现有项项目环保验验收情况1、现有苏苏州阿特斯斯阳光电力力科技有限限公司年产产太阳能电电池片1000MW、太太阳能电池池组建1000MW新新建项目（一一期项目）已已于20008年通过过苏州市环环保局环保保“三同时”竣工验收收（见苏环环验【20008】1184号）。2、苏州阿阿特斯阳光光电力科技技有限公司司年产太阳阳能电池片片100MMW二期扩扩建项目目目前正在进进行试生产产。根据企企业介绍及及现场勘查查情况，目目前该项目目各项环保保治理措施施已全部到到位，现已已委托进行行验收监测测。3、在该试试生产期间间，建设单单位中水回回用水量达达到60tt/h，已已满足环评评批复（苏苏环建【22008】4415号）要求的60%中水回用率。4、现有一一期项目在在后续生产产过程中将将4条无铬铬生产线中中的1条改改变至有铬铬生产线，在在后续的二二期扩建过过程中已将将6条有铬铬生产线中中的1条改改变至无铬铬生产线，建建设单位从从而已满足足环保主管管部门环评评批复对建建设单位生生产线设置置要求。6、现有项项目主要存存在的环保保问题a. 未按按照江苏苏省排污口口设置及规规范整治管管理办法（苏苏环控【11997】1122号）的的规定规范范排污口标标志牌；b. 需进进一步完善善事故应急急预案和应应急措施；三、本项目目工程分析析1、本项目目主体工程程及产品方方案建设项目（技技改、扩建建项目）主主体工程及及产品方案案序号工程名称（车车间、生产产装置或生生产线）产品名称及规格设计能力年运行时数数扩建前扩建后增量1太阳能电池池片多晶硅硅有铬生产产线（6条线）太阳能电池池片100MWW/a（6条线）260MWW/a（110条线）160MWW/a（4条线）4800太阳能电池池片单晶硅硅无铬生产产线（4条线）太阳能电池池片100MWW/a（4条线）100MWW/a（4条线）048002太阳能电池池片多晶硅硅无铬生产线线（4条线）太阳能电池池片040MW/a（1条线）40MW/a（1条条线） 48002、本项目目公用配套套工程本项目公用用配套工程程一览表项目建设名称设计能力备注贮运工程原料等由供应商负负责送货按实际情况况贮运产品由本单位用用专车辆负负责送货公用工程排水雨污分流厂房建设实实施给水输送最大管管径25ccm由高新区统统一供水供电变压器最大大输送5000KVAA由高新区统统一供电绿化不变厂房施工时时已实施纯水设施膜过滤（设计规模模200tt/h）依托二期扩扩建项目设设施含N废水膜膜过滤纯水水设施1套套（100t/d）新建，委托托专门单位位设计施工工“三同时”实施含P废水膜膜过滤纯水水设施1套套(10t/d)环保、辅助助工程废气处理酸碱废气洗洗涤塔处理理系统1套套新建，委托托专门单位位设计施工工“三同时”实施铬酸雾废气气洗涤塔处处理系统11套有机废气活活性炭吸附附系统1套套硅烷燃烧塔塔1套含N废气洗洗涤塔1套套含P废气洗洗涤塔1套套废水处理酸碱废水处处理+混凝凝沉淀系统统1套（设设计规模2200t/h）依托一、二二期扩建项项目设施含氢氟酸废废水处理设设施1套（设计规模模50t/h）含铬酸废水水处理设施施1套（设计规模模50t/h）废水（尾水水）深度处处理系统11套（设计计规模2000t/hh）含磷废水处处理系统（10t/d）新建，委托托专门单位位设计施工工“三同时”实施含氮废水处处理系统（100t/d）噪声治理噪音隔音设设施、合理理布局、厂厂界绿化隔隔音新建，“三三同时”实施固废处置零排放由资质单位位回收处理理不产生二二次污染危废临时贮贮存场所50依托一、二二期项目已已建设施一般工业固固废贮存场场所50成品仓库100一般原料仓仓库100气罐区30危险品仓库库100办公建筑面积11174mm2用餐地点面积1000m2门卫室1个废水事故及及消防应急急共用池4000mm31个依托工程苏州新区第第二污水处处理厂设计日处理理8万吨/天，一期期4万吨/天，运营营稳定3、本项目目生产工艺艺流程及简简述（1）含铬铬多晶硅生生产工艺流流程W3清排水W4 含磷废水G6 CF4、SiF4 S3 含CF4废液G7 HF、SiF4W5 含HF废水太阳能电池片洗涤塔1纯含P废水2水回用循环量240纯水设备纯0.352水1321.564苏制纯水废水579.62州损耗6制纯水废水579.62.