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太阳能电池（结构、工作原理、发展现状及趋势） 摘要要:人类面面临着有限限常规能源源和环境破破坏严重的的双重压力力。已经成成为越来越越值得关注注的社会与与环境问题题。近年来来，光伏市市场快速发发展并取得得可喜的成成就。本文文介绍了太太阳能电池池的结构、工工作原理、发发展现状及及趋势。关键字； 太阳能能电池；结结构；工作作原理；发发展现状及及趋势。引言：由于于人类对可可再生能源源的不断需需求。促使使人们致力力于开发新新型能源。太太阳在400min内内照射带地地球表面的的能量可供供全球目前前能源消费费的速度使使用1年。合合理的利用用好太阳能能将是人类类解决能源源问题的长长期发展战战略，是其其中最受瞩瞩目的研究究热点之一一。一：太阳能能电池结构构及工作原原理1:太阳能电电池的结构构及工作原原理太阳能能电池的外外形及基本本结构如图图1。基本本材料为PP型单晶硅硅，厚度为为0.30.5mmm左右。上上表面为NN+型区，构构成一个PPN结。顶顶区表面有有栅状金属属电极，硅硅片背面为为金属底电电极。上下下电极分别别与N区区和P区形形成欧姆接接触，整个个上表面还还均匀覆盖盖着减反射射膜。当入入发射光照照在电池表表面时，光光子穿过减减反射膜进进入硅中，能能量大于硅硅禁带宽度度的光子在在N+区，PPN结空空间电荷区区和P区中中激发出光光生电子空穴对对。各区中中的光生载载流子如果果在复合前前能越过耗耗尽区，就就对发光电电压作出贡贡献。光生生电子留于于N区，光光生空穴留留于P区，在在PN结结的两侧形形成正负电电荷的积累累，产生光光生电压，此此为光生伏伏打效应。当当光伏电池池两端接一一负载后，光光电池就从从P区经负负载流至NN区，负负载中就有有功率输出出。太阳能能电池各区区对不同波波长光的敏敏感型是不不同的。靠靠近顶区湿湿产生阳光光电流对短短波长的紫紫光（或紫紫外光）敏敏感，约占占总光源电电流的510（随随N区厚厚度而变），PPN结空空间电荷的的光生电流流对可见光光敏感，约约占5 左右。电电池基体区区域产生的的光电流对对红外光敏敏感，占880900，是光光生电流的的主要组成成部分。 将光子转换换为电子2计算器和人人造卫星上上使用的太太阳能电池池都是光伏伏电池或者者模块（模模块就是一一组通过电电路连接并并封装在一一个框架内内的电池）。光光伏电池（PPhotoovolttaicss），顾名名思义（pphotoo=光， volttaic=电），是是指将太阳阳光转换为为电能的电电池。光伏伏电池之前前只用在太太空中，而而现在却越越来越普及及，且使用用方式也越越来越普通通。它们甚甚至可以为为您的住宅宅供电。这这些装置是是如何工作作的呢？ 光伏（PVV）电池由由半导体材材料制成，比比如硅就是是目前最常常用的一种种半导体。当当光照射电电池时，有有一部分光光会被半导导体材料吸吸收。这意意味着吸收收的光能将将传给半导导体。能量量会导致电电子逸出，使使它们可以以自由流动动。光伏电电池中还有有一个或多多个电场，可可以迫使由由光吸收并并释放的电电子以一定定方向流动动。电子的的流动形成成电流，通通过在光伏伏电池的顶顶部和底部部安放金属属触点，我我们可以将将电流引出出来，以供供使用。例例如，电流流可以为计计算器供电电。此电流流以及电池池电压（由由内部电场场产生）决决定了太阳阳能电池的的功率（或或者瓦特数数）。 这是发电的的基本过程程，但是实实际情况要要复杂得多多。让我们们来深入研研究一个光光伏电池的的示例：单单晶硅电池池。硅有一些特特别的化学学特性，尤尤其是它的的晶体结构构。硅原子子含有144个电子，排排列在三个个不同的核核外电子层层中。距离离原子核最最近的头两两个电子层层完全填满满。而最外外层电子则则处于半满满状态，只只有四个电电子。硅原原子始终会会想方设法法填满最外外面的电子子层（即希希望有八个个电子）。为为此，它会会与相邻硅硅原子的四四个电子共共享自身的的电子，这这就好比每每个原子与与周围原子子握手一样样，只是在在这种情况况下，每个个原子有四四只手与四四个邻居相相握。这就就形成了晶晶体结构，该该结构对于于这种类型型的光伏电电池具有重重要的意义义。 现在，我们们已经了解解了纯晶体体硅。纯硅硅是一种性性能很差的的导体，因因为它的电电子不能像像铜这样的的导体中的的电子那样样自由移动动。硅中的的电子被全全部锁在晶晶体结构中中。太阳能能电池中的的硅结构已已经过稍稍稍调整，以以便它能作作为太阳能能电池来工工作。 太阳能电池池使用的硅硅混有杂质质其他原原子与硅原原子混在一一起，这样样会稍稍改改变硅的工工作方式。我我们通常认认为杂质是是某种不好好的东西，但但在这个例例子中，如如果没有这这些杂质，电电池就无法法工作。实实际上，这这些杂质是是有意添加加到硅中的的。考虑硅硅与一个位位置不定的的磷原子在在一起的情情况，也许许每一百万万个硅原子子配上一个个磷原子。磷磷原子的外外电子层有有五个电子子，而不是是四个。它它仍然要与与硅周围的的原子结合合，但从某某种意义上上讲，磷原原子有一个个电子是不不与任何原原子握手的的。它没有有成为键的的一部分，但但是磷原子子核中的正正质子会使使其保持在在原位上。 当把能量加加到纯硅中中时（比如如以热的形形式），它它会导致几几个电子脱脱离其共价价键并离开开原子。每每有一个电电子离开，就就会留下一一个空穴。然然后，这些些电子会在在晶格周围围四处游荡荡，寻找另另一个空穴穴来安身。这这些电子被被称为自由由载流子，它它们可以运运载电流。不不过，留在在纯硅中的的电子数量量极少，因因此没有太太大的用处处。而将纯纯硅与磷原原子混合起起来，情况况就完全不不同了。此此时，只需需很少的能能量即可使使磷原子的的某个“多余”的电子逸逸出，因为为这些电子子没有结合合到共价键键中它们的的邻居不会会将它们拉拉回。因此此，大多数数这类电子子会成为自自由电子，这这样，我们们就得到了了比纯硅中中多得多的的自由载流流子。有意意添加杂质质的过程被被称为掺杂杂，当利用用磷原子掺掺杂时，得得到的硅被被成为N型型（“n”表示负电电），因为为硅里面有有很多自由由电子。与与纯硅相比比，N 型型掺杂硅是是一种性能能好得多的的导体。 实际上，太太阳能电池池只有一部部分是N型型。另一部部分硅掺杂杂的是硼，硼硼的最外电电子层只有有三个而不不是四个电电子，这样样可得到PP型硅。PP型硅中没没有自由电电子（“p”表示正电电），但是是有自由空空穴。空穴穴实际是电电子离开造造成的，因因此它们带带有相反（正正）的电荷荷。它们像像电子一样样四处移动动。 在将N型硅硅与P型硅硅放到一起起时，有趣趣的情形发发生了。切切记，每块块光伏电池池至少有一一个电场。没没有电场，电电池就无法法工作，而而此电场是是在N型硅硅和P型硅硅接触的时时候形成的的。突然，NN 侧的自自由电子（它它们一直在在寻找空穴穴来安身）看看到了P侧侧的所有空空穴，然后后便疯狂地地奔向空穴穴，将空穴穴填满。以以前，从电电的角度来来看，我们们所用的硅硅都是中性性的。