损耗6.26296.3G1铬酸雾G2 HClG3 HFW1含铬、HF、HCl废水S1 含盐酸、氢氟酸、铬酸废液三氧化铬、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G11 有机物G4 Cl2 G5 P2O5委外加工多晶硅片烧结S6 少量废银浆银浆G10 少量有机物S5 少量废铝浆铝浆G9 少量有机物S4 少量废铝银浆银铝浆G8 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W6 清排水纯水、N2HF、纯水CF4、O2POCl3、N2、O2W2 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗本项目有铬铬生产工艺艺流程图简述：由于本项目目有铬生产产线在工艺艺、设备上上基本与现现有项目同同相，只有有在原辅料料上不在使使用异丙醇醇（经工艺艺探索可不不用该异丙丙醇，不会会影响产品品品质），因因此本项目目有铬生产产线工艺简简述可见本本报告书现现有项目有有铬生产线线工艺简述述。（2）无铬铬多晶硅生生产工艺流流程G5 酸雾（NOx）、HF、硫酸雾、SiF4W6 含（N）、HF酸性废水W7 碱性废水G6 HFW7 酸性（HF）废水空气1、HNO3、HF、H2SO4、纯水2、KOH、纯水3、HF、纯水去硅玻璃S2 含磷废液W5 含磷废水纯水、HFW4 清排水G1 酸雾（NOx）、HFG2 HCl、HF W1含（N）、HF废水W2 碱性废水W3 含酸（HF、HCl）废水S1 含硝酸、氢氟酸、盐酸废液纯水空气1、HNO3、HF、纯水2、KOH、纯水3、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4 P2O5委外加工多晶硅片烧结S5 少量废银浆银浆G9少量有机物S4 少量废铝浆铝浆G8 少量有机物S3 少量废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2POCl3、N2、O2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜干燥硅片扩散干燥硅片腐蚀（制绒）清洗本项目无铬铬生产工艺艺流程图简述：本工艺为无无铬多晶硅硅工艺，是是目前较先先进工艺，无无重金属污污染问题，具具体如下：1.硅片腐腐蚀(制绒绒)、清洗洗：本项目使用用原材料为为P（硅片片类型）型型多晶硅薄薄片，使用用硝酸、氢氢氟酸、盐盐酸的混合合酸（按一一定比例配配比）腐蚀蚀硅表面形形成绒面。喷喷淋清洗处处理制绒后后的硅片表表面，使其其净化；然然后再用氢氢氧化钾（浓浓度65%）腐蚀并并喷淋清洗洗，接着用用氢氟酸、盐盐酸的混合合酸（按一一定比例配配比）去除除表面残留留的物质，最最后再用纯纯水喷淋清清洗。此过过程有废气气产生，废废气中含有有氮氧化物物、硫酸雾雾、HCll、HF、HH2；此工序序还有含NN废水、含含氟废水、酸酸性废水产产生，同时时产生一定定的废液。经经以上清洗洗后进行空空气干燥。2.硅片扩扩散：硅片扩散也也称磷扩散散，是在氧氧气存在的的条件下，磷磷源分解在在硅中扩散散而形成PP-N结，PPOCl33为电子级级纯度，在在过程中所所起作用是是为扩散提提供磷源，各各反应化学学式如下：5POCll3=3PCCl5+P2O52P2O55+O2+6Sii=4P+6SiOO24PCl55+5O2=2P2O5+10CCl24POCll3+3O2=2P2O5+6Cll2因而硅片扩扩散工序,有废气产产生，该废废气成分有有P2O5、Cl2等。