多余余的电子被被磷中多余余的质子所所中和。缺缺失电子（空空穴）由硼硼中缺失质质子所中和和。当空穴穴和电子在在N型硅和和P型硅的的交界处混混合时，中中性就被破破坏了。所所有自由电电子会填充充所有空穴穴吗？不会会。如果是是这样，那那么整个准准备工作就就没有什么么意义了。不不过，在交交界处，它它们确实会会混合形成成一道屏障障，使得NN侧的电子子越来越难难以抵达PP侧。最终终会达到平平衡状态，这这样我们就就有了一个个将两侧分分开的电场场。这个电电场相当于于一个二极极管，允许许（甚至推推动）电子子从P侧流流向N侧，而而不是相反反。它就像像一座山电子可可以轻松地地滑下山头头（到达NN侧），却却不能向上上攀升（到到达P侧）。 这样，我们们就得到了了一个作用用相当于二二极管的电电场，其中中的电子只只能向一个个方向运动动。让我们们来看一下下在太阳光光照射电池池时会发生生什么。 当光以光子子的形式撞撞击太阳能能电池时，其其能量会使使电子空穴穴对释放出出来。 每个携带足足够能量的的光子通常常会正好释释放一个电电子，从而而产生一个个自由的空空穴。如果果这发生在在离电场足足够近的位位置，或者者自由电子子和自由空空穴正好在在它的影响响范围之内内，则电场场会将电子子送到N侧侧，将空穴穴送到P侧侧。这会导导致电中性性进一步被被破坏，如如果我们提提供一个外外部电流通通路，则电电子会经过过该通路，流流向它们的的原始侧（PP侧），在在那里与电电场发送的的空穴合并并，并在流流动的过程程中做功。电电子流动提提供电流，电电池的电场场产生电压压。有了电电流和电压压，我们就就有了功率率，它是二二者的乘积积。 二：太阳能能电池发展展现状及趋趋势： 太阳能发电电是一项高高新技术，以以太阳能为为资源基础础的生产将将是一种可可持续的发发展模式。从从阳光直接接转变成电电流的太阳阳电池也将将不再是昂昂贵的的市市场空缺。全全球太阳能能产品的年年销售额达达14亿美美元，其中中12亿美美元来自太太阳能电池池的销售。太太阳能工业业的年增长长率估计在在20%左左右，太阳阳能利用增增长的潜力力是巨大的的。制作太阳能能电池主要要是以半导导体材料为为基础，其其工作原理理是利用光光电材料吸吸收光能后后发生光电电于转换反反应，根据据所用材料料的不同，太太阳能电池池可分为：硅太阳能能电池；化化合物太阳阳能电池，如如砷化镓、硫硫化镉、铜铜铟硒等；功能高分分子材料制制备的太阳阳能电池；纳米晶太太阳能电池池等。不论论以何种材材料来制作作电池，对对太阳能电电池材料一一般的要求求有：半导导体材料的的禁带不能能太宽；要要有较高的的光电转换换效率：材材料本身对对环境不造造成污染；材料便于于工业化生生产且材料料性能稳定定。基于以以上几个方方面考虑，硅硅是最理想想的太阳能能电池材料料，这也是是目前在太太阳能电池池领域硅太太阳能电池池占主导地地位的主要要原因。1，有关高高效率，低低成本晶体体硅太阳能能电池开发发硅太阳能电电池可分为为晶体硅太太阳能电池池和薄膜硅硅太阳能电电池，晶体体硅太阳能能电池主要要是指单晶晶硅和多晶晶硅太阳能能电池。规规模化生产产中，单晶晶硅太阳能能电池具有有转换效率率最高、技技术最为成成熟、可靠靠性高等优优点。澳大大利亚新南南威尔士大大学硅太阳阳电池及硅硅发光实验验室副主任任赵建华研研发的PEERL（钝钝化发射极极、背面点点扩散）太太阳能电池池转换效率率高达244.7%。多晶硅太阳阳能电池的的制作工艺艺与单晶硅硅太阳能电电池相近，但但是从制作作成本上来来讲，比单单晶硅太阳阳能电池要要低得多。