3.去硅玻玻璃：本工艺分为为三段腐蚀蚀，先用硝硝酸、氢氟氟酸、硫酸酸的混合酸酸（按一定定比例配比比）腐蚀硅硅片表面的的氧化层，再再用纯水喷喷淋清洗，再再用氢氧化化钾（浓度度45%）腐腐蚀后纯水水喷淋清洗洗，最后用用氢氟酸、硫硫酸的混合合酸（按一一定比例配配比）腐蚀蚀后纯水喷喷淋清洗，以以上工序为为清除硅片片表面的SSiO2层，反应应生成为为为微量的SSiF4和H2SiF62-少量的的络合物，以以上清洗废废水分别进进入含N废废水处理设设施处理及及酸碱废水水处理设施施处理。因因而此工序序会有少量量的氮氧化化物、硫酸酸雾、HCCl、HFF和四氟化化硅挥发。5.加减反反射膜：利用硅烷、氨氨气之间的的反应在硅硅片表面形形成一层加加减反射膜膜，N2不发生反反应，作为为保护气体体，此工序序会有少量量的氨气和和硅烷挥发发。6.丝网印印刷(即在在硅片上印印刷铝浆、银银浆、银铝铝浆)：使用浆料印印刷电极，使使之形成良良好接触,收集电流流。主要是是使用银浆浆，铝浆，银银铝浆，一一般由金属属粉末和有有机溶剂以以及固体树树脂构成，经经过烧结后后有机溶剂剂和固体树树脂都被挥挥发，剩余余金属与硅硅形成合金金层。7烧结烧结工序主主要是将印印刷好银浆浆、铝浆、银银铝浆的电电极放入烧烧结炉中，使使浆料中的的水分、树树脂及某些些有机物挥挥发出来。烧结自然冷冷却后即为为成品单晶晶硅太阳能能电池片。4、资源及及能源消耗耗本项目原辅辅材料及能能源序号原辅料名称称年耗量1原料硅片（Sii）900t（约约72000万片）2辅料氮气(999.99%)690t（约约85万mm3）3硅烷(999.9999%)2800kkg4氨气(999.9999%)2040kkg5CF4(999.9999%)6.0488t（约37760m33）6氧气(999.99%)142.8856t(约12.5万m33）7三氯氧磷（99%）3.92tt（约23333m33）8银浆4200kkg9铝浆540000kg10银铝浆4200kkg11盐酸（366%）134.5568t12氢氟酸（440%分析析纯）449.11488tt13三氧化铬（999.5%）91.2tt14硝酸（655%分析纯纯）365.004t15氢氧化钾（445%分析析纯）30.122t16硫酸（988%工业级级）2.52tt17水处理药剂剂聚合氯化铝铝（工业级级、固体）25吨18高分子混凝凝剂（工业业级、固体体）0.3吨19氢氧化钠(90%工工业级、固固体)16吨19CaCl22(70%工业级)13吨20能源水26.377万21电1200万万度5、主要生生产设备、公公用及贮运运设备本项目主要要设备表序号设备名称规格（型号号）数量备注1生产设备有铬线扩散前清洗洗机/8台新增2扩散炉/4台3扩散后清洗洗机/4台4PECVDD镀膜机SLPC-71HRR44台5等离子刻蚀蚀机M42200016台6丝网印刷机机J17622CLD/CUL4台7烧结炉PVD-66004台8甩干机/8台9无铬线扩散前清洗洗机/1台10扩散炉/1台11扩散后清洗洗机/1台12PECVDD镀膜机/1台13丝网印刷机机/1台14烧结炉/1台15辅助设备冷冻机/2台新增16空压机/6台17组合式空调调净化系统统0-20TT4套18通风系统（风风机）4套为备用用48套19水泵/10台20氮气、氧气气储罐氧气20mm31个依托21氮气20mm31个22膜过滤制纯纯水设施设计能力2200t/h1套23含N废水膜膜过滤纯水水设施100t/d1套新增24含P废水膜膜过滤纯水水设施10t/dd1套26环保设备酸性废水处处理+混凝凝沉淀系统统设计能力2200t/h1套依托27含氢氟酸废废水处理设设施设计能力550t/hh1套28含铬酸废水水处理设施施设计能力550t/hh1套29废水（尾水水）深度处处理系统（中中水回用）设计能力2200t/h1套30含N废水处处理系统（回回用）100t/d1