多多晶硅太阳阳能电池的的光电转化化效率相比比单晶硅太太阳能电池池要低。我我国尚德太太阳能电力力将开始量量产转换效效率18.8的单单晶硅型、117.2的多晶硅硅型太阳能能电池单元元。目前，我国国已上马了了多家多晶晶硅材料的的生产基地地，解决我我国晶体硅硅太阳能电电池原料高高度依赖国国外进口的的现状。随随着多晶硅硅供需平衡衡，多晶硅硅价格会迅迅速恢复到到合理价位位，将直接接导致硅太太阳能电池池生产成本本大大降低低，为多晶晶硅太阳能能电池创造造更好的发发展条件。硅太阳能电电池转换效效率无疑是是最高的，而而且由于硅硅太阳能电电池一般采采用钢化玻玻璃以及防防水树脂进进行封装，因因此其坚固固耐用，使使用寿命一一般可达115年，最最高可达225年。薄薄膜太阳能能电池由于于其制造成成本低，对对环境的影影响小，近近年来备受受关注，其其所占的市市场份额逐逐渐加大。但但是在目前前金融危机机情况下，硅硅原材料成成本已下降降到每公斤斤100美美元以下，成成本大大下下降，已接接近火电发发电成本每每瓦1元人人民币，由由于转化效效率高于薄薄膜，成本本下降较大大，所以硅硅太阳能电电池仍具备备强有力的的竞争力。2，新型薄薄膜电池开开发薄膜太阳能能电池是最最富前途的的下一代太太阳能电池池技术，它它节省了硅硅原料的使使用和硅片片制造工艺艺。与目前前常见的硅硅片太阳能能电池相比比，硅薄膜膜太阳能电电池用硅量量仅为前者者的1%左左右，可使使每瓦太阳阳能电池成成本从2.5美元降降至1.22美元。此此外，这种种高科技新新产品可与与建筑物屋屋顶、墙体体材料如玻玻璃幕墙融融为一体，既既可并网发发电又能节节约建筑材材料、美化化环境。目目前正在研研发中和已已有产品出出售的薄膜膜太阳能电电池主要有有以下几种种：（1）非晶晶硅薄膜电电池：是薄薄膜太阳能能电池中最最成熟的产产品之一。由于非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得到迅速发展，但由于其光学带隙为1.7eV, 使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。（2）多晶晶硅硅薄膜膜电池：其其转换效率率高于非晶晶硅薄膜太太阳能电池池，又无效效率衰退问问题，并且且有可能在在廉价衬底底材料上制制备，但由由于控制薄薄膜中硅晶晶粒大小的的技术没有有解决，尚尚未能制成成有实用价价值的太阳阳能电池。（3）有机机染料敏化化电池：它它是一种光光电化学电电池。（4）铜铟铟锡（CIIS）和锑锑化镉（CCdTe）：两种化合合物多晶薄薄膜太阳能能电池，中中试转换效效率已经超超过10。但是，由由于元素镉镉的有毒性性及其对环环境的污染染，这种太太阳能电池池技术均不不具备长远远的产业化化生命力。（5）铜-铟-硒（及及其合金）电电池：据美美国Miaasolee公司称，他他们研制的的样品转换换效率可达达19.55，试销销产品的转转换效率可可达9。但但由于铟和和硒都是比比较稀有的的元素，因因此，这类类电池的发发展必然受受到限制。（6）砷化化镓IIII-V化合合物薄膜电电池：在2250的的条件下，光光电转换性性能仍很良良好，其最最高光电转转换效率约约30，且且能耐高温温，特别适适合做高温温聚光太阳阳能电池。但但生产成本本高，产量量受限，目目前主要作作空间电源源用。在光伏利用用中，相对对于其它薄薄膜电池，由由于硅材料料储量丰富富，且无毒毒、无污染染，具有主主导地位。目目前，在硅硅基薄膜太太阳能电池池家族中，非非晶硅薄膜膜电池占有有主要地位位。但非晶晶硅太阳能能电池存在在光致衰减减效应的缺缺点，并且且转化效率率远低于晶晶体硅太阳阳能电池。目目前又出现现了各种叠叠层太阳能能电池，转转换效率达达14.66%，接近近多晶硅太太阳能电池池。近年来，另另一种新型型硅基薄膜膜材料纳米硅薄薄膜由于其其优良的性性能引起了了人们广泛泛的关注。理理论上其最最大转换率率为44%，如能产产业化，则则高于单晶晶硅电池。3，超高级级太阳能电电池的探索索A，聚光太太阳能（CCPV）第三代聚光光太阳能（CCPV）发发电方式，正正逐渐成为为太阳能领领域的焦点点。% ZZ$ U) L4 l  DD光伏发电电经历了第第一代晶硅硅电池和第第二代薄膜膜电池，目目前产业化化进程正逐逐渐转向高高效的CPPV系统发发电。与前前两代电池池相比，CCPV采用用多结的IIII-VV族化合物物电池，具具有大光谱谱吸收、高高转换效率率等优点；而且所需需的电池面面积不大，以以相对廉价价的聚光器器件替代昂昂贵的半导导体材料，在在大规模应应用于发电电时可有效效降低成本本、降低生生产能耗。1 M, A( J6 |; ( X$ F( CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%，单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%，多结的III-V族电池对光谱进行了更全面的吸收，其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失，目前的CPV系统转换效率可达25%，高于目前市售晶硅电池17%左右的转换效率。此外，GaAs系电池的高温衰减性能强于硅系电池，更适合应用于日照强烈的荒漠地区。CPV系统的生产过程更加节能环保。聚光倍数越大，所需的光伏电池面积越小，对于高达几百倍的HCPV系统来说，硬币大小的转换电池就可转换碗口面积的光能。在节省半导体材料用量的同时，降低了太阳能发电系统的生产成本和能耗，使得CPV具有更短的能量回收期。- s1 b/ |' J& S" y; 9 U. F) W+ , BCPV发电渐具成本优势，更具成本下降潜力。随着CPV技术的更加成熟以及生产规模的进一步扩大，普遍预计2010年内即可实现较低的平准化电力成本(LCOE)，低于晶硅和薄膜电池。未来，若对光伏发电设备的生产环节征收碳排放税，CPV的投资回收期仅会延长12个月，晶硅和薄膜电池均会延长1年以上，届时CPV的相对成本优势将更加明显。 . V; k9 k1 J6 6 * C0 jCPV将长期与晶硅、薄膜电池共存。CPV由于系统的复杂性，较适用于大型的光伏发电电站，可采用统一的追日控制方式和冷却系统。而晶硅和薄膜电池更适用于较小型的家用和商用发电系统，长期来看，CPV并不会完全取代晶硅和薄膜电池的市场，正如薄膜电池不会完全取代晶硅电池一样。   L2 I+ t. v! K市场规模具备高速增长潜力。目前全球的CPV装机不到200MW，预计今后几年内，随着技术优势和成本优势的体现，市场规模将有爆发式的增长，未来10年年均增速预计在40%以上。到2020年行业总产值可达500亿元左右。我国目前仅有少量示范电站，未来随着光伏装机容量的提升，CPV的市场也将逐渐打开。CSP也将逐渐步入规模化应用。CSP系统主要是对太阳能聚光产生的热量进行利用，CSP虽然不需使用光伏电池，但依然需要大量的光学聚光器。预计2015年新增装机将达到5.5GW。 ; z+ E  g; q( x; 4 2 X相关国内上市公司：目前国内尚无成熟的CPV设备制造商，产品进口依赖度较高。A股上市公司中，万家乐、三安光电、哈高科均具有CPV制造业务，新华光、水晶光电、利达光电则具有光学聚光器的生产能力，未来有望从CPV和CSP市场的高速扩张中获益。B， 聚合合物多层修修饰电极型型太阳能电电池在太阳能电电池中以聚聚合物代替替无机材料料是刚刚开开始的一个个太阳能电电池的研究究方向。其其原理是利利用不同氧氧化还原型型聚合物的的不同氧化化还原电势势，在导电电材料（电电极）表面面进行多层层复合，制制成类似无无机PNN结的单向向导电装置置。其中一一个电极的的内层由还还原电位较较低的聚合合物修饰，外外层聚合物物的还原电电位较高，电电子转移方方向只能由由内层向外外层转移；另一个电电极的修饰饰正好相反反，并且第第一个电极极上两种聚聚合物的还还原电位均均高于后者者的两种聚聚合物的还还原电位。当当两个修饰饰电极放入入含有光敏敏化剂的电电解波中时时光敏化化剂吸光后后产生的电电子转移到到还原电位位较低的电电极上，还还原电位较较低电极上上积累的电电子不能向向外层聚合合物转移，只只能通过外外电路通过过还原电位位较高的电电极回到电电解液，因因此外电路路中有光电电流产生。 由于有机材材料柔性好好，制作容容易，材料料来源广泛泛，成本底底等优势，从从而对大规规模利用太太阳能，提提供廉价电电能具有重重要意义。但但以有机材材料制备太太阳能电池池的研究仅仅仅刚开始始，不论是是使用寿命命，还是电电池效率都都不能和无无机材料特特别是硅电电池相比。能能否发展成成为具有实实用意义的的产品，还还有待于进进一步研究究探索。 C，纳米晶晶化学太阳阳能电池在太阳能电电池中硅系系太阳能电电池无疑是是发展最成成熟的，但但由于成本本居高不下下，远不能能满足大规规模推广应应用的要求求。为此，人人们一直不不断在工艺艺、新材料料、电池薄薄膜化等方方面进行探探索，而这这当中新近近发展的纳纳米TiOO2晶体化化学能太阳阳能电池受受到国内外外科学家的的重视。 自瑞士Grratzeel教授研研制成功纳纳米TiOO2化学大大阳能电池池以来，国国内一些单单位也正在在进行这方方面的研究究。纳米晶晶化学太阳阳能电池（简简称NPCC电池）是是由一种在在禁带半导导体材料修修饰、组装装到另一种种大能隙半半导体材料料上形成的的，窄禁带带半导体材材料采用过过渡金属RRu以及OOs等的有有机化合物物敏化染料料，大能隙隙半导体材材料为纳米米多晶TiiO2并制制成电极，此此外NPCC电池还选选用适当的的氧化一还还原电解质质。纳米晶晶TiO22工作原理理：染料分分子吸收太太阳光能跃跃迁到激发发态，激发发态不稳定定，电子快快速注入到到紧邻的TTiO2导导带，染料料中失去的的电子则很很快从电解解质中得到到补偿，进进入TiOO2导带中中的电于最最终进入导导电膜,然然后通过外外回路产生生光电流。 纳米晶TiiO2太阳阳能电池的的优点在于于它廉价的的成本和简简单的工艺艺及稳定的的性能。其其光电效率率稳定在110以上上，制作成成本仅为硅硅太阳电池池的1/551/110寿命命能达到22O年以上上。但由于于此类电池池的研究和和开发刚刚刚起步，估估计不久的的将来会逐逐步走上市市场。从以上上几个方面面的讨论可可知，作为为太阳能电电池的材料料，IIII-V族化化合物及CCIS等系系由稀有元元素所制备备，尽管以以它们制成成的太阳能能电池转换换效率很高高，但从材材料来源看看，这类太太阳能电池池将来不可可能占据主主导地位。