套新建31含P废水处处理系统（回回用）10t/dd1套32含铬酸雾废废气洗涤塔塔处理系统统设计风量7700000m3/h1套新建33酸性废气洗洗涤塔处理理系统设计风量7700000m3/h1套34含N废气洗洗涤塔设计风量7700000m3/h1套35含P废气洗洗涤塔设计风量7700000m3/h1套36有机废气活活性炭纤维维吸附系统统风量400000m33/h1套37硅烷燃烧风量64000m3/h1套38噪音隔音设设施/4套6、污染源源强及污染染物排放量量分析（1）本项项目的废气气产生情况况本项目废气气产生情况况一览表废气类别排气筒编号号主要污染因因子产生环节防治措施有组织排放放废气工艺废气G14铬酸雾有铬线腐蚀蚀（制绒）铬酸雾洗涤涤+高空集集中25mm高排气筒筒排放G15氟化物、HHCl、CCl2、CF4、SiFF4、硫酸雾雾腐蚀（制绒绒）、硅片片扩散、去去硅玻璃洗涤塔+高高空集中225m高排气筒排放放G16P2O5硅片扩散洗涤塔+高高空集中225m高排气筒排放放G17NOx无铬线腐蚀蚀（制绒）、去去硅玻璃洗涤塔+高高空集中225m高排气筒排放放G18SiH4、NNH3加减反射膜膜硅烷燃烧+高空集中中25m高排气筒筒排放G19挥发性有机机废气（TTVOC）印刷、烘干干活性炭纤维维+高空集集中25m高排气筒筒排放无组织排放放废气-铬酸雾、氟氟化物、硫硫酸雾、HHCl、CCl2、P2O5、NH3、SiHH4、TVOCC等未收集废气气及化学品品仓库无组织排放放本项目废气气产生排放放情况一览览表废气类型废气量m3/h污染因子产生浓度（mg/mm3）产生速率（kg/hh）处理方案处理效率排放浓度（mg/mm3）排放速率（kg/hh）工艺废气G14700000铬酸雾0.120.0088铬酸雾洗涤涤塔90%0.01220.00008工艺废气G5700000氟化物25.51.78557洗涤塔98.6%0.35770.0255HCl7.590.5311380%3.120.106626硫酸雾0.40.028860%0.160.01112Cl21.20.084440%0.720.05004工艺废气G16700000P2O52.46660.17226洗涤塔40%1.480.103356工艺废气G17700000NOx12.73380.8922洗涤塔80%5.09550.17884工艺废气GG18400000NH378.6223.14448硅烷燃烧95%7.86220.157724SiH40.920080.0366895%0.04660.001184有机废气GG196400TVOC461.882.9555活性炭纤维维90%46.1880.29555废气类型废气量m3/h污染因子产生量（tt/a）处理方案处理效率排放量（tt/a）无组织排放放废气（车车间+化学学品库）-铬酸雾0.00002-0.00002氟化物0.00660.0066HCl0.02660.0266硫酸雾0.002280.00228NOx0.004450.00445P2O50.002260.00226Cl20.01220.0122NH30.03990.0399SiH40.0000460.000046TVOC0.07440.0744注：车间有有机废气未未收集排放放量以5%计；化学学品原料仓仓库挥发量量按万分之之一计；（2）本项项目的废谁谁产生情况况本项目废水水产生情况况一览表(t/a)编号名称产生量pHCODCrrmg/lSSmg/lNH3-NNmg/lTPmg/lFmg/l六价铬mgg/lW1含铬废水8009663-5100250/50W2含氟废水12024453-550250/150/W3含N废水1888223-510050500/100/W4含P废水20463-510050/300/W5酸碱废水10498872-1410070/W6生活污水1200006-9400200204/W7工艺甩干水水、制纯水水废水（清清