而而另两类电电池纳米晶晶太阳能电电池和聚合合物修饰电电极太阳能能电地存在在的问题，它它们的研究究刚刚起步步，技术不不是很成熟熟，转换效效率还比较较低，这两两类电池还还处于探索索阶段，短短时间内不不可能替代代应系太阳阳能电池。因因此，从转转换效率和和材料的来来源角度讲讲，今后发发展的重点点仍是硅太太阳能电池池特别是多多晶硅和非非晶硅薄膜膜电池。由由于多晶硅硅和非晶硅硅薄膜电池池具有较高高的转换效效率和相对对较低的成成本，将最最终取代单单晶硅电池池，成为市市场的主导导产品。 提高转换效效率和降低低成本是太太阳能电池池制备中考考虑的两个个主要因素素，对于目目前的硅系系太阳能电电池，要想想再进一步步提高转换换效率是比比较困难的的。因此，今今后研究的的重点除继继续开发新新的电池材材料外应集集中在如何何降低成本本上来，现现有的高转转换效率的的太阳能电电池是在高高质量的硅硅片上制成成的，这是是制造硅太太阳能电池池最费钱的的部分。因因此，在如如何保证转转换效率仍仍较高的情情况下来降降低衬底的的成本就显显得尤为重重要。也是是今后太阳阳能电池发发展急需解解决的问题题。近来国国外曾采用用某些技术术制得硅条条带作为多多晶硅薄膜膜太阳能电电池的基片片，以达到到降低成本本的目的，效效果还是比比较现想的的。 中国对对太阳能电电池的研究究起步于11958年年，20世世纪80年年代末期，国国内先后引引进了多条条太阳能电电池生产线线，使中国国太阳能电电池生产能能力由原来来的3个小小厂的几百百kW一下下子提升到到4个厂的的4.5MMW，这种种产能一直直持续到22002年年，产量则则只有2MMW左右。22002年年后，欧洲洲市场特别别是德国市市场的急剧剧放大和无无锡尚德太太阳能电力力有限公司司的横空出出世及超常常规发展给给中国光伏伏产业带来来了前所未未有的发展展机遇和示示范效应。 目前，我国国已成为全全球主要的的太阳能电电池生产国国。20007年全国国太阳能电电池产量达达到11888MW，同同比增长2293%。中中国已经成成功超越欧欧洲、日本本为世界太太阳能电池池生产第一一大国。在在产业布局局上，我国国太阳能电电池产业已已经形成了了一定的集集聚态势。在在长三角、环环渤海、珠珠三角、中中西部地区区，已经形形成了各具具特色的太太阳能产业业集群。 中国的太阳阳能电池研研究比国外外晚了200年，尽管管最近100年国家在在这方面逐逐年加大了了投入，但但投入仍然然不够，与与国外差距距还是很大大。政府应应加强政策策引导和政政策激励，尽尽快解决太太阳能发电电上网与合合理定价等等问题。同同时可借鉴鉴国外的成成功经验，在在公共设施施、政府办办公楼等领领域强制推推广使用太太阳能，充充分发挥政政府的示范范作用，推推动国内市市场尽快起起步和良性性发展。 太阳能光伏伏发电在不不远的将来来会占据世世界能源消消费的重要要席位，不不但要替代代部分常规规能源，而而且将成为为世界能源源供应的主主体。预计计到20330年，可可再生能源源在总能源源结构中将将占到300以上，而而太阳能光光伏发电在在世界总电电力供应中中的占比也也将达到110以上上；到20040年，可可再生能源源将占总能能耗的500以上，太太阳能光伏伏发电将占占总电力的的20以以上；到221世纪末末，可再生生能源在能能源结构中中将占到880以上上，太阳能能发电将占占到60以上。这这些数字足足以显示出出太阳能光光伏产业的的发展前景景及其在能能源领域重重要的战略略地位。由由此可以看看出，太阳阳能电池市市场前景广广阔。